1.一种半导体版图的设计方法，其特征在于，所述半导体版图被划分为中心区域和边缘区域，所述半导体版图包括掩膜层和衬底层，所述掩膜层包括多个单元曝光图案，所述衬底层包括隔离区和多个有源区，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜层呈网格状，所述单元曝光图案包括曝光区和保留区，且所述保留区呈环状围绕所述曝光区；对所述掩膜层的单元曝光图案的面积进行调整，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对位于所述边缘区域的所述曝光区和所述保留区的面积进行调整，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，将所述曝光区的面积从初始曝光面积增大至目标曝光面积；以及将所述保留区的面积从初始掩膜面积减小至目标掩膜面积，包括：
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对位于所述边缘区域的所述曝光区和所述保留区的面积进行调整，包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述衬底层的有源区的面积和隔离区的面积进行调整，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述衬底层的边缘区域，所述衬底层只包括隔离区。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述隔离区将所述衬底层划分为所述多个有源区；将所述隔离区的面积从初始隔离面积增大至目标隔离面积；以及将所述多个有源区的面积从初始有源面积减小至目标有源面积，包括：
9.一种半导体版图，其特征在于，所述半导体版图被划分为中心区域和边缘区域，所述半导体版图包括掩膜层和衬底层，所述掩膜层包括多个单元曝光图案，所述掩膜层呈网格状，所述单元曝光图案包括曝光区和保留区，且所述保留区呈环状围绕所述曝光区，所述衬底层包括隔离区和多个有源区，其中：
10.根据权利要求9所述的半导体版图，其特征在于，位于所述边缘区域的所述曝光区的面积为目标曝光面积，位于所述中心区域的所述曝光区的面积为初始曝光面积，位于所述边缘区域的所述保留区的面积为目标掩膜面积，位于所述中心区域的所述保留区的面积为初始掩膜面积；其中：
11.根据权利要求10所述的半导体版图，其特征在于，位于所述边缘区域的所述保留区的宽度为第一掩膜宽度，位于所述中心区域的所述保留区的宽度为初始掩膜宽度，位于所述边缘区域的所述曝光区的宽度为第一曝光区域宽度，位于所述中心区域的所述曝光区的宽度为初始曝光区域宽度；其中：
12.根据权利要求9所述的半导体版图，其特征在于，位于所述边缘区域的所述保留区的宽度为目标掩膜宽度，位于所述中心区域的所述保留区的宽度为初始掩膜宽度，位于所述边缘区域的所述曝光区的宽度为目标曝光区域宽度，位于所述中心区域的所述曝光区的宽度为初始曝光区域宽度；其中：
13.根据权利要求9所述的半导体版图，其特征在于，在所述衬底层的边缘区域，所述衬底层只包括隔离区。
14.根据权利要求9所述的半导体版图，其特征在于，位于所述衬底层的中心区域和边缘区域的所述有源区的宽度均为目标有源宽度，位于所述衬底层的中心区域和边缘区域的所述隔离区的宽度均为目标隔离宽度；其中：