一种基于Saber的逆变器仿真方法及装置与流程

一种基于saber的逆变器仿真方法及装置
技术领域
1.本说明书一个或多个实施例涉及汽车产线检测技术领域，尤其涉及一种基于saber的逆变器仿真方法及装置。


背景技术：

2.saber软件是一款模拟及混合信号仿真软件，应用于车辆、军工、电力新能源等多种领域。
3.在新能源汽车电驱系统中，逆变器损耗大小影响着电动汽车续航时间和寿命，如何提高逆变器效率、减少能量损耗是目前电动汽车研究的一个热点。三相全桥逆变器主电路一般由六个功率器件组成，因此逆变器效率主要受功率器件的开关损耗、导通损耗以及功率器件外围电路中栅极开关电阻损耗等因素影响，其中功率器件损耗由器件传输特性、转移特性等特性曲线决定，如何根据系统需求调整功率器件特性以及外围电路参数，保证逆变器效率满足系统需求是逆变器性能设计的关键。
4.因此，希望有一种技术方案来克服或至少减轻现有技术的至少一个上述缺陷。


技术实现要素：

5.有鉴于此，本说明书一个或多个实施例的目的在于提出一种基于saber的逆变器仿真方法及装置，以解决上述至少一个问题。
6.基于上述目的，本说明书一个或多个实施例提供了一种基于saber的逆变器仿真方法，所述基于saber的逆变器仿真方法包括：
7.生成初始仿真测试电路，所述初始仿真测试电路包括至少一个初始曲线信息以及功率器件模型；
8.根据所述初始仿真测试电路进行时域仿真，获取所述功率器件模型的总损耗、开关损耗及导通损耗；
9.以每次采用一个新的曲线信息替换一个初始曲线信息的方式，对所述初始仿真测试电路进行变换，从而获取替换仿真测试电路，并根据功率器件模型的总损耗、开关损耗及导通损耗对获取的替换仿真测试电路进行被替换的初始曲线信息的灵敏度测试，从而获取每个初始曲线信息的灵敏度；其中，替换仿真测试电路的数量与初始曲线信息的数量相同；
10.根据获取的功率器件模型的总损耗、开关损耗、导通损耗以及各个原始曲线信息的灵敏度对功率器件进行设计调整。
11.可选地，所述基于saber的逆变器仿真方法进一步包括；
12.以每次扫描一个其他参数的方式获取该次扫描的其他参数的灵敏度；
13.根据获取的其他参数的灵敏度对其他参数进行设计调整。
14.可选地，所述生成初始仿真测试电路包括：
15.基于数据手册搭建功率器件模型，其中，所述数据手册包括至少一个初始曲线信息；
16.基于saber搭建不含有功率器件的仿真测试电路；
17.将功率器件模型嵌入所述不含有功率器件的仿真测试电路，得到初始仿真测试电路。
18.可选地，所述以每次采用一个新的曲线信息替换一个初始曲线信息的方式，对所述初始仿真测试电路进行变换，从而获取替换仿真测试电路包括：
19.采用一个新的曲线信息替换一个初始曲线信息，重新生成功率器件模型；
20.将重新生成的功率器件模型嵌入所述不含有功率器件的仿真测试电路，得到一个替换仿真测试电路。
21.可选地，所述根据功率器件模型的总损耗、开关损耗及导通损耗对获取的替换仿真测试电路进行被替换的初始曲线信息的灵敏度测试，从而获取每个初始曲线信息的灵敏度包括：
22.计算用一个新的曲线信息替换一个初始曲线信息的变化率δc；
[0023][0024]
计算导通损耗、开关损耗及总损耗中任意一个的变化率δp；
[0025][0026]
计算替换的曲线的灵敏度s；
[0027][0028]
其中，c2为特性曲线替换后的特性曲线平均值，c1为特性曲线替换前的特性曲线平均值，p2为特性曲线替换后的损耗值，p1为特性曲线替换前的损耗值。
[0029]
本说明书一个或多个实施例还提供了一种基于saber的逆变器仿真装置，所述基于saber的逆变器仿真装置包括：
[0030]
初始仿真测试电路生成模块，生成初始仿真测试电路，所述初始仿真测试电路包括至少一个初始曲线信息以及功率器件模型；
[0031]
损耗测试模块，根据所述初始仿真测试电路进行时域仿真，获取所述功率器件模型的总损耗、开关损耗及导通损耗；
[0032]
