参数优化方法及参数优化装置的制造方法
【专利说明】参数优化方法及参数优化装置 【技术领域】
[0001] 本发明设及数据存储技术，尤其设及参数优化方法及参数优化装置。 【【背景技术】】
[0002] 在一嵌入式系统的系统启动（system booting)阶段，在将指令和数据从一非易 失性存储器（例如，闪存）载入一动态随机存取存储器值ynamic Random Access Memcxry， DRAM)之前，需先初始化（initialize)该DRAM。通常，嵌入式系统从它们的非易失性存储 器中获取不同的接入参数W适用于不同的印刷电路板（Printed Circuit Boards, PCB)布 局。当前，由工程师W手写的方式生成一默认的参数序列并传送给客户端W便将该默认的 参数序列存入适用于特定PCB布局的非易失性存储器中。该种常用的技术，同时需要工程 师的人力资源和非易失性存储器的存储资源。因此，需要嵌入式系统在系统启动阶段提供 对DRAM的访问参数（例如默认写参数）进行自动校准的能力。 【
【发明内容】
】
[0003] 本发明提供参数优化方法及参数优化装置。
[0004] 本发明的提供的一种参数优化方法，包括：执行动态随机存取存储器写校准W获 得写参数；W及用所述获得的写参数替换存储在一非易失性存储器中的默认写参数，所述 默认写参数包含在一启动装载程序中。由此，本发明实施例可自动校准非易失性存储器中 的默认写参数，改善现有技术默认写参数由工程师手工书写带来的不便和不可更换性。
[0005] 本发明提供的另一种参数优化方法，包括：执行动态随机存取存储器写校准W获 得写参数；W及用所述获得的写参数替换存储在一非易失性存储器中的默认写参数，所述 默认写参数包含在一启动装载程序中。由此，本发明实施例可自动校准非易失性存储器中 的默认写参数和用于从DRAM中读取数据的读参数，改善现有技术由工程师手工书写带来 的不便和不可更换性，并提高DRAM数据读取的成功率。
[0006] 本发明提供的参数优化装置，包括：一非易失性存储器，用于存储一启动装载程 序；一微控制器，用于将所述启动装载程序的第一部分从所述非易失性存储器中复制到一 静态随机接入存储器中，从所述静态随机接入存储器中获取并执行所述启动装载程序的第 一部分的多个指令来实施一动态随机存取存储器写校准W获得写参数，并使用所述获得的 写参数替换存储在所述非易失性存储器中的所述启动装载程序中的第一部分的默认写参 数。本发明的参数优化装置实施本发明的参数优化方法W完成DRAM默认写参数的自动校 准。 【【附图说明】】
[0007] 本发明可通过阅读随后的细节描述和参考附图所举的实施例被更全面地理解，其 中：
[0008] 图1为本发明一实施例的参数优化装置的一硬件结构图。
[0009] 图2为本发明一实施例的启动过程的流程图。
[0010] 图3为DRAM读校准完成之后DQS信号和DQ信号的示意图。
[0011] 图4A-图4B为本发明一实施例的DRAM读校准的方法流程图。
[0012] 图5为本发明一实施例的在DQ线上检测数据窗口的左边界的示意图。
[0013] 图6为本发明一实施例的在DQ线上检测数据窗口的右边界的示意图。
[0014] 图7为本发明一实施例的DRAM写校准的方法流程示意图。
[0015] 图8为本发明一实施例的分散描述文件的一个示意图。 【【具体实施方式】】
[0016] 图1为本发明一实施例的参数优化装置10的一硬件结构图。所述装置10可应用 于一片上系统（System化A化ip，SOC)，所述装置10至少包括一个微控制器110, 一静态 随机接入存储器（Static Random Access Memoir, SRAM) 150,和一非易失性存储器170。一 DRAM130可置于所述S0C内部或外部。所述微控制器110通过一总线190与所述DRAM130， 所述SRAM150和所述非易失性存储器170禪接W接收指令和相关数据，并且，当执行所述指 令和相关数据时，所述微控制器110配置为执行整个系统启动过程中本文后续将描述到的 计算和控制任务。系统启动为一计算机系统在所述微控制器110的电源被开启或者所述装 置10被重置之后发生的初始化操作。该操作在所述装置10被打开或被重置后开始，并在 所述装置10已经准备好执行常规的操作时结束。所述非易失性存储器170 (例如，NOR闪 存，NAND闪存，EMMC闪存等），为一非易失性存储单元，其内存储的数据在电源关闭时不会 丢失。一启动装载程序化oot loader) 171和一系统软件（未图示）被存储在所述非易失 性存储器170中，所述启动装载程序171和所述系统软件均分别包括用于系统启动的指令 和相关数据。相对于DRAM130, SRAM150可提供一个相对较小的存储容量，例如，1服字节。 可理解的是，SRAM150没有足够的存储空间用于存储整个启动装载程序171。因此，该启动 装载程序171可被分割为两部分，其第一部分至少包括用于访问所述DRAM130的一默认写 参数（default writing parameter)和默认读参数（default reading parameter),其第二 部分包括用于完成所述系统启动的其余操作的指令和相关数据。将所述默认写参数封装在 所述启动装载程序171的第一部分可具有避免所述非易失性存储器170的存储空间被多余 地消耗的优点。可理解的是，所述非易失性存储器170的存储空间划分为多个块化lock)。 例如，NAND闪存的一个块的大小为51化字节。虽然默认写参数与默认读参数需要很少的 字节，例如，2字节，但当所述默认写参数独立于所述启动装载程序171被单独存储时，在非 易失性存储器170中会分配512K字节来存储该默认写参数。最终，当DRAM130被成功初始 化后，所述启动装载程序171的第二部分可被载入DRAM130中被执行。
[0017] -具有代表性的链接器分散描述文件（scatter file of a linker)对所述启动 装载程序171的第一部分的定义如下：
[001引
[0019] 参考该分散描述文件的定义，所述启动装载程序171包括RO(只读），RW(读写）， ZI (零）和DRAMPARAM(化am参数）等部分。图8为本发明一实施例的二进制文件（分散描 述文件的一种）一个示意图。所述R0部分810至少存储用于初始化所述DRAM130的指令。 而作为举例，所述部分820包括RW部分和ZI部分，其中，RW部分用于存储初始化变量，例 如，全局变量，而ZI部分用于存储非初始化变量。所述DRAMPARAM部分830起始于一预先设 定的地址0x9800并用于存储所述默认写参数和所述默认读参数。存储在所述R0部分810 中的指令定义一个字节数组或与字节数组类似的数据结构，并将定义的字节数组或类似的 数据结构映射到所述DRAMPARAM部分830 W表示默认写参数和默认读参数。可参考的源代 码可如下所述：
[0020]<