所述连接线8通过过孔9与所述指纹识别电极4连接的步骤。
[0062]具体地，包括以下步骤:
[0063]S1:在衬底11上通过构图工艺形成挡光层12。
[0064]S2:在形成挡光层12的衬底11上通过构图工艺形成缓冲层(图4中未示出)，在缓冲层上形成第一过孔91的图形，所述第一过孔91用于将位于挡光层12的第一连接线81与指纹识别电极4连接。
[0065]S3:在形成缓冲层的衬底11上通过构图工艺形成有源层(图4中未示出)，具体工艺采用现有技术的低温多晶硅工艺，在此不再一一赘述。
[0066]S4:在形成有源层的衬底11上通过构图工艺形成栅极绝缘层15，在栅极绝缘层15上形成第一过孔91的图形。
[0067]S5:在形成栅极绝缘层15的衬底11上通过构图工艺形成栅极层16。
[0068]S6:在形成栅极层16的衬底11上通过构图工艺形成间绝缘层17，在间绝缘层17上形成第一过孔91的图形和第二过孔92的图形；所述的第二过孔92用于将位于栅极层16的第二连接线82与指纹识别电极4连接。
[0069]S7:在形成间绝缘层17的衬底11上通过构图工艺形成源漏极层18。
[0070]S8:在形成源漏极层18的衬底11上通过构图工艺形成平坦化层19，在平坦化层19上形成第一过孔91的图形、第二过孔92的图形和第三过孔93的图形；所述的第三过孔93用于将位于源漏极层18的第三连接线83与指纹识别电极4连接。其中，如图所示，所述在缓冲层上形成的第一过孔的图形、在栅极绝缘层上形成的第一过孔的图形、在间绝缘层上形成的第一过孔的图形以及在平坦化层上形成的第一过孔的图形是上下贯通的，在间绝缘层上形成的第二过孔的图形、在平坦化层上形成的第二过孔的图形也是上下贯通的，这样可以实现连接线和指纹识别电极的连接；
[0071]S9:在平坦化层19上通过构图工艺形成驱动电极5图形，并使形成驱动电极5的金属填充第一过孔91、第二过孔92、第三过孔93。应当理解的是，也可以只形成第一过孔91、第二过孔92、第三过孔93的图形，上述过孔采用后续的形成指纹识别电极层20的金属填充。
[0072]SlO:在形成平坦化层19的衬底11上，沉积指纹识别电极层20 (例如，氧化铟锡)，通过构图工艺形成指纹识别电极4和相互交叉设置网格线10，指纹识别电极4与第一过孔91、第二过孔92、第三过孔93与所述第一连接线81、第二连接线82、第三连接线83中的任一条连接。
[0073]可选的，在指纹识别电极层20上涂覆贴合胶21，并将覆盖盖板22形成触控基板，也可以继续制备其它必要的功能层。
[0074]应当理解的是，上述导电层和具有绝缘性质的功能层可以采用已知技术的材料和工艺进行制备，在此不再一一赘述。
[0075]上述的自电容式指纹识别触摸屏的制备方法，能在大面积的衬底11上制备指纹识别电极4，由于衬底11成本较低，能够大幅降低自电容式指纹识别触摸屏制作成本。
[0076]应当理解的是，上述的自电容式指纹识别触摸屏也可以采用硅基工艺进行制备，由于硅基工艺为纳米工艺，连接线较细，所需要的导电层会相对较少，更容易实现；但由于娃基工艺需要在娃片上制作、由于娃片成本较高、且不能大面积制作造成制作成本较大。
[0077]实施例2
[0078]如图5-6所示，本实施例提供一种显示装置，包括上述的自电容式指纹识别触摸屏。具体的，还包括显示面板23，所述的显示面板包括显示区域231和边框区域232，所述边框区域232形成有显示面板集成电路233，所述自电容式指纹识别触摸屏24的连接线引出后与显示面板集成电路233连接；或，所述显示面板的边框区域232还包括指纹识别触摸屏集成电路242，所述自电容式指纹识别触摸屏24的连接线引出后与所述指纹识别触摸屏集成电路242连接。
[0079]也就是说，可以采用自电容式指纹识别触摸屏24与显示面板23同时制作，也可以将自电容式指纹识别触摸屏24单独制作在指纹识别触摸屏衬底241上，然后贴覆在边框区域232的对应的位置。
[0080]若采用所述的自电容式指纹识别触摸屏24与所述显示面板23同步制作，则所述自电容式指纹识别触摸屏24的连接线引出后与显示面板集成电路233连接。
[0081]若采用单独制作自电容式指纹识别触摸屏24，则将制作完成的自电容式指纹识别触摸屏24贴覆在所述边框区域232，所述自电容式指纹识别触摸屏24形成有指纹识别触摸屏集成电路242，自电容式指纹识别触摸屏24的连接线引出后与所述指纹识别触摸屏集成电路242连接。
[0082]应当理解的是，形成5X5mm尺寸的触控区域(每个感测器件50X50um)共需要10000个感测器件，这样需要将这10000个感测器件的连接线全部分别引出，连接线可以分组设计接入多路复用器(多路复用器可以将感测器件分区域进行感测电流的信号收集)这样可以引出较少的连接线；
[0083]或者，连接线直接全部引出(如图6所示)，可以同时检测全部感测器件的感测电流。
