晶圆数据处理方法和装置与流程

本发明实施例涉及半导体
技术领域：
，尤其涉及一种晶圆数据处理方法和装置。
背景技术：
：晶圆(wafer)即晶片，是制造半导体芯片的基本材料。通过在晶片上加工制作成各种电路单元，可以形成具有特定电性功能的集成电路产品。由于半导体集成电路最主要的原料是硅，因此，晶圆也可以称为硅晶圆。3dnand是一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2d或者平面nand闪存带来的限制。目前，可以对晶圆进行加工制作形成3dnand。因此，3dnand也可以称为nand晶圆。以nand晶圆为例，目前，在nand晶圆加工制作的过程中，通过测试nand晶圆可以得到nand晶圆上的电路单元的测试数据。基于nand晶圆的测试数据，可以得出nand晶圆上各电路单元中损坏的子单元数量，但无法获知导致该问题的原因，进而导致无法优化晶圆的加工工艺。技术实现要素：本发明实施例提供一种晶圆数据处理方法和装置，以获知导致晶圆上各电路单元中子单元损坏的原因，进而优化晶圆的加工工艺。第一方面，本发明实施例提供一种晶圆数据处理方法，晶圆包括n个电路单元，每个电路单元包括m个子单元，所述n和所述m均为大于或等于2的整数，所述方法包括：电子设备获取n个所述电路单元的电气特性参数值，以及，n个所述电路单元损坏的子单元的数量，其中，所述电气特性参数值包括电流值和/或电压值。所述电子设备根据n个所述电路单元的电气特性参数值，得到所述晶圆的第一信息熵序列，所述第一信息熵序列包括x个电路单元集合的电气特性参数信息熵，每个电路单元集合包括y个电路单元，所述x为大于或等于1且小于或等于所述n的整数，所述y为小于或等于所述n的整数。所述电子设备根据所述n个电路单元损坏的子单元的数量，得到所述晶圆的第二信息熵序列，所述第二信息熵序列包括x个所述电路单元集合的电路单元损坏信息熵。所述电子设备根据所述第一信息熵序列和所述第二信息熵序列，获取所述第一信息熵序列和所述第二信息熵序列的相似度，所述相似度表征所述晶圆的电路单元中损坏的子单元与电气特性参数值的关联程度。可选地，所述电子设备根据n个所述电路单元的电气特性参数值，得到所述晶圆的第一信息熵序列之前，所述方法还包括：所述电子设备对n个所述电路单元的电气特性参数值进行分组，并对各组的电路单元的电气特性参数值进行调整，以使同一组的电路单元的电器特性参数值为该组电器特性参数值的平均值；所述电子设备对n个所述电路单元损坏的子单元的数量进行分组，并对各组的电路单元损坏的子单元的数量进行调整，以使同一组的电路单元损坏的子单元的数量为该组损坏的子单元的数量的平均值。可选地，所述电子设备根据n个所述电路单元的电气特性参数值，得到所述晶圆的第一信息熵序列之前，所述方法还包括：所述电子设备将n个所述电路单元划分为x个所述电路单元集合。可选地，所述电子设备获取n个所述电路单元的电气特性参数值，以及，n个所述电路单元损坏的子单元的数量，包括：所述电子设备接收n个所述电路单元的电气特性参数值，以及，n个所述电路单元损坏的子单元的数量。可选地，所述电子设备获取n个所述电路单元的电气特性参数值，以及，n个所述电路单元损坏的子单元的数量，包括：所述电子设备接收n个所述电路单元的测试数据；所述电子设备根据所述n个所述电路单元的测试数据，获取n个所述电路单元的电气特性参数值，以及，n个所述电路单元损坏的子单元的数量。可选地，所述获取所述第一信息熵序列和所述第二信息熵序列的相似度之后，还包括：所述电子设备向终端设备发送所述第一信息熵序列和所述第二信息熵序列的相似度。可选地，相邻的两个电路单元集合包括至少一个相同的电路单元。可选地，所述电路单元为芯片裸片(die)，所述子单元为存储块(block)。