用于布局相关变动分析的系统的制作方法

本发明实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及用于布局相关变动分析的系统。

背景技术：

被归类为数字、模拟、或混合信号的现代集成电路(integratedcircuit，ic)提供复杂的功能。单个集成电路包括数百万个或数十亿个晶体管，所述晶体管中的每一个晶体管接通及断开以使微量电流传播通过集成电路中的各种路径。在集成电路制造之前的设计阶段，设计者会针对集成电路中的每一晶体管指定一组目标工艺参数，所述目标工艺参数例如包括栅极长度、电子迁移率及电压阈值。

技术实现要素：

本发明提供了一种用于布局相关变动分析的系统，其包括：处理器；存储装置，存储计算机程序码，所述计算机程序码由所述处理器执行以实行以下中的至少一者：通过应用前段变动来实行第一模拟以获得第一模拟结果，其中所述第一模拟结果指示集成电路的至少一个样本，且所述集成电路具有至少一个装置；通过应用布局相关变动中的一或多个布局相关变动来将所述至少一个装置分离成所述集成电路的所述至少一个样本的布局中的多个分离装置，其中所述分离装置具有单独的变量；在第二模拟中将所述单独的变量转译成所述分离装置的等效变量；以及在所述第二模拟中重新检查所述集成电路的所述至少一个样本。

附图说明

通过参照附图阅读以下详细说明，能最好地理解本发明的各个方面。应注意，根据行业中的标准惯例，各种特征未按比例绘示。实际上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1是根据本发明各种实施例的一种系统的示意图。

图2是说明根据本发明各种实施例由系统100实施各种模拟的示意图。

图3说明一种根据本发明各种实施例的由图1所示系统实施的方法的流程图。

[符号的说明]

100：系统

102：处理器

104：存储装置

106：计算机程序码

107：指令

108：总线

110：输入/输出接口

112：网络接口

114：网络

116：用户界面

120：工艺设计套件

122：装置变动转译器

130：前段变动

132：布局相关变动

140、141、142：模拟结果

150：装置模型

170：工具

210：预先模拟

214：装置

216：装置

220：再模拟

222：关键组件布局

226：分离装置

230：后模拟

232：电路布局

236：装置

237：寄生电阻器

238：寄生电容器

239：伪装置

300：方法

305、310、315、325、330：操作

具体实施方式

以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述组件及排列的具体实例以简化本公开内容。当然，这些仅为实例且不旨在进行限制。例如，以下说明中将第一特征形成在第二特征“之上”或第二特征“上”可包括其中第一特征及第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有附加特征、进而使得所述第一特征与所述第二特征可能不直接接触的实施例。另外，本公开内容可能在各种实例中重复参考编号及/或字母。这种重复是出于简洁及清晰的目的，而不是自身表示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。

在本说明书中使用的用语一般具有其在所属技术领域及使用每一用语的具体上下文中的通常含意。在本说明书中使用的实例(包括本文中所论述的任何用语的实例)仅是说明性的，且不以任何方式限制本公开内容或任何示例性用语的范围及含意。同样地，本发明不限于在本说明书中给出的各种实施例。

图1是根据本发明各种实施例的系统100的示意图。在图1中说明性地提供用于系统100的不同组件的标记。在一些实施例中，系统100是计算装置或在计算装置中实作，以进行例如包括布局相关变动分析在内的变动分析。为了进行说明，布局相关变动分析与布局相依因数相关联，所述布局相依因数例如包括集成电路(ic)中的装置的配置及/或特性。

为了在图1中进行说明，系统100包括硬件处理器102及编码有计算机程序码106的非暂时性计算机可读存储装置104。换句话说，计算机可读存储装置104存储有一组可执行指令，所述可执行指令例如包括计算机可执行模拟指令。

在一些实施例中，计算机程序码106例如包括电子设计自动化(electronicdesignautomation，eda)码。在各种说明中，电子设计自动化也被称为电子计算机辅助设计(electroniccomputeraideddesign，ecad)且用于设计及生产例如包括集成电路在内的电子系统。随着半导体技术的不断规模化，电子设计自动化工具已得到快速开发。

