一种提高后仿真结果准确性的方法及系统与流程

文档序号:16534431发布日期:2019-01-05 11:04阅读:797来源:国知局
一种提高后仿真结果准确性的方法及系统与流程

本发明涉及版图设计中提参建模技术领域,特别是涉及一种提高后仿真结果准确性的方法及系统。



背景技术:

版图设计中,设计者为使所画mimcap((metal-insulator-metalcapacitor,金属绝缘层金属电容)图形与流片出来的图形更接近,将mimcap进行了倒角处理,如图1所示。经过倒角后的图形尖角处更平滑,与流片出来的实际情况更接近,前后差异更小,即客户设计时,仿真出的结果与流片出来的实际值更接近。

lpe(layoutparasiticextraction,布线后寄生参数提取)流程(flow)中,需要根据倒角后的mim(metalinsulatormetal,金属-绝缘体-金属),计算出与layout电容值相接近的宽长(w与l),输入给模型(model)仿真。因此,如何更准确地计算出该多边形的宽长(作为model的输入变量),使计算出的值与版图真实值更接近,成为提高后仿真结果准确性的关键。

现有解决方法如下:

提取出版图中mimcap的周长(p)与面积(s),长宽分别设为x、y,由于倒角比较小,故可以按矩形的周长和面积建立方程,求解以下二元一次方程组

2*(x+y)=p

xy=s

将x、y看作一元二次方程的两个解,合并方程组,化简得到:

2x2–px+2s=0

1).当δ=p2-16s>=0有解

按求解公式计算得到方程的解即长宽x、y。

2).当δ=p2-16s<0无解

现有技术中的处理方式为令x=y=p/4,也就是将其视为正方形,然而,这种将其视为正方形,将长宽视为相等且等于周长p的1/4的方式与实际情况差异较大,仿真出的结果与流片出来的实际值误差较大。



技术实现要素:

为克服上述现有技术存在的不足,本发明之目的在于提供一种提高后仿真结果准确性的方法及系统,以通过较为准确地计算出经过倒角处理后的多边形的宽长,使计算出的值与版图真实值更接近,以提高后仿真结果的准确性。

为达上述及其它目的,本发明提出一种提高后仿真结果准确性的方法,包括如下步骤:

步骤s1,提取出版图中mimcap图形的周长与面积,将mimcap图形作为矩形利用周长与面积建立方程,根据所建立的方程计算该mimcap图形的长与宽;

步骤s2,将步骤s1计算获得的宽长值代入电容计算公式,得到与版图上实际多边形的电容值更接近的电容值。

优选地,于步骤s1中,按矩形的周长和面积建立方程,求解以下二元一次方程组:

2*(x+y)=p

xy=s。

其中,x、y为矩形的长宽,p、s为所提取的周长和面积。

优选地,于步骤s1中,对于δ=p2-16s<0,方程无解的情况,则对倒角的mimcap图形采用面积开方的方法,计算出对应的宽长。

优选地,对应的长宽为

优选地,于步骤s1中,对于δ=p2-16s<0,方程无解的情况,则采用如下处理方式:

定义:面积电容c_area=ca×area,周长电容c_prim=cp×perim,

其中,ca为单位面积电容值,cp为单位周长电容值,area为mim电容的面积,perim为mim电容的周长,k为电容修正因子。

优选地,于步骤s1中,对于δ=p2-16s>=0,方程有解的情况,则根据求解公式计算得到方程的解即对应的长宽值x、y。

为达到上述目的,本发明还提供一种提高后仿真结果准确性的系统,包括:

宽长计算单元,用于提取出版图中mimcap图形的周长与面积,将mimcap图形作为矩形利用周长与面积建立方程,根据所建立的方程计算该mimcap图形的长与宽;

电容值计算单元,用于将所述宽长计算单元计算获得的宽长值代入电容计算公式,得到与版图上实际多边形的电容值更接近的电容值。

优选地,所述宽长计算单元按矩形的周长和面积建立方程,求解以下二元一次方程组:

2*(x+y)=p

xy=s,

其中,x、y为矩形的长宽,p、s为所提取的周长和面积。

优选地,对于δ=p2-16s<0,方程无解的情况,所述宽长计算单元对倒角的mimcap图形采用面积开方的方法,计算出对应的宽长。

优选地,对于δ=p2-16s<0,方程无解的情况,则采用如下处理方式:

定义:面积电容c_area=ca×area,周长电容c_prim=cp×perim,

其中,ca为单位面积电容值,cp为单位周长电容值,area为mim电容的面积,perim为mim电容的周长,k为电容修正因子。

与现有技术相比,本发明一种提高后仿真结果准确性的方法及系统通过对倒角的mimcap采用面积开方的方法,计算出对应的宽长,并该宽长值代入电容计算公式得到电容值,该电容值与版图上实际多边形的电容值更接近,可提高后仿真结果的准确性。

