技术特征：
技术总结
本发明公开了一种结合制造工艺及仿真的继电器类单机贮存可靠性评估方法，所述方法通过建立继电器有限元仿真模型，结合工艺数据，获得继电器输出特性初始分布；然后，通过对继电器进行失效模式及失效机理分析，结合继电器输出特性初始分布及贮存退化试验实测数据，建立具有分布特性的继电器贮存退化模型，结合电路仿真分析方法将底层继电器的贮存退化数据转换为继电器类单机贮存退化数据；最后，利用最小二乘方法，得到继电器类单机分布参数的退化轨迹，结合失效阈值，实现对继电器类单机的贮存可靠性评估。本发明解决了因试验经费及试验样本制约而导致的继电器类单机贮存可靠性评估精度较低的问题。
技术研发人员：翟国富;林义刚;郑博恺;付饶;司爽
受保护的技术使用者：哈尔滨工业大学
技术研发日：2018.07.04
技术公布日：2018.12.18