感压传感器的制造方法

感压传感器的制造方法
【专利摘要】本公开的一个方式所涉及的感压传感器具备：第一电介质层，其具有弹性，并且具有第一面以及与所述第一面相反的一侧的第二面；第一导体层，其配置在所述第一面上；线状的第二导体层，其配置在所述第二面上；和第一时域反射测定装置，其与所述第一导体层以及所述第二导体层连接，所述第一导体层位于所述第一面中至少与所述第二导体层对向的区域。
【专利说明】
感压传感器
技术领域
[0001]本公开涉及感压传感器、以及组装了该感压传感器的触摸面板以及开关等感压装置。
【背景技术】
[0002]近年来，伴随智能手机等便携设备的普及，探测手指等的接触的操作设备以及感压传感器被广泛使用。但是，在这些设备的静电电容式触摸面板以及静电电容式开关等中，存在关于误动作的课题。详细而言，存在如下课题:即使操作者本人没有打算触摸或者按压，只要手指接近，或者，只要轻微接触，就会识别为触摸或按下动作来对接触进行探测，弓丨起操作者本人并不想要的设备的动作。
[0003]此外，这些静电电容式的触摸面板以及开关由于形成一定的静电电容，或者由于在X-Y方向上形成许多布线，因此存在无法屈曲以及伸缩的课题，以及存在引出的布线变多且成本变高的课题。
[0004]对于这样的课题，在JP实开平5-4254号公报所记载的输入装置中，公开了如下方法:在屏幕表面蜿蜒状地形成布线，作为与被接地的GND之间的电容变化，通过时域反射测定(Time Domain Ref lectometry，以下，简称为TDR)法测定手指对蜿蜓状的布线的接触位置。
[0005]此外，在JP特开2011-89923号公报所记载的传感器中，公开了如下方法:在弹性支撑体上卷绕线圈，将伴随弹性支撑体的伸长的变形捕捉为线圈的阻抗变化，并使用TDR法来进行测定，由此来检测伸长变形的大小和位置。

【发明内容】

[0006]解决课题的手段
[0007]本公开的一个方式所涉及的感压传感器具备:第一电介质层，其具有弹性，并且具有第一面以及与所述第一面相反的一侧的第二面;第一导体层，其配置在所述第一面上;线状的第二导体层，其配置在所述第二面上;和第一时域反射测定装置，其与所述第一导体层以及所述第二导体层连接，所述第一导体层位于所述第一面中至少与所述第二导体层对向的区域。
[0008]发明效果
[0009]本公开的感压传感器，尽管具有简易的构造，却能够不引起误动作地对接触的位置以及接触所产生的压力的大小进行检测。
【附图说明】
[0010]图1是用于对本公开的感压传感器的检测原理进行说明的感压传感器的示意剖面图。
[0011]图2A是表示用于对本公开的感压传感器的检测原理进行说明的动作状态的图。
[0012]图2B是表示用于对本公开的感压传感器的检测原理进行说明的动作状态的图。
[0013]图2C是表示用于对本公开的感压传感器的检测原理进行说明的动作状态的图。
[0014]图3A是本公开的实施方式I所涉及的感压传感器的立体图。
[0015]图3B是在箭头方向来观察本公开的实施方式I所涉及的感压传感器的3B-3B剖面时的示意剖面图。
[0016]图3C是在箭头方向来观察本公开的实施方式I所涉及的感压传感器的3C-3C剖面时的示意剖面图。
[0017]图3D是使用本公开的实施方式I所涉及的感压传感器来检测压力时的电路结构图。
[0018]图4A是表示在本公开的实施方式I所涉及的感压传感器中未施加压力的情况下的电压的经时变化的曲线图。
[0019]图4B是表示在本公开的实施方式I所涉及的感压传感器中在特定的地方施加了压力的情况下的电压的经时变化的曲线图。
[0020]图4C是表示在本公开的实施方式I所涉及的感压传感器中在与图4B同样的地方施加了不同的压力的情况下的电压的经时变化的曲线图。
[0021]图4D是表示在本公开的实施方式I所涉及的感压传感器中在与图4B不同的地方施加了同样的压力的情况下的电压的经时变化的曲线图。
[0022]图5A是本公开的实施方式2所涉及的感压传感器的立体图。
[0023]图5B是在箭头方向来观察本公开的实施方式2所涉及的感压传感器的5B-5B剖面时的示意剖面图。
[0024]图5C是在箭头方向来观察本公开的实施方式2所涉及的感压传感器的5C-5C剖面时的示意剖面图。
[0025]图5D是使用本公开的实施方式2所涉及的感压传感器来检测压力时的电路结构图。
[0026]图6A是本公开的实施方式2所涉及的感压传感器中的第三导体层的示意图。
[0027]图6B是本公开的实施方式2所涉及的感压传感器中的第二导体层的示意图。
[0028]图7A是本公开的实施方式3所涉及的感压传感器的示意剖面图。
[0029]图7B是本公开的实施方式3所涉及的感压传感器的示意剖面图。
[0030]图8A是本公开的实施方式4所涉及的感压传感器的立体图，是将屏蔽层以及屏蔽层形成用电介质层的一部分剥去后的感压传感器的立体图。
[0031]图SB是在箭头方向来观察本公开的实施方式4所涉及的感压传感器的8B-8B剖面时的示意剖面图。
[0032]图SC是在箭头方向来观察本公开的实施方式4所涉及的感压传感器的8C-8C剖面时的示意剖面图。
[0033]图9A是本公开的实施方式5所涉及的感压传感器的示意剖面图。
[0034]图9B是本公开的实施方式5所涉及的感压传感器的示意剖面图。
[0035]图1OA是本公开的实施方式6所涉及的感压传感器的俯视图。
[0036]图1OB是在箭头方向来观察本公开的实施方式6所涉及的感压传感器的10B-10B剖面时的示意剖面图。
[0037]图11是表示使用了本公开的感压传感器的感压装置的形状的一例的示意图。
[0038]图12是表示使用了本公开的感压传感器的感压装置的形状的一例的示意图。
[0039]图13A是表示使用了本公开的感压传感器的感压装置的形状的一例的示意图。
[0040]图13B是表示使用了本公开的感压传感器的感压装置的形状的一例的示意图。
[0041]图14是表示使用了本公开的感压传感器的感压装置的形状的一例的示意图。
[0042]图15是表示使用了本公开的感压传感器的感压装置的形状的一例的示意图。
[0043]标号说明
[0044]1:电介质层(第一电介质层)
[0045]10:第一导体层
[0046]11:引出部
[0047]20:第二导体层
[0048]21:引出部