附图说明

图1为本发明一种提高后仿真结果准确性的方法的步骤流程图;

图2为本发明一种提高后仿真结果准确性的系统的系统架构图。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例并结合附图说明本发明的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其它优点与功效。本发明亦可通过其它不同的具体实例加以施行或应用,本说明书中的各项细节亦可基于不同观点与应用,在不背离本发明的精神下进行各种修饰与变更。

图1为本发明一种提高后仿真结果准确性的方法的步骤流程图。如图1所示,本发明一种提高后仿真结果准确性的方法,包括如下步骤:

步骤s1,提取出版图中mimcap(metal-insulator-metalcapacitor,金属绝缘层金属电容)的周长(p)与面积(s),将mimcap图形作为矩形利用周长与面积建立方程,根据方程计算mimcap图形的长与宽。

具体地,提取出版图中mimcap的周长(p)与面积(s),长宽分别设为x、y,由于倒角比较小,故可以按矩形的周长和面积建立方程,求解以下二元一次方程组:

2*(x+y)=p

xy=s

将x、y看作一元二次方程的两个解,合并方程组,化简得到:

2x2–px+2s=0

1).当δ=p2-16s>=0有解

即根据求解公式计算得到方程的解即长宽x、y。

2).当δ=p2-16s<0

此时,该方程无解。

对于δ=p2-16s<0,方程无解的情况,在本发明一实施例中,则对倒角的mimcap采用面积开方的方法,计算出对应的宽长,即采用如下处理方式:

为使后仿真结果更为精确,对于δ=p2-16s<0,方程无解的情况,在本发明另一实施例中,则采用如下处理方式:

定义:面积电容c_area=ca×area,周长电容c_prim=cp×perim,式中ca为单位面积电容值,cp为单位周长电容值,area为mim电容的面积,perim为mim电容的周长,k为电容修正因子。

这里需说明的是s=area,p=perim。

步骤s2,将步骤s1计算获得的宽长值代入电容计算公式,此时得到的电容值与版图上实际多边形的电容值更接近,则使得后仿真结果更为精确。

图2为本发明一种提高后仿真结果准确性的系统的系统架构图。如图2所示,本发明一种提高后仿真结果准确性的系统,包括:

宽长计算单元201,用于提取出版图中mimcap(metal-insulator-metalcapacitor,金属绝缘层金属电容)的周长(p)与面积(s),将mimcap图形作为矩形利用周长与面积建立方程,根据方程计算mimcap图形的长与宽。

具体地,宽长计算单元201提取出版图中mimcap的周长(p)与面积(s),长宽分别设为x、y,由于倒角比较小,故可以按矩形的周长和面积建立方程,求解以下二元一次方程组:

2*(x+y)=p

xy=s

将x、y看作一元二次方程的两个解,合并方程组,化简得到:

2x2–px+2s=0

1).当δ=p2-16s>=0有解

即根据求解公式计算得到方程的解即长宽x、y。

2).当δ=p2-16s<0

此时,该方程无解。

对于δ=p2-16s<0,方程无解的情况,在本发明一实施例中,则对倒角的mimcap采用面积开方的方法,计算出对应的宽长,即采用如下处理方式:

为使后仿真结果更为精确,对于δ=p2-16s<0,方程无解的情况,在本发明另一实施例中,则采用如下处理方式:

定义:面积电容c_area=ca×area,周长电容c_prim=cp×perim,式中ca为单位面积电容值,cp为单位周长电容值,area为mim电容的面积,perim为mim电容的周长,k为电容修正因子。

电容值计算单元202,用于将宽长计算单元201计算获得的宽长值代入电容计算公式,此时得到的电容值与版图上实际多边形的电容值更接近,则使得后仿真结果更为精确。

以下将通过仿真对比来说明本发明:

在一宽we=10um、长le=10um的区域布设一mim电容,在45度1um倒角时,其面积s=9.8*10-11m2,其周长为p=3.76569*10-5m,此时δ=p2-16s=-1.49<0,对应方程无解,按三种不同方法处理得到仿真时的长宽,并代入电容计算公式获得电容值,并计算ratio进行对比:

ratio=δc/c_layout=|c_layout-c|/c_layout

表1本发明和现有技术仿真结果对比

可见,相比于现有技术,本发明可大大提高后仿真结果的准确性。

综上所述,本发明一种提高后仿真结果准确性的方法及系统通过对倒角的mimcap采用面积开方的方法,计算出对应的宽长,并该宽长值代入电容计算公式得到电容值,该电容值与版图上实际多边形的电容值更接近,可提高后仿真结果的准确性。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效,而非用于限制本发明。任何本领域技术人员均可在不违背本发明的精神及范畴下,对上述实施例进行修饰与改变。因此,本发明的权利保护范围,应如权利要求书所列。

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