第二方面，本发明实施例还提供一种晶圆数据处理装置，晶圆包括n个电路单元，每个电路单元包括m个子单元，所述n和所述m均为大于或等于2的整数，所述装置包括：获取模块，用于获取n个所述电路单元的电气特性参数值，以及，n个所述电路单元损坏的子单元的数量，其中，所述电气特性参数值包括电流值和/或电压值；处理模块，用于根据n个所述电路单元的电气特性参数值，得到所述晶圆的第一信息熵序列；根据所述n个电路单元损坏的子单元的数量，得到所述晶圆的第二信息熵序列；根据所述第一信息熵序列和所述第二信息熵序列，获取所述第一信息熵序列和所述第二信息熵序列的相似度；所述第一信息熵序列包括x个电路单元集合的电气特性参数信息熵，每个电路单元集合包括y个电路单元，所述x为大于或等于1且小于或等于所述n的整数，所述y为小于或等于所述n的整数；所述第二信息熵序列包括x个所述电路单元集合的电路单元损坏信息熵；所述相似度表征所述晶圆的电路单元中损坏的子单元与电气特性参数值的关联程度。可选地，所述处理模块，还用于在所述根据n个所述电路单元的电气特性参数值，得到所述晶圆的第一信息熵序列之前，对n个所述电路单元的电气特性参数值进行分组，并对各组的电路单元的电气特性参数值进行调整，以使同一组的电路单元的电器特性参数值为该组电器特性参数值的平均值；对n个所述电路单元损坏的子单元的数量进行分组，并对各组的电路单元损坏的子单元的数量进行调整，以使同一组的电路单元损坏的子单元的数量为该组损坏的子单元的数量的平均值。可选地，所述处理模块，还用于在所述根据n个所述电路单元的电气特性参数值，得到所述晶圆的第一信息熵序列之前，将n个所述电路单元划分为x个所述电路单元集合。可选地，所述获取模块包括：接收子模块，用于接收n个所述电路单元的电气特性参数值，以及，n个所述电路单元损坏的子单元的数量。可选地，所述装置还包括，接收模块，用于接收n个所述电路单元的测试数据；所述获取模块，具体用于根据所述n个所述电路单元的测试数据，获取n个所述电路单元的电气特性参数值，以及，n个所述电路单元损坏的子单元的数量。可选地，所述装置还包括，发送模块，用于在所述处理模块获取所述第一信息熵序列和所述第二信息熵序列的相似度之后，向终端设备发送所述第一信息熵序列和所述第二信息熵序列的相似度。可选地，相邻的两个电路单元集合包括至少一个相同的电路单元。可选地，所述电路单元为芯片裸片，所述子单元为存储块。第三方面，本发明实施例还提供一种晶圆数据处理装置，包括：至少一个处理器和存储器；所述存储器存储计算机执行指令；所述至少一个处理器执行所述存储器存储的计算机执行指令，使得所述装置执行第一方面任一项所述的方法。第四方面，本发明实施例还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机执行指令，当所述计算机执行指令被处理器执行时，实现第一方面任一项所述的方法。本发明实施例提供的晶圆数据处理方法和装置，电子设备通过获取n个电路单元的电气特性参数值，以及，n个电路单元损坏的子单元的数量，并划分电路单元集合。基于划分的电路单元集合计算电气特性参数信息熵并组合得到第一信息熵序列，基于划分的电路单元集合计算电路单元损坏信息熵并组合得到第二信息熵序列，然后根据第一信息熵序列和第二信息熵序列，获取第一信息熵序列和第二信息熵序列的相似度。当相似度较高时，说明导致该单路单元中子单元的损坏的分布与该电气特性参数值的分布密切相关，工程师进而可以根据该单路单元中子单元的损坏分布与该电气特性参数值分布优化加工工艺，提高晶圆优品率。附图说明为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是nand晶圆其中一层的结构示意图；图2是本发明实施例提供的一种晶圆数据处理方法的流程示意图；图3是本发明实施例提供的晶圆数据处理方法的应用场景示意图；图4是本发明实施例提供的另一种晶圆数据处理方法的应用场景示意图；图5是本发明实施例提供的另一种晶圆数据处理方法的流程示意图；图6是本发明实施例提供的一种晶圆数据处理装置的结构示意图；图7为本发明实施例提供的另一种晶圆数据处理装置的结构示意图。具体实施方式为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。以nand晶圆为例，nand晶圆有多层，每层包括至少两个电路单元，每个电路单元包括至少两个子单元。这里所说的电路单元可以是物理上划分的单元，也可以是逻辑上划分的单元。相应地，当电路单元是物理上划分的单元时，电路单元包括的子单元也可以是在该单元上物理划分的子单元。