本实用新型涉及标签技术领域，尤其是涉及一种具有信息收集功能的RFID标签。
背景技术：
目前，市场上存在的RFID标签芯片，由模拟射频单元、数据控制单元和存储单元组成。所述模拟射频单元、数据控制单元和存储单元依次连接，其中，所述模拟射频单元包括供电模块、射频检波模块、解调模块和调制模块，所述供电模块、射频检波模块、解调模块和调制模块均连接至数据控制模块。主要的缺陷是：所述RFID标签芯片的尺寸较大，制成的RFID标签的尺寸也比较大，而且当应用于移动通信领域时，因射频原因易受干扰，无法正常工作，因此适用范围受到限制。
另外，由于信息传递过程，厂家们无法分辨用户身份信息，造成无法提前对产品进行维护，并且带给厂家们对信息管理的难度。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种用户的信息收集通过RFID标签芯片发送到指定的信息接收终端上，能便于日常维护及管理的一种具有信息收集功能的RFID标签。
本实用新型的发明目的是这样实现的：一种具有信息收集功能的RFID标签，包括RFID标签芯片和天线，所述RFID标签芯片包括：模拟射频单元、数据控制单元和存储单元，所述模拟射频单元、数据控制单元和存储单元依次连接；所述模拟射频单元包括供电模块、射频检波模块、解调模块和调制模块，所述供电模块、射频检波模块、解调模块和调制模块均连接至数据控制模块；其特征在于：所述RFID标签还包括一滤波器，其连接于所述天线和所述供电模块之间，所述RFID标签芯片中的射频检波模块直接连接所述天线；数据控制模块还连接有图像信息收集模块及指纹扫描收集模块。
进一步说，所述RFID标签芯片的长度为0.3CM-0.5CM，宽度为0.2CM -0.5CM。
进一步说，所述RFID标签芯片的长度为0.4CM，宽度为0.4 CM。
进一步说，所述滤波器的LC电路中的无源电感采用的是金属层在硅片上绕制电感形成的平面螺旋电感。
进一步说，所述图像信息收集模块的感应端位于RFID标签芯片的表面上。
进一步说，所述指纹扫描收集模块位于RFID标签芯片的表面上。
本实用新型的一种具有信息收集功能的RFID标签优点如下：
1、本实用新型通过利用数据控制模块还连接有图像信息收集模块及指纹扫描收集模块，将用户的信息收集通过RFID标签芯片发送到指定的信息接收终端上，方便厂家们对用户信息进行管理，便于提前对产品进行维护。
2、本实用新型之微型的RFID标签芯片尺寸较目前市场上所有的RFID标签芯片的尺寸都小，可适用于各种移动通信设备上，例如：智能手机、支付卡以及各种微型的无线检测工具上，拓宽了RFID标签芯片的应用范围，为移动设备的发展做出了贡献。
附图说明
附图1为本实用新型最佳实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步的描述。
根据附图1所示，本实用新型公开了一种具有信息收集功能的RFID标签，包括RFID标签芯片（如图1所示）和天线，所述RFID标签芯片包括：模拟射频单元、数据控制单元1和存储单元2，所述模拟射频单元、数据控制单元1和存储单元2依次连接；所述模拟射频单元包括供电模块3、射频检波模块4、解调模块5和调制模块6，所述供电模块3、射频检波模块4、解调模块5和调制模块6均连接至数据控制模块；所述RFID标签还包括滤波器，其连接于所述天线和所述供电模块3之间，所述RFID标签芯片中的射频检波模块4直接连接所述天线；数据控制模块还连接有图像信息收集模块7及指纹扫描收集模块8。所述RFID标签芯片的长度为0.3CM-0.5CM，宽度为0.2 CM -0.5 CM。 优选的，所述RFID标签芯片的长度为0.4CM，宽度为0.4 CM。 所述滤波器的LC电路中的无源电感采用的是金属层在硅片上绕制电感形成的平面螺旋电感。 事实上，所述滤波器可以集成于所述RFID标签芯片内，也可以设置于所述RFID标签芯片和所述天线之间。具体的，需要视滤波器的工作频率而定。另外，所述图像信息收集模块7的感应端位于RFID标签芯片的表面上。进一步说，所述指纹扫描收集模块8位于RFID标签芯片的表面上。其中图像信息收集模块与指纹扫描收集模块8将使用状态发送到指定的接收终端处，方便厂家们对用户信息进行管理，便于提前对产品进行维护。
具体的，所述滤波器的LC电路设计是本设计的重点。考虑到生产的一致性和可靠性，无源电感采用了平面螺旋电感形式，即用金属层在硅片上绕制电感。为了克服它存在的许多寄生效应，在标准CMOS工艺中制作平面螺旋的几个基本原则如下：(1)限制金属导线的宽度：由于趋肤效应，宽导体的中部没有电流流过，所以采用宽金属线是不划算的；(2)不要在线圈中央填充电感：由于高频的涡流效应内圈的电阻增大，而电感值减小。导致品质因数下降；(3)限制线圈所占的面积：高频时磁场贯通线圈电感在衬底中产生电流，这将导致额外的阻性损耗，电感值减小。而小线圈的磁场贯穿衬底不深，影响较小。
片上集成电感的Q值一般在10以下，为了有效滤波，需要Q值增强电路。其基本原理是在电感旁并联一个负电导以补偿电感的电阻损耗。负电导可以通过正反馈网络来产生，比如图1所示电路，其负电导为：-Gn=-(gm1·gm2)/(gm1+gm2)，其中gm1、gm2为别是M1和M2管的跨导，M3管主要用来调节gm1和gm2。
片上电容设计的基本目标是使串联电阻尽可能地小，保证Q值最大；使单位面积的电容量大，并减小寄生电容。薄绝缘层电容的基本原理是利用金属层边缘间的横向电场来实现电容，而通过分形图案实现大的单位面积电容量。与传统集成电容相比，薄绝缘层电容具有以下一些优点：随着工艺尺寸的减小，单位面积的电容量增加。将氧化层厚度的匹配转化为版图间的一致性，而由于分形图案的伪随机特性，版图间的偏差很小。随着纵向电场的减小，底板与衬底间的寄生电容也相应减小。通过对LC滤波电路的芯片工艺技术的攻克，本设计实现了微型化的目标。
上述具体实施例仅为本实用新型效果较好的具体实施方式，凡与本实用新型的一种具有信息收集功能的RFID标签相同或等同的结构，均在本实用新型的保护范围内。