物联网学习开发板的制作方法

1.本实用新型涉及电子技术领域，尤其涉及一种物联网学习开发板。


背景技术：

2.随着物联网的兴起，智能化应用的不断增加，智能产品的不断出现。智能化应用场景的涉及面广，覆盖种类多；智能化应用的主要特点包括传感器应用、通信传输、数据分析、人工智能以及控制技术，具备一定的感知能力、记忆能力、学习能力、自适应能力和决策能力，以及具备一定的人机交互能力。因此，对学习开发板提出新的技术要求。
3.目前，市场现有的物联网开发板存在通信接口方式单一等问题。


技术实现要素：

4.本实用新型解决的问题是现有的物联网开发板存在通信接口方式单一的技术问题。
5.为解决上述问题，本实用新型提供一种物联网学习开发板，包括：主控制器、有线传输接口、无线传输接口、红外发送电路与红外接收传感器，其中：所述主控制器分别通过自身端口与所述有线传输接口、所述无线传输接口耦接；所述主控制器包括红外发送接口与红外接收端口；所述红外发送接口与所述红外发送电路耦接，所述红外接收端口与所述红外接收传感器耦接；其中，所述主控制器为基于arm-cortex-m0内核的控制器。
6.可选的，所述有线传输接口包括以下至少一种：rs485总线接口、can总线接口、lin总线接口以及以太网接口。
7.可选的，所述无线传输接口包括以下至少一种：蓝牙接口、wifi接口、zigbee接口、nfc接口。
8.可选的，所述物联网学习开发板还包括：蜂鸣器；所述主控制器包括蜂鸣器接口，所述蜂鸣器接口与所述蜂鸣器耦接。
9.可选的，所述物联网学习开发板还包括：usb转ttl电平串口芯片，与所述主控制器的通用异步收发传输器接口耦接。
10.可选的，所述物联网学习开发板还包括：es-link仿真调试器，与所述主控制器耦接。
11.可选的，所述物联网学习开发板还包括：九轴数字运动处理器，与所述主控制器耦接。
12.可选的，所述物联网学习开发板还包括：温湿度传感器，与所述主控制器耦接。
13.可选的，所述物联网学习开发板还包括：存储器单元，与所述主控制器耦接。
14.可选的，所述物联网学习开发板还包括：micro sd存储卡接口，与所述主控制器耦接。
15.可选的，所述物联网学习开发板还包括：可扩展io口，与所述主控制器耦接。
16.可选的，所述物联网学习开发板还包括：旋钮电位器，与所述主控制器耦接。
17.可选的，所述物联网学习开发板还包括：irda红外通信，与所述主控制器耦接。与现有技术相比，本实用新型的技术方案具有以下优点：
18.采用基于arm-cortex-m0内核的控制器作为主控制器，能够支持多种智能化应用场景，支持多种操作系统的移植。主控制器自身的端口分别与有线传输接口、无线传输接口耦接，从而能够支持多种方式接入物联网。主控制器具备一定的运算能力和存储能力，可以实现基本的算法执行、逻辑控制，满足物联网应用的边缘端处理需求。
附图说明
19.图1是本实用新型实施例中的一种物联网学习开发板的结构示意图；
20.图2是本实用新型实施例中的一种主控制器的引脚示意图；
21.图3是本实用新型实施例中的一种can总线接口的电路图；
22.图4是本实用新型实施例中的一种单色led显示电路图；
23.图5是本实用新型实施例中的一种rgb三色led显示电路图；
24.图6是本实用新型实施例中的一种外接功能按键的电路图；
25.图7是本实用新型实施例中的一种蜂鸣器的电路图；
26.图8是本实用新型实施例中的一种旋钮电位器的电路图；
27.图9是本实用新型实施例中的一种温湿度传感器的电路图；
28.图10是本实用新型实施例中的一种es-link电路图；
29.图11是本实用新型实施例中的一种eeprom存储器电路图；
30.图12是本实用新型实施例中的一种usb转ttl电平串口电路图；
31.图13是本实用新型实施例中的一种tft液晶显示屏幕接口电路图；
32.图14是本实用新型实施例中的一种flash存储电路图；
33.图15是本实用新型实施例中的一种九轴数字运动处理器电路图；
34.图16是本实用新型实施例中的一种micro sd卡接口电路图；
35.图17是本实用新型实施例中的一种电机控制模块接口电路图；
36.图18是本实用新型实施例中的一种蓝牙模块接口电路图；
37.图19是本实用新型实施例中的一种irda红外通信电路图；
38.图20本实用新型实施例中的一种lin总线电路图；
39.图21本实用新型实施例中的一种rs485总线电路图；
40.图22本实用新型实施例中的一种智能卡接口电路图；
41.图23本实用新型实施例中的一种红外发射电路图；