[0049]25:25A:25B:第二电介质层
[0050]30:第三导体层
[0051]35:屏蔽层形成用电介质层
[0052]40:屏蔽层
[0053]50:屏蔽层
[0054]60:60a:时域反射测定装置
[0055]61:61a:信号输入装置
[0056]62:62a:反射测定装置
[0057]63:63a:阳极侧输出端子
[0058]64:64a:阴极侧输出端子
[0059]65:65a:阳极侧输入端子
[0000]66:66a:阴极侧输入端子
【具体实施方式】
[0061]本申请的发明人专心研究之后，发现了现有的感压传感器在以下方面存在改善点。
[0062]在JP实开平5-4254号公报的方法中，存在如下课题:由于检测对地间的电容，因此无法检测接触所产生的压力的大小；由于检测对地间的电容，因此无法在表层设置屏蔽层，因而容易受到干扰的影响而灵敏度降低;为了提高蜿蜒状的布线方向的位置检测精度，需要提高频率，装置变得高价等。
[0063]在JP特开2011-89923号公报的方法中，存在如下课题:即使能够检测伸缩，也无法检测压力的大小;为了设为触摸屏幕等的平坦的结构，需要将卷绕了线圈的支撑构件蜿蜒状地配置在平板上，成本变高;容易受到干扰的影响而检测灵敏度下降;形状复杂且难以使其透明等。
[0064]本公开提供一种尽管具有简易的构造，却能够不引起误动作地对接触的位置以及接触所产生的压力的大小进行检测的感压传感器。
[0065]本公开的一个方式所涉及的感压传感器，具备:第一电介质层，其具有弹性，并且具有第一面以及与所述第一面相反的一侧的第二面;第一导体层，其配置在所述第一面上；线状的第二导体层，其配置在所述第二面上;和第一时域反射测定装置，其与所述第一导体层以及所述第二导体层连接，所述第一导体层位于所述第一面中至少与所述第二导体层对向的区域。
[0066]在本公开的一个方式所涉及的感压传感器中，也可以是所述第一导体层具有网状形状或片状形状。
[0067]在本公开的一个方式所涉及的感压传感器中，也可以是所述第一时域反射测定装置，在来自外部的应力被施加于所述第一电介质层的至少一部分时，向所述第一导体层以及第二导体层输入第一信号，并且测定所述第一信号在所述第一电介质层的所述至少一部分发生反射而产生的第一反射波的大小、以及第一反射时间，所述第一反射时间是所述第一信号被输入至所述第一导体层以及第二导体层之后直到所述第一反射波到达所述第一时域反射测定装置为止的时间。
[0068]在本公开的一个方式所涉及的感压传感器中，也可以是所述第一时域反射测定装置包括:第一信号输入装置，其向所述第一导体层以及第二导体层输入第一信号;第一反射波检测装置，其检测所述第一信号在所述第一电介质层的至少一部分发生反射而产生的第一反射波;和第一反射时间测定装置，其测定第一反射时间，所述第一反射时间是所述第一信号被输入至所述第一导体层以及第二导体层之后直到所述第一反射波到达所述第一时域反射测定装置为止的时间，所述第一信号输入装置以及所述第一反射波检测装置均与所述第一导体层以及第二导体层连接，所述第一反射时间测定装置与所述第一反射波检测装置连接。
[0069]在本公开的一个方式所涉及的感压传感器中，也可以是所述第一导体层覆盖所述第一面的整面，所述第二导体层具有蜿蜒形状。
[0070]本公开的一个方式所涉及的感压传感器，也可以还具备:第二电介质层，其配置在所述第二导体层上以及所述第一电介质层的所述第二面上，具有弹性;和屏蔽层，其配置在所述第二电介质层上，具有导电性。
[0071]本公开的一个方式所涉及的感压传感器，也可以还具备:第二电介质层，其配置在所述第二导体层上以及所述第一电介质层的所述第二面上，具有弹性;和线状的第三导体层，其配置在所述第二电介质层上。
[0072]在本公开的一个方式所涉及的感压传感器中，也可以是所述第二导体层以及所述第三导体层具有蜿蜒形状。
[0073]在本公开的一个方式所涉及的感压传感器中，也可以是所述第二导体层包括在第一方向上延伸的多个第一直线部、和分别比所述多个第一直线部的每一个短的多个第一连接部，所述多个第一连接部的每一个将所述多个第一直线部中相邻的2个第一直线部的端部连结，所述第三导体层包括在与所述第一方向不同的第二方向上延伸的多个第二直线部、和分别比所述多个第二直线部的每一个短的多个第二连接部，所述多个第二连接部的每一个将所述多个第二直线部中相邻的2个第二直线部的端部连结。
[0074]本公开的一个方式所涉及的感压传感器，也可以还具备与所述第一导体层以及第三导体层连接的第二时域反射测定装置。
[0075]在本公开的一个方式所涉及的感压传感器中，也可以是所述第二时域反射测定装置包括:第二信号输入装置，其向所述第一导体层以及第三导体层输入第二信号;第二反射波检测装置，其检测所述第二信号在所述第一电介质层以及所述第二电介质层的至少一部分发生反射而产生的第二反射波;和第二反射时间测定装置，其测定第二反射时间，所述第二反射时间是所述第二信号被输入至所述第一导体层以及第三导体层之后直到所述第二反射波到达所述第二时域反射测定装置为止的时间，所述第二信号输入装置以及所述第二反射波检测装置均与所述第一导体层以及第三导体层连接，所述第二反射时间测定装置与所述第二反射波检测装置连接。
[0076]本公开的一个方式所涉及的感压传感器，也可以还具备开关，所述开关配置在所述第一时域反射测定装置与所述第二导体层之间，在所述第一时域反射测定装置与所述第二导体层被连接的状态、和所述第一时域反射测定装置与所述第三导体层被连接的状态之间进行切换。
[0077]本公开的一个方式所涉及的感压传感器，也可以还具备:第三电介质层，其配置在所述第三导体层上以及配置有所述第三导体层的所述第二电介质层上，具有弹性;和屏蔽层，其配置在所述第三电介质层上，具有导电性。
[0078]本公开的一个方式所涉及的感压传感器也可以还具备配置在所述第二电介质层内且具有导电性的屏蔽层。
[0079]在本公开的一个方式所涉及的感压传感器中，也可以是所述第一导体层以及所述第二导体层中的至少I个包含氧化铟锡(Indium Tin Oxide)。
[0080]在本公开的一个方式所涉及的感压传感器中，也可以是所述第一电介质层包含透明的树脂。
[0081][感压传感器]
