本实用新型涉及触摸屏，尤其涉及一种结构简单，制作成本低，使用效果好的新型平板电脑触摸屏面板。
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背景技术：
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近年来，随着信息技术、无线行动通讯和信息家电的快速发展与应用，人们对电子产品的依赖性与日俱增。在智能平板电脑的设计中，触摸屏已经替代按键，成为了人机交互的核心部件，即在液晶等显示元件的前面安装透光性的触摸屏，人们可以通过该触摸屏，一边对位于触摸屏背面的显示元件的显示内容进行视觉确认，一边利用手指或笔等方式按压触摸屏来进行操作。
但在现有技术中，仍具有一定的缺陷，如：容易因为湿度等环境因数引起触控的不稳定或漂移；还存在分辨率、精度、耐用等方面的问题；在透光率和整体厚度方面也不足。
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技术实现要素：
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为克服现有技术所存在的问题，本实用新型提供一种结构简单，制作成本低，使用效果好的新型平板电脑触摸屏面板。
本实用新型解决技术问题的方案是提供一种新型平板电脑触摸屏面板，包括依次设立的透明基板、覆盖在所述透明基板第一面的抗水层，以及位于所述透明基板第二面的导电层；
所述导电层包括第一透明导电层和第二透明导电层，它们均包括有一碳纳米管层，该碳纳米管层包括多个碳纳米管线以及多个碳纳米管团簇，该多个碳纳米管线沿一第一方向延伸，并沿与所述第一方向交叉设置的第二方向相互间隔设置，该多个碳纳米管团簇设置于该多个碳纳米管线之间，且位于相邻的碳纳米管线之间的多个碳纳米管团簇沿所述第一方向相互间隔设置；所述第一透明导电层的厚度小于第二透明导电层的厚度；
所述抗水层的厚度大于第一透明导电层以及第二透明导电层的厚度。
优选地，所述还包括一抗反射层，该抗反射层包括交替叠加的两层氮化硅层和两层氧化硅层。
优选地，所述还包括一抗菌薄膜层。
优选地，所述抗水层的厚度范围为0.3-0.7mm之间。
优选地，所述第一透明导电层的厚度范围为0.025-0.03mm之间。
优选地，所述第二透明导电层的厚度范围为0.04-0.055mm之间。
优选地，所述抗反射层的厚度范围为0.3-0.55mm之间。
优选地，所述抗菌薄膜层的厚度范围为0.15-0.23mm之间。
与现有技术相比，本实用新型一种新型平板电脑触摸屏面板中第一透明导电层和第二透明导电层均包含了碳纳米薄膜，提高了触摸屏的耐用性，碳纳米管薄膜由多个择优取向排列的碳纳米管束组成，有效提高了点击的分辨率和精确性；通过设置抗水层，提高了电容式触摸屏的抗液体导电介质的干扰能力，解决了触点漂移等问题，从而能够更加准确的输入信息；通过优化第一透明导电层、第二透明导电层的厚度，使其透光率达到最佳值，且触摸屏的其整体厚度也减到最薄。
[附图说明]
图1是本实用新型一种新型平板电脑触摸屏面板的爆炸结构状态示意图。
[具体实施方式]
为使本实用新型的目的，技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，并不用于限定此实用新型。
请参阅图1，本实用新型一种新型平板电脑触摸屏面板1包括依次设立的透明基板1、覆盖在透明基板1第一面的抗水层2，以及位于透明基板1第二面的导电层；
导电层包括第一透明导电层3和第二透明导电层4，第一透明导电层3和第二透明导电层4均包括有一碳纳米管层，该碳纳米管层包括多个碳纳米管线以及多个碳纳米管团簇，该多个碳纳米管线沿一第一方向延伸，并沿与所述第一方向交叉设置的第二方向相互间隔设置，该多个碳纳米管团簇设置于该多个碳纳米管线之间，且位于相邻的碳纳米管线之间的多个碳纳米管团簇沿所述第一方向相互间隔设置；第一透明导电层3的厚度大于第二透明导电层4的厚度，具体的，使第一透明导电层3厚度位于0.025-0.03mm的范围之间，第二透明导电层4厚度位于0.04-0.055mm的范围之间。
优选地，所述抗水层2的厚度范围为0.3-0.7mm之间。
还包括一抗反射层6，该抗反射层6包括交替叠加的两层氮化硅层和两层氧化硅层。氮化硅折射率低，氧化硅耐磨、抗氧化等性能优越，固两者交叠设置，兼具透光率好、耐用、抗氧化的诸多优点。
还包括一抗菌薄膜层5，表层不会繁殖细菌，保持了触摸的灵敏性，光学性能也不会受到影响，并且降低了病菌的传染几率。
优选地，所述抗反射层的厚度范围为0.3-0.55mm之间。
优选地，所述抗菌薄膜层的厚度范围为0.15-0.23mm之间。
与现有技术相比，本实用新型一种新型平板电脑触摸屏面板1中第一透明导电层3和第二透明导电层4均包含了碳纳米薄膜，提高了触摸屏的耐用性，碳纳米管薄膜由多个择优取向排列的碳纳米管束组成，有效提高了点击的分辨率和精确性；通过设置抗水层2，提高了电容式触摸屏的抗液体导电介质的干扰能力，解决了触点漂移等问题，从而能够更加准确的输入信息；通过优化第一透明导电层3、第二透明导电层4的厚度，使其透光率达到最佳值，且触摸屏的其整体厚度也减到最薄。
以上所述的本实用新型实施方式，并不构成对本实用新型保护范围的限定。任何在本实用新型的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的权利要求保护范围之内。