当电路单元是逻辑上划分的单元时，电路单元包括的子单元也可以是在该单元上逻辑划分的子单元。以电路单元是物理上划分的单元为例，电路单元例如可以是芯片裸片(die)，子单元可以是存储块(block)。图1是nand晶圆其中一层的结构示意图，如图1所示，以电路单元是芯片裸片，子单元是存储块为例，该层共包含1057个芯片裸片(编号为1～1057)，每个芯片裸片中包含了多个存储块(图中未示出)。随着nand晶圆的层数越来越高(例如达到64层)，针对一个nand晶圆的测试，都会产生大量的测试数据。通过这些测试数据，可以得到该nand晶圆的两类数据，一类用于表征nand晶圆中每个电路单元的电气特性参数(例如电流和/或电压)，另一类用于表征nand晶圆中每个电路单元损坏的子单元的数量。本发明通过将nand晶圆划分成x个电路单元集合，从而在根据nand晶圆中每个电路单元的电气特性参数，得到包括x个电路单元集合的电气特性参数信息熵的第一信息熵序列，在根据nand晶圆中每个电路单元损坏的子单元的数量，得到包括x个电路单元集合的电路单元损坏信息熵的第二信息熵序列后，可以根据第一信息熵序列和第二信息熵序列，获取第一信息熵序列和第二信息熵序列的相似度，以通过该相似度找到nand晶圆的电路单元中损坏的子单元与电气特性参数值的关联程度。这样，工程师可以基于损坏的子单元与电气特性参数值的关联程度，获取导致该子单元损坏的原因，从而可以优化该nand晶圆的加工工艺，提高nand晶圆的生产效率。应理解，本发明提供的晶圆数据处理方法，除了适用于nand晶圆的数据处理之外，还可以适用于任一晶圆的数据处理，以获取晶圆上的电路单元的子单元的损坏原因，从而优化晶圆的加工工艺，提高晶圆的生产效率。为了便于描述，下述实施例以nand晶圆为例进行说明。下述实施例中不再对nand晶圆的层数进行区分，均以nand晶圆总共包含的电路单元为例进行说明。也就是说，不管晶圆有多少层，均可以采用本发明实施例的方法对数据进行处理。下面结合几个具体的实施例，对本发明提供的晶圆数据处理方法和装置的技术方案进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或者相似的概念或者过程可能在某些实施例不再赘述。图2是本发明实施例提供的一种晶圆数据处理方法的流程示意图。本实施例的晶圆数据处理方法，执行该方法的执行主体可以为电子设备(例如终端设备、服务器等)。本方法中的晶圆包括n个电路单元，每个电路单元包括m个子单元，n和m均为大于或等于2的整数。如图2所示，该方法可以包括：s11、电子设备获取n个电路单元的电气特性参数值，以及，n个电路单元损坏的子单元的数量，其中，电气特性参数值包括电流值和/或电压值。当电气特性参数值为电流值时，其含义如下：假设nand晶圆上包含了10000个(n＝10000)电路单元，针对每一个电路单元都能得到一个电流值。设第i个电路单元记为ti，i的取值范围为1～10000，则n个电路单元的电流值可以如表1所示：表1电路单元序号tit1t2t3t4…t10000电流值1μa1μa2μa2μa…20μa当电气特性参数值为电压值时，其含义如下：假设nand晶圆上包含了10000个(n＝10000)电路单元，针对每一个电路单元都能得到一个电压值。设第i个电路单元记为ti，i的取值范围为1～10000，则n个电路单元的电压值可以如表2所示：表2电路单元序号tit1t2t3t4…t10000电压值1v1v1v2v…10v对于电路单元损坏的子单元的数量，其含义如下：假设一片nand晶圆上包含了10000个(n＝10000)电路单元，设第i个电路单元记为ti，i的取值范围为1～10000。每个电路单元包含了100个子单元，每个电路单元的100个子单元中都可能存在0～100个子单元是损坏的，则电路单元损坏的子单元的数量可以如表3所示：表3电路单元序号tit1t2t3t4…t10000损坏的子单元数16005…10在步骤s11中，电子设备获取n个电路单元的电气特性参数值，以及，n个电路单元损坏的子单元的数量，一种可能的实现方式，图3是本发明实施例提供的晶圆数据处理方法的应用场景示意图，如图3所示，n个电路单元的电气特性参数值，以及，n个电路单元损坏的子单元的数量预先存储在服务器的存储介质中，电子设备通过与服务器之间的通信接口和传输协议，将n个电路单元的电气特性参数值，以及，n个电路单元损坏的子单元的数量接收到电子设备中，以便进一步处理。