一种基于svid的内存电压拉偏测试方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及服务器系统内存选型及兼容性测试领域，具体涉及一种基于SVID的内存电压拉偏测试方法。
【背景技术】
[0002]随着云计算和大数据等新兴产业的兴起，互联网企业迅速成长和发展，相应的互联网企业的核心业务也在不断的扩大规模，其对服务器系统运行的稳定性提出了相当严格的要求。另外，在一些金融、电信、能源等关键领域，对服务器系统的稳定性要求更加苛刻。影响系统稳定性的比较关键的部件之一:内存，因内存的供电稳定性不够会导致系统出现死机、自动重启等许多问题。因此，在服务器系统研发过程中，内存兼容性测试至关重要。其中，在内存选型及兼容性测试中，很重要一项就是内存电压拉偏测试。其目的在于:把内存电压调整至内存可以运行的最恶劣条件，通过分析内存在这种恶劣条件下，系统运行情况，来判断被测内存是否兼容该服务器系统。包括百度、阿里、腾讯在内的国内比较大的互联网企业对其ODM或OEM厂商都提出了该项测试需求，也是内存厂商普遍认可的一项测试需求。因此，如何有效实现内存电压满足上下拉偏的测试条件至关重要。
[0003]服务器厂商在做内存选型及内存兼容性测试时，需要把内存电压拉偏测试±5%进行系统下运行测试。传统的模拟环路的VR需要重新计算、调整VR芯片外围的Feedback电阻实现，非常麻烦，且需要对主板做重工；当前主流的数字环路VR可以调节VR芯片内部offset寄存器，但是调节范围有限，无法将输出电压上下限调整到标称电压的1.05倍和
0.95倍，只能在标称电压基础上增加或者减少约40mv。比如:内存电压典型值是1.35V，其±5%的上下限分别是1.4175V和1.2825V，但调节寄存器只能调整到1.39V和1.31V，无法实现测试需求。并且，上述两种方法都是把输出电压固定为某特定值，比如:电压上偏固定为1.4175V，这样这块主板只能测试1.35V内存条的拉偏测试，无法实现1.5V内存条的拉偏测试，由于1.5V上拉偏5%是1.575V，因此，当针对1.5V的内存做电压拉偏测试测试时，必须再次重工。
【发明内容】
[0004]本发明要解决的技术问题是:在既不调整主板硬件及内存VR相关设计的情况下，通过A #两个版本B1S Code来实现主板内存电压的自动拉偏。并且实现1.35V内存和
1.5V内存的自适应识别及电压拉偏测试调节。
[0005]本发明所采用的技术方案为:
一种基于SVID的内存电压拉偏测试方法，在内存初始化阶段，在运行MRC时，系统读取内存信息的内存电压值后，通过CPU内部的P⑶单元，经过SVID总线向相应的VR地址，发送SVID命令“ SetVID Fast XX”，实现对应VR的输出电压调整，XX代表内存VR的输出电压。
[0006]在内存初始化阶段，对应的B1S代码称为MRC (Memory Reference Code),在运行MRC时，系统首先读取内存信息，内存信息包括内存电压值，CPU在获得内存电压后把对应的电压值通过PCU发送给内存VR芯片，正常情况默认如下:内存初始电压为1.5V，如果插入DIMM的是1.35V内存，P⑶将输出电压调整为1.35V，如果插入的是1.5V内存，P⑶会再发送一次“SetVID_ Fast XX”命令，将输出电压调整为1.5V。
[0007]当B1S代码中对应的默认值为1.35V，PCU单元发送SVID命令“SetVID Fast1.4175”，将其改为上偏值1.4175V;当默认值1.5V时，PCU单元发送SVID命令“SetVIDFast 1.575”，改为上偏值1.575V，对应B1S代码定义为A版本。实现电压上拉偏+5%。
[0008]当B1S代码中对应的默认值1.35V时，PCU单元发送SVID命令“SetVID Fast
1.2825”，将其改为下偏值1.2825V ;当默认值为1.5V时，PCU单元发送SVID命令“SetVIDFast 1.425”，改为下偏值1.425V，对应B1S代码定义为B版本。实现电压下拉偏_5%。
[0009]本发明有益效果:本发明方法在不改变主板硬件和VR设计的情况下，通过SVIDCommand实现对内存VR的拉偏电压调节，同一个系统可以对插入DI丽槽的内存电压类型(1.5V内存或1.35V内存)做自适应电压调整，调整至用户希望的电压拉偏测试值，用户可根据实际的电压拉偏测试的测试条件来更新B1S版本即可。该方法简单、有效的解决了服务器厂商在内存选型及兼容性测试用例中，内存电压拉偏测试需求。
【附图说明】
[0010]图1为正常MRC内存初始化示意图；