[0082]本公开的感压传感器是通过至少使用I条线状的布线作为I个导体层，从而能够检测接触的位置以及接触压力的大小的检测器。
[0083]以下，参照附图对本公开的一个实施方式所涉及的感压传感器进行说明。附图所示的各种要素以及构件，只不过为了本公开的理解而示意性地进行了表示，尺寸比以及外观等可能与实物不同，需要留意。此外，在本说明书中直接或间接使用的“上下方向”相当于与图中的上下方向对应的方向。此外，只要没有特别记载，相同的标号或记号除了形状不同以外，表示相同构件或相同意思的内容。
[0084]本公开的感压传感器基于时域反射测定法(Time Domain Ref lectrometry)(以下，简称“TDR法”)，通过来自外部的应力所引起的电介质层的弹性变形来产生反射波，并通过测定该反射波，来检测接触所引起的变形位置以及接触压力的大小。使用图1来说明本公开的感压传感器的检测原理。
[0085]图1是示意性地表示本公开的最单纯的构成的感压传感器100的剖面图。本公开的感压传感器100具备电介质层1、第一导体层10、第二导体层20以及时域反射测定装置60。
[0086]在本公开的感压传感器100中，电介质层I由弹性体构成，在该电介质层I的不同的两面分别形成了第一导体层10以及第二导体层20。第二导体层20形成为线状的布线，第一导体层10至少形成在与第二导体层20的形成区域对向的区域。时域反射测定装置60连接于这种第一导体层10以及第二导体层20。
[0087]在这种感压传感器100中，若从时域反射测定装置60向第一导体层10以及第二导体层20输入信号80以施加给定的电压，则能够测定在作为阻抗不匹配部分的弹性变形部71发生的反射波。即，能够基于来自外部的应力70所引起的电介质层的弹性变形部71来产生反射波81。在时域反射测定装置60中测定了电压的经时变化时，能够通过电压的变动来观测该反射波81。通过将电压发生变动时的变动幅度度作为反射波的大小来进行测定，而且对施加了电压之后到发生变动为止的时间(反射波81返回的时间(反射时间))进行测定，能够检测接触所引起的变形位置以及接触压力的大小。
[0088]使用图2A?图2C来具体说明电压的经时变化。图2A是对感压传感器100没有施加任何应力的情况下的曲线图。图2B是对全长1^的第二导体层20上的和与时域反射测定装置60的连接部分相距距离U/2的部分X施加了 F1的应力的情况下的曲线图。图2C是对第二导体层20上的与前述同样的部分X施加了 h/2的应力的情况下的曲线图。
[0089]在图2A中，由于未施加应力，因此电介质层I的厚度不发生变化。因此，第二导体层20和第一导体层10的距离可以视为在第二导体层20的所有部分具有固定的阻抗的传输线路。因此，若从时域反射测定装置60在时间O输入信号以施WV1的电压，则在时域反射测定装置60中从时间O至1^能够测SV1的电压。在时间T1，电压示出大于￥1的值，是因为测定出了在第二导体层20上的和与时域反射测定装置60的连接部分相反的一侧的端部反射的信号。
[0090]在时间T1能够观测到反射波说明电信号在所述第二导体层20的长度L1上往复所需的时间ST1。这种电信号往复所需的时间!^由电介质层I的相对介电常数及厚度以及第二导体层20的布线宽度等来决定。
[0091]接着，在对第二导体层20上的和与时域反射测定装置60的连接部分相距距离U/2的部分X垂直地施加了应力的情况下，电介质层I由于应力而发生变形，厚度减小。因此，第二导体层20与第一导体层10的距离变短，该部分的静电电容增加。这表示阻抗变低了，在该阻抗的不匹配部分发生反射波。
[0092]对该状态进行表示的曲线图为图2B。在时间T2，电压变低表示反射波的发生。时间T2表示图2Α的时间T1的一半的时间(T2 = T1A)13因此，可知对第二导体层20上的和与时域反射测定装置60的连接部分相距距离U/2的点施加了应力。
[0093]此外，在对与图2Β相同的部分X施加了Fi/2的应力的情况下的曲线图为图2C，可知电压的减小幅度比图2B小。像这样通过对电压的变动幅度进行测定，能够测定所施加的应力。
[0094]对构成本公开的感压传感器100的各构件进行说明。
[0095]电介质层I由具有“弹性特性”的弹性体构成。“弹性特性”是指，因外力而局部凹下变形，若去除外力则还原为原来的形状的特性。电介质层I只要具有能够通过对感压传感器施加的通常的按压力(例如约IN?1N的按压力)而发生弹性变形的程度的弹性模量即可，例如也可以具有约14Pa?11t3Pa的弹性模量。
[0096]电介质层I只要具有作为“电介质”的性质，并且具有上述那样的“弹性特性”，则可以由任意的材质构成。例如，电介质层I可以包含硅酮树脂(例如，聚二甲基硅氧烷(PDMS)等)、苯乙烯系树脂、丙烯酸系树脂、轮烷系树脂等的聚合物材料而构成。弹性模量可以通过对聚合物材料的聚合度以及/或者交联度等进行变更来进行调整。
[0097]电介质层I的厚度只要为在通常的按压力范围内能够发生弹性变形的程度的厚度即可。
[0098]电介质层I可以通过对预先利用公知的方法而合成的聚合物材料进行切割而得至IJ。此外电介质层I也可以通过在电子学安装领域被常规使用的聚合物层的形成方法来形成。
[0099]第一导体层10是在电介质层I的一个面形成的导体层，只要具有在静电电容式感压传感器的领域能够构成所谓的电极的程度的导电特性，则可以由任意的材料构成。作为构成第一导体层10的材料，例如，可以列举铜、铝、银、不锈钢以及氧化铟锡(ITO)等。
[0100]第一导体层10也可以为具有用于阻断来自外部的电磁以及/或者静电干扰(噪声)的屏蔽功能的屏蔽层。第一导体层10也可以为所谓的接地层。
[0101]第一导体层10只要至少形成在与第二导体层20的形成区域对向的区域，则可以由任何形状形成。与第二导体层20的形成区域对向的区域是指，在电介质层I的另一个面形成的后述的第二导体层20的形成区域的正下方所对应的电介质层I的一个面的区域。第一导体层10只要至少形成于这样的对应区域即可。第一导体层10既可以具有例如网状地开孔而成的网状形态，或者也可以具有该孔堵住的片状形态(即，在给定区域的实质整面存在构成材料的形态)。第一导体层10只要具有这种形状，则通常具有屏蔽功能。