另一种可能的实现方式，继续参照图3所示的应用场景，电子设备可以从服务器接收该晶圆的n个电路单元的测试数据。然后，电子设备根据n个电路单元的测试数据，获取n个电路单元的电气特性参数值，以及，n个电路单元损坏的子单元的数量。其中，n个电路单元的测试数据例如是测试人员预先通过测试设备对晶圆进行测试得到，并存储在服务器的存储介质中的。该测试设备例如可以是探针设备。电子设备通过和服务器之间的通信接口和传输协议，接收n个电路单元的测试数据，并基于一定的处理方法，获取n个电路单元的电气特性参数值，以及，n个电路单元损坏的子单元的数量。上述处理方法可以为现有技术中的任意一种处理方法，本发明不作赘述。又一种可能的实现方式，n个电路单元的电气特性参数值，以及，n个电路单元损坏的子单元的数量是由用户直接输入电子设备的。再一种可能的实现方式，电子设备是测试设备的上位机，电子设备通过内部接口从测试设备中直接获取n个电路单元的电气特性参数值，以及，n个电路单元损坏的子单元的数量。s12、电子设备根据n个电路单元的电气特性参数值，得到晶圆的第一信息熵序列。其中，第一信息熵序列包括x个电路单元集合的电气特性参数信息熵，每个电路单元集合包括y个电路单元，x为大于或等于1且小于或等于n的整数，y为小于或等于n的整数。继续引用步骤s11中以电气特性参数值为电流值的示例，且以每个电路单元集合包括6个(y＝6)电路元件为例进行举例说明：电路单元集合的设置方法，一种可能的实现方式，可以由电子设备从预先存储的配置文件中读取出来，其中，配置文件中预先存储了划分的电路单元集合的对应关系。另一种可能的实现方式，可选地，在电子设备根据n个电路单元的电气特性参数值，得到nand晶圆的第一信息熵序列之前，电子设备将n个电路单元划分为x个电路单元集合。电路单元集合的划分方法如下：例如nand晶圆上包含了10000个电路单元中，第i个电路单元记为ti，i的取值范围为1～10000。设第j个电路单元集合记为uj，j的取值范围为1～x，x的取值可以根据实际需要进行设置，当x越大，本实施例晶圆数据处理方法的数据样本越大。ui和tj的一种可能的对应关系，例如如下：对于第一个电路单元集合u1，u1＝[t1,t2,t3,t4,t5,t6]；对于第二个电路单元集合u2，u2＝[t4,t5,t6,t7,t8,t9]；以此类推，对于第j个电路单元集合uj，uj＝[t3j-2,t3j-1,t3j,t3j+1,t3j+2,t3j+3]。在该对应关系中，相邻的两个电路单元集合有一半(3个)的电路单元是重叠的。在ui和tj的另一种可能的对应关系中，相邻的两个电路单元集合包括至少一个相同的电路单元，例如以包括一个相同的电路单元为例，ui和tj的另一种可能的对应关系如下：对于第一个电路单元集合u1，u1＝[t1,t2,t3,t4,t5,t6]；对于第二个电路单元集合u2，u2＝[t6,t7,t8,t9，t10,t11]；以此类推，对于第j个电路单元集合uj，uj＝[t5j-4,t5j-3,t5j-2,t5j-1,t5j,t5j+1]。在ui和tj的再一种可能的对应关系中，相邻的两个电路单元集合不包括相同的电路单元，ui和tj的再一种可能的对应关系如下：对于第一个电路单元集合u1，u1＝[t1,t2,t3,t4,t5,t6]；对于第二个电路单元集合u2，u2＝[t7,t8,t9，t10,t11,t12]；以此类推，对于第j个电路单元集合uj，uj＝[t6j-5,t6j-4,t6j-3,t6j-2,t6j-1,t6j]。上述三个ui和tj对应关系的示例中，电路单元tj是按照编号连续分布的，在另一种可能的实现方式中，电路单元tj也可以是随机分布的，相邻两个电路单元集合ui中，可以包含至少一个相同的电路单元，也可以不包括相同的电路单元。电路单元集合的电气特性参数信息熵(以电流信息熵为例)如下：对于第j个电路单元集合的电流信息熵，可以通过以下公式(1)计算得到：其中，h(uj)为第j个电路单元集合的电流信息熵，pk为第j个电路单元集合中第k个取值占电路单元集合中所有取值的概率，k为第k个电流值，n为电流值取值的总个数。