层之上的五氧化二铌层，利用二氧化硅和五氧化二铌的折射率匹配来实现消影目的。
[0040]如图5所示，本发明还提出一种电容屏的形成方法，包括以下步骤:
[0041]A.提供基板。
[0042]B.形成ITO电极层。ITO电极层形成在基板之上，包括多行多列的、相互交错设置的多个ITO电极单元。其中第一方向上相邻的ITO电极单元连贯，第二方向上相邻的ITO电极单元隔断。
[0043]C.形成第一绝缘层。第一绝缘层包括多个第一绝缘块。每个第一绝缘块位于第一方向的相邻ITO电极单元的连贯位置上方。
[0044]D.形成印刷金属层。印刷金属层包括多个金属桥电极和金属走线，其中，每个金属桥电极从第一绝缘块顶部跨接第一绝缘块附近的第二方向上相邻的两个ITO电极单元，印刷金属层的材料为纳米银丝材料。具体地:
[0045]印刷金属层的材料为纳米银丝材料。现有技术中将纳米银线作为薄膜材料在GF结构(Glass Film)的触摸屏上使用。而本发明将纳米银丝材料作为印刷材料使用。纳米银丝材料是一种胶状溶剂，可以用于制作成线路，特别适用于OGS结构(One Glass Solut1n,即一体化触控)的触摸屏上使用。该实施例的电容屏采用纳米银丝材料的金属桥电极，该材料透光率好(其透过率可达到92%以上)且具有可挠性，因此电容屏具有透光率高、柔韧性好的优点。纳米银丝材料的银丝直径为25-200nm，长度为20-100 μ m。
[0046]通过丝网印刷工艺形成印刷金属层.使用印刷工艺，具有制程简单、良率高、成本低的优点。使用350-420目的钢丝网或聚脂网，得到的印刷金属层厚度为4-6um。
[0047]E.形成第二绝缘层。第二绝缘层覆盖ITO电极层、第一绝缘层和印刷金属层，起到封装电容屏、与外界绝缘的作用。
[0048]在本发明的一个实施例中，还可以包括步骤:在基板与ITO电极层之间形成树脂装饰层，树脂装饰层覆盖电容屏的非视窗区域。
[0049]在本发明的一个实施例中，还可以包括步骤:在基板与ITO电极层之间形成消影层，消影层可以包括二氧化硅层和位于二氧化硅层之上的五氧化二铌层，利用二氧化硅和五氧化二铌的折射率匹配来实现消影目的。
[0050]为使本领域技术人员更好地理解本发明，下面详细介绍一个电容屏的具体形成方法:
[0051](I)提供化学强化玻璃基板。
[0052](2)将黑色树脂经过旋转涂布方式均匀涂布在化学强化玻璃基板上，涂布厚度为0.3_5um，经过加热器预烤，曝光，显影，使之形成所需的黑色树脂区域。黑色树脂区域呈梯形结构，中间厚度为0.3-5um，其边缘斜角为6-60度之间，角度平缓，目的为ITO电极通过斜坡时不会由于厚度差异大导致ITO电极断裂。黑色树脂区域仅覆盖电容屏的非视窗区，目的为遮挡金属电极，以及营造视觉效果。需要说明的是，黑色树脂是感光性保护层光阻剂，是一种黑色负性光阻材料，主要成分为:亚克力树脂、环氧树脂、负性感光剂、乙酸丙二醇单甲基醚酯及黑色颜料。具体比例为:树脂类:乙酸丙二醇单甲基醚酯:黑色颜料及负性感光剂=15-30:60-80:l-10o预烤温度及时间范围为60-150摄氏度，50-200秒，曝光能量采用100-50mj，显影液采用Na系或Ka系碱性溶液，显影温度采用20-40摄氏度恒温作业。再经过黑色树脂层硬烤，温度为200-300摄氏度，时间为0.5-3小时，经过上述制程后，最终形成厚度为0.3-5um的图形化的黑色树脂层。
[0053](3)先后形成透明的、厚度均匀的二氧化硅层和五氧化二铌层作为消影层。其中，二氧化硅膜层厚度范围为0-1000埃米。五氧化二铌层厚度范围为0-1000埃米。
[0054](4)真空磁控溅镀形成一层透明及厚度均匀的ITO膜层，其厚度为50-2000埃米。在ITO表面涂布一层厚度均匀的正性光阻材料，再经过光阻预烤，曝光，显影，蚀刻，脱光阻膜，最终形成厚度为50-2000埃米及规则图形的ITO电极单元。通常将第一方向的ITO电极单元称为ITO驱动电极单元，第二方向的ITO电极单元称为ITO感应电极单元，这两种单元在同一层面，相互独立且相互绝缘。
[0055](5)在ITO电极层上涂布一层厚度均匀的负性光阻材料，经过光阻预烤，曝光，显影，形成规则的绝缘层图案。再经过绝缘层硬烤，最终形成图形规则的第一绝缘层。
[0056](6)采用印刷工艺，在ITO电极层和第一绝缘层之上形成规则的金属桥电极图案和金属走线图案。金属印刷材料为钠米银丝银浆，银丝直径为25-200nm，长度为20_100um。印刷工艺中使用350-420目的钢丝网或聚脂网，印刷方式为刮涂的方式。经过上述制程的产品在80摄氏度下预烘5分钟，再经过250摄氏度20分钟的硬烤，最终形成厚度为4-6um的金属桥电极和金属走线。