[0102]第一导体层10也可以在电介质层I的面上整面地形成。第一导体层10通常形成于电介质层I的整面，但根据电介质层I的另一个面上的第二导体层20的形成状况，第一导体层10也可以不必形成于电介质层I的整面。例如，在存在电介质层I的另一个面上未完全形成第二导体层20的非形成区域部分的情况下，在该非形成区域部分的正下方所对应的区域部分既可以形成第一导体层10，或者也可以不形成第一导体层10。
[0103]第一导体层10的厚度只要能够通过TDR法来检测反射波则没有特别限定。
[0104]第一导体层10可以通过镀敷法或粘接法等而形成于电介质层I的表面。关于后述的第二导体层、第三导体层、屏蔽层，也可以通过同样方法来形成。镀敷法以包含干式镀敷法以及湿式镀敷法的概念而使用。作为干式镀敷法，例如，可以列举溅射法、真空蒸镀法以及离子电镀法等真空镀敷法(PVD法)；化学气相镀敷法(CVD法)。作为湿式镀敷法，例如，可以列举电镀法，例如电解镀敷法;化学镀敷法;熔融镀敷法。作为镀敷法可以列举干式镀敷法，例如溅射法。粘接法是通过粘接剂将预先形成的第一导体层10粘贴于电介质层的表面的方法。
[0105]第二导体层20是在电介质层I的另一个面上作为线状的布线而形成的导体层。第二导体层20只要具有在静电电容式感压传感器的领域能够构成所谓的电极的程度的导电特性，则可以由任意的材料构成。作为构成第二导体层20的材料，例如可以列举铜、铝、银、不锈钢以及ITO等。
[0106]第二导体层20的布线宽度只要能够通过TDR法来检测反射波则没有特别限定。第二导体层20的布线长度只要根据希望的传感器区域的大小来适当设定即可。
[0107]第二导体层20的厚度只要能够通过TDR法来检测反射波则没有特别限定。
[0108]第二导体层20虽然在图1中具有直线形状，但只要是网罗希望的传感器区域的形状则没有特别限定。第二导体层20既可以具有例如后述的实施方式I所示那样的蜿蜒形状，也可以具有实施方式6所示那样的局部存在密集区域的疏密形状。
[0109]第二导体层20可以通过与第一导体层10同样的方法来形成。例如，可以通过在形成了镀敷层之后，进行图案形成处理，从而设为线状。图案形成处理方法自身只要是在电子学安装领域使用的处理方法则没有特别限定。例如，采用光刻法。在光刻法中，例如，在镀敷层上形成抗蚀层，进行曝光以及显影，并进行蚀刻。
[0110]在一个面具有第一导体层10，并且在另一个面具有第二导体层20的电介质层1，也可以通过对市售的双面覆铜层叠板的一方的铜箔进行与上述同样的图案形成处理来得到。双面覆铜层叠板是在聚合物板的两面粘接或形成了铜箔的层叠板。只要从这种双面覆铜层叠板的市售品中，特别选择作为聚合物板而具有希望的弹性模量的双面覆铜层叠板来使用即可。
[0111]时域反射测定装置60通常由信号输入装置、反射波检测装置以及反射时间测定装置构成。信号输入装置以及反射波检测装置均与第一导体层以及第二导体层连接。详细而言，在信号输入装置的阳极侧输出端子与第一导体层10连接的情况下，反射波检测装置的阳极侧输入端子也同样与第一导体层10连接，信号输入装置的阴极侧输出侧端子以及反射波检测装置的阴极侧输入端子与第二导体层20连接。与此相反，在信号输入装置的阳极侧输出端子与第二导体层20连接的情况下，反射波检测装置的阳极侧输入端子也同样与第二导体层20连接，信号输入装置的阴极侧输出端子以及反射波检测装置的阴极侧输入端子与第一导体层10连接。
[0112]反射时间测定装置与反射波检测装置连接。详细而言，反射时间测定装置的阳极端子与反射波检测装置的阳极侧输入端子连接，反射时间测定装置的阴极端子与反射波检测装置的阴极侧输入端子连接。
[0113]从信号输入装置输入的信号可以具有任意的波形，例如，也可以使用阶梯波形、脉冲波形、矩形波、梯形波、三角波。
[0114]对于感压传感器100而言，在图1中，第二导体层20在表面露出，但也可以如后述的实施方式3所示，在第二导体层20以及电介质层I的表面，进一步形成由弹性体构成的电介质层35以及屏蔽层40，或者也可以形成绝缘性材料的涂层。
[0115]对于感压传感器100而言，在图1中，作为导体层，除了第一导体层10以外，只有第二导体层20，但也可以如后述的实施方式2所示，在与第二导体层20的布线不同的主方向上作为线状的布线而进一步形成第三导体层30。此时，如后述的实施方式5所示，在第二电介质层25、25A、25B内，也可以进一步形成用于阻断第二导体层20与第三导体层30的电磁以及/或者静电干扰的屏蔽层50。
[0116]本公开的感压传感器具有简易且单纯的构造。
[0117]本公开的感压传感器，基于TDR法，来测定由于来自外部的应力所引起的电介质层的弹性变形而产生的反射波，因此不会产生非接触所引起的误动作、以及无意的错误接触所引起的误动作。
[0118]本公开的感压传感器基于由于来自外部的应力所引起的电介质层的弹性变形而产生的反射波的大小以及反射时间来进行测定，因此不仅能够检测接触的位置，还能够检测接触压力的大小。
[0119]通过在与第二导体层的布线不同的主方向上作为线状的布线而进一步形成第三导体层，从而即使不将输入信号的频率设定得很高，也能够使检测精度提高。
[0120]能够在表面设置屏蔽层，由此能够简便地阻断干扰的影响(例如，电磁以及/或者静电干扰(噪声))。
[0121]在本公开中，即使取代TDR法而使用时域传输测定法(Time DomainTransmiss1n)(以下，简称“TDT法”)，除了在第二导体层20的一端连接信号输入装置、在另一端连接检测装置以及时间测定装置这一点，以及取代对反射波进行观测而对传输来的信号(传输波)进行观测这一点之外，能够以与TDR法同样的构成来测定压力的大小和位置，这是不目而喻的。
[0122]以下，对本公开的感压传感器的实施方式更加详细地进行说明。
[0123](实施方式I)
[0124]使用图3A?图3D以及图4A?图4D来说明本实施方式的感压传感器100A。
[0125]本实施方式的感压传感器100A具有电介质层1、第一导体层10、第二导体层20以及时域反射测定装置60。在本实施方式中，第一导体层10在形成该第一导体层10的面的大致整面、例如整面上形成，第二导体层20形成为蜿蜒形状的布线。本实施方式的感压传感器100A及其构成构件只要没有特别记载，则与上述感压传感器100及其构成构件相同。
