接下来，电子设备执行S60:对所述多个数据访问操作进行分析，获得分析结果。
[0118]便于本领域技术人员更加容易理解本申请的内容，以下举两个具体的例子来说明本申请中对数据访问操作进行分析的过程。
[0119]第一例，S60包括:对所述多个数据访问操作进行分析，确定热数据和冷数据，其中，热数据是指驻留在缓存中的电子设备频繁访问的数据；冷数据是指数据被写入缓存后，电子设备对这些数据的访问次数较少的数据。
[0120]举例来讲，假设数据访问操作为:电子设备频繁从缓存中读取视频数据，则可以将视频数据作为缓存中的热数据，则分析结果为:将视频数据确定为热数据。在具体实施过程中，以视频数据为例，在确定视频数据是否为热数据时，可以根据一段时间内电子设备访问视频数据的次数来确定。其中，一段时间可以为1个小时，或者2个小时。举例来讲，假设电子设备在1个小时内对视频数据进行了 30次访问，则可以确定视频数据为热数据。
[0121]又例如，假设数据访问操作为:电子设备向缓存中写入文档数据，在数据写入缓存后，电子设备在一段时间内没有对文档数据进行访问或者访问次数较少，其中，一段时间可以为1个小时，或者2个小时，则可以确定文档数据为冷数据。
[0122]接下来，电子设备执行S70:根据所述分析结果，对所述数据存储策略进行调整。
[0123]沿用上述视频数据为热数据，文档数据为冷数据的例子，假设当前的数据存储策略为:将电子设备需要写入缓存的视频数据跳过缓存直接写入闪存，将文档数据写入缓存，则调整后的数据存储策略为:将电子设备需要写入缓存的视频数据写入缓存，将文档数据跳过缓存直接写入闪存。
[0124]本申请实施例中，可以实时的对数据存储策略进行调整，也可以设定数据存储策略调整周期，例如??每2个小时进行一次调整，或者每天进行一次调整，本申请对此不做限制。
[0125]第二例，S60包括:对所述多个数据访问操作进行分析，确定电子设备是否执行大量顺序的写入操作。
[0126]举例来讲，在拷贝数据或者下载数据时，电子设备会执行大量顺序的写入操作，此时，如果将拷贝的数据或者下载的数据先写入缓存，再写入闪存，需要进行两次数据写入操作。假设当前的数据存储策略为:将电子设备需要写入缓存的数据写入缓存，则S70包括:根据分析结果，将数据存储策略调整为:将电子设备需要写入缓存的数据跳过缓存直接写入闪存，从而减少一次写入操作。在对数据存储策略进行调整后，电子设备会将拷贝的数据或者下载的数据跳过缓存，直接写入闪存。
[0127]实施例二
[0128]基于同一发明构思，本申请实施例提供一种电子设备，如图5和图6所不，包括:
[0129]固态存储器50;
[0130]所述固态存储器50包括存储器件501和存储控制器502 ;
[0131]所述存储控制器502用于根据接收到的所述电子设备的运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略；根据所述数据存储策略，获得与所述数据存储策略对应的目标数据；根据所述目标数据的数据类别，将所述目标数据写入所述电子设备的固态存储器50的闪存或者缓存中。
[0132]可选的，所述电子设备还包括:
[0133]系统事件监控模块51，用于获得电子设备的运行状态参数。
[0134]可选的，所述系统事件监控模块51具体用于:
[0135]获得所述电子设备的电量剩余参数。
[0136]可选的，所述存储控制器502具体用于:
[0137]判断所述电量剩余参数是否小于或者等于第一电量阈值；
[0138]在所述电量剩余参数小于或者等于所述第一电量阈值时，确定所述数据存储策略为将所述缓存中存储的数据和所述电子设备需要写入所述固态存储器50的数据写入所述闪存中。
[0139]可选的，所述存储控制器502具体用于:
[0140]判断所述电量剩余参数是否大于第二电量阈值；
[0141]在所述电量剩余参数大于所述第二电量阈值时，确定所述数据存储策略为将所述电子设备需要写入所述固态存储器50的数据写入所述缓存中。
[0142]可选的，所述系统事件监控模块51具体用于:
[0143]获得所述电子设备当前写入所述缓存的数据的数据特征；
[0144]所述存储控制器502具体用于:
[0145]判断所述数据特征是否满足预设条件；
[0146]在所述数据特征满足所述预设条件时，确定所述数据存储策略为将所述电子设备需要写入所述缓存的数据写入所述闪存中。
[0147]可选的，所述系统事件监控模块51还用于:
[0148]获得用户基于所述电子设备进行的多个数据访问操作；
[0149]所述存储控制器502具体用于:
