各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于模块、系统实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。以上所描述的模块、系统实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性劳动的情况下，即可以理解并实施。
[0133]以上依据图式所示的实施例详细说明了本发明的构造、特征及作用效果，以上所述仅为本发明的较佳实施例，但本发明不以图面所示限定实施范围，凡是依照本发明的构想所作的改变，或修改为等同变化的等效实施例，仍未超出说明书与图示所涵盖的精神时，均应在本发明的保护范围内。
【主权项】
1.一种标准单元优化方法，其特征在于，包括: 获取标准单元的当前电路和与所述当前电路相对应的当前版图； 提取所述当前版图的寄生参数； 在所述当前电路中增加所述寄生参数，生成带寄生电路； 对所述带寄生电路进行性能测试，得到带寄生电路的性能测试值； 如果所述性能测试值不满足性能指标的要求，则: 对带寄生电路的器件参数值进行调整得到已调整电路，直至对已调整电路进行性能测试得到的性能测试值与所述性能指标间的相对误差在预设误差范围内为止，并将最终得到的已调整电路作为参照电路； 根据所述参照电路，调整所述当前电路中的器件参数值，完成当前电路的更新； 将所述当前版图调整为与更新后的当前电路相对应的版图，完成当前版图的更新。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述器件参数值为MOS管的栅长和栅宽，所述对带寄生电路的器件参数值进行调整得到已调整电路包括: 以对带寄生电路中所有同类型的MOS管的栅宽进行相同尺度的调整，及对带寄生电路中栅极连接在一起的一对MOS管的栅长进行相同尺度的调整为约束条件，对带寄生电路的MOS管的栅长和栅宽进行调整得到已调整电路。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述对带寄生电路的器件参数值进行调整得到已调整电路，直至对已调整电路进行性能测试得到的性能测试值与所述性能指标间的相对误差在预设误差范围内为止，并将最终得到的已调整电路作为参照电路包括: 对带寄生电路的器件参数值进行调整，得到已调整电路； 对已调整电路进行性能测试，得到已调整电路的性能测试值； 判断所述已调整电路的性能测试值与所述性能指标间的相对误差是否超出所述预设误差范围； 如是，则: 判断所述已调整电路的性能测试值与所述性能指标间的差值的绝对值是否小于所述带寄生电路的性能测试值与所述性能指标间的差值的绝对值，如是，则将所述带寄生电路更新为所述已调整电路； 如否，则: 将所述已调整电路作为所述参照电路。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对带寄生电路的器件参数值进行调整得到已调整电路包括: 根据所述带寄生电路的性能测试值与所述性能指标间的差值，对所述带寄生电路的器件参数值进行调整。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述带寄生电路的性能测试值与所述性能指标间的差值，对所述带寄生电路的器件参数值进行调整包括: 根据所述带寄生电路的性能测试值与所述性能指标间的差值，确定带寄生电路的器件参数值的取值范围； 对器件参数值在对应器件参数值的取值范围内进行随机调整。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据所述带寄生电路的性能测试值与所述性能指标间的差值，确定带寄生电路的器件参数值的取值范围包括: 计算所述带寄生电路的性能测试值与所述性能指标间的差值的绝对值，作为基准值； 将所述基准值取负加设定值得到增益下限，将所述基准值加所述设定值得到增益上限； 将所述带寄生电路的器件参数值分别乘以所述增益下限和所述增益上限，得到对应器件参数值的取值范围。7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将所述当前版图调整为与更新后的当前电路相对应的版图，完成当前版图的更新包括: 获取与所述当前版图相对应的电路作为上一电路； 计算所述当前电路的MOS管的栅宽与所述上一电路的对应MOS管的栅宽间的差值，作为MOS管的栅宽差值； 计算所述当前电路的MOS管的栅长与所述上一电路的对应MOS管的栅长间的差值，作为MOS管对的栅长差值； 在所述当前版图的基础上，将MOS管的栅宽增加对应MOS管的栅宽差值，及将MOS管的栅长增加对应MOS管的栅长差值，得到与所述当前电路相对应的最新版图； 将所述当前版图更新为所述最新版图。