[0084]可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种自电容式指纹识别触摸屏，包括:多个指纹识别电极，所述多个指纹识别电极被布置成单层；其特征在于， 还包括位于不同导电层的与所述指纹识别电极连接的连接线，所述连接线用于传递所述指纹识别电极的驱动信号和检测信号。
2.如权利要求1所述的自电容式指纹识别触摸屏，其特征在于，所述连接线包括位于第一导电层的第一连接线，所述第一连接线通过第一过孔与所述指纹识别电极连接； 位于第二导电层的第二连接线，所述第二连接线通过第二过孔与所述指纹识别电极连接; 位于第三导电层的第三连接线，所述第三连接线通过第三过孔与所述指纹识别电极连接。
3.如权利要求2所述的自电容式指纹识别触摸屏，其特征在于，所述第一导电层为挡光层，所述的挡光层设置于衬底和缓冲层之间，所述第一过孔贯穿所述缓冲层。
4.如权利要求2或3所述的自电容式指纹识别触摸屏，其特征在于，所述的第二导电层为栅极层，所述栅极层设置在栅极绝缘层和间绝缘层之间；所述第一过孔贯穿所述栅极绝缘层；且所述第一过孔和所述第二过孔均贯穿所述间绝缘层。
5.如权利要求4所述的自电容式指纹识别触摸屏，其特征在于，所述的第三导电层为源漏极层，所述的源漏极层设置在所述的间绝缘层与平坦化层之间；所述第一过孔、第二过孔、第三过孔均贯穿所述平坦化层。
6.如权利要求1所述的自电容式指纹识别触摸屏，其特征在于，所述指纹识别电极位于同层设置的多条纵向和横向交叉设置的网格线形成的网格中；所述的网格线接地。
7.如权利要求5所述的自电容式指纹识别触摸屏，其特征在于，所述指纹识别电极设置于所述平坦化层上。
8.一种自电容式指纹识别触摸屏的制备方法，其特征在于，包括: 在衬底上通过构图工艺先后形成至少2层相互绝缘设置的导电层、及指纹识别电极层； 其中，所述导电层上形成连接线的图形，所述指纹识别电极层形成指纹识别电极； 使所述连接线通过过孔与所述指纹识别电极连接的步骤。
9.如权利要求8所述的自电容式指纹识别触摸屏的制备方法，其特征在于， 具体包括: 在衬底上通过构图工艺形成挡光层； 在形成挡光层的衬底上通过构图工艺形成缓冲层，在缓冲层上形成第一过孔的图形，所述第一过孔用于将位于挡光层的第一连接线与指纹识别电极连接； 在形成缓冲层的衬底上通过构图工艺形成有源层； 在形成有源层的衬底上通过构图工艺形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层上形成第一过孔的图形； 在形成栅极绝缘层的衬底上通过构图工艺形成栅极层； 在形成栅极层的衬底上通过构图工艺形成间绝缘层，在间绝缘层上形成第一过孔的图形和第二过孔的图形；所述的第二过孔用于将位于栅极层的第二连接线与指纹识别电极连接； 在形成间绝缘层的衬底上通过构图工艺形成源漏极层； 在形成源漏极层的衬底上通过构图工艺形成平坦化层，在平坦化层上形成第一过孔的图形、第二过孔的图形和第三过孔的图形；所述的第三过孔用于将位于源漏极层的第三连接线与指纹识别电极连接； 其中，所述在缓冲层上形成的第一过孔的图形、在栅极绝缘层上形成的第一过孔的图形、在间绝缘层上形成的第一过孔的图形以及在平坦化层上形成的第一过孔的图形上下贯通，在间绝缘层上形成的第二过孔的图形、在平坦化层上形成的第二过孔的图形上下贯通； 在形成平坦化层的衬底上通过构图工艺形成指纹识别电极，所述指纹识别电极通过所述的第一过孔、第二过孔、第三过孔与所述第一连接线、第二连接线、第三连接线中的任一条连接。
10.一种显示装置，包括如权利要求1-7任一项所述的自电容式指纹识别触摸屏。
11.如权利要求10所述的显示装置，还包括显示面板，所述的显示面板包括显示区域和边框区域，所述边框区域形成有显示面板集成电路，所述自电容式指纹识别触摸屏的连接线引出后与显示面板集成电路连接；或，所述显示面板的边框区域还包括指纹识别触摸屏集成电路，所述自电容式指纹识别触摸屏的连接线引出后与所述指纹识别触摸屏集成电路连接。
【专利摘要】本发明提供一种自电容式指纹识别触摸屏及其制备方法、显示装置，用于解决现有技术的电容式指纹识别触摸屏指纹检测时间长的问题。本发明提供自电容式指纹识别触摸屏及其制备方法、显示装置由于与指纹识别电极连接的连接线能够用于传递所述指纹识别电极的驱动和检测信号，所以，各个指纹识别电极能够被独立控制，可以同时完成全部指纹识别电极的感测电流的数据采集，节省了指纹数据的采集时间。
【IPC分类】G06F3-044, G06K9-00
【公开号】CN104808886
【申请号】CN201510236390
【发明人】刘英明, 董学, 王海生, 丁小梁, 赵卫杰, 杨盛际, 刘红娟, 邓立广, 李昌峰, 刘伟
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方光电科技有限公司
【公开日】2015年7月29日
【申请日】2015年5月11日