对于上述公式(1)，在第一个电路单元集合u1＝[t1,t2,t3,t4,t5,t6]中，假设第一个电路单元集合中t1～t6的电流值分别为1μa,1μa,2μa,2μa,2μa,2μa，举例进行说明：第一个取值为1μa(k＝1)的概率为1/3,第二个取值为2μa(k＝2)的概率为2/3，h(u1)的计算如下(2)：第一信息熵序列(以电流信息熵为例)如下：将x个电路单元集合的电流信息熵以向量的形式表达生成第一信息熵序列a，第一信息熵序列a表达如公式(3)所示：a＝[h(u1),h(u2),h(u3),……,h(ux)](3)s13、电子设备根据n个电路单元损坏的子单元的数量，得到晶圆的第二信息熵序列，第二信息熵序列包括x个电路单元集合的电路单元损坏信息熵。该步骤中的电路单元集合与步骤s12中的电路单元集合相同，不再赘述。电路单元集合的电路单元损坏信息熵如下：对于第j个电路单元集合的电路单元损坏信息熵，可以通过以下公式(4)计算得到：其中，g(uj)为第j个电路单元集合的电路单元损坏信息熵，pr为第j个电路单元集合中第r个取值占电路单元集合中所有非零取值的概率，r为第r个电流值，m为损坏的子单元的数量的总个数。继续参照s12中的电路单元集合的示例，在第一个电路单元集合u1＝[t1,t2,t3,t4,t5,t6]中，假设第一个电路单元集合中t1～t6的损坏的子单元的数量分别为20,0,0,5,5,20。举例进行说明：第一个取值5(r＝1)的概率为1/3，第二个取值为20(r＝2)的概率为1/3，第三个取值0(r＝3)的概率为1/3，h(u1)的计算如下(5)：第二信息熵序列如下：将x个电路单元集合的电路单元损坏信息熵以向量的形式表达生成第二信息熵序列b，第二信息熵序列b表达如公式(6)所示：b＝[g(u1),g(u2),g(u3),……,g(ux)](6)s14、电子设备根据第一信息熵序列和第二信息熵序列，获取第一信息熵序列和第二信息熵序列的相似度，相似度表征晶圆的电路单元中损坏的子单元与电气特性参数值的关联程度。第一信息熵序列和第二信息熵序列带入相似度计算公式，获取第一信息熵序列和第二信息熵序列的相似度。继续参照s12和s13中的示例，将第一信息熵序列a和第二信息熵序列b带入相似度计算公式，公式(7)如下：其中，similarity为第一信息熵序列和第二信息熵序列的相似度，j为第一信息熵序列和第二信息熵序列中的序列号，x为第一信息熵序列和第二信息熵序列的总个数，h(uj)为第j个电路单元集合的电流信息熵，g(uj)为第j个电路单元集合的电路单元损坏信息熵。相似度表征晶圆的电路单元中损坏的子单元与电气特性参数值的关联程度，例如上述计算公式(7)中，相似度用于表征电路单元中损坏的子单元与电流值的关联程度。当相似度越低时，说明该电流值的分布和电路单元中损坏的子单元的分布关联程度较低，电路单元中损坏的子单元的分布和该电流值的分布无明显关联；当相似度越高时，说明该电流值的分布和电路单元中损坏的子单元的分布关联程度较高，可以判断出导致该电路单元中子单元的损坏的分布与该电流值分布密切相关。工程师可以根据相似度高的电路单元中损坏的子单元与电流值，优化加工工艺，提高晶圆优品率。可选地，图4是本发明实施例提供的另一种晶圆数据处理方法的应用场景示意图，如图4所示，电子设备在获取第一信息熵序列和第二信息熵序列的相似度之后，电子设备向终端设备发送第一信息熵序列和第二信息熵序列的相似度。例如，电子设备可以向工程师的终端设备发送该相似度，以使工程师通过终端设备可以及时的获知该相似度，工程师基于该相似度找到导致电路单元中子单元的损坏的原因后，可以进一步优化加工工艺。终端设备可以是手机(mobilephone)、平板电脑(pad)、带无线收发功能的电脑、工业控制(industrialcontrol)中的终端设备等等。本实施例中，电子设备获取n个电路单元的电气特性参数值，以及，n个电路单元损坏的子单元的数量，并划分电路单元集合。