一种数据存储方法及电子设备的制造方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及电子技术领域，特别涉及一种数据存储方法及电子设备。
【背景技术】
[0002]SSD (Solid State Drives)是固态存储器(固态硬盘)的缩写，SSD控制器主要提供主机访问到闪存颗粒的访问控制。由于闪存写入特性，对于一个访问单元，必须先擦除之后才能写入。擦除操作会导致系统写入性能过低。
[0003]为了解决上述问题，在固态硬盘中加入内存作为缓存，当数据写入的时候需要先数据写入缓存中，等到系统空闲或者缓存满的时候再把数据写回到闪存中。这样可以减少写入延迟，和对闪存颗粒的写入，从而增加闪存的寿命。
[0004]然而，本申请发明人在实现本申请实施例中发明技术方案的过程中，发现上述技术至少存在如下技术问题:
[0005]现有技术中，在不存在缓存时，只能将数据直接写入闪存；在存在缓存时，总是将数据写入缓存，再写入闪存。系统的数据写入方式比较固定，不够灵活。
【发明内容】
[0006]本发明实施例提供一种数据存储方法及电子设备，用于解决现有技术中存在的，系统的数据写入方式比较固定，不够灵活的技术问题。
[0007]—方面，本申请实施例提供一种数据存储方法，包括:
[0008]获得电子设备的运行状态参数；
[0009]根据所述运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略；
[0010]根据所述数据存储策略，获得与所述数据存储策略对应的目标数据；
[0011 ] 根据所述目标数据的数据类别，将所述目标数据写入所述电子设备的固态存储器的闪存或者缓存中。
[0012]可选的，获得电子设备的运行状态参数，包括:
[0013]获得所述电子设备的电量剩余参数。
[0014]可选的，根据所述运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略，包括:
[0015]判断所述电量剩余参数是否小于或者等于第一电量阈值；
[0016]在所述电量剩余参数小于或者等于所述第一电量阈值时，确定所述数据存储策略为将所述缓存中存储的数据和所述电子设备需要写入所述固态存储器的数据写入所述闪存中。
[0017]可选的，根据所述运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略，包括:
[0018]判断所述电量剩余参数是否大于第二电量阈值；
[0019]在所述电量剩余参数大于所述第二电量阈值时，确定所述数据存储策略为将所述电子设备需要写入所述固态存储器的数据写入所述缓存中。
[0020]可选的，获得电子设备的运行状态参数，包括:
[0021]获得所述电子设备当前写入所述缓存的数据的数据特征；
[0022]根据所述运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略，包括:
[0023]判断所述数据特征是否满足预设条件；
[0024]在所述数据特征满足所述预设条件时，确定所述数据存储策略为将所述电子设备需要写入所述缓存的数据写入所述闪存中。
[0025]可选的，所述方法还包括:
[0026]获得用户基于所述电子设备进行的多个数据访问操作；
[0027]对所述多个数据访问操作进行分析，获得分析结果；
[0028]根据所述分析结果，对所述数据存储策略进行调整。
[0029]另一方面，本申请实施例还提供一种电子设备，包括:
[0030]固态存储器；
[0031]所述固态存储器包括存储器件和存储控制器；
[0032]所述存储控制器用于根据接收到的所述电子设备的运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略；根据所述数据存储策略，获得与所述数据存储策略对应的目标数据；根据所述目标数据的数据类别，将所述目标数据写入所述电子设备的固态存储器的闪存或者缓存中。
[0033]可选的，所述电子设备还包括:
[0034]系统事件监控模块，用于获得电子设备的运行状态参数。
[0035]可选的，所述系统事件监控模块具体用于:
[0036]获得所述电子设备的电量剩余参数。
[0037]可选的，所述存储控制器具体用于:
[0038]判断所述电量剩余参数是否小于或者等于第一电量阈值；
[0039]在所述电量剩余参数小于或者等于所述第一电量阈值时，确定所述数据存储策略为将所述缓存中存储的数据和所述电子设备需要写入所述固态存储器的数据写入所述闪存中。
[0040]可选的，所述存储控制器具体用于:
[0041]判断所述电量剩余参数是否大于第二电量阈值；