灵敏度测试模块，以每次采用一个新的曲线信息替换一个初始曲线信息的方式，对所述初始仿真测试电路进行变换，从而获取替换仿真测试电路，并根据功率器件模型的总损耗、开关损耗及导通损耗对获取的替换仿真测试电路进行被替换的初始曲线信息的灵敏度测试，从而获取每个初始曲线信息的灵敏度；其中，替换仿真测试电路的数量与初始曲线信息的数量相同；
[0033]
功率器件再设计模块，根据获取的功率器件模型的总损耗、开关损耗、导通损耗以及各个原始曲线信息的灵敏度对功率器件进行设计调整。
[0034]
可选地，所述基于saber的逆变器仿真装置还包括：
[0035]
其他参数扫描模块，以每次扫描一个其他参数的方式获取该次扫描的其他参数的总损耗、开关损耗、导通损耗以及灵敏度；
[0036]
其他参数再设计模块，根据获取的其他参数的总损耗、开关损耗、导通损耗以及灵敏度对其他参数进行设计调整。
[0037]
可选地，所述初始仿真测试电路生成模块包括：
[0038]
功率器件模型生成模块，基于数据手册搭建功率器件模型，所述功率器件模型包括至少一个初始曲线信息；
[0039]
仿真测试电路生成模块，基于saber搭建不含有功率器件的仿真测试电路；
[0040]
功率器件模型嵌入模块，将功率器件模型嵌入所述不含有功率器件的仿真测试电路，得到一个初始仿真测试电路。
[0041]
本说明书一个或多个实施例还提供了一种电子设备，包括存储器、处理器以及存储在存储器中并能够在处理器上运行的计算机程序，处理器执行计算机程序时实现如上述的基于saber的逆变器仿真方法。
[0042]
本说明书一个或多个实施例还提供了一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时能够实现如上述的基于saber的逆变器仿真方法。
[0043]
从上面所述可以看出，本说明书一个或多个实施例提供的一种基于saber的逆变器仿真方法及装置，开创性的提出灵敏度分析，一方面针对功率器件设计，分析各特性曲线对功率器件总损耗的影响，根据灵敏度对功率器件的设计进行调整；另一方面针对功率器件外围电路元件参数，分析元件参数对逆变器总损耗的影响，根据灵敏度对功率器件外围电路的设计进行调整，最终达到提高逆变器效率、降低损耗、满足系统效率要求的目标。可以有效提升仿真设计的工作效率，可以快速的达到提高逆变器效率、降低损耗、满足系统效率要求的目标。
附图说明
[0044]
为了更清楚地说明本说明书一个或多个实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本说明书一个或多个实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0045]
图1为本说明书一个或多个实施例提供的一种基于saber的逆变器仿真方法示意图；
[0046]
图2为本说明书一个或多个实施例提供的另一种基于saber的逆变器仿真方法示意图；
[0047]
图3为本说明书一个或多个实施例提供的逆变器单相桥臂仿真测试电路的示意图；
[0048]
图4为本说明书一个或多个实施例提供的采用初始曲线信息的仿真结果示意图；
[0049]
图5为本说明书一个或多个实施例提供的采用一个新的曲线信息替换一个初始曲线信息后的仿真结果示意图；
[0050]
图6为本说明书一个或多个实施例提供的chip与chip1特性曲线id-vds示意图；
[0051]
图7为本说明书一个或多个实施例提供的另一种基于saber的逆变器仿真方法示意图；
[0052]
图8为本说明书一个或多个实施例提供的开通电阻rgon仿真测试示意图；
[0053]
图9为本说明书一个或多个实施例提供的一种更为具体的电子设备硬件结构示意图。
具体实施方式
[0054]
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本公开进一步详细说明。
[0055]
需要说明的是，除非另外定义，本说明书一个或多个实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本说明书一个或多个实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