基于划分的电路单元集合计算电气特性参数信息熵并组合得到第一信息熵序列，基于划分的电路单元集合计算电路单元损坏信息熵并组合得到第二信息熵序列，然后根据第一信息熵序列和第二信息熵序列，获取第一信息熵序列和第二信息熵序列的相似度。当相似度较高时，说明导致该单路单元中子单元的损坏的分布与该电气特性参数值的分布密切相关，工程师进而可以根据该单路单元中子单元的损坏分布与该电气特性参数值分布优化加工工艺，提高晶圆优品率。本实施例采用的晶圆数据处理方法，能够快速发现导致电路单元中子单元损坏的根本原因，且发现的精确度高。图5是本发明实施例提供的另一种晶圆数据处理方法的流程示意图。本实施例的晶圆数据处理方法是在图2的基础上进行的。在图2的基础上，如图5所示，在电子设备根据n个电路单元的电气特性参数值，得到晶圆的第一信息熵序列之前，该方法还可以包括：s21、电子设备对n个电路单元的电气特性参数值进行分组，并对各组的电路单元的电气特性参数值进行调整，以使同一组的电路单元的电器特性参数值为该组电器特性参数值的平均值，电子设备对n个电路单元损坏的子单元的数量进行分组，并对各组的电路单元损坏的子单元的数量进行调整，以使同一组的电路单元损坏的子单元的数量为该组损坏的子单元的数量的平均值。一种可能的实现方式，电子设备对n个电路单元的电气特性参数值通过设置占比阈值的方式进行分组，并对各组的电路单元的电气特性参数值进行调整，以使同一组的电路单元的电器特性参数值为该组电器特性参数值的平均值，电子设备对n个电路单元损坏的子单元的数量通过设置占比阈值的方式进行分组，并对各组的电路单元损坏的子单元的数量进行调整，以使同一组的电路单元损坏的子单元的数量为该组损坏的子单元的数量的平均值。其中，电子设备对n个电路单元损坏的子单元的数量的处理，与电子设备对n个电路单元的电气特性参数值的处理相同，本实施例以电气特性参数值为电流值为例，处理过程举例如下：假设nand晶圆上包含了10000个电路单元，针对每一个电路单元都能得到一个电流值，对10000个电路单元的电流值统计电流值的分布，得到nand晶圆上每个电流值对应的电路单元的个数和占比。例如一片nand晶圆中，电流值取值从1μa-20μa时，电流值为1μa的电路单元占到了90个，电流值为2μa的电路单元占到了10个，电流值为3μa的电路单元占到了90个，电流值为4μa的电路单元占到了10个，依次类推，直到电流值为20μa时的电路单元占到了10个。此时，电气特性参数值为电流值时，例如可以通过表4的方式表述。表4电流值1μa2μa3μa4μa…20μa电路单元个数90109010…10电路单元个数占比9％1％9％1％1％假设设置的占比阈值为10％，首先，电子设备可以判断1μa的占比是否大于等于占比阈值10％。此时9％小于10％，进而电子设备将1μa和2μa的电路单元个数的占比进行叠加，以使叠加后电路单元个数的占比为9％+1％＝10％，此时叠加后的占比10％等于占比阈值，符合阈值条件，对1μa和2μa进行分组，分组后的电流值取1μa和2μa的平均值，即(1μa+2μa)/2＝1.5μa,本轮分组结束。电子设备再进一步判断3μa的占比是否大于等于占比阈值10％。此时9％小于10％，进而将3μa和4μa的电路单元个数的占比进行叠加，叠加后电路单元个数的占比为9％+1％＝10％，叠加后的占比10％等于占比阈值，符合阈值条件，此时再对3μa和4μa进行分组，分组后的电流值取3μa和4μa的平均值，即(3μa+4μa)/2＝3.5μa,本轮分组结束。依次类推，电子设备根据设置的占比阈值将电流值依次合并，合并后例如可以得到如表5所示的对应关系：表5电路单元序号tit1t2t3t4t5t6…电流值1μa1μa2μa2μa3μa4μa…分组后的电流值1.5μa1.5μa1.5μa1.5μa3.5μa3.5μa…为了便于描述，将上述示例中每个电流值对应的电路单元称为一组电路单元。上述示例中，分组后的电路单元个数的占比刚好等于占比阈值，使得分组后各组数据的占比均为10％，若分组前某一个电流值对应的电路单元个数(即一组电路单元)的占比已经大于10％，则不对该电流值做分组。在该实现方式下，若分组后至少一组的电路单元个数的占比大于10％，则可能导致最后一组的占比不足10％。