42.图24本实用新型实施例中的一种红外接收电路图；
43.图25本实用新型实施例中的一种扩展io接口电路图；
44.图26本实用新型实施例中的一种以太网接口电路图。
具体实施方式
45.如上述背景技术中所述，现有的物联网开发板存在通信接口方式单一等问题。
46.在本实用新型实施例中，采用基于arm-cortex-m0内核的控制器作为主控制器，能够支持多种智能化应用场景，支持多种操作系统的移植。主控制器自身的端口分别与有线
传输接口、无线传输接口耦接，从而能够支持多种方式接入物联网。
47.为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施例做详细的说明。
48.本实用新型实施例提供了一种物联网学习开发板，参照图1，给出了本实用新型实施例中的一种物联网学习开发板的结构示意图。
49.在本实用新型实施例中，物联网学习开发板可以包括主控制器、有线传输接口以及无线传输接口，主控制器分别与有线传输接口以及无线传输接口耦接。主控制器具备一定的运算能力和存储能力，可以实现基本的算法执行、逻辑控制，满足物联网应用的边缘端处理需求。
50.在本实用新型一实施例中，主控制器为基于arm cortex-m0内核的主控芯片，主控芯片的具体型号为es32f0654lx，主频为48mhz。参照图2，给出了本实用新型实施例中的一种主控芯片的引脚示意图。
51.在具体实施中，有线传输接口可以包括以下至少一种：rs485接口、can总线接口、lin总线接口以及以太网接口。在外部电磁环境较为复杂的情况下，或者无线信号强度较弱、信号不稳定的情况下，通过使用有线传输接口，能够进行稳定的有线数据传输。
52.在本实用新型实施例中，can总线接口可以与主控制器耦接，can总线接口可以包括can总线芯片及其对应的外围电路。主控制器可以包括can数据发送端口和can数据接收端口，can数据发送端口与can数据接收端口分别与can总线芯片上不同的端口耦接，从而实现can总线数据的收发。根据can技术特点，非常容易实现can网络通信。
53.参照图3，给出了本实用新型实施例中的一种can总线接口的电路图。
54.图3中，can总线芯片的d引脚可以与主控制器的can数据发送端口can_tx耦接，can总线芯片的r引脚可以与主控制器的can数据接收端口can_rx耦接，can总线芯片的rs引脚经过一下拉电阻r22下拉到gnd，电阻r22的阻值为10kω；在canh引脚与canl引脚之间跨接一电阻r23，电阻r23的阻值为120ω；can总线芯片的vcc引脚外接电源电压vcc，can总线芯片的gnd引脚外接gnd，在vcc引脚与gnd引脚之间设置一电容c21，电容c21的容值为0.1μf。
55.在本实用新型实施例中，主控芯片的外围还可以设置有多颗单色led灯，以及至少一颗rgb三色led灯。
56.参照图4，给出了本实用新型实施例中的一种单色led显示电路图。图4中，单色led显示电路包括6个单色led，依次为led2、led3、led4、led5以及led6、led7。每一个led均存在一一对应并与之耦接的电阻，相应的电阻均耦接至电源电压vcc。
57.具体而言，led2的第一端与电阻r60的第二端耦接，led2的第二端与led1接口耦接；led3的第一端与电阻r64的第二端耦接，led3的第二端与led2接口耦接；led4的第一端与电阻r66的第二端耦接，led4的第二端与led3接口耦接；led5的第一端与电阻r68的第二端耦接，led5的第二端与led4接口耦接；led6的第一端与电阻r69的第二端耦接，led6的第二端与led5接口耦接；led7的第一端与电阻r73的第二端耦接，led7的第二端与led6接口耦接。
58.电阻r60、电阻r64、电阻r66、电阻r68、电阻r69以及电阻r73的第一端均与电源电压vcc耦接，且阻值均为4.7kω。
59.参照图5，给出了本实用新型实施例中的一种rgb三色led显示电路图。
60.图5中，rgb三色led(rgb-led)的rgb_r引脚与主控芯片的pc7引脚耦接，rgb三色led的rgb_g引脚与主控芯片的pc6引脚耦接，rgb三色led的rgb_b引脚与主控芯片的pb0引脚耦接。rgb三色led的rgb_r引脚上耦接有电阻r59，rgb三色led的rgb_g引脚上耦接有电阻r61，rgb三色led的rgb_b引脚上耦接有电阻r62。电阻r59、电阻r61、电阻r62的电阻值均为10kω。