在一些实施例中，系统100中的计算机可读取存储装置104还存储前段(front-end，fe)变动130。前段变动130与生产线前段(front-end-of-line，feol)工艺相关联。为了进行说明，前段变动130指示在生产线前段(feol)工艺中装置的变动，且被配置成应用在如下所述的模拟中。

在一些实施例中，生产线前段工艺例如包括晶片制备、隔离、井形成(wellformation)、栅极图案化、间隔件、延伸及源极/漏极植入、硅化物形成、及双应力衬层(dualstressliner)形成。在生产线前段工艺期间，在半导体晶片上形成半导体结构。

在另一些实施例中，在生产线前段工艺期间，各种处理步骤分成多种类别，所述类别例如包括沉积、移除、图案化、及电质(即，掺杂)修改。以下是对上述处理类别的说明。沉积是使材料生长、涂布或以其他方式转移至晶片上的工艺。沉积工艺或技术的一些实例包括物理气相沉积(physicalvapordeposition，pvd)、化学气相沉积(chemicalvapordeposition，cvd)、电化学沉积(electrochemicaldeposition，ecd)、分子束外延(molecularbeamepitaxy，mbe)、原子层沉积(atomiclayerdeposition，ald)等。移除是自基体晶片移除材料的工艺，例如包括蚀刻工艺。举例来说，化学机械平坦化(chemicalmechanicalplanarization，cmp)是在装置的各层之间使用的典型移除工艺。图案化工艺是对所沉积的材料的形状进行图案化的工艺。图案化也被称为光刻。典型的图案化工艺包括：使用光刻胶材料来选择性地掩盖半导体装置的一些部分，将所述装置暴露至特定波长的光，然后以显影液冲洗掉未被暴露的区域。通过以扩散及/或离子植入对所选择的区域进行掺杂来改变电质。在掺杂工艺之后通常进行退火工艺以活化所植入的掺杂物，所述退火工艺例如包括炉内退火或快速热退火(rapidthermalanneal，rta)。

在一些实施例中，系统100中的计算机可读存储装置104还存储布局相关变动132。布局相关变动132与布局相关效果相关联。为了进行说明，布局相关效果与布局相依效果(layoutdependenteffect，lde)、生产线中段(middle-end-of-line，meol)工艺、及生产线后段(back-end-of-line，beol)工艺相关联。为了进行说明，布局相关变动132指示在布局相依效果、生产线中段工艺及生产线后段工艺中的装置及其连接的变动，且被配置成应用在如下所述的模拟中。

在一些实施例中，生产线中段工艺例如包括栅极触点形成。在半导体晶片上形成半导体结构的生产线前段工艺之后，在生产线中段工艺期间对所述半导体结构进行局部地互连来制成集成电路。

在一些实施例中，生产线后段工艺例如包括一系列晶片处理步骤。实行所述晶片处理步骤是为了对在生产线前段工艺及生产线中段工艺期间形成的半导体结构进行互连。

在各种实施例中，布局相关变动132与环境变动相关联。环境变动例如包括电压、温度等。

在一些其他实施例中，系统100中的计算机可读存储装置104还存储工艺设计套件(processdesignkit，pdk)120以及装置变动转译器122。在一些替代实施例中，系统100中的计算机可读存储装置104还存储用于装置变动转译器122的装置模型150。以下阐释与装置变动转译器122及装置模型150相关联的操作。

为了在系统100中进行说明，处理器102用以执行与模拟指令相关联的计算机程序码106，所述模拟指令被编码在计算机可读存储装置104中。因此，系统100能够进行操作来实行各种模拟。