[0126]图3A?图3D是表示本公开的实施方式I中的感压传感器100A的构造的图。图3A是感压传感器100A的立体图。图3B是在箭头方向来观察图3A所示的感压传感器100A的3B-3B剖面时的示意剖面图。图3C是在箭头方向来观察图3A所示的感压传感器100A的3C-3C剖面时的示意剖面图。图3D是使用图3A所示的感压传感器来检测压力时的电路结构图。第二导体层20、电介质层1、第一导体层10的各层依次被层叠以形成层结构。
[0127]在图3A?图3D中，电介质层I是厚度ImmX纵20cm X横20cm的娃酮树脂所形成的弹性体，但能够使用在所述电介质层I的说明中例示的同样的材料。第二导体层20是厚度12μm、宽度2.8mm、长度60cm的铜所构成的布线，但能够使用在所述第二导体层20的说明中例示的同样的材料。第一导体层10是厚度12μπι的铜所构成的接地层，但能够使用在所述第一导体层10的说明中例示的同样的材料。反射测定装置62由半导体元件所构成的反射波检测装置和反射时间测定装置构成。通过由半导体元件构成的信号输入装置61、和反射测定装置62，构成时域反射测定装置60。第二导体层20通过引出部21与信号输入装置61的阳极侧输出端子63以及反射测定装置62的阳极侧输入端子65连接，第一导体层10通过引出部11与信号输入装置61的阴极侧输出端子64以及反射测定装置62的阴极侧输入端子66连接。
[0128]图4Α?图4D是表示使用本公开的实施方式I中的感压传感器100Α来检测压力时的动作的图。图4Α是表示未施加压力的情况下的电压的经时变化的曲线图。图4Β是表示在特定的地方施加了压力的情况下的电压的经时变化的曲线图。图4C是表示在与图4Β同样的地方施加了不同的压力的情况下的电压的经时变化的曲线图。图4D是表示在与图4Β不同的地方施加了同样的压力的情况下的电压的经时变化的曲线图。
[0129]在图3Α?图3D的构成中，在从信号输入装置61输入了电压0.5V的阶梯波形的情况下，由反射测定装置62来测定电压并沿着时间轴绘制为曲线图之后的结果是图4Α?图4D。
[0130]图4Α是对感压传感器100Α未施加任何应力的情况下的测定结果。图4Β是对第二导体层20的与引出部21相距30cm的部分施加了3Ν的应力的情况下的测定结果。图4C是对第二导体层20的与引出部21相距30cm的部分施加了1.5N的应力的情况下的测定结果。图4D是对第二导体层20的与引出部21相距36cm的部分施加了3N的应力的情况下的测定结果。
[0131]在图4A中，由于未施加应力，因此电介质层I的厚度不发生变化，第二导体层20与第一导体层10的距离可以视为在第二导体层20的所有部分具有固定的阻抗的传输线路。因此，若从输入装置4在时间Ons输入阶梯信号以施加0.5V的电压，则在反射测定装置62中从时间0.0ns至9.5ns能够测定出0.5V的电压。在时间9.5ns电压示出大于0.5V的值，是因为测定出了在第二导体层20的与引出部21相反的一侧的端部反射回来的信号。这样，在均匀的传输线路中不发生反射波，能够测定在阻抗不匹配部分产生的反射波。
[0132]在时间9.5ns能够观测到反射波说明电信号在第二导体层20的长度30cm上往复所需的时间为9.5ns，所需的时间由电介质层I的相对介电常数以及厚度、第二导体层20的布线宽度等来决定。
[0133]接着，在对第二导体层20上的与引出部21相距30cm的部分垂直地施加了3N的应力的情况下，电介质层I因应力而发生变形且厚度减小。因此，第二导体层20与第一导体层10的距离变短，该部分的静电电容增加。这表示阻抗变低了，在阻抗的不匹配部分发生反射。对该状态进行了表不的图为图4B。在时间4.75ns电压变低表不该情况，是图4A的一半的时间，可知对第二导体层20的与引出部21相距30cm的点施加了应力。
[0134]此外，对与图4B相同的部分施加了1.5N的应力的情况下的测定波形为图4C。可知电压的减小幅度比图4B小。像这样通过测定电压的变动幅度，能够测定所施加的应力。
[0135]进而，在从图4B的状态进一步从引出部21远离6cm的部分施加了应力3N的测定结果为图4D。可见反射波返回为止的时间变长。像这样通过测定反射波返回为止的时间，从而能够测定对第二导体层20的哪个位置施加了应力。
[0136]此外，通过将第一导体层10作为屏蔽层来使用，能够阻断来自屏蔽层侧的噪声，能够得到更高的测定精度。
[0137]在本实施方式中需要与测定装置等连接的布线为2条，与在一般的触摸面板中使用的10数条以上的布线相比，以较少的布线就能应对。因此，连接器等也能够使用管脚数较少且小型而廉价的连接器、具有高可靠性的连接器，能够使设备小型化/低价格化/高可靠性化。
[0138]作为测定波形，使用了0.5V的阶梯波形，但可以使用上述的任意的信号波形。为了得到希望的电气特性，并不限定于此，既可以使用更高的电压，也可以使用更低的电压。一般来说，通过使用较高的电压，从而S/N比提高且能够得到更高的精度。此外，通过使用较低的电压，从而能够实现功耗的降低和廉价地利用更高速的半导体元件。
[0139]在本实施方式中，分别使用了I个信号输入装置61和反射测定装置62，但也可以使用2个以上的信号输入装置61和2个以上的反射测定装置62，并由开关来切换向第二导体层20等的连接来进行使用。由此，能够对测定进行并行处理，达成高速化。
[0140]此外，在电路上对信号输入装置61和反射测定装置62分离地进行了图示，但即使由I个半导体装置来构成，动作也没有任何改变，这是不言而喻的。
[0141](实施方式2)
[0142]在本实施方式中，通过在与第二导体层的布线不同的主方向上作为线状的布线而进一步形成第三导体层，能够提高检测精度。
[0143]使用图5A?图5D以及图6A?图6B来说明本实施方式的感压传感器100B。图5A?图5D是表示本公开的实施方式2中的感压传感器100B的构造的图。图5A是感压传感器100B的立体图。图5B是在箭头方向来观察图5A所示的感压传感器100B的5B-5B剖面时的示意剖面图。图5C是在箭头方向来观察图5A所示的感压传感器100B的5C-5C剖面时的示意剖面图。图f5D是使用图5A所示的感压传感器来检测压力时的电路结构图。