61.参照图6，给出了本实用新型实施例中的一种外接功能按键的电路图。
62.图6中，外接功能按键包括四个功能按键和一个复位按键。复位按键与电阻r76的一端、电阻c47的一端耦接，另一端与电阻c47的另一端耦接，并接地。电阻r76的另一端与电源电压vcc耦接。功能按键k3的一端与电源电压vcc耦接，另一端与电阻r79的第一端、电容c52的第一端耦接，电阻r79的第二端与电容c52的第二端耦接，且电阻r79的第二端与电容c52的第二端均接地。功能按键k4的一端与电源电压vcc耦接，另一端与电阻r83的第一端、电容c54的第一端耦接，电阻r83的第二端与电容c54的第二端耦接，且电阻r83的第二端与电容c54的第二端均接地。功能按键k5的一端与电源电压vcc耦接，另一端与电阻r81的第一端、电容c53的第一端耦接，电阻r81的第二端与电容c53的第二端耦接，且电阻r81的第二端与电容c53的第二端均接地。功能按键k6的一端与电源电压vcc耦接，另一端与电阻r78的第一端、电容c50的第一端耦接，电阻r78的第二端与电容c50的第二端耦接，且电阻r78的第二端与电容c50的第二端均接地。
63.电阻r76、电阻r78、电阻r79、电阻r81、电阻r83的阻值均为10kω，电容c47、电容c50、电容c52、电容c53以及电容c54的容值均为0.1μf。
64.参照图7，给出了本实用新型实施例中的一种蜂鸣器的电路图。
65.在本实用新型实施例中，蜂鸣器可以包括电阻r65、电阻r63、电阻r67、pnp型三极管q3、电容c42、二极管d6以及蜂鸣器beep1。蜂鸣器的p端与二极管d6的阴极耦接，且与电阻r67的第二端耦接，二极管d6的阳极接地；蜂鸣器的g端接地；电阻r67的第一端与pnp型三极管q3的集电极耦接；pnp型三极管q3的基极与电阻r63的第一端耦接，且与电阻r65的第二端耦接，电阻r63的第二端接电源电压vcc，电阻r65的第一端与主控芯片的beep接口耦接；pnp型三极管q3的发射极接电源电压vcc；电容c42的第一端接地，第二端接电源电压vcc；其中，电阻r63的阻值为100kω，电阻r65的阻值为1k欧姆，电阻r67的阻值为100欧姆，电容c42的容值为0.1μf。
66.参照图8，给出了本实用新型实施例中的一种旋钮电位器的电路图。
67.在本实用新型实施例中，旋钮电位器包括电阻r70、电阻r71、可变电阻器pot1以及电容c43，旋钮电位器的a端与电阻r70的第二端耦接，电阻r70的第一端接电源电压vcc；旋钮电位器的b端与电阻r71的第一端耦接；旋钮电位器的c端接地；电阻r71的第二端与主控芯片的adc_in接口耦接，且与电容c43的第一端耦接，电容c43的第二端接地；其中：电阻r70的阻值为100ω，电阻r71的阻值为1kω，电容c43的容值为0.1μf。
68.参照图9，给出了本实用新型实施例中的一种温湿度传感器电路图。
69.在本实用新型实施例中，温湿度传感器，其vcc引脚接0.1μf的去耦电容c51的第一端，其dht11_data引脚接上拉电阻r82的第一端且与主控芯片的pf7引脚耦接，其gnd引脚接地，其nc引脚悬空。去耦电容c51的第二端接地，去耦电容c51的容值为0.1μf；上拉电阻r82的阻值为5kω。
70.参照图10，给出了本实用新型实施例中的一种es-link电路图。
71.在本实用新型实施例中，es-link插座的引脚1与主控芯片的pa14引脚耦接，es-link插座的引脚2与主控芯片的pd2引脚耦接，es-link插座的引脚3与主控芯片的pa13引脚耦接，es-link插座的引脚4与主控芯片的pc12引脚耦接，es-link插座的引脚5接地，es-link插座的引脚7接电源vcc，es-link插座的引脚9与主控芯片的mrst引脚耦接。
72.参照图11，给出了本实用新型实施例中的一种eeprom存储电路图。
73.在本实用新型实施例中，eeprom芯片的引脚1耦接电阻r52的一端，电阻r52的另一端耦接电源电压vcc。eeprom芯片的引脚2、eeprom芯片的引脚3以及eeprom芯片的引脚4均接地。eeprom芯片的引脚8上耦接有电源电压vcc，且与电容c40的第一端耦接，电容c40的第二端接地。eeprom芯片的引脚7与电容c40的第二端耦接，且接地。eeprom芯片的引脚6与电阻r53的第一端耦接，且与主控芯片的pa5耦接，电阻r53的第二端耦接电源vcc。eeprom芯片的引脚5与电阻r54的第一端耦接，且与主控芯片的pa6耦接，电阻r54的第二端与电阻r53的第二端耦接，且接电源电压vcc。电阻r52、电阻r53以及电阻r54的阻值均为10k欧姆，电容c40的容值为0.1μf。