在一些实施例中，系统100将前段变动130应用至第一模拟。为了进行说明，处理器102执行计算机程序码106以应用前段变动130。因此，第一模拟得以实行，且因此而获得模拟结果140。在一些其他实施例中，系统100将布局相关变动132的一部分应用至第二模拟。为了进行说明，处理器102执行计算机程序码106以应用装置变动转译器122。因此，通过使用模拟结果140而使第二模拟得以实行，且因此而获得模拟结果141。在一些替代实施例中，系统100将所有布局相关变动132应用至另一第二模拟。为了进行说明，处理器102执行计算机程序码106以应用装置变动转译器122。因此，通过使用模拟结果140而使第二模拟得以实行，且因此而获得模拟结果142。在另一些实施例中，模拟结果141或模拟结果142充当对用于制作集成电路的布局进行修改的基础。

在一些其他实施例中，计算机可读存储装置104还被编码有用于与工具170进行接口的指令107，所述工具170例如包括制造装备、腔室等。为了进行说明，工具170在一些实施例中被配置成用于基于上述经修改布局来生产集成电路。

在一些实施例中，工具170实行各种半导体工艺，所述半导体工艺例如包括蚀刻、沉积、植入及退火。工具170例如包括光刻步进器、蚀刻工具、沉积工具、研磨工具、快速热退火工具、离子植入工具等。每一工具170根据特定操作方法来对晶片进行修改。为了进行说明，一个工具170用以将具有某一厚度的膜沉积在晶片上，而另一个工具170用以自晶片蚀刻掉一层。此外，在一些实施例中，同一类型的工具170被设计成实行同一类型的工艺。

在其他实施例中，存储装置104存储用于与外部机器进行接口的指令107。指令107使处理器102能够产生可由外部机器读取的指令以在分析期间有效地实施操作。

为了在图1中进行说明，处理器102通过总线108电耦合至计算机可读存储装置104。处理器102还通过总线108电耦合至输入/输出(i/o)接口110。网络接口112也通过总线108电连接至处理器102。网络接口112连接至网络114，从而使处理器102及计算机可读存储装置104能够通过网络114连接至外部元件。在一些实施例中，网络114是公用网络(例如包括因特网)，或作为另外一种选择，网络114是由铸造厂(foundry)拥有或运行的专用网络。用于实作网络114的各种网络均处于本发明所设想的范围内。

在一些实施例中，处理器102是中央处理单元(centralprocessingunit，cpu)、多元处理器(multi-processor)、分布式处理系统、应用专用集成电路(applicationspecificintegratedcircuit，asic)、适当的处理单元等。用于实作处理器102的各种电路或单元均处于本发明所设想的范围内。

在一些实施例中，计算机可读存储装置104是电子、磁性、光学、电磁性、红外存储系统(或设备、或装置)。举例来说，计算机可读存储装置104包括固态存储器、磁带、可移除的计算机磁盘、随机存取存储器(randomaccessmemory，ram)、只读存储器(read-onlymemory，rom)、硬质磁盘、及/或光盘。为了对光盘进行说明，计算机可读存储装置104包括光盘-只读存储器(compactdisk-readonlymemory，cd-rom)、可读/写光盘(compactdisk-read/write，cd-r/w)及/或数字化视频光盘(digitalvideodisc，dvd)。

在一些实施例中，存储装置104存储计算机程序码106，计算机程序码106用以使系统100实行一种或多种操作。在一些其他实施例中，存储装置104还存储在实行所述操作期间产生的信息。所述信息包括例如用户界面(userinterface，ui)116、前段变动130、布局相关变动132、模拟结果140至142及/或一组可执行指令107。在一些实施例中，用户界面116是图形用户界面(graphicaluserinterface，gui)。

在一些实施例中，i/o接口110电耦合至外部电路系统。i/o接口110例如包括键盘、小键盘、鼠标、轨迹球(trackball)、轨迹板(track-pad)、触摸屏及/或光标方向键，以用于将信息及命令传达至处理器102。在各种实施例中，i/o接口110例如包括显示器，所述显示器包括例如阴极射线管(cathoderaytube，crt)、液晶显示器(liquidcrystaldisplay，lcd)、扬声器等。