[0144]本实施方式的感压传感器100B除了具有第二电介质层25以及第三导体层30，以及具有2个时域反射测定装置60、60a以外，具有与实施方式I的感压传感器100A同样的构成。在实施方式2的感压传感器100B中，实施方式I的感压传感器100B所具有的电介质层1、时域反射测定装置60、信号输入装置61、反射测定装置62、阳极侧输出端子63、阴极侧输出端子64、阳极侧输入端子65以及阴极侧输入端子66，分别称作第一电介质层1、第一时域反射测定装置60、第一信号输入装置61、第一反射测定装置62、第一阳极侧输出端子63、第一阴极侧输出端子64、第一阳极侧输入端子65以及第一阴极侧输入端子66。本实施方式的感压传感器100B及其构成构件，只要没有特别记载，则与上述感压传感器100A及其构成构件相同。
[0145]第二电介质层25是第三导体层30的形成所需的电介质层。第二电介质层25由弹性体构成，形成于第二导体层20以及第一电介质层I的表面。第二电介质层25与所述电介质层I相同，只要从所述电介质层I中，独立于该电介质层I来选择即可。第二电介质层25的厚度只要是即使通过对感压传感器施加的通常的按压力也不会发生第二导体层20与第三导体层30的接触的程度的厚度即可。第二电介质层25可以通过将预先利用公知的方法而合成的聚合物材料，利用粘接剂而粘接于第二导体层20以及第一电介质层I的表面来形成。此外第二电介质层25也可以通过在电子学安装领域被常规使用的聚合物层的形成方法来形成。
[0146]第三导体层30在第二电介质层25的表面形成为蜿蜒形状的布线。第三导体层30与所述第二导体层20相同，只要从所述第二导体层20中，独立于该第二导体层20来选择即可。第三导体层30的布线的主方向也可以与第二导体层20的布线的主方向不同。
[0147]时域反射测定装置60a相当于第二时域反射测定装置。第二时域反射测定装置60a可以具有与第一时域反射测定装置60同样的构成，通常，由第二信号输入装置61a、第二反射波检测装置以及第二反射时间测定装置构成。反射测定装置62a由第二反射波检测装置以及第二反射时间测定装置构成。第二反射时间测定装置与第二反射波检测装置连接。第二时域反射测定装置60a中的第二信号输入装置、第二反射波检测装置以及第二反射时间测定装置的连接方法，与前述的时域反射测定装置60中的信号输入装置、反射波检测装置以及反射时间测定装置的连接方法相同。
[0148]从第二信号输入装置61a输入的信号可以具有任何波形，例如，可以列举在第一信号输入装置61的说明中例示的同样的波形。
[0149]也可以将第二时域反射测定装置60a与第一时域反射测定装置60公共化，通过开关将一个时域反射测定装置在向第二导体层的连接与向第三导体层的连接之间进行切换来使用。即仅使用第二时域反射测定装置60a或第一时域反射测定装置60的一方，在所使用的时域反射测定装置中，在维持向第一导体层10的连接的同时，通过开关来切换向第二导体层的连接和向第三导体层的连接即可。
[0150]在图5A?图5C中，第一电介质层I以及第二电介质层25均为厚度ImmX纵20cmX横20cm的硅酮树脂。第二导体层20以及第三导体层30是厚度12μπι、宽度2.8mm、长度60cm的铜所构成的布线。第一导体层10是厚度12μπι的铜所构成的接地层。第二导体层20以及第三导体层30通过引出部21、31分别与不同的信号输入装置61、61a的阳极侧输出端子63、63a、以及反射测定装置62、62a的阳极侧输入端子65、65a连接。第一导体层10通过引出部11与不同的信号输入装置61、61a的阴极侧输出端子64、64a，以及反射测定装置62、62a的阴极侧输入端子66、66a连接。第三导体层30、第二电介质层25、第二导体层20、第一电介质层1、第一导体层10的各层依次层叠以形成层结构。
[0151]在TDR法中，检测位置精度与其频率存在较大的关系。在频率低的情况下，I个波长变长，因此难以检测相对于I个波长而言以较短的长度反射回来的反射波的差异。因此，相对于波长的长度λ而言，检测位置精度的限度为其1/100程度。反之为了以高精度来检测位置，需要使用短波长的信号，即，需要使用频率高的信号。在阶梯波形以及脉冲波形中，其频带f使用上升时间tr，用tr = 0.35/f来表示。即，为了提高检测位置精度需要使用上升时间较短的信号。
[0152]在本实施方式中，通过使第二导体层20与第三导体层30的主布线方向为不同方向，能够以更慢的上升时间来得到较高的位置检测精度。
[0153]使用图6A?图6B来说明该原理。
[0154]在图6A?图6B中，30示意性地表示第三导体层，20示意性地表示第二导体层，原本在厚度方向上重叠。第三导体层30的蜿蜒状的布线的主方向为X轴，第二导体层20的蜿蜒状的布线的主方向为Y轴。即，第二导体层20包括在作为主方向的Y轴方向上延伸的多个第一直线部20A、和分别比所述多个第一直线部20A的每一个短的多个第一连接部20B。多个第一连接部20B的每一个将所述多个第一直线部20A中相邻的2个第一直线部20A的端部连结。第三导体层30包括在作为主方向的X轴方向上延伸的多个第二直线部30A、和分别比所述多个第二直线部30A的每一个短的多个第二连接部30B。所述多个第二连接部30B的每一个，将所述多个第二直线部30A中相邻的2个第二直线部30A的端部连结。
[0155]例如，若通过采用约10MHz?IGHz的频率，从而在第三导体层30上存在1cm程度的检测精度，则能够决定Y轴上的位置。同样地若在第二导体层20上存在1cm程度的检测精度则能够决定X轴上的位置。像这样通过使用主方向不同的2个布线，能够以1cm程度的检测精度高精度地检测X-Y轴各自的位置。
[0156]假设，仅使用第三导体层30(不使用第二导体层20)，为了得到同样的检测精度，若在第三导体层30上没有0.1cm程度的检测精度则无法得到X方向的位置精度。即，需要使用1/100的上升时间的信号。
[0157]在本实施方式中，分别使用了2个信号输入装置61、61a和反射测定装置62、62a，但也可以分别使用一个信号输入装置61和反射测定装置62，由开关来切换向第二导体层20以及第三导体层30的连接来使用。
[0158]此外，反之也可以通过分别切换3个以上的信号输入装置和反射测定装置来使用，从而对测定进行并行处理，由此进行高速化。