[0056]
图1为本说明书一个或多个实施例提供的一种基于saber的逆变器仿真方法示意图。
[0057]
参照图1，本技术的一个实施例提供了一种基于saber的逆变器仿真方法，基于saber的逆变器仿真方法包括：
[0058]
生成初始仿真测试电路，初始仿真测试电路包括至少一个初始曲线信息以及功率器件模型；
[0059]
根据初始仿真测试电路进行时域仿真，获取功率器件模型的总损耗、开关损耗及导通损耗；
[0060]
以每次采用一个新的曲线信息替换一个初始曲线信息的方式，对初始仿真测试电路进行变换，从而获取替换仿真测试电路，并根据功率器件模型的总损耗、开关损耗及导通损耗对获取的替换仿真测试电路进行被替换的初始曲线信息的灵敏度测试，从而获取每个初始曲线信息的灵敏度；其中，替换仿真测试电路的数量与初始曲线信息的数量相同；
[0061]
根据获取的功率器件模型的总损耗、开关损耗、导通损耗以及各个原始曲线信息的灵敏度对功率器件进行设计调整。
[0062]
本方法开创性的提出灵敏度分析，分析各特性曲线对功率器件各个损耗的影响，根据灵敏度对功率器件的设计进行快速、准确的调整，可以有效提升仿真设计的工作效率。
[0063]
在一实施例中，曲线信息包括以下至少一项，初始曲线信息可以是以下任意一项：
[0064]
数据手册中的输出特性曲线id-vds，转移特性曲线id-vgs，导通电阻曲线rds-id，极间电容曲线ciss、crss、coss-vds，栅极电荷曲线vgs-qg。
[0065]
新的曲线信息可以人为设置，可以为数据手册中的在本次并未使用的曲线信息，也可以是把现有曲线值通过放大或缩小得到。
[0066]
图2是本发明一个或多个实施例提供的另一种基于saber的逆变器仿真方法示意图。
[0067]
参照图2，在一实施例中，生成初始仿真测试电路包括：
[0068]
基于数据手册搭建功率器件模型，其中，数据手册包括至少一个初始曲线信息；
[0069]
基于saber搭建不含有功率器件的仿真测试电路；
[0070]
将功率器件模型嵌入不含有功率器件的仿真测试电路，得到初始仿真测试电路。
[0071]
图3是本发明一个或多个实施例提供的逆变器单相桥臂仿真测试电路的示意图。
[0072]
举例来说，参照图3，首先在saber软件中搭建仿真测试电路，搭建mosfet模型需要用到数据手册中的输出特性曲线id-vds，转移特性曲线id-vgs，导通电阻曲线rds-id，极间电容曲线ciss、crss、coss-vds，栅极电荷曲线vgs-qg等曲线，使用描点法录入上述曲线，搭建mosfet器件的模型，将功率器件模型嵌入仿真测试电路中。
[0073]
以功率器件采用mosfet为例，搭建逆变器单相桥臂仿真测试电路，输出电流采用固定值，仿真分析初始曲线的灵敏度。
[0074]
数据手册：
[0075]
chip为搭建的mosfet模型，d为漏极s为源极g为栅极；
[0076]
驱动信号drive模块，占空比0.5，控制频率10khz，死区时间1us，导通电压18v，关断电压-5v；
[0077]
lg为栅极驱动回路寄生电感10uh；
[0078]
rgon为栅极开通电阻22ω，rgoff为栅极关断电阻5ω；
[0079]
c为放置于栅极源极之间的电容10pf；
[0080]
l_up与l_down为寄生电感，选取3uh；
[0081]
vdc为母线电压850v，id为输出电流130a。
[0082]
在一实施例中，根据初始仿真测试电路进行时域仿真，获取功率器件模型的总损耗、开关损耗及导通损耗。
[0083]
举例来说，使用saber软件中自带的(transition analysis)功能完成时域仿真，saber软件自带对功率器件总损耗的分析功能，因此可直接获得功率器件模型的总损耗。对于开关损耗及导通损耗的获取，需采用saber自带实验分析仪(experiment analyzes)功能对实时波形进行自动化测试。
