用于任务处理的方法、设备、装置和存储介质与流程

文档序号:37457915发布日期:2024-03-28 18:41阅读:10来源:国知局
用于任务处理的方法、设备、装置和存储介质与流程

本公开的实施例涉及数据处理,更具体地,涉及一种用于任务处理的方法、设备、装置和存储介质。


背景技术:

1、一个典型的芯片供电场景如图1所示,电源102输出的供电经电路板101内部走线ab进入到芯片的基底103,再经过基底和芯片管脚(pin)间的电源连线bc进到芯片104内部,在芯片内部通过电源走线cd连接到电源网络105,芯片内部器件106经由器件的电源管脚通过连线e与电源网络105相连接从而获取供电。当芯片负载小或者无负载时的时候,电源能够提供稳定的电压输出并全部作用于芯片内部器件上。但当芯片负载突然加大时,由于以下两点可能会使芯片内部器件上的电压急剧下降:

2、1)芯片负载突然加大可能会引起芯片上电流随时间的变化率(didt)变大,芯片需要的能量变大,而电源需要一定的响应时间才能响应能量突然变大的请求,由于didt太大(即,电流变化太快),可能导致电源来不及在短时间内提供足够的能量以满足芯片的需求;

3、2)芯片负载变大,电流急剧增加,芯片内部电阻变小,内部器件分到的电压将减小。

4、上述两点通常同时发生,从而导致芯片内部器件的供电电压降低,器件延时增加,导致关键路径上的寄存器的建立时间不满足,从而可能引起整个芯片功能失效。进一步分析didt过大的原因,主要是由于多核计算的时候多核同步开启,从而导致电流在短时间内急剧上升。

5、因此,需要一种有效解决处理任务时芯片电流随时间的变化率(didt)过大的方法。


技术实现思路

1、提供该
技术实现要素:
部分以便以简要的形式介绍构思,这些构思将在后面的具体实施方式部分被详细描述。该发明内容部分并不旨在标识要求保护的技术方案的关键特征或必要特征,也不旨在用于限制所要求的保护的技术方案的范围。

2、本公开的实施例提供了一种用于任务处理的方法,包括:确定用于处理一个或多个任务的第一计算密度水平;在对所述一个或多个任务进行处理之前的第一时间段内,将用于处理所述一个或多个任务的计算单元的计算密度逐步提升至所述第一计算密度水平;通过所述计算单元对所述一个或多个任务进行处理;以及在对所述一个或多个任务的处理完成之后的第二时间段内,将所述计算单元的计算密度逐步降低至第二计算密度水平。

3、根据本公开的实施例,所述确定用于处理一个或多个任务的第一计算密度水平包括:确定所述一个或多个任务所包括的待处理的指令按照预定类别的分类统计数量;以及基于所述分类统计数量确定用于处理所述一个或多个任务的第一计算密度水平。

4、根据本公开的实施例,所述预定类别包括以下中的一个或多个:低密度运算指令、中低密度运算指令、中密度运算指令、中高密度运算指令、高密度运算指令。

5、根据本公开的实施例,所述方法还包括:在所述第一时间段之前的第三时间段内,将所述计算单元的计算密度逐步提升至预先设置的第三计算密度水平。

6、根据本公开的实施例,所述第一时间段为获取所述一个或多个任务所包括的待处理的指令的时间段。

7、根据本公开的实施例,在对所述一个或多个任务进行处理之前的第一时间段内,将用于处理所述一个或多个任务的计算单元的计算密度逐步提升至所述第一计算密度水平包括:在所述第一时间段内,依次向所述计算单元提供计算密度逐步递增的一个或多个第一预设数据以由所述计算单元进行处理,其中,所述一个或多个第一预设数据中的第一个第一预设数据与所述计算单元的当前计算密度水平相对应,并且所述一个或多个第一预设数据中的最后一个第一预设数据与所述第一计算密度水平相对应。

8、根据本公开的实施例,所述一个或多个第一预设数据预先存储在数据库中。

9、根据本公开的实施例,在对所述一个或多个任务的处理完成之后的第二时间段内,将所述计算单元的计算密度逐步降低至第二计算密度水平包括:在所述第二时间段内,依次向所述计算单元提供计算密度逐步递减的一个或多个第二预设数据以由所述计算单元进行处理,其中,所述一个或多个第二预设数据中的第一个第二预设数据与所述计算单元的当前计算密度水平相对应,并且所述一个或多个第二预设数据中的最后一个第二预设数据与所述第二计算密度水平相对应。