这种情况下，可以对最后一组电路单元对应的电流值不做分组，或者，将最后一组电路单元对应的电流值与最后一组之前的至少一组电路单元对应的电流值进行分组。作为一种可能的实现方式，还可以通过设置分割阈值，当最后一组的占比大于等于分割阈值时，则单独作为一组，当最后一组的占比小于分割阈值时，则将最后一组与前一组进行合并处理。分割阈值可以根据实际情况设置，例如占比阈值为10％时，设置分割阈值为5％。另一种可能的实现方式，电子设备对n个电路单元的电气特性参数值通过设置分组个数的方式进行分组，并对各组的电路单元的电气特性参数值进行调整，以使同一组的电路单元的电器特性参数值为该组电器特性参数值的平均值，电子设备对n个电路单元损坏的子单元的数量通过设置分组个数的方式进行分组，并对各组的电路单元损坏的子单元的数量进行调整，以使同一组的电路单元损坏的子单元的数量为该组损坏的子单元的数量的平均值。其中，电子设备对n个电路单元损坏的子单元的数量的处理，与电子设备对n个电路单元的电气特性参数值的处理相同，本实施例以电气特性参数值为电流值为例，处理过程举例如下：假设设置的分组个数为2，则将1μa，2μa进行分组，分组后的电流值取1μa，2μa的平均值即为1.5μa，本轮分组结束。然后将3μa，4μa进行分组，分组后的电流值取3μa，4μa的平均值即为3.5μa，本轮分组结束。依次类推，根据设置的分组个数将电流值依次合并。当最后剩下电流值个数小于2个但至少包括1个时，即按照实际个数进行分组。对电路单元损坏的子单元的数量进行分组时，采用与上述电流值分组相同的方式。以设置占比阈值的方式进行分组为例，对电路单元损坏的子单元的数量进行分组采用相同的占比阈值，其分组过程和与上述以电流值为例的分组过程相似，对10000个电路单元损坏的子单元的数量统计分布，得到nand晶圆上每个损坏的子单元的数量对应的电路单元的个数和占比。例如可以通过表6的方式表述：表6损坏的子单元的数量5101216…50电路单元个数90109010…10电路单元个数占比9％1％9％1％1％根据设置的占比阈值将损坏的子单元的数量依次合并，合并后例如可以得到如表7所示的对应关系：表7通过本步骤的分组，减少了n个电路单元的电气特性参数值(例如电流值)取值的数量，以及减少了n个电路单元损坏的子单元的数量取值的数量，例如原先电流值取值包括1μa、2μa、3μa…..20μa共20个取值，分组后就只有1.5μa、3.5μa….19.5μa共10个取值。通过减少取值的数量，一方面可以去除噪声的干扰(例如10000个电子单元中，15μa仅有一个取值，该取值即认为是噪声)；另一方面，分组后将原本相对连续的取值离散化，使得n个电路单元的电气特性参数值或者n个电路单元损坏的子单元的数量不论是连续的数据还是离散的数据，都可以通过分组进行离散化，使其适用范围更广。在步骤s21之后，电子设备根据n个电路单元分组后的电气特性参数值，得到晶圆的第一信息熵序列。电子设备再根据n个分组后的电路单元损坏的子单元的数量，得到晶圆的第二信息熵序列。然后，电子设备在得到第一信息熵序列和第二信息熵序列后，再采用s14的步骤获取第一信息熵序列和第二信息熵序列的相似度，此处不再赘述。本实施例中，通过在电子设备获取n个电路单元的电气特性参数值，以及，n个电路单元损坏的子单元的数量之后，电子设备对n个电路单元的电气特性参数值，以及，n个电路单元损坏的子单元的数量通过设置的占比阈值分别进行分组，减少了n个电路单元的电气特性参数值(例如电流值)取值的数量，以及减少了n个电路单元损坏的子单元的数量取值的数量。通过减少取值的数量，一方面可以去除噪声的干扰；另一方面，分组后将原本相对连续的取值离散化，使得n个电路单元的电气特性参数值或者n个电路单元损坏的子单元的数量不论是连续的数据还是离散的数据，都可以通过分组进行离散化，使其适用范围更广。本领域普通技术人员可以理解：实现上述各方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成。前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中。