[0084]
图4是本发明一个或多个实施例提供的采用初始曲线信息的仿真结果示意图。
[0085]
例如，使用saber软件中自带的(transition analysis)进行时域仿真，仿真时间10ms，仿真步长1us，得到mosfet模型的总损耗pwrd并使用波形计算工具求平均值，编写测试脚本利用saber软件自带测试自动化功能进行仿真分析，对开关损耗、导通损耗在输出电流id为0～130a的条件下进行扫描，仿真结果如图4所示。初始模型在输出电流130a条件下总损耗pwrd_0平均值为191.4w，开通过程损耗e
on_0
为7.12mj，关断过程损耗e
off_0
为941uj，导通阶段损耗p
on_0
为223w。
[0086]
在一实施例中，以每次采用一个新的曲线信息替换一个初始曲线信息的方式，对初始仿真测试电路进行变换，从而获取替换仿真测试电路包括：
[0087]
采用一个新的曲线信息替换一个初始曲线信息，重新生成功率器件模型；
[0088]
将重新生成的功率器件模型嵌入不含有功率器件的仿真测试电路，得到一个替换仿真测试电路。
[0089]
举例来说，对完全采用数据手册搭建的mosfet模型，完成总损耗、开关损耗、导通损耗的仿真测试之后，需要采用控制变量法，每次只替换初始mosfet模型中的一种初始曲
线，生成新的模型嵌入到仿真测试电路中，直到完成所有建模及测试。
[0090]
图5是本发明一个或多个实施例提供的采用一个新的曲线信息替换一个初始曲线信息后的仿真结果示意图。
[0091]
例如，改变输出特性曲线id-vds，重新搭建mosfet模型生成chip1，将模型嵌入图3初始仿真测试电路，从而形成替换仿真测试电路，并按照之前的测试初始仿真测试电路的仿真步骤进行时域仿真与测试，仿真结果如图5所示。新模型chip1的总损耗平均值pwrd_1为302.31w，导通损耗p
on_1
为497w，开通过程损耗e
on_1
为4.43mj，关断过程损耗e
off_1
为1.52mj。
[0092]
在一实施例中，根据功率器件模型的总损耗、开关损耗及导通损耗对获取的替换仿真测试电路进行被替换的初始曲线信息的灵敏度测试，从而获取每个初始曲线信息的灵敏度包括：
[0093]
计算用一个新的曲线信息替换一个初始曲线信息的变化率δc；
[0094][0095]
计算导通损耗、开关损耗及总损耗中任意一个的变化率δp；
[0096][0097]
计算替换的曲线的灵敏度s；
[0098][0099]
其中，导通损耗、开关损耗及总损耗可以根据实际情况任意选择，c2为特性曲线替换后的特性曲线平均值，c1为特性曲线替换前的特性曲线平均值，p2为特性曲线替换后的损耗值，p1为特性曲线替换前的损耗值。
[0100]
这里，每一种初始曲线对功率器件损耗的影响程度定义为这个曲线的灵敏度。
[0101]
以上述测试电路产生的测试结果为例，
[0102]
计算chip1与chip间的各个损耗变化率：
[0103][0104][0105][0106][0107]
其中，δe
on
为开通损耗变化率，δe
off
为关断损耗变化率，δp
on
为导通损耗变化率，δpwrd为总损耗变化率。
[0108]
图6是本发明一个或多个实施例提供的chip与chip1特性曲线id-vds示意图。
[0109]
参照图6，举例来说，仿真测试在输出电流恒定为130a的条件下进行，因此只取id为130a处，计算chip1与chip间的特性曲线变化率δv
ds
：
[0110][0111]
由上可知输出特性曲线的灵敏度：
[0112]svds_eon
＝δe
on
：δv
ds
＝-0.32
[0113]svds_eoff
＝δe
off
：δv
ds
＝0.7
[0114]svds_pon
＝δp
on
：δv
ds
＝1.01
[0115]svds_pwrd
＝δpwrd：δv
ds
＝0.68
[0116]
其中，s
vds_eon
代表开通过程损耗eon关于曲线id-vds的灵敏度，s
vds_eoff
代表关断过程损耗eoff关于曲线id-vds的灵敏度，s