10、根据本公开的实施例,所述一个或多个第二预设数据预先存储在数据库中。

11、根据本公开的实施例,所述方法还包括:在所述第二时间段内有新的一个或多个任务到来的情况下,停止所述计算密度的逐步降低;以及在从停止所述计算密度的逐步降低的时间起的第四时间段内,将所述计算单元的计算密度逐步提升至第四计算密度水平,其中,所述第四计算密度水平为用于处理所述新的一个或多个任务的计算密度水平。

12、本公开的实施例提供了一种用于任务处理的装置,包括:确定单元,被配置为确定用于处理一个或多个任务的第一计算密度水平;第一预热单元,被配置为在对所述一个或多个任务进行处理之前的第一时间段内,将用于处理所述一个或多个任务的计算单元的计算密度逐步提升至所述第一计算密度水平;计算单元,被配置为通过所述计算单元对所述一个或多个任务进行处理;以及拉伸单元,被配置为在对所述一个或多个任务的处理完成之后的第二时间段内,将所述计算单元的计算密度逐步降低至第二计算密度水平。

13、根据本公开的实施例,所述确定单元,被配置为确定用于处理一个或多个任务的第一计算密度水平,包括:确定所述一个或多个任务所包括的待处理的指令按照预定类别的分类统计数量;以及基于所述分类统计数量确定用于处理所述一个或多个任务的第一计算密度水平。

14、根据本公开的实施例,所述预定类别包括以下中的一个或多个:低密度运算指令、中低密度运算指令、中密度运算指令、中高密度运算指令、高密度运算指令。

15、根据本公开的实施例,所述装置还包括:第二预热单元,被配置为在所述第一时间段之前的第三时间段内,将所述计算单元的计算密度逐步提升至预先设置的第三计算密度水平。

16、根据本公开的实施例,所述第一时间段为获取所述一个或多个任务所包括的待处理的指令的时间段。

17、根据本公开的实施例,所述第一预热单元,被配置为在对所述一个或多个任务进行处理之前的第一时间段内,将用于处理所述一个或多个任务的计算单元的计算密度逐步提升至所述第一计算密度水平,包括:在所述第一时间段内,依次向所述计算单元提供计算密度逐步递增的一个或多个第一预设数据以由所述计算单元进行处理,其中,所述一个或多个第一预设数据中的第一个第一预设数据与所述计算单元的当前计算密度水平相对应,并且所述一个或多个第一预设数据中的最后一个第一预设数据与所述第一计算密度水平相对应。

18、根据本公开的实施例,所述一个或多个第一预设数据预先存储在数据库中。

19、根据本公开的实施例,所述拉伸单元,被配置为在对所述一个或多个任务的处理完成之后的第二时间段内,将所述计算单元的计算密度逐步降低至第二计算密度水平,包括:在所述第二时间段内,依次向所述计算单元提供计算密度逐步递减的一个或多个第二预设数据以由所述计算单元进行处理,其中,所述一个或多个第二预设数据中的第一个第二预设数据与所述计算单元的当前计算密度水平相对应,并且所述一个或多个第二预设数据中的最后一个第二预设数据与所述第二计算密度水平相对应。

20、根据本公开的实施例,所述一个或多个第二预设数据预先存储在数据库中。

21、根据本公开的实施例,所述拉伸单元还被配置为:在所述第二时间段内有新的一个或多个任务到来的情况下,停止所述计算密度的逐步降低;并且所述第一预热单元还被配置为:在从停止所述计算密度的逐步降低的时间起的第四时间段内,将所述计算单元的计算密度逐步提升至第四计算密度水平,其中,所述第四计算密度水平为用于处理所述新的一个或多个任务的计算密度水平。

22、本公开的实施例提供了一种用于任务处理的装置,包括:至少一个处理器;和存储装置,其上存储有至少一个程序,当所述至少一个程序被所述至少一个处理器执行时,使得所述至少一个处理器实现根据本公开实施例的任何方法。

23、本公开的实施例提供了一种电子设备,包括根据本公开实施例的任何用于任务处理的装置。

24、本公开的实施例提供了一种包含计算机可执行指令的非瞬时存储介质,其中,所述计算机可执行指令在由计算机处理器执行时用于执行根据本公开实施例的任何方法。

25、本公开提供的方法、设备和装置能够有效解决处理任务时芯片电流随时间的变化率(didt)过大从而影响系统性能的问题。

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