Rfid芯片防转移的方法、防转移rfid芯片和电路的制作方法
【专利摘要】RFID芯片防转移的方法、防转移RFID芯片和电路,涉及RFID技术。本发明的方法包括下述步骤：1)在RFID芯片内设置第一存储器和比较器；2)在RFID芯片外设置外部特征器件，并与RFID芯片形成电路连接；3)初始化：RFID芯片测量外部器件的特性参数，并存储于第一存储器；4)初始化完成后，在工作状态下，RFID检测与其连接的外部器件的特性参数，与存储的特性参数进行比较，若不符合一致性判定条件，则将自身设定为异常状态。本发明的有益效果是，能够检测到RFID芯片的重复利用，极大的增加了制假难度，具有良好的防伪效果。本发明简单易行，成本低廉。
【专利说明】
RF ID芯片防转移的方法、防转移RF ID芯片和电路
技术领域
[0001 ]本发明涉及RFID技术。
【背景技术】
[0002]RFID技术即无线射频识别技术，是一种非接触的自动识别技术，其基本原理是利用射频信号和空间耦合(电感或电磁耦合)或雷达反射的传输特性，实现对被识别物体的自动识别。目前RFID已经开始用于物品的防伪，例如高档白酒的防伪。在RFID防伪领域，一个主要课题就是如何防转移，也就是防止真标签被从真品上剥离后贴在伪品上。常见的方法是利用RFID标签天线的毁坏实现防转移，也就是利用防揭、易碎等技术使RFID标签天线在脱离附着物时被破坏，从而使标签不能工作。但上述方法中，RFID芯片仍完好无损，有可能被取下后重新封装利用，这样防转移并不彻底。
【发明内容】
[0003]本发明所要解决的技术问题是，提供一种使RFID芯片能检测到曾经被取下并重新封装的情况并以此改变自身状态，使芯片难以被转移后重复利用的技术。
[0004]本发明解决所述技术问题采用的技术方案是，1、RFID芯片防转移的方法，其特征在于，包括下述步骤:
[0005]I)在RFID芯片内设置第一存储器和比较器；
[0006]2)在RFID芯片外设置外部特征器件，并与RFID芯片形成电路连接；
[0007]3)初始化:RFID芯片测量外部器件的特性参数，并存储于第一存储器；
[0008]4)初始化完成后，在工作状态下，RFID检测与其连接的外部器件的特性参数，与存储的特性参数进行比较，若不符合一致性判定条件，则将自身设定为异常状态。
[0009]进一步的，所述外部特征器件为电阻，其特性参数为电阻值；
[0010]或者，所述外部特征器件为电容，其特性参数为电容值；
[0011]或者，所述外部特征器件为电感，其特性参数为电感值。
[0012]更进一步的，所述外部特征器件包括至少两个电阻，其特性参数为各电阻的电阻值的比值；
[0013]或者，所述外部特征器件包括至少两个电容，其特性参数为各电容的电容值的比值；
[0014]或者，所述外部特征器件包括至少两个电感，其特性参数为各电感的电感值的比值。
[0015]所述一致性判定条件为:差值在预设范围内。
[0016]本发明还提供一种防转移RFID芯片，其特征在于，包括:
[0017]外部特征器件接口，用于与RFID芯片外部的特征器件形成电路连接；
[0018]外部器件特性参数检测电路，用于检测连接到外部特征器件接口的外部器件的特性参数；
[0019]第一存储器，用于存储外部特征器件的初始特性参数；
[0020]控制模块，用于在工作状态下对初始特性参数和检测到的外部器件特性参数作比较，以及，在比较结果为不符合一致性判定条件时将RFID芯片设定为异常状态；
[0021]外部器件特性参数检测电路和第一存储器分别与控制模块连接，外部器件特性参数检测电路与外部特征器件接口连接。
[0022]进一步的，所述外部特征器件为电阻，其特性参数为电阻值；
[0023]或者，所述外部特征器件为电容，其特性参数为电容值；
[0024]或者，所述外部特征器件为电感，其特性参数为电感值。
[0025]更进一步的，所述外部特征器件包括至少两个电阻，其特性参数为各电阻的电阻值的比值；
[0026]或者，所述外部特征器件包括至少两个电容，其特性参数为各电容的电容值的比值；
[0027]或者，所述外部特征器件包括至少两个电感，其特性参数为各电感的电感值的比值。
[0028]本发明还提供一种防转移RFID芯片电路，其特征在于，包括:
