23]图3为本发明一实施例中只有一个缓存存储介质的信息处理的示意图；
[0024]图4为本发明一实施例中有两个缓存存储介质的信息处理方法的流程图；
[0025]图5为本发明一实施例中有两个缓存存储介质的信息处理的示意图；
[0026]图6为本发明一种电子设备实施例的功能框图。
【具体实施方式】
[0027]本申请实施例通过提供一种信息处理的方法及电子设备，解决了现有技术中由于存储介质之间数据的搬移需要通过外部设备的操作，并且复制的内容需要先缓存在不是同一个存储控制器控制的存储介质中，导致存储介质之间数据的搬移操作效率低下的技术问题，实现了提高存储介质之间数据的搬移操作效率的技术效果。
[0028]本申请实施例中的技术方案为解决上述的技术问题，总体思路如下:
[0029]本发明一实施例中提供一种信息处理的方法，应用于一电子设备中，所述电子设备包括一存储控制器、以及受所述存储控制器控制的第一存储介质和第二存储介质，在将所述第一存储介质的数据搬移到所述第二存储介质的过程中，所述方法包括:所述存储控制器将需要搬移的数据从所述第一存储介质中读出并缓存在受所述存储控制器控制的缓存存储介质中；所述存储控制器将所述数据从所述缓存存储介质中读出并写入所述第二存储介质中。因此通过本实施例中的方法，储控制器执行受该存储控制器控制的存储介质之间数据搬移的操作，并且在数据搬移操作过程中，数据会缓存在同一存储控制器控制的缓存存储介质中，解决了现有技术中由于存储介质之间数据的搬移需要通过外部设备的操作，并且复制的内容需要先缓存在不是同一个存储控制器控制的存储介质中，导致存储介质之间数据的搬移操作效率低下的技术问题，实现了提高存储介质之间数据的搬移操作效率的技术效果。
[0030]为了更好的理解上述技术方案，下面结合附图对本申请实施例技术方案的主要实现原理、【具体实施方式】及其对应能够达到的有益效果进行详细的阐述。
[0031]实施例一
[0032]请参考图1，本发明一实施例提供一种信息处理的方法，应用于一电子设备中，该电子设备可以是笔记本电脑，平板电脑，手机等等。该电子设备包括一存储控制器、以及受存储控制器控制的第一存储介质和第二存储介质，在将第一存储介质的数据搬移到第二存储介质的过程中，方法包括:
[0033]步骤101:存储控制器将需要搬移的数据从第一存储介质中读出并缓存在受存储控制器控制的缓存存储介质中；
[0034]步骤102:存储控制器将数据从缓存存储介质中读出并写入第二存储介质中。
[0035]其中，第一存储介质与第二存储介质具体分别为:同一存储介质的两个不同区域；或相同类的两个存储介质；或不同类的两个存储介质。例如，对于一个同时支持DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器^PMRAKMagnetic Random AccessMemory,磁性随机存储器)两类存储介质的存储控制器，当电子设备需要将DRAM区域中的内容复制到MRAM中，则第一存储介质是DRAM，第二存储介质是MRAM。当然，第一存储介质与第二存储介质可以是一个DRAM中的两个不同存储区域，也可以是两个MRAM。
[0036]在具体实施过程中，假设在同时支持DRAM和MRAM两类存储介质的存储控制器中，第一存储介质是DRAM，第二存储介质是MRAM，该存储控制的一缓存存储介质为SRAM(Static Random Access Memory,静态随机存储器),则步骤101具体为:存储控制器将需要搬移的数据从DRAM中读出并缓存在受存储控制器控制的SRAM中。
[0037]步骤101之后执行步骤102:存储控制器将数据从SRAM中读出并写入MARM中。
[0038]在实际运用过程中，存储控制器包括一寄存器，寄存器中存有数据复制的源地址、目标地址、数据大小以及数据复制过程的状态。存储控制器根据寄存器中的内容来控制数据搬移过程。数据复制过程中，该存储控制器以外的设备不能通过存储控制器来访问DRAM或MRAM中的数据，但可以通过寄存器来查询数据复制过程的状态。存储控制器也可以通过中断来通知CPU复制过程是否完成或是否出错。
[0039]进一步，缓存存储介质具体为一个缓存存储介质时，在步骤102即存储控制器将数据从缓存存储介质中读出并写入第二存储介质中之前，方法还包括:
[0040]步骤103:确定缓存存储介质中的数据满足第一预设条件。
[0041]其中，步骤103具体包括:
[0042]确定缓存存储介质中的数据填充满缓存存储介质；或
[0043]确定缓存存储介质中的数据为需要搬移的全部数据；或
[0044]确定缓存存储介质中的数据在缓存存储介质中的储量满足一阈值，阈值小于缓存存储介质的空间。
[0045]下面通过一具体实施例描述本申请中缓存存储介质具体为一个缓存存储介质时的信息处理方法的完整步骤，请参考图2和图3，假设缓存存储介质为一 SRAM，第一存储介质是DRAM，第二存储介质是MRAM，存储控制器将DRAM的中数据搬移到MRAM的过程中，方法包括:
[0046]301:存储控制器将需要搬移的数据从DRAM中读出并缓存在受存储控制器控制的SRAM 中；
[0047]302:确定SRAM中的数据满足第一预设条件；
[0048]303:存储控制器将数据从SRAM中读出并写入MARM中。
[0049]其中，302中确定SRAM中的数据满足第一预设条件具体包括:确定需要搬移的目标数据填充满SRAM后，执行步骤303 ;或确定目标数据小于SRAM的存储空间后，执行步骤303 ;或确定数据在SRAM中的储量满足一阈值后，执行步骤303，阈值小于SRAM的存储空间，此方案可以实现将目标数据缓存写入缓存存储介质中的同时，将缓存存储介质中的数据读出并写入第二存储介质中。当目标数据比较大时，步骤301、302、303可能需要循环重复执行多次，直到目标数据完全存储到第二存储介质中。
[0050]较优的，为了进一步提高数据搬移操作的效率，请参考图4和图5，缓存存储介质可以包括第一缓存存储介质和第二缓存存储介质，例如使用两个SRAM作为缓存存储介质，则步骤101具体包括:
[0051]1011:存储控制器将需要搬移的数据从第一存储介质中读出并缓存在第一缓存存储介质中；
[0052]1012:检测第一缓存存储介质中填充的数据是否满足第二预设条件；
[0053]1013:当第一缓存存储介质中填充的数据满足第二预设条件时，存储控制器将需要搬移的数据从第一存储介质中读出并缓存在第二缓存存储介质中；
[0054]当第一缓存存储介质中填充的数据满足第二预设条件时，步骤102具体包括:
[0055]1021:存储控制器将数据从第一缓存存储介质中读出并写入第二存储介质中；
[0056]1022:检测第二缓存存储介质中填充的数据是否满足第三预设条件；
[0057]1023:当第二缓存存储介质中填充的数据满足第三预设条件时，存储控制器将数据从第二缓存存储介质中读出并写入第二存储介质中。
[0058]其中，第二预设条件包括:第一缓存存储介质中填充的数据填充满第一缓存存储介质；或第一缓存存储介质中填充的数据在第一缓存存储介质中的储量满足第一阈值，第一阈值小于第一缓存存储介质的空间。
[0059]第三预设条件包括:第二缓存存储介质中填充的数据填充满第二缓存存储介质；或第二缓存存储介质中填充的数据在第二缓存存储介质中的储量满足第二阈值，第二阈值小于第二缓存存储介质的空间。
[0060]进一步，步骤1012