技术特征：
技术总结
本发明涉及一种提高FLASH参数保存次数的实现方法，该方法根据参数长度大小，自动在FLASH保存区划分出若干虚拟分区，每次参数按顺序地保存在与最近一次保存虚拟分区相连的一个虚拟分区内，直到所有虚拟分区用完，一次性的擦除整个FLASH保存区，重新从第一个虚拟分区开始顺序地往虚拟分区中保存参数。本发明解决了现有FLASH芯片因并未完全存满，仍然进行擦写，使得擦写次数过多而导致FLASH芯片损坏的问题，本发明实现方法的参数保存次数等于虚拟分区的个数乘以FLASH可擦写次数，延长了FLASH芯片的使用寿命。同时，本方法在零虚拟分区建立索引，通过索引地址可以快速的查找到当前参数要保存的寄存器起始地址。
技术研发人员：李红刚;王旭昊;王海明;代兴华;刘德林;李朝锋;赵瑞杰
受保护的技术使用者：许继集团有限公司;许昌许继风电科技有限公司;国家电网公司;国网新源张家口风光储示范电站有限公司
技术研发日：2017.03.13
技术公布日：2017.07.18