[0029]外部特征器件接口，用于与RFID芯片外部的特征器件形成电路连接；
[0030]外部器件特性参数检测电路，用于检测连接到外部特征器件接口的外部器件的特性参数；
[0031 ]第一存储器，用于存储外部特征器件的初始特性参数；
[0032]控制模块，用于在工作状态下对初始特性参数和检测到的外部器件特性参数作比较，以及，在比较结果为不符合一致性判定条件时将RFID芯片设定为异常状态；
[0033]外部器件特性参数检测电路和第一存储器分别与控制模块连接，外部器件特性参数检测电路与外部特征器件接口连接；
[0034]还包括外部特征器件，所述外部特征器件为电阻、电容或电感。
[0035]进一步的，所述外部特征器件包括至少两个电阻，其特性参数为各电阻的电阻值的比值；
[0036]或者，所述外部特征器件包括至少两个电容，其特性参数为各电容的电容值的比值；
[0037]或者，所述外部特征器件包括至少两个电感，其特性参数为各电感的电感值的比值。
[0038]本发明的有益效果是，能够检测到RFID芯片的重复利用，极大的增加了制假难度，具有良好的防伪效果。本发明简单易行，成本低廉。
【附图说明】
[0039]图1是本发明的实施例1的结构示意图。
[0040]图2是本发明的实施例2的结构示意图。
【具体实施方式】
[0041 ] 实施例1:
[0042]参见图1。
[0043]本发明的RFID芯片除天线引脚外增加两个引脚，用于连接一个外部器件(典型的为电阻，也可为电容或电感，为方便起见以下描述和图示以电阻为例)C3RFID芯片内部有专门的电路可对阻值进行测量。RFID芯片的存储器内还开辟专门区域，用于存放测量到的阻值。此外，RFID芯片还有比较电路(由处理模块完成)，能自动对比存放在存储器内的阻值与当前测量到的阻值。
[0044]电阻以印刷等方式附着在RFID标签天线上，其阻值是非特定的，也就是说每个标签上的阻值各不相同。该电阻采用受温度、湿度影响较小的材料构成，确保其阻值相对稳定。电阻体积非常小，并在表面做适当防护，难以用普通仪表测量到阻值。
[0045]RFID芯片封装成RFID标签后，首先进行初始化，其过程是在指令的作用下RFID芯片测得当前的阻值，并把该阻值存放于存储器内。一旦RFID芯片完成了初始化，存储器内的阻值数据将被锁定不能更改。此后，RFID芯片会在每次上电后自动对比存放在存储器内的阻值与当前测量到的阻值。
[0046]当RFID芯片被取下并重新封装，很难确保阻值不变。此时只要重新上电，RFID芯片就会检测到当前阻值与存储器内阻值不一致。一旦发生这种情况，RFID芯片就主动且不可逆地改变自身状态，设定为异常状态，例如改写存储器内特定地址的数据并锁定。
[0047]外界读写器很容易获知RFID芯片上述状态的改变，从而获知该RFID芯片是转移后重复利用的，最终达到防转移的目的。
[0048]实施例2
[0049]考虑到实施例1中有一个条件“该电阻采用受温度、湿度影响较小的材料构成，确保其阻值相对稳定”，在工程上有一定难度。针对这个问题，可以将对阻值绝对值的测量改进为对阻值比值的测量，这样改进后就形成下面的方案。
[0050]如图2，RFID芯片除天线引脚外增加三个引脚，用于连接两个外部器件(典型的为电阻，也可为电容或电感，为方便起见以下描述和图示以电阻为例)C3RFID芯片内部有专门的电路可对阻值的比值进行测量。RFID芯片的存储器内还开辟专门区域，用于存放测量到的阻值比值。此外，RFID芯片还有比较电路，能自动对比存放在存储器内的阻值比值与当前测量到的阻值比值。
[0051]电阻以印刷等方式附着在RFID标签天线上，其阻值是非特定的，也就是说每个标签上的阻值各不相同，那么每个标签的阻值比值也是不同的。但是，对于同一个标签而言，这种比值一旦建立就基本稳定，不会受温度、湿度影响而变化，除非芯片被取下后重新封装。上述电阻体积非常小，并在表面做适当防护，难以用普通仪表测量到阻值及阻值比值。
[0052]RFID芯片封装成RFID标签后，要进行一个初始化动作。其过程是在特殊指令的作用下RFID芯片测得当前的阻值比值，并把该阻值比值存放于存储器内。一旦RFID芯片完成了初始化，存储器内的阻值比值数据将被锁定不能更改。此后，RFID芯片会在每次上电后自动对比存放在存储器内的阻值比值与当前测量到的阻值比值。
