分的指令W完成系统启动的后续流程（步骤S253)。 当通过所述默认写参数执行的DRAM读校准不成功时（步骤S217的"'否"的分支），所述微 控制器110执行一DRAM写校准（步骤S231)。S231的详细流程稍后介绍。
[0025] 图7为本发明一实施例的DRAM写校准的方法流程示意图。该过程由微控制器110 执行，初始化一DQS输出延迟DELAYws^。。。例如，设置用于写数据到DRAM130中的DQS输出 延迟DELAYws^Dut为0 (步骤S711)。循环执行步骤S713到S725直到一预先设定的条件满 足。在执行所述循环的过程中，微控制器110使用所述设置的DQS输出延迟DELAYws^Dut将 测试数据写入所述DRAM130中预先设定的地址（步骤S713)，并使用所述设置的DQS输出延 迟DELAYwsjut执行一改进的dram读校准（步骤S715)。所述改进的DRAM读校准大致包括 步骤S411到步骤S461，步骤S473。步骤S463执行的数据窗口检测W及步骤S471和S481 执行的后续检测都可从改进的DRAM读校准流程中去掉（也即，步骤S463,步骤S471及步骤 S481 =个步骤可从改进的DRAM读校准流程中去掉）。在此基础上，步骤S411被改变为通过 设置的DQS输出延迟DELAYwsjut将测试数据写入所述dram的预先设定的地址，而不再通过 所述默认写参数。步骤S473被改变为步骤S461之后的下一个步骤而不再加入步骤S463和 S471，步骤S473执行内容改变为根据已确定的所述阶数MRGINwt和所述阶数MARGINtight 将所述DQS输入延迟DELAYws^i。设置为一整数（也即，一临时的结果）。进一步，所述微控 制器110确定在改进的DRAM读校准中确定的所述数据窗口长度LENd"是否超过一预定阔 值（也即，所述预定条件）（步骤S721)。当未满足所述预定条件（步骤S721的"否"的分 支），所述微控制器110将所述DQS输出延迟DELAYwsjut增大一个阶数（步骤S723)，并确 定所述增大后的DQS输出延迟DELAYws^Dut是否与预先设定的最大值相同（例如，8)(步骤 S725)。如果是（步骤S725的"'是"的分支），所述微控制器110确定DRAM写校准失败；否 贝1J(步骤S725的"否"的分支），所述微控制器110通过所述设置的DQS输出延迟DELAYws^ "ut(为步骤S723增大后的DQS输出延迟）将测试数据写入所述DRAM130预先设定的地址 (步骤S713)，并通过所述设置的DQS输出延迟DELAYws^wt执行改进后的DRAM读校准（步 骤S715)。当所述预定条件满足时（步骤S721的"'是"的分支），所述循环结束。进一步， 在所述循环结束之后，更新后的DQS输出延迟DELAYws^Dut和DQS输入延迟DELAYWSJ。被存 入所述SRAM150和/或所述非易失性存储器170供后续使用。
[0026] 再次参考图2,在完成DRAM写校准之后，所述DRAM130可被访问，则存储在所述 SRAM150中的所述启动装载程序171的第一部分中的默认写参数被替换为新的在所述DRAM 写校准中获得的写参数（也即，步骤S721为"是"时的DQS输出延迟DELAYwsjJ(步骤 S233)。进一步，存储在所述非易失性存储器170中的所述启动装载程序171的第一部分 中的默认写参数也被替换为新的在所述DRAM写校准中获得的写参数（也即，步骤S721为 "是"时的DQS输出延迟呢LAYdqs_〇J(步骤S23W。进一步，微控制器110将所述启动装载 程序171的第二部分从所述非易失性存储器170复制到所述DRAM130中（步骤S251)。所 述微控制器110从所述DRAM130中获取并执行所述启动装载程序171的第二部分的指令W 完成所述系统启动（步骤S253)。尽管，图2中包括步骤S217的确定步骤，但是可W理解 的是该确定步骤可省略，或者具体实现中，本发明不限于此。也即，不管DRAM读校准是否成 功，步骤S231-S235都可在DRAM读校准之后被执行。
[0027] 虽然本发明已经通过举例的方式W及根据优选实施例作了描述，但应当理解的是 本发明不限于此。本领域技术人员还可W做各种变化和修改而不脱离本发明的范围和精 神。
[002引权利要求书中用W修饰元件的"第一"、"第二"等序数词的使用本身未暗示任何优 先权、优先次序、各元件之间的先后次序、或所执行方法的时间次序，而仅用作标识来区分 具有相同名称（具有不同序数词）的不同元件。
[0029] 本发明虽W较佳实施例揭露如上，然其并非用W限定本发明的范围，任何本领域 技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可做些许的更动与润饰，因此本发明的保护 范围当视权利要求所界定者为准。
【主权项】
1. 一种参数优化方法，其特征在于，包括： 执行动态随机存取存储器写校准以获得写参数；以及 用所述获得的写参数替换存储在一非易失性存储器中的默认写参数，所述默认写参数 包含在一启动装载程序中。2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述默认写参数用于指示一数据选通信 号输出延迟。3. 根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述执行动态随机存取存储器写校准包 括： 初始化所述数据选通信号输出延迟； 使用所述初始化的数据选通信号输出延迟将测试数据写入所述动态随机存取存储器 中预先设定的地址来确定用于从所述动态随机存取存储器中读取数据的数据窗口； 逐阶增大所述数据选通信号输出延迟，且每增大一次所述数据选通信号输出延迟，使 用增大的所述数据选通信号输出延迟将测试数据写入所述动态随机存取存储器中预先设 定的地址来确定用于从所述动态随机存取存储器中读取数据的数据窗口，直到所述确定的 数据窗口超出预定阈值，；以及 将最终的数据选通信号输出延迟作为所述获得的写参数。4. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述动态随机存取存储器写校准发生在 一动态随机存取存储器读校准失败之后，且所述动态随机存取存储器读校准使用一默认写 参数将测试数据写入所述动态随机存取存储器中预先设定的地址以及尝试发现一读参数 用于从所述动态随机存取存储器中读取数据。5. 根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述读参数用于指示一数据选通信号输 入延迟。6. 根据权利要求4所述的方法，其特征在于，进一步包括： 用所述发现的读参数替换存储在一非易失性存储器中的一默认读参数，其中，所述默 认读参数包含在所述启动装载程序的第一部分中。7. -种参数优化方法，其特征在于，包括： 执行一动态随机存取存储器读校准，包括：使用一默认写参数将测试数据写入所述动 态随机存取存储器中预先设定的地址，以及尝试发现用于从所述动态随机存取存储器中读 取数据的一读参数；以及 在所述动态随机存取存储器读校准失败后，执行一动态随机存取存储器写校准以获得 一写参数并更新所述读参数。8. 根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述执行一动态随机存取存储器写校准 包括： 初始化一数据选通信号输出延迟； 使用所述初始化的数据选通信号输出延迟将测试数据写入所述动态随机存取存储器 中预先