为了在图1中进行说明，网络接口112使系统100能够与网络114通信，其中一个或多个计算机系统连接至网络114。在一些实施例中，网络接口112包括无线网络接口，所述无线网络接口包括例如蓝芽(bluetooth)、wifi、全球微波接入互操作性(wimax)、通用分组无线业务(gprs)或宽带码分多址(wcdma)。在一些其他实施例中，网络接口112包括有线网络接口，所述有线网络接口包括例如以太网(ethernet)、通用串行总线(usb)或ieee-1394。为了进行说明，例如包括用户界面116、前段变动130、布局相关变动132及/或模拟结果140至142在内的信息在包括系统100在内的不同系统之间通过网络114进行交换。

为了阐释由系统100实行的各种模拟，参照图2。图2是说明由根据本发明各种实施例的系统100实作的各种模拟的示意图。以下将图1中所示系统100的运行与图2中所说明的模拟一起加以说明。在图2中说明性地提供用于不同模拟的标记。

为了在图1及图2中进行说明，处理器102执行计算机程序码106，以通过应用前段变动130来实行预先模拟(pre-simulation)210。为了在图2中进行说明，在一些实施例中是以具有较长沟道长度的装置214来实行预先模拟210。为了进行预先模拟210，装置214由为了进行说明起见在前置工艺节点(advanceprocessnode)中串联堆叠的装置216实作。为了在图2中进行说明，装置216是晶体管。

图2中所示的串联堆叠的装置216是为了进行说明而提供。装置216的各种配置均处于本发明所设想的范围内。举例来说，在一些实施例中，装置214由并联堆叠的装置216实作。

此外，在一些实施例中，装置变动转译器122被应用于具有串联及/或并联电路配置的分离装置。换句话说，装置变动转译器122能够应用于对以串联及/或并联堆叠的装置进行的预先模拟210的分析中。

在一些实施例中，互连至集成电路中的其他装置的装置216作为一种或多种功能电路或组件来运行。所述功能电路或组件包括例如存储器、处理器、传感器、放大器、功率分配电路系统、输入/输出电路系统等。所属领域中的普通技术人员将理解，给出上述实例是为了进行说明。例如包括电阻器、电容器、电感器等在内的各种功能电路或组件均处于本发明所设想的范围内。

此外，为了在图1及图2中进行说明，处理器102执行计算机程序码106以实行再模拟(re-simulation)220。在一些实施例中，在要实行再模拟220时，会应用布局相关变动132的一部分。为了在图2中进行说明，再模拟220是以包括至少一个装置216的关键组件布局222来实行。为了进行再模拟220，将装置216分离成为了进行说明起见而并联连接的多个装置226。

此外，为了在图1及图2中进行说明，处理器102执行计算机程序码106以实行后模拟(post-simulation)230。在一些实施例中，在要实行后模拟230时，会应用所有的布局相关变动132。为了在图2中进行说明，后模拟230是以电路布局232来实行，所述电路布局232包括至少一个装置216、伪装置239及/或氧化物界定(od)边缘上覆有多晶硅的(polyonodedge，“pode”)结构(图中未示出)。为了进行后模拟230，将装置216分离成为了进行说明起见而并联连接的多个装置236以及与装置236耦合的寄生组件，所述寄生组件包括例如寄生电阻器237及寄生电容器238。

以上所述的pode指示沿有源区的边缘形成的多晶硅结构。在一些应用中，伪装置239及/或pode结构不构成集成电路的任何功能特征。

在一些实施例中，上述有源区被称为氧化物界定(oxide-definition，od)区。所述氧化物界定区是为了形成晶体管的漏极或源极而提供。在本发明的各种实施例中，晶体管的源极充当漏极，反之亦然。为了进行说明，晶体管是鳍式场效晶体管(finfieldeffecttransistor，finfet)类型，但平面类型或各种类型的晶体管均处于本发明所设想的范围内。

图2中所示的模拟是为了进行说明而提供。图2中所示的各种模拟均处于本发明所设想的范围内。此外，给出图2中所示的模拟次数也是为了进行说明。图2中所示的各种模拟次数也处于本发明所设想的范围内。

图3说明一种根据本发明各种实施例的由图1所示系统100实施的方法300的流程图。以下参照图2中的模拟并通过图3中所说明的方法300来阐述图1所示系统100的运行。在图3中说明性地提供用于方法300的不同操作的标记。