74.参照图12，给出了本实用新型实施例中的一种usb转ttl电平串口电路图。
75.在本实用新型实施例中，usb芯片的引脚1接地，usb芯片的引脚txd接主控芯片的pc12引脚，usb芯片的引脚rxd接主控芯片的pd2引脚，usb芯片的引脚4接电源电压vcc，usb芯片的引脚5为usb_d+端口，引脚6为usb_d—端口，引脚7为xi端口，引脚8为xo端口。引脚7耦接晶振y1的端口1，引脚8耦接晶振y1的端口2，晶振y1的振荡频率为12mhz。引脚7还耦接电容c2的第一端，电容c2的第二端接地。引脚8还耦接电容c3的第一端，电容c3的第一端接地。电容c2与电容c3的容值均为22pf。引脚9～引脚15悬空，引脚16接电源电压vcc与电容c1的第一端，电容c1的第二端接地。电容c1的容值为0.1μf。
76.mini usb接口的引脚1接熔丝f1的第一端，熔丝f1的第二端耦接5v电压。mini usb接口的引脚2接esd防护芯片u2的引脚3，mini usb接口的引脚3接esd防护芯片u2的引脚2，mini usb接口的引脚4悬空，mini usb接口的引脚5与esd防护芯片u2的引脚1以及地耦接，mini usb接口的引脚x与地耦接。esd防护芯片u2的引脚4与熔丝f1的第二端耦接，且耦接5v电压。
77.参照图13，给出了本实用新型实施例中的一种tft液晶显示屏接口电路。
78.在本实用新型实施例中，tft液晶显示屏的引脚1与电容c65的第二端耦接，且与地耦接；tft液晶显示屏的引脚2与电源电压vcc以及电容c65的第一端耦接，电容c65的容值为0.1μf；tft液晶显示屏的引脚3与主控芯片的spi_lcd_clk接口耦接，tft液晶显示屏的引脚4与主控芯片的spi_lcd_mosi接口耦接，tft液晶显示屏的引脚5与主控芯片的spi_lcd_rst接口耦接，tft液晶显示屏的引脚6与主控芯片的spi_lcd_d/c接口耦接，tft液晶显示屏的引脚7与主控芯片的spi_lcd_bl接口耦接，tft液晶显示屏的引脚8与主控芯片的spi_lcd_miso接口耦接，tft液晶显示屏的引脚9与主控芯片的spi_lcd_cslcd接口耦接，tft液晶显示屏的引脚10与主控芯片的spi_lcd_cspen接口耦接，tft液晶显示屏的引脚11与主控芯片的spi_lcd_penint接口耦接。
79.参照图14，给出了本实用新型实施例中的一种flash存储电路图。
80.在本实用新型实施例中，flash芯片的引脚1与主控芯片的spiflash_cs接口耦接，
flash芯片的引脚2与主控芯片的spiflash_so接口耦接，flash芯片的引脚3与电阻r51的第一端耦接，电阻r51的第二端接电源电压vcc。flash芯片的引脚4与地耦接。flash芯片的引脚5与主控芯片的spiflash_si接口耦接，flash芯片的引脚6与主控芯片的spiflash_sck接口耦接，flash芯片的引脚7接电源电压vcc。flash芯片的引脚8接电源电压vcc与电容c39的第一端，电容c39的第二端接地，电容c39的容值为0.1μf。
81.参照图15，给出了本实用新型实施例中的一种九轴数字运动处理器电路图。
82.在本实用新型实施例中，九轴数字运动处理器芯片的引脚1与电容c49的第一端以及电源电压vcc耦接，电容c49的第二端接地，电容c49的容值为0.1μf。九轴数字运动处理器芯片的引脚2～7、13～17、19、21空接。九轴数字运动处理器芯片的引脚8与电容c49的第一端以及电源电压vcc耦接。九轴数字运动处理器芯片的引脚9与电阻r80的第一端耦接，电阻r80的第二端与电容c49的第二端耦接并与地耦接。九轴数字运动处理器芯片的引脚10与电容c48的第一端耦接，电容c48的第二端与电容c49的第二端耦接并与地耦接，且电容c48的容值为0.1μf。九轴数字运动处理器芯片的引脚11与电容c49的第二端耦接并与地耦接。
83.九轴数字运动处理器芯片的引脚12的主控芯片的mpu9250_nit端口耦接，九轴数字运动处理器芯片的引脚13耦接电源电压vcc，且在九轴数字运动处理器芯片的引脚12与九轴数字运动处理器芯片的引脚13之间耦接有电阻r75，电阻r75的阻值为10kω。九轴数字运动处理器芯片的引脚18与地耦接，且九轴数字运动处理器芯片的引脚18与九轴数字运动处理器芯片的引脚13之间设置有电容c45，电容c45的容值为0.1μf。
