数据存储装置及其操作方法与数据处理系统的制作方法_6

文档序号:9929475阅读:来源:国知局
需要的 存储器容量,在该时间戳表中仅存储针对在预定时间间隔期间输入的地址的时间戳。在预 定时间间隔期间输入的地址的数量小于包括在存储器单元阵列381中的所有字线的地址的 数量。如图14所示,存储器容量MAP2小于存储器容量MAPI。
[0171] 附图标记MAP3表示根据本发明构思的其它实施例的包括哈希值表所需的存储器 容量,在该哈希值表中仅存储针对在预定时间间隔期间输入的地址的压缩值(例如,哈希 值)。如图14所示,存储器容量MAP3比容量MAP 1和MAP2小得多。换句话说,在本发明构思的当 前实施例中,与针对各个地址分配预定数量的比特的常规方法相比,仅将针对在预定时间 间隔期间输入的地址的压缩值(或哈希值)存储在内部存储器343中。
[0172] 因此,数据存储装置300A或300B包括哈希值表,其仅存储针对在预定时间间隔期 间输入的写地址的压缩值(例如,哈希值),从而数据存储装置300A或300B可利用更小容量 的内部存储器343来存储需要补偿初始阈电压漂移的写地址。
[0173] 图15是示出根据本发明构思的各个实施例的地址的定义的示图。参照图15,对应 于页的页地址的大小大于对应于字线的地址的大小。字线地址的大小大于对应于块的块地 址的大小。基于闪存的存储器可以页为单位执行编程操作和读操作,并且可以块为单位执 行擦除操作。一块可为一组页。
[0174] 例如,当包括在第二存储器380中的MLC包括2比特信息时,页地址可包括指示最低 有效位(LSB)或最高有效位(MSB)的地址以及字线地址。
[0175] 哈希值产生电路341或者哈希值产生模块330-1可利用页地址、字线地址或块地址 产生哈希值。
[0176] 图16是包括根据本发明构思的实施例的图1或图9所示的数据存储装置300A或 300B的数据中心400的框图。参照图1至图16,例如,数据中心400可包括多个客户端计算机 (由代表性的客户端计算机410-1至410-3表示)、第一网络420、服务器(或者网络服务器) 430、第二网络440和数据处理系统100(其可为数据处理系统100A或100B(由附图标记100统 一指示))。例如,数据处理系统100包括主机200和数据存储装置300A或300B(由附图标记 300统一指示)。例如,数据中心400可为搜索门户或者互联网数据中心(IDC)。
[0177] 客户端计算机410-1至410-3经第一网络420与服务器430通信。例如,客户端计算 机410-1至410-3中的每一个可实现为PC、笔记本计算机、智能电话、平板?(:、?0六、100、可佩 戴计算机、I〇T装置或者IoE装置。服务器430经第二网络440将数据发送至主机200并从主机 200接收数据。当数据存储装置300用作数据库时,主机200可用作控制数据库的操作的数据 库服务器。
[0178] 主机200可控制数据存储装置300的操作。例如,网络420和440中的每一个可为有 线网络、无线网络、互联网、Wi-Fi或者蜂窝网络。
[0179] 虽然上面已经描述了利用多个哈希值产生器和多个哈希值表来补偿初始阈电压 漂移或初始阈电压分布漂移的装置和方法,但是也可根据其它说明性实施例应用本发明构 思,例如:(1)利用单个哈希值产生器和单个哈希值表来补偿初始阈电压漂移或初始阈电压 分布漂移的装置和方法;(2)利用多个哈希值产生器和单个哈希值表来补偿初始阈电压漂 移或者初始阈电压分布漂移的装置和方法;以及(3)利用单个哈希值产生器和多个哈希值 表来补偿初始阈电压漂移或者初始阈电压分布漂移的装置和方法。
[0180] 如上所述,根据本发明构思的各个实施例,允许数据存储装置包括表,所述表存储 针对在预定时间间隔期间输入的地址的压缩值(或哈希值)作为用于补偿初始阈电压漂移 的值,从而数据存储装置可在小容量的内部存储器中存储补偿初始阈电压漂移所需的地 址。