上述说明包括示例性操作，但所述操作未必按图3中所示的次序实行。可视情况根据本发明的各种实施例的精神及范围来添加操作、替换操作、改变操作的次序及/或取消操作。

在方法300中，处理器102用以执行在计算机可读存储装置104中所编码的计算机程序码106。因此，系统100能够进行操作以实行包括例如如下所述的操作305、310、315、325及330在内的操作的一部分或全部。

在一些实施例中，操作305及操作310对应于如图2中所说明的预先模拟210。操作325、操作330及操作335对应于如图2中所说明的再模拟220及/或后模拟230。

在操作305中，处理器102执行计算机程序码106以通过应用前段变动130来实行预先模拟210。在此种操作中，能够在预先模拟210中(为了进行说明起见)以如图2中所示的至少一个装置214来实行系统验证。

为了进行预先模拟210，在晶体管层次上、以基于晶体管的网表(transistor-basednet-list)或示意图的形式开发集成电路的初始设计。所述网表是对晶体管及其连接的节点式描述。为了进行说明，晶体管包括n型金属氧化物半导体(n-typemetal-oxidesemiconductor，nmos)及/或p型金属氧化物半导体(p-typemetal-oxidesemiconductor，pmos)。

为了实行操作310，通过预先模拟210，使处理器102执行计算机程序码106以应用前段变动130。因此，获得模拟结果140并将模拟结果140存储在存储装置104中。模拟结果140指示集成电路的至少一个样本，其中所述样本指示与集成电路中的至少一个组件的特性相关的模拟数据。

在一些实施例中，实行预先模拟210会通过应用前段变动130而产生集成电路的各种样本。处理器102执行计算机程序码106来识别样本。为了进行说明，至少一个样本被识别为与其他样本相比为异常的。举例来说，异常样本的性能参数低于正常样本的性能参数。

在操作310中，识别例如包括具有大的失配度的样本在内的至少一个异常样本。因此，通过预先模拟210，能够识别出异常样本。结果，能够在模拟过程的早期识别出设计故障。

在操作315中，在一些实施例中，处理器102执行计算机程序码106，以通过应用布局相关变动132的一部分来实行再模拟220。在一些实施例中，根据设计规则来应用布局相关变动132的一部分。

为了进行说明，图2中所示的装置226具有单独的变量。在要实行再模拟220时，由装置变动转译器122将所述单独的变量转译成分离装置226的等效变量。此外，在操作315中，应用装置变动转译器122来根据因数值选择装置模型150中的一个对应装置模型。装置变动转译器122还用于存取所述装置模型150中的一个对应装置模型以确定分离装置226的等效变量，从而用于实行再模拟220。

在一些实施例中，因数值是基于如在图2中所说明的分离装置226的装置类型、装置几何结构、布局相依效果及/或配置来确定。所述装置类型包括例如晶体管类型、电阻器类型、电容器类型及电感器类型。

在操作325中，在一些实施例中，再模拟220是利用关键组件布局222中的分离装置226的等效变量来实行。在再模拟220之后，获得模拟结果141并将模拟结果141存储在存储装置104中，且将模拟结果141充当为对用于制作集成电路的布局进行修改的基础。

利用装置变动转译器122，将分离装置226的单独的变量转译成用于再模拟220的等效变量。结果，减少了再模拟220所需的模拟时间。

在替代实施例中，在不实行再模拟220时，将实行操作330。在操作330中，为了进行说明，将在再模拟220中重新检查在操作310中所识别的异常样本。由于仅重新检查异常样本，因此进一步减少了模拟时间。

在一些方法中，以集成电路为重心(spice)的模拟使用一种被称为蒙特-卡罗建模(monte-carlomodeling)的技术，其中以针对每一次模拟而随机选择的不同装置参数对集成电路进行许多次模拟。每一次模拟均提供工艺拐点图(processcornerchart)上的不同点。因此，一些模拟装置参数产生快/快或慢/慢装置或集成电路，其他模拟装置参数产生偏斜(skewed)的装置或集成电路，而另一些其他模拟装置参数产生位于由制作设施所提供的工艺拐点的多边形边界内的其他地方的装置或集成电路。然而，为了验证集成电路是否可能不满足其设计规范，需要进行的多次蒙特-卡罗模拟，而消耗大量时间及计算资源。