vds_pon
代表导通损耗pon关于曲线id-vds的灵敏度，s
vds_pwrd
代表总损耗pwrd关于曲线id-vds的灵敏度。
[0117]
由上可知，灵敏度s
vds_pon
最高，vds每减小1％，导通损耗pon减小1.01％，导通损耗变化率受输出特性曲线变化影响最大，具有高灵敏度，在需要调整导通损耗大小时应对功率器件的输出特性进行调整。
[0118]
在一实施例中，根据获取的功率器件模型的总损耗、开关损耗、导通损耗以及各个原始曲线信息的灵敏度对功率器件进行设计调整。
[0119]
举例来说，要将导通损耗降低1.01％才能满足设计要求，就需要在功率器件设计时保证vds减小1％。同理，对其他特性曲线也做同样分析，最终获得全部特性曲线的灵敏度，进一步对功率器件选型设计以满足系统要求。
[0120]
在一实施例中，基于saber的逆变器仿真方法进一步包括；
[0121]
以每次扫描一个其他参数的方式获取该次扫描的其他参数的灵敏度；
[0122]
根据获取的其他参数的灵敏度对其他参数进行设计调整。
[0123]
本方法中的其他参数指的是除了功率器件以外，其他对仿真测试有影响的参数，例如，外围元件(例如，开通电阻、铜排寄生电感等)，仿真测试参数(例如，开通电压、关断电压等)。
[0124]
本方法通过分析其他参数对逆变器总损耗的影响，得到其他参数的灵敏度，分析其他参数对逆变器各个损耗的影响，根据其他参数的灵敏度对功率器件外围电路的设计进行调整，与上述的方法同用可以快速的达到提高逆变器效率、降低损耗、满足系统效率要求的目标。
[0125]
图7为本说明书一个或多个实施例提供的另一种基于saber的逆变器仿真方法示意图。图8是本发明一个或多个实施例提供的开通电阻rgon仿真测试示意图。
[0126]
以其他参数为开通电阻rgon举例来说，参照图7-8，
[0127]
计算开通电阻rgon相对于原始模型的变化率δrgon：
[0128]
[0129]
计算开通电阻rgon损耗相对于原始模型的变化率开通损耗变化率δe
on
、关断损耗变化率δe
off
、导通损耗变化率δp
on
、总损耗变化率δpwrd：
[0130][0131]
δe
off
≈0％
[0132]
δp
on
≈0％
[0133][0134]
由上可知，灵敏度为：
[0135]srgon_eon
＝δe
on
：δrg
on
＝29.36
[0136]srgon_eoff
＝δe
off
：δrg
on
＝0％
[0137]srgon_pon
＝δp
on
：δrg
on
＝0％
[0138]srgon_pwrd
＝δpwrd：δrg
on
＝14.94
[0139]
其中，s
rgon_eon
代表开通过程损耗eon关于开通电阻rgon的灵敏度，s
rgon_eoff
代表关断过程损耗eoff关于曲线rgon的灵敏度，s
rgon_pon
代表导通损耗pon关于rgon的灵敏度，s
rgon_pwrd
代表总损耗pwrd关于rgon的灵敏度。
[0140]
由上可知，灵敏度s
rgon_eon
最高，r
gon
每增大1％，开通过程损耗eon增大29.36％，开通损耗变化率受r
gon
变化影响最大，具有高灵敏度，在需要调整开通损耗大小时应按照敏感度数值对参数r
gon
进行调整。
[0141]
此处只是以开通电阻为例进行讲解，并不是对本方法使用场景的限制，本方法同样适用于其他参数，例如，铜排寄生电感，开通电压、关断电压等。
[0142]
设计逆变器系统时，综合功率模块与其他参数的灵敏度进行设计。
[0143]
需要说明的是，本说明书一个或多个实施例的方法可以由单个设备执行，例如一台计算机或服务器等。本实施例的方法也可以应用于分布式场景下，由多台设备相互配合来完成。在这种分布式场景的情况下，这多台设备中的一台设备可以只执行本说明书一个或多个实施例的方法中的某一个或多个步骤，这多台设备相互之间会进行交互以完成所述的方法。
[0144]