84.九轴数字运动处理器芯片的引脚20与地耦接。九轴数字运动处理器芯片的引脚22接电源电压vcc。九轴数字运动处理器芯片的引脚23接主控芯片的mpu9250_scl接口，九轴数字运动处理器芯片的引脚24接主控芯片的mpu9250_sda接口。九轴数字运动处理器芯片的引脚23还与电阻r74的第一端耦接，电阻r74的第二端与电阻r72的第二端耦接并接电源电压vcc。电阻r72的第一端与九轴数字运动处理器芯片的引脚24耦接。电阻r72与电阻r74的阻值均为4.7kω。
85.参照图16，给出了本实用新型实施例中的一种micro sd卡接口电路图。
86.在本实用新型实施例中，micro sd卡芯片的引脚1悬空，micro sd卡芯片的引脚2与电阻r55的第一端耦接且与主控芯片的sd_cs接口耦接，电阻r55的第二端接电源电压vcc；micro sd卡芯片的引脚3与电阻r56的第一端耦接且与主控芯片的sd_di接口耦接，电阻r56的第二端接电源电压vcc；micro sd卡芯片的引脚4接电源电压vcc以及电容c41的第一端且与电源电压vcc耦接；sd卡芯片的引脚5与电阻r57的第一端耦接且与主控芯片的sd_clk接口耦接，电阻r57的第二端接电源电压vcc；micro sd卡芯片的引脚6与电容c41的第二端耦接且与地耦接，电容c41的第二端接地；micro sd卡芯片的引脚7与电阻r58的第一端耦接且与主控芯片的sd_do接口耦接，电阻r58的第二端接电源电压vcc。电阻r56、电阻r57、电阻r58以及电阻r59的阻值为100k欧姆，电容c41的容值为0.1μf。
87.参照图17，给出了本实用新型实施例中的一种电机控制模块接口电路图。
88.在本实用新型实施例中，电机控制模块的引脚1与主控芯片的motor_1n引脚耦接，电机控制模块的引脚2与主控芯片的motor_1引脚耦接，电机控制模块的引脚3与主控芯片的motor_2n引脚耦接，电机控制模块的引脚4与主控芯片的motor_2引脚耦接，电机控制模块的引脚5与主控芯片的motor_3n引脚耦接，电机控制模块的引脚6与主控芯片的motor_3
引脚耦接，电机控制模块的引脚7与主控芯片的motor_i/o1引脚耦接，电机控制模块的引脚8与主控芯片的motor_i/o2引脚耦接，电机控制模块的引脚9与主控芯片的motor_i/o3引脚耦接，电机控制模块的引脚10与主控芯片的adc1引脚耦接，电机控制模块的引脚11与主控芯片的adc2引脚耦接，电机控制模块的引脚12与主控芯片的adc3引脚耦接，电机控制模块的引脚13与主控芯片的hall3引脚耦接，电机控制模块的引脚14与主控芯片的hall2引脚耦接，电机控制模块的引脚15与主控芯片的hall1引脚耦接，电机控制模块的引脚16接5v电压。电机控制模块的引脚17～20均耦接至地。
89.参照图18，给出了本实用新型实施例中的一种蓝牙接口电路图。
90.在本实用新型实施例中，蓝牙模块的引脚1空接，蓝牙模块的引脚2耦接主控芯片的bt-txd引脚，蓝牙模块的引脚3耦接主控芯片的bt_rxd引脚，蓝牙模块的引脚4接地，蓝牙模块的引脚5接5v电压，蓝牙模块的引脚6节主控芯片的bt_en引脚。
91.参照图19，给出了本实用新型实施例中的一种irda红外通信电路图。
92.在本实用新型实施例中，irda芯片的引脚1与地耦接，irda芯片的引脚2空接。irda芯片的引脚3与电容c16的第一端耦接且与接电源电压vcc耦接，电容c16的第二端接地，电容c16的容值为1μf。irda芯片的引脚4与引脚5接地。irda芯片的引脚6接主控芯片的irda_rx接口，irda芯片的引脚7接主控芯片的irda_tx接口。irda芯片的引脚8与电源电压vcc耦接，irda芯片的引脚9接地。
93.参照图20，给出了本实用新型实施例中的一种lin总线电路图。
94.在本实用新型实施例中，lin总线芯片的引脚1与主控芯片的lin_rx引脚、电阻r14的第一端耦接；lin总线芯片的引脚2与主控芯片的lin_slp引脚耦接；lin总线芯片的引脚3与电阻r15的第一端耦接；lin总线芯片的引脚4与主控芯片的lin_tx引脚、电阻r16的第一端耦接。电阻r14和r16的阻值均为4.7kω；r15的阻值为3kω。