与上述方法相比，仅重新检查在操作310中所识别的异常样本而无需进行上述蒙特-卡罗分析。此外，在模拟中应用装置变动转译器122。因此，能够在模拟中使用由装置变动转译器122所确定的分离装置226的等效变量，以减少模拟时间。

此外，在操作315中，在一些其他实施例中，处理器102执行计算机程序码106以通过应用所有布局相关变动132来实行后模拟230。

相应地，在要实行后模拟230时，由装置变动转译器122将分离装置226的单独的变量转译成分离装置226的等效变量。在一些实施例中，装置变动转译器122进一步转译寄生电阻器237、及/或寄生电容器238及/或伪装置239的单独的变量。此外，如上所述应用装置变动转译器122来根据因数值选择装置模型150中的一个对应装置模型。装置变动转译器122还用于存取装置模型150中的一个对应装置模型以确定分离装置226的等效变量，从而实行后模拟230。

此后，在操作325中，在一些其他实施例中，利用分离装置226的等效变量来实行后模拟230。在一些替代实施例中，进一步利用电路布局232中的寄生电阻器237、及/或寄生电容器238及/或伪装置239的等效变量来实行后模拟230。在后模拟230之后，获得模拟结果142并将模拟结果142存储在存储装置104中，且将模拟结果142充当为对用于制作集成电路的布局进行修改的基础。

利用装置变动转译器122，将电路布局232中的装置的单独的变量转译成用于后模拟230的等效变量。结果，减少了后模拟230所需的模拟时间。

在一些实施例中，方法300采用存储在非暂时性计算机可读存储媒体上的计算机程序产品的形式，其中所述非暂时性计算机可读存储媒体中收录有计算机可读指令。上述计算机是中央处理器、控制单元、微处理器或等效组件。使用任何适当的非暂时性存储媒体，包括：非易失性存储器，例如只读存储器(rom)、可编程只读存储器(programmablereadonlymemory，prom)、可擦除可编程只读存储器(erasableprogrammablereadonlymemory，eprom)、及电可擦除可编程只读存储器(electricallyerasableprogrammablereadonlymemory，eeprom)装置；易失性存储器，例如包括静态随机存取存储器(staticrandomaccessmemory，sram)、动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，dram)、及双倍数据速率随机存取存储器(doubledataraterandomaccessmemory，ddr-ram)；光学存储装置，例如包括光盘只读存储器(compactdiscreadonlymemory，cd-rom)及数字多功能光盘只读存储器(digitalversatilediscreadonlymemory，dvd-rom)；及磁性存储装置，例如包括硬盘驱动器(harddiskdrive，hdd)及软盘驱动器。

综上所述，本发明提供不同设计阶段中的变量分析流程。装置变动转译器122在再模拟220及/或后模拟230中设定分离装置的等效变量以避免复杂的计算。再模拟220及/或后模拟230重新使用预先模拟210的特定所识别样本。因此，减少了模拟时间。

在一些实施例中，公开了一种方法，所述方法包括：通过应用第一变动来实行第一模拟，以识别集成电路(ic)的至少一个样本，其中所述集成电路包括至少一个装置；将实作所述至少一个装置的分离装置的单独的变量转译成所述分离装置的等效变量；以及利用所述分离装置的所述等效变量、通过应用第二变动的至少一部分来实行第二模拟，以获得模拟结果，所述模拟结果充当对用于制作所述集成电路的布局进行修改的基础。

