电容屏及其形成方法

文档序号:9249026阅读:429来源:国知局
电容屏及其形成方法
【技术领域】
[0001]本发明属于触控设备技术领域,具体涉及一种电容屏及其形成方法。
【背景技术】
[0002]电容式触摸屏中,投射式电容触摸屏是当前应用较为广泛的一种,具有结构简单、透光率高等特点。投射式电容触摸屏的触摸感应部件一般为多个行电极和列电极交错形成感应矩阵。通常采用的设计方式包括将行电极和列电极分别设置在同一透明基板的两面,防止在交错位置出现短路;或者将行电极和列电极设置在同一透明基板的同侧,形成于同一导电膜(通常为ITO导电膜)上,在行电极和列电极交错的位置通过设置绝缘层并架导电桥的方式,将行电极和列电极隔开并保证在各自的方向上导通,可以有效的防止其在交错位置短路。
[0003]通常采用的设计方案为:行电极或者列电极之一在导电膜上连续设置,则另一个电极在导电膜上以连续设置的电极为间隔设置成若干电极块,在交错点的位置通过导电桥将相邻的电极块连接,从而形成另一方向上的连续电极;导电桥与连续设置的电极之间由绝缘层分隔,从而有效的阻止行电极和列电极在交错点短路。通常采用金属桥的金属膜层是MoNb、AlNb、MoNb三层合金层堆积而成的,其制作方法是:在玻璃基板上真空磁控溅镀金属膜层,然后通过曝光、显影、蚀刻等工序来完成金属桥的制作。
[0004]但采用传统的制作方案的电容式触摸屏,因为金属桥的透光率不高,使得用户在触摸屏的正面可以看见金属桥点,大大影响了视觉效果,且整体受力弯曲变形时,容易在界面出现分离,导致电极断路触摸失效,触摸屏感应部件损坏。

