一种内存性能测试方法、装置、设备及存储介质与流程

文档序号:37544251发布日期:2024-04-08 13:46阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种内存性能测试方法,其特征在于,应用于内部集成有现场可编程逻辑门阵列和系统级芯片的智能网卡,所述现场可编程逻辑门阵列预先挂载多路双倍速率同步动态随机存储器,并在内部预先集成双倍速率同步动态随机存储器的控制器,并且通过pcie总线与所述系统级芯片连接;其中,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的内存性能测试方法,其特征在于,所述从预先在所述系统级芯片下编写的多种内存性能测试脚本中确定出目标性能测试脚本之前,还包括:

3.根据权利要求2所述的内存性能测试方法,其特征在于,还包括:

4.根据权利要求1所述的内存性能测试方法,其特征在于,所述在所述系统级芯片下通过所述pcie读写工具对所述现场可编程逻辑门阵列内部的所述控制器进行操作,以对所述双倍速率同步动态随机存储器进行性能测试,得到性能测试结果,包括:

5.根据权利要求1所述的内存性能测试方法,其特征在于,所述在所述系统级芯片下通过所述pcie读写工具对所述现场可编程逻辑门阵列内部的所述控制器进行操作,以对所述双倍速率同步动态随机存储器进行性能测试,得到性能测试结果,包括:

6.根据权利要求1所述的内存性能测试方法,其特征在于,所述在所述系统级芯片下通过所述pcie读写工具对所述现场可编程逻辑门阵列内部的所述控制器进行操作,以对所述双倍速率同步动态随机存储器进行性能测试,得到性能测试结果,包括:

7.根据权利要求1至6任一项所述的内存性能测试方法,其特征在于,还包括:

8.一种内存性能测试装置,其特征在于,应用于内部集成有现场可编程逻辑门阵列和系统级芯片的智能网卡,所述现场可编程逻辑门阵列预先挂载多路双倍速率同步动态随机存储器,并在内部预先集成双倍速率同步动态随机存储器的控制器,并且通过pcie总线与所述系统级芯片连接,包括:

9.一种电子设备,其特征在于,包括处理器和存储器;其中,所述处理器执行所述存储器中保存的计算机程序时实现如权利要求1至7任一项所述的内存性能测试方法。

10.一种计算机可读存储介质,其特征在于,用于存储计算机程序;其中,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7任一项所述的内存性能测试方法。


技术总结
本申请公开了一种内存性能测试方法、装置、设备及存储介质,涉及计算机技术领域,应用于集成有现场可编程逻辑门阵列和系统级芯片的智能网卡,其中,现场可编程逻辑门阵列预先挂载多路双倍速率同步动态随机存储器,并在内部集成双倍速率同步动态随机存储器的控制器,包括:当监测到需要进行性能测试时,从系统级芯片中编写的多种内存性能测试脚本中确定出目标性能测试脚本,并在系统级芯片上运行目标性能测试脚本;通过目标性能测试脚本调用PCIe读写工具,并在系统级芯片下通过PCIe读写工具对控制器进行操作,以对双倍速率同步动态随机存储器进行性能测试。本申请能够简化内存性能测试流程,提高内存性能测试效率,进而提升问题定位效率。

技术研发人员:孙崇雨,高磊,陈翔
受保护的技术使用者:苏州元脑智能科技有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/4/7
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