上述对本说明书特定实施例进行了描述。其它实施例在所附权利要求书的范围内。在一些情况下，在权利要求书中记载的动作或步骤可以按照不同于实施例中的顺序来执行并且仍然可以实现期望的结果。另外，在附图中描绘的过程不一定要求示出的特定顺序或者连续顺序才能实现期望的结果。在某些实施方式中，多任务处理和并行处理也是可以的或者可能是有利的。
[0145]
本技术的一个实施例提供了一种基于saber的逆变器仿真装置，基于saber的逆变器仿真装置包括：初始仿真测试电路生成模块、损耗测试模块、灵敏度测试模块和功率器件再设计模块；
[0146]
初始仿真测试电路生成模块用于生成初始仿真测试电路，初始仿真测试电路包括至少一个初始曲线信息以及功率器件模型；
[0147]
损耗测试模块用于根据初始仿真测试电路进行时域仿真，获取功率器件模型的总
损耗、开关损耗及导通损耗；
[0148]
灵敏度测试模块用于以每次采用一个新的曲线信息替换一个初始曲线信息的方式，对初始仿真测试电路进行变换，从而获取替换仿真测试电路，并根据功率器件模型的总损耗、开关损耗及导通损耗对获取的替换仿真测试电路进行被替换的初始曲线信息的灵敏度测试，从而获取每个初始曲线信息的灵敏度；其中，替换仿真测试电路的数量与初始曲线信息的数量相同；
[0149]
功率器件再设计模块用于根据获取的功率器件模型的总损耗、开关损耗、导通损耗以及各个原始曲线信息的灵敏度对功率器件进行设计调整。
[0150]
在一实施例中，基于saber的逆变器仿真装置还包括：其他参数扫描模块和其他参数再设计模块；
[0151]
其他参数扫描模块用于以每次扫描一个其他参数的方式获取该次扫描的其他参数的总损耗、开关损耗、导通损耗以及灵敏度；
[0152]
其他参数再设计模块用于根据获取的其他参数的总损耗、开关损耗、导通损耗以及灵敏度对其他参数进行设计调整。
[0153]
在一实施例中，初始仿真测试电路生成模块包括：功率器件模型生成模块、仿真测试电路生成模块和功率器件模型嵌入模块；
[0154]
功率器件模型生成模块用于基于数据手册搭建功率器件模型，功率器件模型包括至少一个初始曲线信息；
[0155]
仿真测试电路生成模块用于基于saber搭建不含有功率器件的仿真测试电路；
[0156]
功率器件模型嵌入模块用于将功率器件模型嵌入不含有功率器件的仿真测试电路，得到初始仿真测试电路。
[0157]
为了描述的方便，描述以上装置时以功能分为各种模块分别描述。当然，在实施本说明书一个或多个实施例时可以把各模块的功能在同一个或多个软件和/或硬件中实现。
[0158]
上述实施例的装置用于实现前述实施例中相应的方法，并且具有相应的方法实施例的有益效果，在此不再赘述。
[0159]
本技术的一个或多个实施例提供了一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时能够实现如上述的基于saber的逆变器仿真方法。
[0160]
图9示出了本实施例所提供的一种更为具体的电子设备硬件结构示意图，该设备可以包括：处理器1010、存储器1020、输入/输出接口1030、通信接口1040和总线1050。其中处理器1010、存储器1020、输入/输出接口1030和通信接口1040通过总线1050实现彼此之间在设备内部的通信连接。
[0161]
处理器1010可以采用通用的cpu(central processing unit，中央处理器)、微处理器、应用专用集成电路(application specific integrated circuit，asic)、或者一个或多个集成电路等方式实现，用于执行相关程序，以实现本说明书实施例所提供的基于saber的逆变器仿真方法的技术方案。
[0162]
存储器1020可以采用rom(read only memory，只读存储器)、ram(random access memory，随机存取存储器)、静态存储设备，动态存储设备等形式实现。存储器1020可以存储操作系统和其他应用程序，在通过软件或者固件来实现本说明书实施例所提供的技术方案
时，相关的程序代码保存在存储器1020中，并由处理器1010来调用执行。