【发明内容】

[0005]本发明旨在至少在一定程度上解决上述技术问题之一或至少提供一种有用的商业选择。为此,本发明的目的在于提出一种具有透光率高、具有一定柔韧性的电容屏及其形成方法。
[0006]为实现上述目的,本发明第一方面公开一种电容屏,包括以下部分:基板;ITO电极层,所述ITO电极层形成在所述基板之上,包括多行多列的、相互交错设置的多个ITO电极单元,其中第一方向上相邻的ITO电极单元连贯,第二方向上相邻的ITO电极单元隔断;第一绝缘层,所述第一绝缘层包括多个第一绝缘块,每个所述第一绝缘块位于第一方向上相邻ITO电极单元的连贯位置上方;印刷金属层,所述印刷金属层包括多个金属桥电极和金属走线,其中,每个所述金属桥电极从所述第一绝缘块顶部跨接所述第一绝缘块附近的第二方向上相邻的两个ITO电极单元,所述印刷金属层的材料为纳米银丝材料;以及第二绝缘层,所述第二绝缘层覆盖所述ITO电极层、第一绝缘层和印刷金属层。
[0007]该实施例的电容屏采用纳米银丝材料的金属桥电极,该材料透光率好且具有可挠性,因此电容屏具有透光率高、柔韧性好的优点。
[0008]可选地,本发明的电容屏还可以具有如下技术特征:
[0009]在本发明的一个实施例中,还包括:树脂装饰层,所述树脂装饰层位于所述基板与所述ITO电极层之间,所述树脂装饰层覆盖所述电容屏的非视窗区域。
[0010]在本发明的一个实施例中,还包括:消影层,所述消影层位于所述基板与所述ITO电极层之间,所述消影层包括二氧化硅层和位于所述二氧化硅层之上的五氧化二铌层。
[0011]在本发明的一个实施例中,所述纳米银丝材料的银丝直径为25-200nm,长度为20-100 μm。
[0012]在本发明的一个实施例中,所述电容屏为OGS结构的电容屏,所述印刷金属层的厚度为4-6 μ m。
[0013]为实现上述目的,本发明第二方面公开一种电容屏的形成方法,包括以下步骤:提供基板;形成ITO电极层,所述ITO电极层形成在所述基板之上,包括多行多列的、相互交错设置的多个ITO电极单元,其中第一方向上相邻的ITO电极单元连贯,第二方向上相邻的ITO电极单元隔断;形成第一绝缘层,所述第一绝缘层包括多个第一绝缘块,每个所述第一绝缘块位于第一方向上的相邻ITO电极单元的连贯位置上方;形成印刷金属层,所述印刷金属层包括多个金属桥电极和金属走线,其中,每个所述金属桥电极从所述第一绝缘块顶部跨接所述第一绝缘块附近的第二方向上相邻的两个ITO电极单元,所述印刷金属层的材料为纳米银丝材料;以及形成第二绝缘层,所述第二绝缘层覆盖所述ITO电极层、第一绝缘层和印刷金属层。
[0014]该实施例的形成的电容屏中包括纳米银丝材料的金属桥电极,该材料透光率好且具有可挠性,因此电容屏具有透光率高、柔韧性好的优点。
[0015]可选地,本发明的电容屏的形成方法还可以具有如下技术特征:
[0016]在本发明的一个实施例中,还包括:在所述基板与所述ITO电极层之间形成树脂装饰层,所述树脂装饰层覆盖所述电容屏的非视窗区域。
[0017]在本发明的一个实施例中,还包括:在所述基板与所述ITO电极层之间形成消影层,所述消影层包括二氧化硅层和位于所述二氧化硅层之上的五氧化二铌层。
[0018]在本发明的一个实施例中,所述纳米银丝材料的银丝直径为25_200nm,长度为20-100 μm。
[0019]在本发明的一个实施例中,通过丝网印刷工艺形成所述印刷金属层,使用350-420目的钢丝网或聚脂网,印刷厚度为4-6um。
[0020]本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。
【附图说明】
[0021]本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
[0022]图1是本发明实施例的电容屏的结构示意图。
[0023]图2是本发明实施例的电容屏中的ITO电极层的俯视示意图。
[0024]图3是本发明实施例的电容屏中的第一绝缘块以及金属电极桥的俯视示意图。
[0025]图4是本发明实施例的电容屏中的树脂装饰层的俯视示意图。
[0026]图5是本发明实施例的电容屏的形成方法的流程图。
【具体实施方式】
[0027]下面详细描述本发明的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,旨在用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。
[0028]在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底” “内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
[0029]此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
[0030]在本发明中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
[0031]如图1所示,本发明提出一种电容屏,包括依次层叠的基板10、ITO电极层20、第一绝缘层30、印刷金属层40以及第二绝缘层50。
[0032]如图2所示,ITO电极层20包括多行多列的、相互交错设置的多个ITO电极单元201。其中第一方向(列方向)上相邻的ITO电极单兀201连贯,第二方向(行方向)上相邻的ITO电极单元201隔断。需要说明的是,行方向和列方向是相对的,因此也可以第一方向为行方向、第二方向为列方向,并不改变本发明的原理。
[0033]如图3所示,第一绝缘层30包括多个第一绝缘块301。每个第一绝缘块301位于列方向的相邻ITO电极单元201的连贯位置上方。
[0034]如图3所示,印刷金属层40包括多个金属桥电极401和金属走线(图中未示出)。其中,每个金属桥电极401从第一绝缘块301顶部跨接第一绝缘块301附近的第二方向上相邻的两个ITO电极单元201。金属走线通常位于电容屏的边缘位置,相关细节为本领域技术人员已知知识,本文不赘述。具体地:
[0035]印刷金属层40的材料为纳米银丝材料。现有技术中将纳米银线作为薄膜材料在GF (Glass Film)结构的触摸屏上使用。而本发明将纳米银丝材料作为印刷材料使用。纳米银丝材料是一种胶状溶剂,可以用于制作成线路,特别适用于OGS(One Glass Solut1n,即一体化触控)结构的触摸屏上使用。该实施例的电容屏采用纳米银丝材料的金属桥电极,该材料透光率好(其透过率可达到92%以上)且具有可挠性,因此电容屏具有透光率高、柔韧性好的优点。纳米银丝材料的银丝直径为25-200nm,长度为20-100 μ m。
[0036]该印刷金属层40可以是通过丝网印刷工艺形成的。使用印刷工艺,具有制程简单、良率高、成本低的优点。丝网印刷过程中使用350-420目的钢丝网或聚脂网,得到的印刷金属层40厚度为4-6um。
[0037]第二绝缘层50覆盖ITO电极层20、第一绝缘层30和印刷金属层40,起到封装电容屏、与外界绝缘的作用。
[0038]在本发明的一个实施例中,电容屏还包括树脂装饰层60。该树脂装饰层60位于基板10与ITO电极层20之间。如图4所示,该树脂装饰层60可以覆盖电容屏的非视窗区域。
[0039]在本发明的一个实施例中,电容屏还包括基板10与ITO电极层20之间形成消影层。该消影层包括二氧化硅层和位于二氧化硅
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