[0150]对所述多个数据访问操作进行分析，获得分析结果；
[0151]根据所述分析结果，对所述数据存储策略进行调整。
[0152]实施例三
[0153]基于同一发明构思，本申请实施例还提供一种电子设备，如图7所示，包括:
[0154]第一获得单元60，用于获得电子设备的运行状态参数；
[0155]确定单元61，用于根据所述运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略；
[0156]第二获得单元62，用于根据所述数据存储策略，获得与所述数据存储策略对应的目标数据；
[0157]存储单元63，用于根据所述目标数据的数据类别，将所述目标数据写入所述电子设备的固态存储器的闪存或者缓存中。
[0158]可选的，所述第一获得单元60具体用于:
[0159]获得所述电子设备的电量剩余参数。
[0160]可选的，所述确定单元61具体用于:
[0161]判断所述电量剩余参数是否小于或者等于第一电量阈值；
[0162]在所述电量剩余参数小于或者等于所述第一电量阈值时，确定所述数据存储策略为将所述缓存中存储的数据和所述电子设备需要写入所述固态存储器的数据写入所述闪存中。
[0163]可选的，所述确定单元61具体用于:
[0164]判断所述电量剩余参数是否大于第二电量阈值；
[0165]在所述电量剩余参数大于所述第二电量阈值时，确定所述数据存储策略为将所述电子设备需要写入所述固态存储器的数据写入所述缓存中。
[0166]可选的，所述第一获得单元60具体用于:
[0167]获得所述电子设备当前写入所述缓存的数据的数据特征；
[0168]所述确定单元61具体用于:
[0169]判断所述数据特征是否满足预设条件；
[0170]在所述数据特征满足所述预设条件时，确定所述数据存储策略为将所述电子设备需要写入所述缓存的数据写入所述闪存中。
[0171]可选的，所述第一获得单元60具体用于获得用户基于所述电子设备进行的多个数据访问操作；
[0172]所述确定单元61具体用于:
[0173]对所述多个数据访问操作进行分析，获得分析结果；
[0174]根据所述分析结果，对所述数据存储策略进行调整。
[0175]通过本申请实施例中的一个或多个技术方案，可以实现如下一个或多个技术效果:
[0176]1、本申请实施例的方案中，通过获得电子设备的运行状态参数；根据所述运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略；根据所述数据存储策略，获得与所述数据存储策略对应的目标数据；并根据所述目标数据的数据类别，将所述目标数据写入所述电子设备的固态存储器的闪存或者缓存中。可见，不同的运行状态参数对应不同的数据存储策略，从而根据电子设备的状态参数灵活确定数据存数策略，将目前数据写入闪存或者缓存中，进而缓解了现有技术中存在的，系统的数据写入方式比较固定，不够灵活的技术问题，实现了根据电子设备的运行状态参数灵活确定数据存储策略的技术效果。
[0177]2、本申请实施例中，运行状态参数可以为电量剩余参数，并在电量剩余参数小于或者等于第一电量阈值，即系统电量低时，将缓存中的数据写入缓存，并将电子设备接下来需要写入的数据跳过缓存，直接写入闪存，从而解决了现有技术中存在的，当系统异常断电的时候，缓存中的数据没有及时写回到闪存中，导致系统数据的丢失的技术问题，实现了提高数据安全性的技术效果。
[0178]3、本申请实施例的方案中，通过获得所述电子设备当前写入所述缓存的数据的数据特征；并判断所述数据特征是否满足预设条件；在所述数据特征满足所述预设条件时，确定所述数据存储策略为将所述电子设备需要写入所述缓存的数据写入所述闪存中。本申请实施例中，可以预先设置预设条件，如:数据连续写入时间，数据格式等，并在当前写入缓存的数据的数据特征满足预设条件时，将数据直接写入闪存中。如:当系统存在大量顺序的写入操作的时，将数据跳过缓存直接写入闪存颗粒中，从而避免换出缓存中的热数据，热数据是指驻留在缓存中的电子设备频繁访问的数据。
[0179]4、本申请实施例的方案中，通过获得用户基于所述电子设备进行的多个数据访问操作；并对所述多个数据访问操作进行分析，获得分析结果；根据所述分析结果，对所述数据存储策略进行调整，进而实现智能学习用户行为来调整存储策略的技术效果，使得数据存储策略能够更好的贴近用户的使用习惯，提升用户体验。
[0180]本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(