[0181] 虽然已经参照示例性实施例描述了本发明构思,但是本领域技术人员应该清楚, 可在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下,作出各种改变和修改。因此,应该理解,以 上实施例不是限制性的,而是示意性的。
【主权项】
1. 一种操作数据存储装置的方法,其能够补偿多个存储器单元的初始阈电压漂移,该 方法包括步骤: 产生针对第一写地址的第一压缩值,所述第一写地址对应于在不同的时间间隔中的第 一时间间隔期间输入的第一写请求;以及 将第一压缩值存储在多个表中的第一表中。2. 根据权利要求1所述的方法,其中,将第一压缩值存储在第一表中的步骤包括: 利用对应于第一写请求的第一时间戳从所述多个表中选择第一表;以及 将第一压缩值存储在选中的第一表中。3. 根据权利要求1所述的方法,还包括步骤: 产生针对读地址的第二压缩值,所述读地址对应于在所述不同的时间间隔中的第二时 间间隔期间输入的读请求; 在所述多个表中搜索存储了与第二压缩值相同的第一压缩值的第一表; 基于第一表的索引补偿所述多个存储器单元的初始阈电压漂移;以及 利用对应于补偿后的初始阈电压漂移的读电压执行对应于所述读请求的读操作。4. 根据权利要求3所述的方法,其中,基于与所述读请求相对应的第二时间戳以及第一 表的索引执行补偿初始阈电压漂移的步骤。5. 根据权利要求4所述的方法,其中,补偿初始阈电压漂移的步骤包括: 基于第二时间戳和第一表的索引产生控制码; 将所述控制码存储在包括所述多个存储器单元的存储器中;以及 利用存储在所述存储器中的控制码补偿所述多个存储器单元的初始阈电压漂移。6. 根据权利要求3所述的方法,其中,利用一个哈希值产生器产生第一压缩值和第二压 缩值中的每一个。7. 根据权利要求3所述的方法,其中,第一压缩值和第二压缩值分别包括从不同的哈希 值产生器输出的第一哈希值和第二哈希值。8. 根据权利要求1所述的方法,还包括步骤: 周期性地初始化所述多个表。9. 根据权利要求1所述的方法,还包括步骤: 当所述数据存储装置包括三维闪速存储器时,将对应于第一写请求的第一写数据写至 包括所述多个存储器单元的三维闪速存储器。10. 根据权利要求1所述的方法,其中,所述不同的时间间隔分别对应于所述多个表。11. 一种数据存储装置,包括: 包括多个存储器单元的存储器;以及 控制器,其配置为补偿所述多个存储器单元的初始阈电压漂移, 其中,所述控制器包括补偿电路,所述补偿电路配置为:产生针对第一写地址的第一压 缩值,所述第一写地址对应于在不同的时间间隔中的第一时间间隔期间输入的第一写请 求;并且将第一压缩值存储在多个表中的第一表中。12. 根据权利要求11所述的数据存储装置,其中,所述补偿电路包括: 压缩值产生电路,其配置为产生针对第一写地址的第一压缩值;以及 搜索电路,其配置为利用对应于第一写请求的第一时间戳从所述多个表中选择第一 表,并且将第一压缩值存储在选中的第一表中, 其中,所述不同的时间间隔分别对应于所述多个表。13. 根据权利要求12所述的数据存储装置,其中,所述压缩值产生电路产生针对读地址 的第二压缩值,所述读地址对应于在所述不同的时间间隔中的第二时间间隔期间输入的读 请求,并且 其中,所述搜索电路在所述多个表中搜索存储了与第二压缩值相同的第一压缩值的第 一表。14. 根据权利要求13所述的数据存储装置,其中,所述压缩值产生电路利用至少一个哈 希值产生器产生包括至少一个哈希值的第一压缩值以及包括至少一个第二哈希值的第二 压缩值。15. 根据权利要求13所述的数据存储装置,其中,所述搜索电路将第一表的索引输出作 为搜索结果,并且 所述控制器还包括: 判定电路,其配置为利用对应于读请求的第二时间戳和第一表的索引产生控制码;以 及 中央处理单元,其配置为响应于控制码输出用于补偿初始阈电压漂移的补偿码, 其中,所述存储器利用从中央处理单元输出的补偿码补偿所述存储器单元的初始阈电 压漂移,利用对应于补偿后的初始阈电压漂移的读电压从存储器单元读取对应于读命令的 数据,并且将数据输出至控制器。