[0163]
输入/输出接口1030用于连接输入/输出模块，以实现信息输入及输出。输入输出/模块可以作为组件配置在设备中(图中未示出)，也可以外接于设备以提供相应功能。其中输入设备可以包括键盘、鼠标、触摸屏、麦克风、各类传感器等，输出设备可以包括显示器、扬声器、振动器、指示灯等。
[0164]
通信接口1040用于连接通信模块(图中未示出)，以实现本设备与其他设备的通信交互。其中通信模块可以通过有线方式(例如usb、网线等)实现通信，也可以通过无线方式(例如移动网络、wifi、蓝牙等)实现通信。
[0165]
总线1050包括一通路，在设备的各个组件(例如处理器1010、存储器1020、输入/输出接口1030和通信接口1040)之间传输信息。
[0166]
需要说明的是，尽管上述设备仅示出了处理器1010、存储器1020、输入/输出接口1030、通信接口1040以及总线1050，但是在具体实施过程中，该设备还可以包括实现正常运行所必需的其他组件。此外，本领域的技术人员可以理解的是，上述设备中也可以仅包含实现本说明书实施例方案所必需的组件，而不必包含图中所示的全部组件。
[0167]
本技术的一个实施例提供了一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时能够实现如上的基于saber的逆变器仿真方法。
[0168]
本实施例的计算机可读介质包括永久性和非永久性、可移动和非可移动媒体可以由任何方法或技术来实现信息存储。信息可以是计算机可读指令、数据结构、程序的模块或其他数据。计算机的存储介质的例子包括，但不限于相变内存(pram)、静态随机存取存储器(sram)、动态随机存取存储器(dram)、其他类型的随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)、快闪记忆体或其他内存技术、只读光盘只读存储器(cd-rom)、数字多功能光盘(dvd)或其他光学存储、磁盒式磁带，磁带磁磁盘存储或其他磁性存储设备或任何其他非传输介质，可用于存储可以被计算设备访问的信息。
[0169]
所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本公开的范围(包括权利要求)被限于这些例子；在本公开的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本说明书一个或多个实施例的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。
[0170]
另外，为简化说明和讨论，并且为了不会使本说明书一个或多个实施例难以理解，在所提供的附图中可以示出或可以不示出与集成电路(ic)芯片和其它部件的公知的电源/接地连接。此外，可以以框图的形式示出装置，以便避免使本说明书一个或多个实施例难以理解，并且这也考虑了以下事实，即关于这些框图装置的实施方式的细节是高度取决于将要实施本说明书一个或多个实施例的平台的(即，这些细节应当完全处于本领域技术人员的理解范围内)。在阐述了具体细节(例如，电路)以描述本公开的示例性实施例的情况下，对本领域技术人员来说显而易见的是，可以在没有这些具体细节的情况下或者这些具体细节有变化的情况下实施本说明书一个或多个实施例。因此，这些描述应被认为是说明性的而不是限制性的。
[0171]
尽管已经结合了本公开的具体实施例对本公开进行了描述，但是根据前面的描述，这些实施例的很多替换、修改和变型对本领域普通技术人员来说将是显而易见的。例
如，其它存储器架构(例如，动态ram(dram))可以使用所讨论的实施例。
[0172]
本说明书一个或多个实施例旨在涵盖落入所附权利要求的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此，凡在本说明书一个或多个实施例的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。