95.lin总线芯片的引脚5接地，并与插座head3的引脚3耦接；lin总线芯片的引脚6与电容c17的第一端、电阻r18的第二端耦接，且耦接至插座head3的引脚1；lin总线芯片的引脚7与电阻r17的第一端耦接，电阻r17的第二端耦接电阻r15的第二端以及开关按键k2的第一端。开关按键k2的第二端接地。lin总线芯片的引脚7上还耦接12v的电压，并与插座head3的引脚2耦接。lin总线芯片的引脚8与jump的第一端耦接，jump的第二端与二极管d4的阴极耦接；二极管d4的阳极与电阻r18的第一端耦接。电阻r17的阻值为4.7kω，电阻r18的阻值为1kω，电容c17的容值为1nf。
96.参照图21，给出了本实用新型实施例中的一种rs485总线电路图。
97.在本实用新型实施例中，rs485芯片的引脚1与主控芯片的485_rx引脚耦接，rs485芯片的引脚2与主控芯片的485_re引脚耦接，且rs485芯片的引脚3与rs485芯片的引脚2耦接。rs485芯片的引脚4与主控芯片的485_tx引脚耦接。rs485芯片的引脚5接地；rs485芯片的引脚6与电阻r11的第二端、电阻r12的第一端以及tvs管d3的第二端耦接，并耦接至head2的引脚2；rs485芯片的引脚7与电阻r11的第一端、tvs管d3的第一端、电阻r9的第二端以及head2的引脚1耦接。rs485芯片的引脚8接电源电压vcc以及电容c13的第一端，电容c13的第二端接地。电阻r9的第二端接地，电阻r12的第二端接地。电阻r9的阻值为4.7kω，电阻r11的阻值为120ω，电阻r12的阻值为4.7kω。
98.参照图22，给出了本实用新型实施例中的一种智能卡接口电路图。
99.在本实用新型实施例中，智能卡芯片的引脚1与pnp型三极管q1的集电极以及电容c14的第一端耦接，电容c14的第二端接地；pnp型三极管q1的发射极接电源电压vcc与电阻r10的第一端耦接，电阻r10的第二端与电阻r8的第一端耦接，且与pnp型三极管q1的基极耦接。电阻r8的第二端与主控芯片的card_ven耦接。电容c14的容值为0.1μf，电阻r10的阻值为100kω，电阻r8的阻值为1kω。
100.智能卡芯片的引脚2耦接主控芯片的card_rst引脚；智能卡芯片的引脚3耦接主控芯片的card_clk引脚；智能卡芯片的引脚4、引脚6、引脚8空接；智能卡芯片的引脚5、引脚9接地；智能卡芯片的引脚7耦接主控芯片的card_io引脚；智能卡芯片的引脚10耦接主控芯片的card_key引脚，并与电阻r13的第一端、电容c15的第一端耦接。电阻r13的第二端接电源电压vcc，电容c15的第二端接地。电阻r13的阻值为10kω，电容c15的容值为0.1μf。
101.参照图23，给出了本实用新型实施例中的一种红外发射电路图。
102.在本实用新型实施例中，红外发射电路包括电阻r19、电阻r20、电阻r21、电容c20、pnp型三极管q2以及红外发射二极管led1。
103.电阻r20的第一端与主控芯片的38k_tx引脚耦接。pnp型三极管q2的发射极接电源电压vcc，并与电容c20的第二端耦接，且与电阻r19的第一端耦接，电容c20的第一端接地；pnp型三极管q2的基极与电阻r19的第二端耦接，并与电阻r20的第二端耦接；pnp型三极管q2的集电极与红外发射二极管led1的阳极耦接；红外发射二极管led1的阴极与电阻r21的第二端耦接，电阻r21的第一端接地；电阻r19的阻值为100kω，电阻r20的阻值为1kω，电阻r21的阻值为10kω。电容c20的容值为0.1μf，三极管q2为pnp型三极管。
104.参照图24，给出了本实用新型实施例中的一种红外接收电路图。
105.在本实用新型实施例中，红外接收电路包括电阻r87、红外接收芯片u8以及电容c19。红外接收芯片u8的引脚1耦接主控芯片的38k_rx引脚，并与电阻r87的第二端耦接，电阻r87的第一端接地；红外接收芯片u8的引脚2接地；红外接收芯片u8的引脚3接电源电压vcc，并与电容c19的第二端耦接，电容c19的第一端接地。电阻r87的阻值为10kω，电容c19的容值为0.1μf。
106.参照图25，给出了本实用新型实施例中的一种扩展io接口电路图。