[0042]在所述电量剩余参数大于所述第二电量阈值时，确定所述数据存储策略为将所述电子设备需要写入所述固态存储器的数据写入所述缓存中。
[0043]可选的，所述系统事件监控模块具体用于:
[0044]获得所述电子设备当前写入所述缓存的数据的数据特征；
[0045]所述存储控制器具体用于:
[0046]判断所述数据特征是否满足预设条件；
[0047]在所述数据特征满足所述预设条件时，确定所述数据存储策略为将所述电子设备需要写入所述缓存的数据写入所述闪存中。
[0048]可选的，所述系统事件监控模块还用于:
[0049]获得用户基于所述电子设备进行的多个数据访问操作；
[0050]所述存储控制器具体用于:
[0051]对所述多个数据访问操作进行分析，获得分析结果；
[0052]根据所述分析结果，对所述数据存储策略进行调整。
[0053]另一方面，本申请实施例还提供一种电子设备，包括:
[0054]第一获得单元，用于获得电子设备的运行状态参数；
[0055]确定单元，用于根据所述运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略；
[0056]第二获得单元，用于根据所述数据存储策略，获得与所述数据存储策略对应的目标数据；
[0057]存储单元，用于根据所述目标数据的数据类别，将所述目标数据写入所述电子设备的固态存储器的闪存或者缓存中。
[0058]本申请实施例中的上述一个或多个技术方案，至少具有如下一种或多种技术效果:
[0059]1、本申请实施例的方案中，通过获得电子设备的运行状态参数；根据所述运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略；根据所述数据存储策略，获得与所述数据存储策略对应的目标数据；并根据所述目标数据的数据类别，将所述目标数据写入所述电子设备的固态存储器的闪存或者缓存中。可见，不同的运行状态参数对应不同的数据存储策略，从而根据电子设备的状态参数灵活确定数据存数策略，将目前数据写入闪存或者缓存中，进而缓解了现有技术中存在的，系统的数据写入方式比较固定，不够灵活的技术问题，实现了根据电子设备的运行状态参数灵活确定数据存储策略的技术效果。
[0060]2、本申请实施例中，运行状态参数可以为电量剩余参数，并在电量剩余参数小于或者等于第一电量阈值，即系统电量低时，将缓存中的数据写入缓存，并将电子设备接下来需要写入的数据跳过缓存，直接写入闪存，从而解决了现有技术中存在的，当系统异常断电的时候，缓存中的数据没有及时写回到闪存中，导致系统数据的丢失的技术问题，实现了提高数据安全性的技术效果。
[0061]3、本申请实施例的方案中，通过获得所述电子设备当前写入所述缓存的数据的数据特征；并判断所述数据特征是否满足预设条件；在所述数据特征满足所述预设条件时，确定所述数据存储策略为将所述电子设备需要写入所述缓存的数据写入所述闪存中。本申请实施例中，可以预先设置预设条件，如:数据连续写入时间，数据格式等，并在当前写入缓存的数据的数据特征满足预设条件时，将数据直接写入闪存中。如:当系统存在大量顺序的写入操作的时，将数据跳过缓存直接写入闪存颗粒中，从而避免换出缓存中的热数据，热数据是指驻留在缓存中的电子设备频繁访问的数据。
[0062]4、本申请实施例的方案中，通过获得用户基于所述电子设备进行的多个数据访问操作；并对所述多个数据访问操作进行分析，获得分析结果；根据所述分析结果，对所述数据存储策略进行调整，进而实现智能学习用户行为来调整存储策略的技术效果，使得数据存储策略能够更好的贴近用户的使用习惯，提升用户体验。
【附图说明】
[0063]图1为本申请实施例一中数据存储方法的流程示意图；
[0064]图2为本申请实施例一中S20的第一种实现方法的流程示意图；
[0065]图3为本申请实施例一中S20的第二种实现方法的流程示意图；
[0066]图4为本申请实施例一中调整数据存储策略的方法流程示意图；
[0067]图5为本申请实施例二中电子设备的结构框图；
[0068]图6为本申请实施例二中固态存储器的结构框图；
[0069]图7为本申请实施例三中电子设备的结构框图。
【具体实施方式】
[0070]在本申请实施例提供的技术方案中，由于不同的运行状态参数对应不同的数据存储策略，从而根据电子设备的状态参数灵活确定数据存数策略，将目前数据写入闪存或者缓存中，进而缓解了现有技术中存在的，系统的数据写入方式比较固定，不够灵活的技术问题，实现了根据电子设备的运行状态参数灵活确定数据存储策略的技术效果。
[0071]下面结合附图对本申请实施例技术方案的主要实现原理、【具体实施方式】及其对应能够达到的有益效果进行详细的阐述。
[0072]实施例一
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