16. 根据权利要求11所述的数据存储装置,其中,所述控制器还包括配置为存储所述多 个表的内部存储器,并且所述控制器周期性地初始化所述表。17. -种数据处理系统,包括: 根据权利要求11所述的数据存储装置;以及 主机,其配置为控制所述数据存储装置的操作。18. 根据权利要求17所述的数据处理系统,其中,所述补偿电路包括: 压缩值产生电路,其配置为产生针对第一写地址的第一压缩值;以及 搜索电路,其配置为利用对应于第一写请求的第一时间戳从所述多个表中选择第一 表,并且将第一压缩值存储在选中的第一表中, 其中,所述不同的时间间隔分别对应于所述多个表。19. 根据权利要求18所述的数据处理系统,其中,所述压缩值产生电路产生针对读地址 的第二压缩值,所述读地址对应于在所述不同的时间间隔中的第二时间间隔期间输入的读 请求,并且所述搜索电路在所述多个表中搜索存储了与第二压缩值相同的第一压缩值的第 一表。20. 根据权利要求19所述的数据处理系统,其中,所述搜索电路将第一表的索引输出作 为搜索结果,并且 所述控制器还包括: 判定电路,其配置为利用对应于读请求的第二时间戳和第一表的索引产生控制码;以 及 中央处理单元,其配置为响应于控制码输出用于补偿初始阈电压漂移的补偿码, 其中,所述存储器利用从所述中央处理单元输出的补偿码补偿所述存储器单元的初始 阈电压漂移,利用对应于补偿后的初始阈电压漂移的读电压从存储器单元读取对应于读命 令的数据,并且将数据输出至所述控制器。21. 根据权利要求17所述的数据处理系统,其中,所述存储器具有包括所述多个存储器 单元的三维存储器阵列,并且 其中,所述三维存储器阵列包括非易失性存储器,其以单片方式形成在具有设置在硅 衬底上的有源区域的存储器单元的一个或多个物理层级中。22. 根据权利要求17所述的数据处理系统,其中,所述存储器具有包括所述多个存储器 单元的三维存储器阵列,并且 其中,所述三维存储器阵列包括多个存储器单元,存储器单元中的每一个包括电荷俘 获层。23. -种数据存储装置,包括: 包括多个存储器单元的存储器;以及 控制器,其配置为响应于控制码补偿所述多个存储器单元的初始阈电压漂移, 其中,所述控制器包括中央处理单元,其配置为产生针对第一写地址的第一压缩值,所 述第一写地址对应于在不同的时间间隔中的第一时间间隔期间输入的第一写请求,并且将 第一压缩值存储在多个表中的第一表中,并且 其中,所述中央处理单元包括: 压缩值产生模块,其配置为产生针对第一写地址的第一压缩值和针对读地址的第二压 缩值,其对应于在所述不同的时间间隔中的第二时间间隔期间输入的读请求; 搜索引擎,其配置为利用对应于第一写请求的第一时间戳从所述多个表中选择第一 表,并且将第一压缩值存储在选中的第一表中,其中,所述不同的时间间隔分别对应于所述 多个表;以及 判定模块,其配置为利用对应于所述读请求的第二时间戳和第一表的索引产生控制 码。
【专利摘要】本发明提供了一种操作数据存储装置的方法,其能够补偿多个存储器单元的初始阈电压漂移。所述方法包括:产生针对第一写地址的第一压缩值,所述第一写地址对应于在不同的时间间隔中的第一时间间隔期间输入的第一写请求;以及将第一压缩值存储在多个表中的第一表中。本发明还提供了一种数据存储装置和数据处理系统。
【IPC分类】G06F12/0802
【公开号】CN105718385
【申请号】CN201510969163
【发明人】李东焕, 孔骏镇, 薛昶圭, 孙弘乐
【申请人】三星电子株式会社
【公开日】2016年6月29日
【申请日】2015年12月22日
【公告号】US20160179415
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