[0159]此外，在电路上将信号输入装置和反射测定装置分离地进行了图示，但即使由I个半导体装置构成，动作也没有任何改变，这是不言而喻的。
[0160](实施方式3)
[0161]在本实施方式中，通过在表面设置屏蔽层，能够简便地阻断来自外部的电磁以及/或者静电干扰(噪声)，结果能够使检测精度提高。
[0162]使用图7A?图7B来说明本实施方式的感压传感器100C。图7A是本实施方式的感压传感器100C的剖面图，是将本实施方式的感压传感器100C假定为图5A所示的感压传感器时的、在箭头方向来观察5B-5B剖面时的示意剖面图。图7B是本实施方式的感压传感器100C的剖面图，是将本实施方式的感压传感器10C假定为图5A所示的感压传感器时的、在箭头方向来观察5C-5C剖面时的示意剖面图。
[0163]本实施方式的感压传感器100C除了具有屏蔽层形成用电介质层35以及屏蔽层40以外，具有与实施方式I的感压传感器100A同样的构成。本实施方式的感压传感器100C及其构成构件，只要没有特别记载，则与上述感压传感器100A及其构成构件相同。
[0164]屏蔽层形成用电介质层35是用于屏蔽层40的形成的电介质层。屏蔽层形成用电介质层35由弹性体构成，形成于第二导体层20以及第一电介质层I的表面。屏蔽层形成用电介质层35与前述的电介质层I相同，只要从所述电介质层I中独立于该电介质层I来选择即可。屏蔽层形成用电介质层35只要是即使通过对感压传感器施加的通常的按压力也不会发生第二导体层20与屏蔽层40的接触的程度的厚度即可。屏蔽层形成用电介质层35可以通过与第二电介质层25同样的方法来形成。
[0165]屏蔽层40只要能够阻断来自外部的电磁以及/或者静电干扰(噪声)则没有特别限定。作为屏蔽层40的构成材料，例如可以列举在前述的第二导体层20的说明中例示的同样的构成材料。
[0166]屏蔽层40既可以具有网状地开孔而成的网状形态，或者也可以具有该孔堵住的片状形态(即，在给定的区域的实质整面存在构成材料的形态)。屏蔽层40也可以形成于电介质层I的整面。
[0167]屏蔽层40的厚度，只要阻断噪声则没有特别限定。
[0168]在没有屏蔽层的情况下，感压传感器有可能由于外部的影响而引起阻抗的变化。例如，由于来自外部的电磁波的入射，而发生噪声的混入等。在具有屏蔽层的情况下，能够抑制这些影响。
[0169]具体来说，例如，在实施方式I的感压传感器中，可以将背面(第一导体层10)作为屏蔽层来利用。在将该屏蔽层设置于设备表面侧来利用的情况下，能够从表面抑制干扰的影响，但难以抑制来自背面侧(设备侧)的干扰。特别是难以抑制设备的电路的动作所引起的噪声的混入。此外，在将屏蔽层设置于背面侧，并在表面配置布线层(第二导体层20)的情况下，反而难以抑制来自设备外的影响。
[0170]在本实施方式中，通过将背面的第一导体层10作为屏蔽层来利用，从而在感压传感器的两面具有屏蔽层。因此本实施方式的感压传感器100C，不仅能够防止来自设备内部的噪声，还能够防止来自设备外部的噪声，作为感压传感器的精度提高，能够实现灵敏度的提高。实际上与仅在背面侧配置了屏蔽层的情况相比，在两面配置了屏蔽层的情况下，在S/N比中看到了 3dB的提高。
[0171](实施方式4)
[0172]在本实施方式中，通过在与第二导体层的布线不同的主方向上作为线状的布线而进一步形成第三导体层、以及在表面设置屏蔽层，由此能够使检测精度更进一步地充分提尚O
[0173]使用图8A?图8C来说明本实施方式的感压传感器100D。图8A是感压传感器100D的立体图。图8B是在箭头方向来观察图8A所示的感压传感器100D的8B-8B剖面时的示意剖面图。图8C是以箭头来观察图8A所示的感压传感器100D的8C-8C剖面时的示意剖面图。
[0174]本实施方式的感压传感器100D除了具有屏蔽层形成用电介质层35以及屏蔽层40以外，具有与实施方式2的感压传感器10B同样的构成。本实施方式的感压传感器10D及其构成构件，只要没有特别记载，则与上述感压传感器100B及其构成构件相同。
[0175]本实施方式的屏蔽层形成用电介质层35，除了形成于第三导体层30以及第二电介质层25的表面以外，与实施方式3的屏蔽层形成用电介质层35相同。本实施方式的屏蔽层形成用电介质层35，只要为即使通过对感压传感器施加的通常的按压力也不会发生第三导体层30与屏蔽层40的接触的程度的厚度即可。
[0176]本实施方式的屏蔽层40与实施方式3的屏蔽层40相同。
[0177](实施方式5)
[0178]在本实施方式中，通过在第二导体层20与第三导体层30之间设置屏蔽层50，能够简便地阻断第二导体层20与第三导体层30的电磁以及/或者静电干扰(噪声)，结果能够使检测精度提尚。
[0179]使用图9A?图9B来说明本实施方式的感压传感器100E。图9A是本实施方式的感压传感器100E的剖面图，是将本实施方式的感压传感器100E假定为图8所示的感压传感器时的、在箭头方向来观察8B-8B剖面时的示意剖面图。图9B是本实施方式的感压传感器100E的剖面图，是将本实施方式的感压传感器100E假定为图8A所示的感压传感器时的、在箭头方向来观察8C-8C剖面时的示意剖面图。
[0180]本实施方式的感压传感器100E，除了在第二电介质层25A、25B内进一步具有屏蔽层50以外，具有与实施方式4的感压传感器100D同样的构成。本实施方式的感压传感器100E及其构成构件只要没有特别记载，则与上述感压传感器100D及其构成构件相同。
[0181]本实施方式的屏蔽层50，除了阻断第二导体层20与第三导体层30的电磁以及/或者静电干扰(噪声)以外，与实施方式3的屏蔽层40相同。
[0182]本实施方式的第二电介质层25A、25B分别与实施方式2的第二电介质层25相同。第二电介质层25A、25B的厚度只要分别为即使通过对感压传感器施加的通常的按压力也不会发生第二导体层20与屏蔽层50的接触以及屏蔽层50与第三导体层30的接触的程度的厚度即可。
[ΟΙ83](实施方式6)
[0184]在本实施方式中，通过对第二导体层20(布线)的形状进行反复钻研，能够得到更加简易的构造的感压传感器。
