透明导电膜与包含其的电容式触摸屏的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及触摸屏领域，具体而言，设及一种透明导电膜与包含其的电容式触摸 屏。
【背景技术】
[0002] 现有的电容式触摸屏用透明导电膜在蚀刻及热处理之后，会出现立体纹，无法满 足部分高端客户的需求。
[0003] 立体纹产生原因主要是因为：（l)ITO层（氧化铜锡层）的蚀刻部分与非蚀刻部分 产生了光学特性差别（包括可视光范围内的透过和反射特性，简称为色差），从而产生立体 纹路；（2)在后期的热处理工艺中，因各层的热收缩率的不同会出现涂层间应力不匹配现 象，该是因为ITO层和透明基材层及硬化层之间的组成差异比较大，相互之间存在的应力 较大，尤其是ITO层由加热前的非结晶态变为加热后的结晶态，会导致ITO层与透明基材层 及硬化层之间的应力增大，进而造成蚀刻部分和透明基材层及硬化层之间的应力与非蚀刻 部分与有机层之间的应力差别会进一步增大，从而导致立体纹的加重。
[0004] 现有专利及文献主要使用热收缩率较小的硬化层与透明基材层形成透明导电膜， 进一步作为电容式触摸屏的制作材料，但是，在ITO层蚀刻后，透明导电膜仍然会产生立体 纹，使得电容式触摸屏不足W满足客户的需求。
【发明内容】
[0005] 本发明的主要目的在于提供一种透明导电膜与包含其电容式触摸屏，W解决现有 技术中的透明导电膜与电容式触摸屏的立体纹明显的问题。
[0006] 为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种透明导电膜，该透明导电 膜包括：第一硬化层、透明基材层、第二硬化层与非结晶ITO层。其中，透明基材层设置于 第一硬化层的表面上；第二硬化层设置于透明基材层的远离第一硬化层的表面上；非结晶 ITO层设置于第二硬化层50的远离透明基材层30的表面上。
[0007] 进一步地，上述非结晶ITO层中Sn的重量含量为7%~30%，优选为8%~20%， 更优选为15%。
[0008] 进一步地，上述非结晶ITO层的厚度在10~100皿之间，优选在15~40皿之间。
[0009] 进一步地，上述第二硬化层的折射率在1. 59~1. 80之间。
[0010] 进一步地，上述第二硬化层的铅笔硬度在3B~4H之间，优选在B~3H之间。
[0011] 进一步地，上述第二硬化层的厚度在0. 3~10 ym之间，优选在0. 5~3. 0 ym之 间。
[0012] 进一步地，上述第一硬化层的厚度比上述第二硬化层的厚度大0. 1~0. 5 ym。
[0013] 进一步地，上述第一硬化层的铅笔硬度在3B~4H之间，优选在B~3H之间。
[0014] 进一步地，上述透明基材层的全光透过率大于85%，优选上述透明基材层的厚度 在10~500 y m之间，进一步优选上述透明基材层的厚度在20~200 ym之间。
[0015] 为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种电容式触摸屏，包含透明 导电膜，该透明导电膜为上述任一项的透明导电膜。
[0016] 应用本发明的技术方案，透明导电膜通过采用非结晶ITO层代替现有技术中的结 晶ITO层，非结晶ITO层在后期的热处理过程后，不会由非结晶态变为结晶态，而是保持非 结晶态，使得非结晶ITO层的收缩率保持不变，进而使得蚀刻及加热前后各层之间的应力 差异大大减小，缓解了透明导电薄膜的立体纹严重的问题，得到低立体纹的电容式触摸屏 用透明导电薄膜；并且，非结晶ITO层的阻抗较低，使其满足现有技术中触摸屏设备大型化 的需求，扩展了其在大型化触控产品市场中的应用；另外，该透明导电膜的制作工艺较简 单，降低了透明导电膜的生产成品。
【附图说明】
[0017] 构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示 意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
[0018] 图1示出了根据本发明的本申请一种典型实施方式提供的透明导电膜的剖面结 构不意图。