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述当前版图的基础上，将MOS管的栅宽增加对应MOS管的栅宽差值，及将MOS管的栅长增加对应MOS管的栅长差值，得到与所述当前电路相对应的最新版图包括: 在所述当前版图的基础上，将MOS管的栅宽增加对应MOS管的栅宽差值，得到已调整栅宽的版图； 在所述已调整栅宽的版图的基础上，将MOS管的栅长增加对应MOS管的栅长差值，得到与所述当前电路相对应的最新版图。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述当前版图的基础上，将MOS管的栅宽增加对应MOS管的栅宽差值，得到已调整栅宽的版图包括: 在所述当前版图的基础上，将PMOS管的栅宽增加PMOS管的栅宽差值，得到已调整PMOS栅宽的版图； 在所述已调整PMOS栅宽的版图的基础上，将NMOS管的栅宽增加NMOS管的栅宽差值，得到所述已调整栅宽的版图。10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述已调整栅宽的版图的基础上，将MOS管的栅长增加对应MOS管的栅长差值，得到与所述当前电路相对应的最新版图包括: 将栅极连接在一起的一对MOS管视为同一 MOS管； 在所述已调整栅宽的版图的基础上，顺次将不同MOS管的栅长增加对应MOS管的栅长差值，得到与所述当前电路相对应的最新版图。11.一种标准单元优化系统，其特征在于，包括: 获取模块，用于获取标准单元的当前电路和与所述当前电路相对应的当前版图； 寄生参数提起模块，用于提取所述当前版图的寄生参数； 带寄生电路生成模块，用于在所述当前电路中增加所述寄生参数，生成带寄生电路； 测试模块，用于对所述带寄生电路进行性能测试，得到带寄生电路的性能测试值； 判断模块，用于判断所述性能测试值是否满足性能指标的要求； 参数调整模块，用于在所述性能测试值不满足性能指标的要求的情况下，对带寄生电路的器件参数值进行调整得到已调整电路，直至对已调整电路进行性能测试得到的性能测试值与所述性能指标间的相对误差在预设误差范围内为止，并将最终得到的已调整电路作为参照电路； 电路更新模块，用于根据所述参照电路，调整所述当前电路中的器件参数值，完成当前电路的更新；以及， 版图更新模块，用于将所述当前版图调整为与更新后的当前电路相对应的版图，完成当前版图的更新。12.根据权利要求11所述的系统，其特征在于，所述参数调整模块还包括: 参数调整单元，用于对带寄生电路的器件参数值进行调整，得到已调整电路； 调整测试单元，用于对已调整电路进行性能测试，得到已调整电路的性能测试值； 调整判断单元，用于判断所述已调整电路的性能测试值与所述性能指标间的相对误差是否超出所述预设误差范围，如是则输出调整信号，如否则将所述已调整电路作为所述参照电路；以及， 调整更新单元，用于在接收到所述调整信号后，判断所述已调整电路的性能测试值与所述性能指标间的差值的绝对值是否小于所述带寄生电路的性能测试值与所述性能指标间的差值的绝对值，如是，则将所述带寄生电路更新为所述已调整电路。13.根据权利要求12所述的系统，其特征在于，所述参数调整单元还用于根据所述带寄生电路的性能测试值与所述性能指标间的差值，确定带寄生电路的器件参数值的取值范围，并对器件参数值在对应器件参数值的取值范围内进行随机调整。
【专利摘要】本发明公开了一种标准单元优化方法及系统，该方法包括：获取标准单元的当前电路和与当前电路相对应的当前版图；提取当前版图的寄生参数；在当前电路中增加寄生参数，生成带寄生电路；对带寄生电路进行性能测试，得到带寄生电路的性能测试值；如果性能测试值不满足性能指标的要求，则对带寄生电路的器件参数值进行调整得到已调整电路，直至对已调整电路进行性能测试得到的性能测试值与性能指标间的相对误差在预设误差范围内为止，并将最终得到的已调整电路作为参照电路；根据参照电路，完成当前电路的更新；根据更新后的当前电路，完成当前版图的更新。本发明方法及系统可以有效提高标准单元电路和版图的设计效率。
【IPC分类】G06F17/50
【公开号】CN105631075
【申请号】CN201410613739
【发明人】吴玉平, 陈岚, 方山, 张学连
【申请人】中国科学院微电子研究所
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2014年11月4日