[0057](7)全区域地涂布一层均匀的负性光阻材料，再经过光阻预烤，曝光，显影，形成规则的绝缘层图案，再经过绝缘层硬烤，最终形成第二绝缘层。
[0058]上述实施例中，金属桥电极的材料为钠米银丝材料，具有高透过率的特性，大幅提高了电容屏产品的透过性，降低了金属桥电极的可视性。并且纳米银丝材料具有可挠性，整体受力弯曲变形时不易断裂，提高了电容屏产品的可靠性。
[0059]在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
[0060]尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
【主权项】
1.一种电容屏，其特征在于，包括以下部分: 基板； ITO电极层，所述ITO电极层形成在所述基板之上，包括多行多列的、相互交错设置的多个ITO电极单元，其中第一方向上相邻的ITO电极单元连贯，第二方向上相邻的ITO电极单元隔断； 第一绝缘层，所述第一绝缘层包括多个第一绝缘块，每个所述第一绝缘块位于第一方向上相邻ITO电极单元的连贯位置上方； 印刷金属层，所述印刷金属层包括多个金属桥电极和金属走线，其中，每个所述金属桥电极从所述第一绝缘块顶部跨接所述第一绝缘块附近的第二方向上相邻的两个ITO电极单元，所述印刷金属层的材料为纳米银丝材料；以及 第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述ITO电极层、第一绝缘层和印刷金属层。2.根据权利要求1所述的电容屏，其特征在于，还包括: 树脂装饰层，所述树脂装饰层位于所述基板与所述ITO电极层之间，所述树脂装饰层覆盖所述电容屏的非视窗区域。3.根据权利要求1或2所述的电容屏，其特征在于，还包括: 消影层，所述消影层位于所述基板与所述ITO电极层之间，所述消影层包括二氧化硅层和位于所述二氧化硅层之上的五氧化二铌层。4.根据权利要求1所述的电容屏，其特征在于，所述纳米银丝材料的银丝直径为25_200nm,长度为 20-100 μ m。5.根据权利要求1所述的电容屏，其特征在于，所述电容屏为OGS结构的电容屏，所述印刷金属层的厚度为4-6 μ m。6.一种电容屏的形成方法，其特征在于，包括以下步骤: 提供基板； 形成ITO电极层，所述ITO电极层形成在所述基板之上，包括多行多列的、相互交错设置的多个ITO电极单元，其中第一方向上相邻的ITO电极单元连贯，第二方向上相邻的ITO电极单元隔断； 形成第一绝缘层，所述第一绝缘层包括多个第一绝缘块，每个所述第一绝缘块位于第一方向的相邻ITO电极单元的连贯位置上方； 形成印刷金属层，所述印刷金属层包括多个金属桥电极和金属走线，其中，每个所述金属桥电极从所述第一绝缘块顶部跨接所述第一绝缘块附近的第二方向上相邻的两个ITO电极单元，所述印刷金属层的材料为纳米银丝材料；以及 形成第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述ITO电极层、第一绝缘层和印刷金属层。7.根据权利要求6所述的电容屏的形成方法，其特征在于，还包括: 在所述基板与所述ITO电极层之间形成树脂装饰层，所述树脂装饰层覆盖所述电容屏的非视窗区域。8.根据权利要求6或7所述的电容屏的形成方法，其特征在于，还包括: 在所述基板与所述ITO电极层之间形成消影层，所述消影层包括二氧化硅层和位于所述二氧化硅层之上的五氧化二铌层。9.根据权利要求6所述的电容屏的形成方法，其特征在于，所述纳米银丝材料的银丝直径为25-200nm，长度为20-100 μ m。10.根据权利要求6所述的电容屏的形成方法，其特征在于，通过丝网印刷工艺形成所述印刷金属层，使用350-420目的钢丝网或聚脂网，印刷厚度为4-6um。
【专利摘要】本发明提出一种电容屏及其形成方法，其中该电容屏包括：基板；ITO电极层，ITO电极层包括多行多列的、相互交错设置的多个ITO电极单元，其中第一方向上相邻的ITO电极单元连贯，第二方向上相邻的ITO电极单元隔断；第一绝缘层，第一绝缘层包括多个第一绝缘块，每个第一绝缘块位于第一方向上相邻ITO电极单元的连贯位置上方；印刷金属层，印刷金属层包括多个金属桥电极和金属走线，其中，每个金属桥电极从第一绝缘块顶部跨接第一绝缘块附近的第二方向上相邻的两个ITO电极单元，印刷金属层的材料为纳米银丝材料；以及第二绝缘层。本发明的电容屏由于采用纳米银丝材料的金属桥电极，因此具有透光率高、柔韧性好的优点。
【IPC分类】G06F3/044
【公开号】CN104965626
【申请号】CN201410124173
【发明人】李改
【申请人】深圳市比亚迪电子部品件有限公司
【公开日】2015年10月7日
【申请日】2014年3月28日