107.在本实用新型实施例中，对于扩展io接口p6，其引脚1和引脚2悬空，其引脚3与主控芯片的pe2引脚耦接，其引脚5与主控芯片的pe4引脚耦接，其引脚6与主控芯片的pe3引脚耦接，其引脚7与主控芯片的pe6引脚耦接，其引脚8与主控芯片的pe5引脚耦接，其引脚9与主控芯片的pf4引脚耦接，其引脚10与主控芯片的pc13引脚耦接，其引脚11与主控芯片的pc1引脚耦接，其引脚12与主控芯片的pc0引脚耦接，其引脚13与主控芯片的pc3引脚耦接，其引脚14与主控芯片的pc2引脚耦接，其引脚15与主控芯片的ph3引脚耦接，其引脚16与主控芯片的pf6引脚耦接，其引脚17与主控芯片的pf7引脚耦接，其引脚18与主控芯片的ph4引脚耦接，其引脚19与主控芯片的pa1引脚耦接，其引脚20与主控芯片的pa0引脚耦接，其引脚21与主控芯片的pa3引脚耦接，其引脚22与主控芯片的pa2引脚耦接，其引脚23与主控芯片的pf1引脚耦接，其引脚24与主控芯片的pf0引脚耦接，其引脚25与主控芯片的pa5引脚耦接，其引脚26与主控芯片的pa4引脚耦接，其引脚27与主控芯片的pa7引脚耦接，其引脚28与主控芯片的pa6引脚耦接，其引脚29与主控芯片的pc5引脚耦接，其引脚30与主控芯片的pc4引脚耦接，其引脚31与主控芯片的pb1引脚耦接，其引脚32与主控芯片的pb0引脚耦接，其引
脚33与主控芯片的pe7引脚耦接，其引脚34与主控芯片的pb2引脚耦接，其引脚35与主控芯片的pe9引脚耦接，其引脚36与主控芯片的pe8引脚耦接，其引脚37与主控芯片的pe11引脚耦接，其引脚38与主控芯片的pe10引脚耦接，其引脚39与主控芯片的pe13引脚耦接，其引脚40与主控芯片的pe12引脚耦接，其引脚41与主控芯片的pe15引脚耦接，其引脚42与主控芯片的pe14引脚耦接，其引脚43与主控芯片的pb11引脚耦接，其引脚44与主控芯片的pb10引脚耦接。
108.在本实用新型实施例中，对于扩展io接口p7，其引脚1悬空，其引脚2与主控芯片的pe0引脚耦接，其引脚3与主控芯片的pb9引脚耦接，其引脚4与主控芯片的pb8引脚耦接，其引脚5与主控芯片的pb7引脚耦接，其引脚6与主控芯片的pb6引脚耦接，其引脚7与主控芯片的pb5引脚耦接，其引脚8与主控芯片的pb4引脚耦接，其引脚9与主控芯片的pb3引脚耦接，其引脚10与主控芯片的pd7引脚耦接，其引脚11与主控芯片的pd6引脚耦接，其引脚12与主控芯片的pd5引脚耦接，其引脚13与主控芯片的pd4引脚耦接，其引脚14与主控芯片的pd3引脚耦接，其引脚15与主控芯片的pd2引脚耦接，其引脚16与主控芯片的pd1引脚耦接，其引脚17与主控芯片的pd0引脚耦接，其引脚18与主控芯片的pc12引脚耦接，其引脚19与主控芯片的pc11引脚耦接，其引脚20与主控芯片的pc10引脚耦接，其引脚21与主控芯片的pa15引脚耦接，其引脚22与主控芯片的pa14引脚耦接，其引脚23与主控芯片的pa13引脚耦接，其引脚24与主控芯片的pa12引脚耦接，其引脚25与主控芯片的pa11引脚耦接，其引脚26与主控芯片的pa10引脚耦接，其引脚27与主控芯片的pa9引脚耦接，其引脚28与主控芯片的pa8引脚耦接，其引脚29与主控芯片的pc9引脚耦接，其引脚30与主控芯片的pc8引脚耦接，其引脚31与主控芯片的pc7引脚耦接，其引脚32与主控芯片的pc6引脚耦接，其引脚33与主控芯片的pd15引脚耦接，其引脚34与主控芯片的pd14引脚耦接，其引脚35与主控芯片的pd13引脚耦接，其引脚36与主控芯片的pd12引脚耦接，其引脚37与主控芯片的pd11引脚耦接，其引脚38与主控芯片的pd10引脚耦接，其引脚39与主控芯片的pd9引脚耦接，其引脚40与主控芯片的pd8引脚耦接，其引脚41与主控芯片的pb15引脚耦接，其引脚42与主控芯片的pb14引脚耦接，其引脚43与主控芯片的pb13引脚耦接，其引脚44与主控芯片的pb12引脚耦接。
109.参照图26，给出了本实用新型实施例中的一种以太网接口电路图。
110.在本实用新型实施例中，网口芯片的引脚1与电阻r39的第一端耦接，电阻r39的阻值为0ω；网口芯片的引脚2与电阻r40的第一端耦接，电阻r40的阻值为0ω；网口芯片的引脚3接地；网口芯片的引脚4接电源；网口芯片的引脚5与电阻r43的第一端耦接，电阻r43的阻值为0ω；网口芯片的引脚6与电阻r44的第一端耦接，电阻r44的阻值为0ω；网口芯片的引脚8接电源；网口芯片的引脚9接地；网口芯片的引脚10与电阻r45的第一端耦接，电阻r45的第二端接地，电阻r45的阻值为12.4kω；网口芯片的引脚11接电源；网口芯片的引脚14接地；网口芯片的引脚15接电源；网口芯片的引脚16接地；网口芯片的引脚17接电源；网口芯片的引脚19接地；网口芯片的引脚20与电容c38的第一端耦接，电容c38的第二端接地，电容c38的容值为4.7μf；网口芯片的引脚21接电源；网口芯片的引脚22与电容c37的第一端耦接，电容c37的第二端接地，电容c37的容值为12nf；网口芯片的引脚23与电阻r50的第一端耦接，电阻r50的第二端接地；网口芯片的引脚25与电阻r48的第一端耦接，电阻r48的阻值为1kω；网口芯片的引脚27与电阻r49的第一端耦接，电阻r49的阻值为1kω；网口芯片的引脚28接电源电压vcc，并与电容c34第二端和电容c35第二端耦接，电容c34的容值为0.1μf，