[0053]当RFID芯片被取下并重新封装，很难确保阻值比值不变。此时只要重新上电，RFID芯片就会检测到当前阻值比值与存储器内阻值比值不一致。一旦发生这种情况，RFID芯片就主动且不可逆地改变自身状态，例如改写存储器内特定地址的数据并锁定。
[0054]外界读写器很容易获知RFID芯片上述状态的改变，从而获知该RFID芯片是转移后重复利用的，最终达到防转移的目的。
[0055]以上提供了电阻作为外部器件的实施例，类似的，可以以电容或电感实现，对于普通技术人员而言，是毫无难度的，故不再赘述其细节。
【主权项】
1.RFID芯片防转移的方法，其特征在于，包括下述步骤: 1)在RFID芯片内设置第一存储器和比较器； 2)在RFID芯片外设置外部特征器件，并与RFID芯片形成电路连接； 3)初始化:RFID芯片测量外部器件的特性参数，并存储于第一存储器； 4)初始化完成后，在工作状态下，RFID检测与其连接的外部器件的特性参数，与存储的特性参数进行比较，若不符合一致性判定条件，则将自身设定为异常状态。2.如权利要求1所述的RFID芯片防转移的方法，其特征在于， 所述外部特征器件为电阻，其特性参数为电阻值； 或者，所述外部特征器件为电容，其特性参数为电容值； 或者，所述外部特征器件为电感，其特性参数为电感值。3.如权利要求1所述的RFID芯片防转移的方法，其特征在于， 所述外部特征器件包括至少两个电阻，其特性参数为各电阻的电阻值的比值； 或者，所述外部特征器件包括至少两个电容，其特性参数为各电容的电容值的比值； 或者，所述外部特征器件包括至少两个电感，其特性参数为各电感的电感值的比值。4.如权利要求1所述的RFID芯片防转移的方法，其特征在于，所述一致性判定条件为:差值在预设范围内。5.防转移RFID芯片，其特征在于，包括: 外部特征器件接口，用于与RFID芯片外部的特征器件形成电路连接；外部器件特性参数检测电路，用于检测连接到外部特征器件接口的外部器件的特性参数； 第一存储器，用于存储外部特征器件的初始特性参数； 控制模块，用于在工作状态下对初始特性参数和检测到的外部器件特性参数作比较，以及，在比较结果为不符合一致性判定条件时将RFID芯片设定为异常状态； 外部器件特性参数检测电路和第一存储器分别与控制模块连接，外部器件特性参数检测电路与外部特征器件接口连接。6.如权利要求5所述的防转移RFID芯片，其特征在于， 所述外部特征器件为电阻，其特性参数为电阻值； 或者，所述外部特征器件为电容，其特性参数为电容值； 或者，所述外部特征器件为电感，其特性参数为电感值。7.如权利要求5所述的防转移RFID芯片，其特征在于， 所述外部特征器件包括至少两个电阻，其特性参数为各电阻的电阻值的比值； 或者，所述外部特征器件包括至少两个电容，其特性参数为各电容的电容值的比值； 或者，所述外部特征器件包括至少两个电感，其特性参数为各电感的电感值的比值。8.防转移RFID芯片电路，其特征在于，包括: 外部特征器件接口，用于与RFID芯片外部的特征器件形成电路连接；外部器件特性参数检测电路，用于检测连接到外部特征器件接口的外部器件的特性参数； 第一存储器，用于存储外部特征器件的初始特性参数；控制模块，用于在工作状态下对初始特性参数和检测到的外部器件特性参数作比较，以及，在比较结果为不符合一致性判定条件时将RFID芯片设定为异常状态； 外部器件特性参数检测电路和第一存储器分别与控制模块连接，外部器件特性参数检测电路与外部特征器件接口连接； 还包括外部特征器件，所述外部特征器件为电阻、电容或电感。9.如权利要求8所述的防转移RFID芯片电路，其特征在于， 所述外部特征器件包括至少两个电阻，其特性参数为各电阻的电阻值的比值； 或者，所述外部特征器件包括至少两个电容，其特性参数为各电容的电容值的比值； 或者，所述外部特征器件包括至少两个电感，其特性参数为各电感的电感值的比值。
【文档编号】G06K19/073GK105913108SQ201610222487
【公开日】2016年8月31日
【申请日】2016年4月11日
【发明人】邸鹏, 毛军华, 华福春, 邱林江
【申请人】江苏凯路威电子科技有限公司