0073]本申请实施例中，先对电子设备的结构进行说明，如图5和图6所示，包括:
[0074]固态存储器50;
[0075]所述固态存储器50包括存储器件501和存储控制器502 ;
[0076]所述存储控制器502用于根据接收到的所述电子设备的运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略；根据所述数据存储策略，获得与所述数据存储策略对应的目标数据；根据所述目标数据的数据类别，将所述目标数据写入所述电子设备的固态存储器50的闪存或者缓存中。
[0077]所述电子设备还包括:
[0078]系统事件监控模块51，用于获得电子设备的运行状态参数。
[0079]本申请实施例中，电子设备可以为计算机，也可以为其他包括固态存储器的电子设备，本申请对此不做限制。
[0080]接下来，对本申请实施例提供的数据存储方法进行说明，如图1所示，所述方法包括:
[0081]S10:获得电子设备的运行状态参数。
[0082]S20:根据所述运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略。
[0083]S30:根据所述数据存储策略，获得与所述数据存储策略对应的目标数据。
[0084]S40:根据所述目标数据的数据类别，将所述目标数据写入所述电子设备的固态存储器的闪存或者缓存中。
[0085]在S10中，在操作系统中加入系统事件监控模块，监测电子设备的运行状态参数。运行状态参数可以为电子设备自身的状态参数，如:剩余电量；运行状态参数也可以为当前写入缓存的数据的数据特征，如:连续写入时间，数据格式等。
[0086]然后，系统事件监控模块将监测到的运行状态参数发送给存储控制器，即闪存的控制器。
[0087]接下来，电子设备执行S20:根据所述运行状态参数，确定与所述运行状态参数对应的数据存储策略。
[0088]本申请实施例中，运行状态参数不同，对应的数据存数策略也不同。接下来，对以下两种数据存储策略进行介绍。
[0089]第一种，运行状态参数为电量剩余参数。相应的，S10包括:获得电子设备的电量剩余参数。如图2所示，S20包括:S201:判断所述电量剩余参数是否小于或者等于第一电量阈值。
[0090]具体来讲，在电子设备中可以预先设置第一电量阈值，第一电量阈值用于表征电子设备的剩余电量较低，如:电子设备的电量满时电量参数为100，则第一电量阈值为可以为10，也可以为15。假设电量剩余参数为9，第一电量阈值为10，则判断结果为电量剩余参数小于第一电量阈值。在具体实施过程中，还可以对电子设备的剩余使用时间等参数进行判断，本申请对此不做限制。
[0091]接下来，电子设备执行S202:在所述电量剩余参数小于或者等于所述第一电量阈值时，确定所述数据存储策略为将所述缓存中存储的数据和所述电子设备需要写入所述固态存储器的数据写入所述闪存中。
[0092]具体来讲，由于在电子设备的剩余电量较低时，如果继续使用电子设备，可能会导致电子设备电量低自动关机，如果当前缓存中存储有数据，则缓存中的数据会丢失。因此，在电量剩余参数小于或者等于第一电量阈值时，表明电子设备的电量较低，则确定的数据存储策略为:将缓存中存储的数据和电子设备需要写入固态存储器中的数据写入闪存中，从而防止数据丢失。
[0093]进一步，在所述电量剩余参数大于所述第二电量阈值时，表明电子设备的电量较高，则确定所述数据存储策略为:将电子设备需要写入所述固态存储器的数据写入缓存中，从而减少对闪存颗粒的写入，增加闪存的寿命。
[0094]接下来，电子设备执行S30:根据所述数据存储策略，获得与所述数据存储策略对应的目标数据。
[0095]本申请实施例中，目标数据可以为已经写入缓存中的数据，也可以为电子设备接下来要写入固态存储器的数据。
[0096]具体来讲，在电子设备的电量低时，数据存储策略为将所述缓存中存储的数据和所述电子设备需要写入所述固态存储器的数据写入所述闪存中，则目标数据为缓存中存储的数据和电子设备需要写入固态存储器的数据。在电子设备的电量较高时，数据存储策略为将电子设备需要写入所述固态存储器的数据写入缓存中，则目标数据为电子设备需要写入固态存储器的数据。
[0097]接下来，电子设备执行S40:根据所述目标数据的数据类别，将所述目标数据写入所述电子设备的固态存储器的闪存或者缓存中。
[0098]本申请实施例中，数据类别至少包括两种，一是缓存中存储的数据，二是电子设备需要写入固态存储器的数据。如果目标数据是缓存中存数的数据，则将目标数据写入闪存中，如果是电子设备需要写入固态存储器的数据，则根据数据存储策略将目标数据存储闪存或者缓存中。