电容c35的容值为10μf；网口芯片的引脚29接地，并与电容c34第一端和电容c35第一端耦接；网口芯片的引脚30与晶振y2的第二端耦接，并与电阻r42的第二端耦接，并与电容c33的第二端耦接，电阻r42的阻值为1mω，电容c33的容值为18pf；网口芯片的引脚31与电阻r41的第二端耦接，并与电阻r42的第一端耦接，r41的阻值为0ω；晶振y2的第一端与电阻r41的第一端耦接，并与电容c30的第二端耦接，电容c30的容值为18pf，晶振y2的工作频率为25mhz；网口芯片的引脚32脚与主控芯片的w5500_cs耦接；网口芯片的引脚33脚与主控芯片的w5500_sclk耦接；网口芯片的引脚34与主控芯片的w5500_miso耦接；网口芯片的引脚35与主控芯片的w5500_mosi耦接；网口芯片的引脚36与主控芯片的w5500_int耦接；网口芯片的引脚37与主控芯片的w5500_rst耦接，并与电阻r28的第二端耦接，电阻r28的第一端接地，电阻r28的阻值为10kω；网口芯片的引脚38与电阻r29的第二端耦接，电阻r29的第一端接地，电阻r29的阻值为100kω；网口芯片的引脚39与电阻r30的第二端耦接，电阻r30的第一端接地，电阻r30的阻值为100kω；网口芯片的引脚40与电阻r31的第二端耦接，电阻r31的第一端接地，电阻r31的阻值为100kω；网口芯片的引脚41与电阻r32的第二端耦接，电阻r32的第一端接地，电阻r32的阻值为100kω；网口芯片的引脚42与电阻r33的第二端耦接，电阻r33的第一端接地，电阻r33的阻值为100kω；网口芯片的引脚43与电阻r24的第二端耦接，并与电阻r25的第一端耦接，电阻r24的第一端接电源电压vcc，电阻r25的第二端接地，电阻r24的阻值为10kω，电阻r25的阻值为10kω；网口芯片的引脚44与电阻r26的第二端耦接，并与电阻r27的第一端耦接，电阻r26的第一端接电源电压vcc，电阻r27的第二端接地，电阻r26的阻值为10kω，电阻r27的阻值为10kω；网口芯片的引脚45与电阻r34的第二端耦接，并与电阻r35的第一端耦接，电阻r34的第一端接电源电压vcc，电阻r35的第二端接地，电阻r34的阻值为10kω，电阻r35的阻值为10kω；网口芯片的引脚48接地。网口芯片的引脚7、12、13、18、24、26、46和47悬空。
111.rj45接口的引脚1与电阻r36的第一端耦接，并与电阻r40的第二端耦接，电阻r36的阻值为49.9ω；rj45接口的引脚2与电阻r37的第一端耦接，并与电阻r39的第二端耦接，电阻r37的阻值为49.9ω；rj45接口的引脚3与电容c31的第二端耦接，电容c31的第一端与电阻r47的第二端耦接，并与电阻r44的第二端耦接，电容c31的容值为6.8nf；rj45接口的引脚4与电阻r38的第一端耦接，并与电容c29的第一端耦接，电阻r38的第二端接电源，电容c29的第二端接地，电阻r38的阻值为49.9ω，电容c29的容值为22nf；rj45接口的引脚5与电阻r46的第一端耦接，并与电阻r47的第一端耦接，并与电容c36的第二端耦接，电容c36的第一端接地，电阻r46的阻值为49.9ω，电阻r47的阻值为49.9ω，电容c36的容值为10nf；rj45接口的引脚6与电容c32的第二端耦接，电容c32的第一端与电阻r46的第二端耦接，并与电阻r43的第二端耦接，电容c32的容值为6.8nf；rj45接口的引脚8接地；rj45接口的引脚9接电源；rj45接口的引脚10与电阻r48的第二端耦接；rj45接口的引脚11与电阻r49的第二端耦接；rj45接口的引脚13接地；rj45接口的引脚14接地。rj45接口的引脚7悬空。
112.综上，本实用新型实施例提供的物联网学习开发板，具备一定的感知能力、记忆能力、学习能力和决策能力，以及具有一定的人机交互能力，能够使得初学者较为快速地上手使用该物联网学习开发板。
113.虽然本实用新型披露如上，但本实用新型并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本实用新型的保护范围
应当以权利要求所限定的范围为准。