【具体实施方式】
[0019] 需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可W相 互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
[0020] 本申请的一种典型的实施方式提供了一种透明导电膜，如图1所示，该透明导电 膜包括：第一硬化层10、透明基材层30、第二硬化层50与非结晶ITO层70。其中，透明基 材层30设置于第一硬化层10的表面上；第二硬化层50设置于透明基材层30的远离第一 硬化层10的表面上；非结晶ITO层70设置于第二硬化层50的远离透明基材层30的表面 上。
[002U 结晶ITO是指在热处理过程中会由非结晶态变为结晶态的一种ITO ;本发明的非 结晶IT0是指在热处理过程后不会由非结晶态变为结晶态的一种口0。
[0022] 上述的透明导电膜通过采用非结晶IT0层70代替现有技术中的结晶IT0层，非结 晶IT0层70在后期的热处理过程后，不会由非结晶态变为结晶态，而是保持非结晶态，使得 非结晶IT0层70的收缩率保持不变，进而使得蚀刻及加热前后各层之间的应力差异大大减 小，缓解了透明导电薄膜的立体纹严重的问题，得到低立体纹的电容式触摸屏用的透明导 电薄膜；并且，非结晶IT0层70的阻抗较低，满足现有技术中触摸屏设备大型化的需求，扩 展了其在大型化触控产品市场中的应用；另外，该透明导电膜的制作工艺较简单，降低了透 明导电膜的生产成品。
[0023] 为了使透明导电膜具有更好的低立体纹，本申请优选上述非结晶IT0层70中Sn 的重量含量为7%~30%。当非结晶ITO层70中的Sn的重量含量大于7%时，能够进一 步保证IT0不会结晶，从而使透明导电膜达到很好的低立体纹效果；当非结晶IT0层70中 的Sn的重量含量低于30%时，非结晶IT0层70的阻抗较小，且其透光度较高，进一步提高 了透明导电膜的光学特性。为了进一步保证透明导电薄膜的低立体纹效果与光学特性，本 申请进一步优选非结晶IT0层70中Sn的重量含量为8%~20%，更优选非结晶IT0层70 中Sn的重量含量为15%。
[0024] 本申请的另一种优选的实施例中，上述非结晶ITO层70的厚度在10~100皿之 间，当非结晶ITO层70的厚度大于lOnm时，非结晶口0层70的阻抗较小，可W达到透明导 电膜对阻抗的要求；当非结晶IT0层70的厚度小于lOOnm时，同样会使透明导电膜的阻抗 较小，并且使得透明导电膜的外观较好。为了进一步获得阻抗较低且外观较好透明导电膜， 本申请进一步优选上述非结晶IT0层70的厚度在15~40皿。
[0025] 为了减小刻蚀后刻蚀部分与非刻蚀部分之间产生的光学特性差别（包括可视光 范围内的透过和反射特性），进一步改善透明导电膜的立体纹现象，得到更低立体纹的透明 导电膜，本申请优选上述第二硬化层50的折射率在1. 59~1. 80之间。第二硬化层50的 折射率在此范围内，能够更进一步地减少色差，并且折射率在此范围内的材料很容易获取， 进一步优选第二硬化层50的折射率在1. 59~1. 75之间。
[0026] 本申请的又一种优选的实施例中，上述第二硬化层50的铅笔硬度在3B~4H之 间，当第二硬化层50的硬度大于3B时，其硬度较高，能够起到更好的保护作用；当其硬度小 于4H时，其自身收卷较容易、制作成本较低。为了进一步保证第二硬化层50的保护性能与 维持较低的生产成本，进一步优选第二硬化层50的铅笔硬度在在B~3H之间。
[0027] 为了进一步保证第二硬化层50对透明导电膜的保护性能，同时考虑到生产成本， 优选第二硬化层50的厚度在0. 3~10 ym之间，当该层的厚度大于0. 3 ym时，其能够起到 较好的保护透明导电膜其它层的作用；而当其厚度小于10 ym时，进一步降低了其生产成 本。为了进一步保证第二硬化层50能起到良好的保护作用，同时，进一步保证其具有较低 的生产成本，本申请优选第二硬化层50的厚度在0. 5~3. 0 ym之间。
[002引本申请的又一种优选的实施例中，第一硬化层10的厚度比第二硬化层50的厚度 大0. 1~0. 5 ym，透明导电膜后续的加热工艺，会导致透明导电