该程序在执行时，执行包括上述各方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：rom、ram、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。图6是本发明实施例提供的一种晶圆数据处理装置的结构示意图，晶圆包括n个电路单元，每个电路单元包括m个子单元，n和m均为大于或等于2的整数，如图6所示，装置可以包括获取模块11，处理模块12。其中，获取模块11，用于获取n个电路单元的电气特性参数值，以及，n个电路单元损坏的子单元的数量，其中，电气特性参数值包括电流值和/或电压值；处理模块12，用于根据n个电路单元的电气特性参数值，得到晶圆的第一信息熵序列；根据n个电路单元损坏的子单元的数量，得到晶圆的第二信息熵序列；根据第一信息熵序列和第二信息熵序列，获取第一信息熵序列和第二信息熵序列的相似度；第一信息熵序列包括x个电路单元集合的电气特性参数信息熵，每个电路单元集合包括y个电路单元，x为大于或等于1且小于或等于n的整数，y为小于或等于n的整数；第二信息熵序列包括x个电路单元集合的电路单元损坏信息熵；相似度表征晶圆的电路单元中损坏的子单元与电气特性参数值的关联程度。可选地，处理模块12，还用于在根据n个电路单元的电气特性参数值，得到晶圆的第一信息熵序列之前，对n个电路单元的电气特性参数值进行分组，并对各组的电路单元的电气特性参数值进行调整，以使同一组的电路单元的电器特性参数值为该组电器特性参数值的平均值；对n个电路单元损坏的子单元的数量进行分组，并对各组的电路单元损坏的子单元的数量进行调整，以使同一组的电路单元损坏的子单元的数量为该组损坏的子单元的数量的平均值。可选地，处理模块12，还用于在根据n个电路单元的电气特性参数值，得到晶圆的第一信息熵序列之前，将n个电路单元划分为x个电路单元集合。可选地，在一些实施例中，获取模块11还包括接收子模块(图中未示出)。其中，接收子模块，用于接收n个电路单元的电气特性参数值，以及，n个电路单元损坏的子单元的数量。可选地，在一些实施例中，该装置还包括接收模块(图中未示出)，其中，接收模块，用于接收n个电路单元的测试数据；获取模块11，具体用于根据n个电路单元的测试数据，获取n个电路单元的电气特性参数值，以及，n个电路单元损坏的子单元的数量。继续参照图5，可选地，在一些实施例中，装置还包括发送模块13。其中，发送模块13，用于在处理模块12获取第一信息熵序列和第二信息熵序列的相似度之后，向终端设备发送第一信息熵序列和第二信息熵序列的相似度。可选地，相邻的两个电路单元集合包括至少一个相同的电路单元。可选地，电路单元为芯片裸片，子单元为存储块。本发明实施例提供的晶圆数据处理装置，可以执行上述方法实施例中电子设备的动作，其实现原理和技术效果类似，在此不再赘述。例如，该晶圆数据处理装置可以是电子设备上的一个芯片，也可以是电子设备。图7为本发明实施例提供的另一种晶圆数据处理装置的结构示意图，如图7所示，该装置包括：存储器301和至少一个处理器302。存储器301，用于存储程序指令。处理器302，用于在程序指令被执行时实现本发明实施例中的晶圆数据处理方法，具体实现原理可参见上述实施例，本实施例此处不再赘述。该晶圆数据处理装置还可以包括及输入/输出接口303。输入/输出接口303可以包括独立的输出接口和输入接口，也可以为集成输入和输出的集成接口。其中，输出接口用于输出数据，输入接口用于获取输入的数据，上述输出的数据为上述方法实施例中输出的统称，输入的数据为上述方法实施例中输入的统称。本申请还提供一种可读存储介质，可读存储介质中存储有执行指令，当晶圆数据处理装置的至少一个处理器执行该执行指令时，当计算机执行指令被处理器执行时，实现上述实施例中的晶圆数据处理方法。本申请还提供一种程序产品，该程序产品包括执行指令，该执行指令存储在可读存储介质中。晶圆数据处理装置的至少一个处理器可以从可读存储介质读取该执行指令，至少一个处理器执行该执行指令使得晶圆数据处理装置实施上述各种实施方式提供的晶圆数据处理方法。最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。当前第1页12