在一些实施例中，所述第一变动与生产线前段(feol)工艺相关联。

在一些实施例中，所述第二变动与布局相关效果及环境变动中的至少一者相关联。

在一些实施例中，所述布局相关效果与布局相依效果(lde)、生产线中段(meol)工艺、及生产线后段(beol)工艺中的至少一者相关联。

在一些实施例中，所述将所述单独的变量转译成所述等效变量包括根据因数值确定所述等效变量，其中所述因数值是基于所述分离装置的装置类型、装置几何结构、布局相依效果(lde)、及配置中的至少一者来确定。

在一些实施例中，所述分离装置以串联连接及/或并联连接形式进行配置。

在一些实施例中，所述通过应用所述第一变动来实行所述第一模拟包括通过应用所述第一变动来识别所述集成电路的多种样本，以及识别与所述多种样本中的其他样本相比为异常的所述至少一个样本。

在一些实施例中，还公开了一种包括计算机可执行指令的非暂时性计算机可读媒体，所述计算机可执行指令用于实施一种方法，且所述方法包括：应用前段(fe)变动来实行第一模拟以获得第一模拟结果，其中所述第一模拟结果指示集成电路的至少一个样本，且所述集成电路包括至少一个装置；应用布局相关变动的至少一部分来获得实作所述至少一个装置的分离装置的单独的变量；将所述单独的变量转译成所述分离装置的等效变量；以及利用所述分离装置的所述等效变量充当对用于制作所述集成电路的所述布局进行修改的基础来实行第二模拟。

在一些实施例中，所述前段变动与生产线前段工艺相关联。

在一些实施例中，所述布局相关变动与布局相关效果及环境变动中的至少一者相关联。

在一些实施例中，所述布局相关效果与布局相依效果、生产线中段工艺、及生产线后段工艺中的至少一者相关联。

在一些实施例中，将所述单独的变量转译成所述等效变量包括根据因数值确定所述等效变量，其中所述因数值是基于所述分离装置的装置类型、装置几何结构、布局相依效果、及配置中的至少一者来确定。

在一些实施例中，所述分离装置以串联连接及/或并联连接形式进行配置。

在一些实施例中，所述通过应用所述前段变动来实行所述第一模拟包括通过应用所述前段变动来识别所述集成电路的多种样本，以及识别与所述多种样本中的其他样本相比为异常的所述至少一个样本。

在一些实施例中，还公开了一种系统，所述系统包括处理器及存储装置。所述存储装置存储计算机程序码，且所述计算机程序码由所述处理器执行以实行以下中的至少一者：通过应用前段变动来实行第一模拟以获得第一模拟结果，其中所述第一模拟结果指示集成电路的至少一个样本，且所述集成电路具有至少一个装置；通过应用布局相关变动中的一或多个布局相关变动来将所述至少一个装置在所述集成电路的所述至少一个样本的布局中分离成多个分离装置，其中所述分离装置具有单独的变量；在第二模拟中将所述单独的变量转译成所述分离装置的等效变量；以及在所述第二模拟中重新检查所述集成电路的所述至少一个样本。

在一些实施例中，所述前段变动与生产线前段工艺相关联。

在一些实施例中，所述布局相关变动与布局相关效果及环境变动相关联。

在一些实施例中，所述的系统进一步包括利用所述分离装置的所述等效变量充当对用于制作所述集成电路的所述布局进行修改的基础来实行所述第二模拟。

在一些实施例中，所述将所述单独的变量转译成所述等效变量包括根据因数值确定所述等效变量，其中所述因数值是基于所述分离装置的装置类型、装置几何结构、布局相依效果、及结构。

在一些实施例中，所述通过应用所述前段变动来实行所述第一模拟包括通过应用所述前段变动来识别所述集成电路的多种样本，以及识别与所述多种样本中的其他样本相比为异常的所述至少一个样本。

以上概述了几个实施例的特征以使所属领域中的技术人员可更好地理解本发明的各个方面。所属领域中的技术人员应理解，其可轻易地使用本发明作为基础来设计或修改其他过程及结构，以实现本文中介绍的实施例的相同目的及/或实现所述实施例的相同优点。所属领域中的技术人员还应认识到，此种等效构造并不背离本发明的精神及范围，且其可在本文中作出各种变化、替代及更改，而此并不背离本发明的精神及范围。