图2为内存拉偏+5%电压值的MRC内存初始化示意图；
图3为内存拉偏-5%电压值的MRC内存初始化示意图。
【具体实施方式】
[0011]下面根据说明书附图，结合具体实施例，对本发明进一步说明:
一种基于SVID的内存电压拉偏测试方法，在内存初始化阶段，在运行MRC时，系统读取内存信息的内存电压值后，通过CPU内部的P⑶单元，经过SVID总线向相应的VR地址，发送SVID命令“SetVID Fast XX”，实现对应VR的输出电压调整，XX代表内存VR的输出电压。
[0012]在内存初始化阶段，对应的B1S代码称为MRC (Memory Reference Code),在运行MRC时，系统首先读取内存信息，内存信息包括内存电压值，CPU在获得内存电压后把对应的电压值通过PCU发送给内存VR芯片，正常情况默认如下:内存初始电压为1.5V，如果插入DIMM的是1.35V内存，P⑶将输出电压调整为1.35V，如果插入的是1.5V内存，P⑶会再发送一次“SetVID_ Fast XX”命令，将输出电压调整为1.5V。如图1所示，为系统正常Boot过程中的内存初始化流程，系统内存初始电压为1.5V，内存初始化过程中当PCU获取到内存型号是1.5V时，P⑶执行的B1S Code会把内存VR的输出电压调整为1.5V，当POT获取到内存型号是1.35V时，P⑶执行的B1S Code会把内存VR的输出电压调整为1.35V。
[0013]如图2所示，当B1S代码中对应的默认值为1.35V，P⑶单元发送SVID命令“SetVID Fast 1.4175”，将其改为上偏值1.4175V ;当默认值1.5V时，PCU单元发送SVID命令“SetVID Fast 1.575”，改为上偏值1.575V，对应B1S代码定义为A版本。实现电压上拉偏+5%。
[0014]如图3所示，当B1S代码中对应的默认值1.35V时，P⑶单元发送SVID命令“SetVID Fast 1.2825”，将其改为下偏值1.2825V ;当默认值为1.5V时，PCU单元发送SVID命令“SetVID Fast 1.425”，改为下偏值1.425V，对应B1S代码定义为B版本。实现电压下拉偏-5%。
[0015]以上实施方式仅用于说明本发明，而并非对本发明的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应由权利要求限定。
【主权项】
1.一种基于SVID的内存电压拉偏测试方法，其特征在于:在内存初始化阶段，在运行MRC时，系统读取内存信息的内存电压值后，通过CPU内部的P⑶单元，经过SVID总线向相应的VR地址，发送SVID命令“SetVID Fast XX”，实现对应VR的输出电压调整。
2.根据权利要求1所述的一种基于SVID的内存电压拉偏测试方法，其特征在于:当B1S代码中对应的默认值为1.35V，PCU单元发送SVID命令“SetVID Fast 1.4175”，将其改为上偏值1.4175V ;当默认值1.5V时，PCU单元发送SVID命令“SetVID Fast 1.575”，改为上偏值1.575V，对应B1S代码定义为A版本。
3.根据权利要求1所述的一种基于SVID的内存电压拉偏测试方法，其特征在于:当B1S代码中对应的默认值1.35V时，PCU单元发送SVID命令“SetVID Fast 1.2825”，将其改为下偏值1.2825V ;当默认值为1.5V时，PCU单元发送SVID命令“SetVID Fast 1.425”，改为下偏值1.425V，对应B1S代码定义为B版本。
【专利摘要】本发明公开了一种基于SVID的内存电压拉偏测试方法，在内存初始化阶段，在运行MRC时，系统读取内存信息的内存电压值后，通过CPU内部的PCU单元，经过SVID总线向相应的VR地址，发送SVID命令“SetVID？Fast？XX”，实现对应VR的输出电压调整。本发明方法在不改变主板硬件和VR设计的情况下，通过SVID？Command实现对内存VR的拉偏电压调节，同一个系统可以对插入DIMM槽的内存电压类型（1.5V内存或1.35V内存）做自适应电压调整，调整至用户希望的电压拉偏测试值，用户可根据实际的电压拉偏测试的测试条件来更新BIOS版本即可。该方法简单、有效的解决了服务器厂商在内存选型及兼容性测试用例中，内存电压拉偏测试需求。
【IPC分类】G06F11-22
【公开号】CN104572373
【申请号】CN201510002552
【发明人】孔财, 罗嗣恒
【申请人】浪潮电子信息产业股份有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2015年1月5日