[0099]第二种，运行状态参数为当前写入缓存的数据的数据特征。相应的，S10包括:获得所述电子设备当前写入所述缓存的数据的数据特征。
[0100]本申请实施例中，数据特征可以为连续写入时间，数据格式，以及单位时间内写入的数据量等。相应的，如图3所示，S20包括:
[0101]S203:判断所述数据特征是否满足预设条件。
[0102]本申请实施例，数据特征为连续写入时间时，预设条件可以为连续写入时间大于或者等于一时长阈值；数据特征为数据格式时，预设条件可以为数据格式为某些特定格式，如:视频格式rmvb，avi，安装包jar，sis等；数据特征为单位时间内写入的数据量时，预设条件可以为单位时间内写入的数据量大于或者等于数据量阈值。
[0103]举例来讲，预设条件为连续写入时间大于或者等于5s，假设当前连续写入数据的连续写入时间超过5s时，则确定数据特征满足预设条件；而在当前连续写入数据的连续写入时间为3s时，确定数据特征不满足预设条件。又例如:预设条件为数据格式为rmvb，假设当前写入缓存的数据格式为rmvb，则确定数据特征满足预设条件；而在当前写入缓存的数据格式为doc时，确定数据特征不满足预设条件。
[0104]接下来，在数据特征满足预设条件时，电子设备执行S204:在所述数据特征满足所述预设条件时，确定所述数据存储策略为将所述电子设备需要写入所述缓存的数据写入所述闪存中。而在数据特征不满足预设条件时，将电子设备需要写入所述缓存的数据写入缓存中。
[0105]具体来讲，当数据特征满足这些预设条件中的一种或者多种时，都会出现大量数据写入缓存的情况，但由于缓存的容量有限，在大量数据写入时，如果缓存被写满，就会将缓存中的数据写入闪存颗粒。如果缓存中原本保存了一些热数据(用户频繁访问的数据，用户通常需要一直访问)，大量写入的数据会导致缓存中原本存储的热数据被写入闪存，用户再使用这些热数据时，就需要到闪存中读取，进而增加闪存的读取次数。
[0106]举例来讲，用户一直对word文档进行编辑，则电子设备会频繁读取缓存中存储的word数据，则可以将word数据确定为缓存中的热数据，假设缓存容量为200MB，当前电子设备正在下载电影，电影的大小为210MB，如果按照先将下载的数据写入缓存，则在缓存被写满时，缓存中的word数据会被写入闪存中，用户再使用这些word数据时，需要从闪存中读取，进而增加闪存的读取次数。
[0107]因此，当数据特征满足这些预设条件中的一种或者多种时，如:在数据具有连续写入时间较长，或者数据格式为某些特定格式，又或者单位时间内写入的数据量较大时，确定出的数据存储策略为:将电子设备需要写入缓存的数据直接写入闪存中，从而防止缓存中的热数据被换出。
[0108]举例来讲，预设条件为数据连续写入时长超过时长阈值，在用户下载数据的过程中，假设时长阈值为5s，如果当前连续写入数据的连续写入时长超过5s时，电子设备会采用数据存储策略(将电子设备需要写入缓存的数据直接写入闪存中)对下载数据进行存储，即，将接下来需要写入缓存的下载数据跳过缓存，直接写入闪存。
[0109]又例如:由于在下载数据的过程中，系统事件监控模块能够监测到大量顺序的写入操作。此时，单位时间内写入的数据量通常较大，因此，预设条件可以为单位时间内写入的数据量超过数据量阈值。假设数据量阈值为IMB/s，则如果单位时间内写入缓存的数据量超过1MB，电子设备会采用数据存储策略(将电子设备需要写入缓存的数据直接写入闪存中)对下载数据进行存储，即，将接下来需要写入缓存下载数据跳过缓存，直接写入闪存。
[0110]在具体实施过程中，可以根据缓存的容量对连续写入时间或者数据量阈值进行设定，本申请对此不做限制。
[0111]接下来，电子设备执行S30:根据所述数据存储策略，获得与所述数据存储策略对应的目标数据。
[0112]具体来讲，在数据特征满足预设条件时，目标数据为电子设备需要写入所述缓存的数据。
[0113]在确定目标数据后，电子设备执行S40，包括:将所述目标数据写入所述电子设备的固态存储器的闪存中。
[0114]本申请实施例中，如图4所示，所述方法还包括:
[0115]S50:获得用户基于所述电子设备进行的多个数据访问操作。
[0116]本申请实施例中，数据访问操作包括电子设备执行的数据写入操作和对缓存中的数据的访问操作，在用户使用电子设备的过程中，电子设备对缓存的写入操作和访问操作可以直接反映用户行为。举例来讲，用户通过电子设备进行视频编辑时，数据访问操作为:电子设备频繁访问缓存中的视频数据。又例如:用户通过电子设备进行文档编辑时，数据访问操作为:电子设备频繁访问缓存中的文档数据。又例如:用户通过电子设备下载数据格式为rmvb的视频，数据访问操作为:电子设备向缓存中写入数据格式为rmvb的视频数据。
[0117]