[0185]使用图1OA?图1OB来说明本实施方式的感压传感器100F。图1OA是本实施方式的感压传感器100F的俯视图。图1OB是在箭头方向来观察图1OA所示的感压传感器100F的1B-1OB剖面时的示意剖面图。
[0186]本实施方式的感压传感器100F，除了将第二导体层20的形状设为图1OA所示的形状以外，具有与实施方式I的感压传感器100A同样的构成。本实施方式的感压传感器100F及其构成构件，只要没有特别记载，则与上述感压传感器100A及其构成构件相同。
[0187]如图1OA所示，本实施方式的第二导体层20所具有的形状，是局部存在第二导体层20的密集区域的疏密形状。通过将这种密集区域作为触摸面板等的判别区(按钮区域)来利用，能够通过一条布线以及一个时域反射测定装置来检测向多个按钮的压力。
[0188]本实施方式的第二导体层20，除了整体形状不同以外，与实施方式I的第二导体层20相同。
[0189]本实施方式的电介质层I以及第一导体层10分别与实施方式I的电介质层I以及第一导体层10相同。
[0190]本实施方式的感压传感器100F特别作为家电设备(电水壶、微波炉、IH烹调加热器等)的操作开关而有用。
[0191]感压传感器100F通过采取图1OA所示的布线构造，即使使用较慢的上升时间的信号，也能够按照每个判别区对所施加的压力进行传感。这是因为，能够较长地取得从某判别区到其他判别区的布线长度，即使TDR的频率较低并且/或者上升时间较慢，也能够得到充分的位置分辨率。
[0192](透明感压元件的实施方式)
[0193]这样的实施方式是感压传感器透明的方式。根据这样的实施方式，电介质层1、第一导体层10以及第二导体层20的至少I个具有光透过性。即，感压传感器的构成要素的至少I个在可见光区域透明。
[0194]感压传感器的构成要素也可以全部为透明要素。即，电介质层1、第一导体层10以及第二导体层20也可以全部具有光透过性。第二电介质层25、第三导体层30、屏蔽层形成用电介质层35、屏蔽层40以及屏蔽层50也可以具有光透过性。
[0195]本公开的感压传感器100以及100A?100F的上述构成要素，为了确保透明性例如具有以下的材料特征。
[0196]导体层(例如，第一导体层10、第二导体层20以及第三导体层30)也可以具有透明导体层的形态。该透明导体层也可以包含ITO等的透明导电性材料。
[0197]屏蔽层(例如，屏蔽层40以及屏蔽层50)也可以具有透明屏蔽层的形态。该透明屏蔽层也可以包含ITO等的透明导电性材料。
[0198]电介质层(例如，电介质层1、电介质层25、电介质层25A、电介质层25B、电介质层35)也可以具有透明电介质层的形态。该电介质层也可以包含透明的树脂等透明电介质材料。作为透明的树脂的电介质材料，可以列举例如聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂以及/或者聚酰亚胺树脂。
[0199][感压装置]
[0200]本公开还用于具备上述感压传感器的所有的感压装置。
[0201]本公开的上述感压传感器100(包括100A?100F)具有如下特征:其自身是具有可挠性的平板状，并且布线为一维状，引出布线少。有效利用该特征，能够使本公开的感压传感器100自身屈曲以及弯曲成各种各样的形状，并加工为感压装置。也可以将本公开的感压传感器100粘贴于可挠性支撑体，使所得到的可挠性材料屈曲以及弯曲成各种各样的形状，并加工为感压装置。因此，本公开的感压传感器以及具备该感压传感器的感压装置分别还作为柔性感压传感器以及柔性感压装置而有用。可挠性是指，因外力而挠曲变形，若去除外力则还原为原来的形状的特性。
[0202]作为本公开的感压装置可具有的形状，例如，可以列举图11所示的半球形状、图12所示的球形状、图13A以及图13B所示的圆锥形状、图14所示的手套形状、图15所示的伸缩性平板形状以及它们的复合形状。
[0203]图11、图12、图13A以及13B、图14以及图15所示的形状，能够通过在包含本公开的感压传感器的可挠性材料中加入适当的缝隙来形成。例如，图13A表示具有缝隙131的圆形的可挠性材料130。图13B是将图13A所示的挠性材料的中心部分捏起时所形成的立体的圆锥形状的示意图。此外例如，图14表示在包含本公开的感压传感器的可挠性材料进一步具有柔软性的情况下对该可挠性材料进行缝制而成的手套的外观形状。
[0204]本公开的感压传感器以及感压装置，也可以通过绝缘性材料来进行涂覆处理或埋封处理。例如，图15表示通过在包含本公开的感压传感器的可挠性材料中加入适当的缝隙而被赋予了伸缩性的平板，被埋封在绝缘性聚合物材料中而成的感压装置的一例。
[0205]此外，不限于上述图示的形状，能够实现各种各样的形状下的压力分布测定，这在其构成上是不目而喻的。
[0206]以上，对本公开的实施方式进行了说明，但本公开不限定于此，能够进行各种改变，这是本领域技术人员容易理解的。
【主权项】
1.一种感压传感器，具备: 第一电介质层，其具有弹性，并且具有第一面以及与所述第一面相反的一侧的第二面； 第一导体层，其配置在所述第一面上； 线状的第二导体层，其配置在所述第二面上;和 第一时域反射测定装置，其与所述第一导体层以及所述第二导体层连接， 所述第一导体层位于所述第一面中至少与所述第二导体层对向的区域。2.根据权利要求1所述的感压传感器， 所述第一导体层具有网状形状或片状形状。3.根据权利要求1或2所述的感压传感器， 所述第一时域反射测定装置， 在来自外部的应力被施加于所述第一电介质层的至少一部分时，向所述第一导体层以及第二导体层输入第一信号，并且 测定所述第一信号在所述第一电介质层的所述至少一部分发生反射而产生的第一反射波的大小、以及第一反射时间，所述第一反射时间是所述第一信号被输入至所述第一导体层以及第二导体层之后直到所述第一反射波到达所述第一时域反射测定装置为止的时间。4.根据权利要求1或2所述的感压传感器， 所述第一时域反射测定装置包括: 第一信号输入装置，其向所述第一导体层以及第二导体层输入第一信号； 第一反射波检测装置，其检测所述第一信号在所述第一电介质层的至少一部分发生反射而产生的第一反射波;和 第一反射时间测定装置，其测定第一反射时间，所述第一反射时间是所述第一信号被输入至所述第一导体层以及第二导体层之后直到所述第一反射波到达所述第一时域反射测定装置为止的时间， 所述第一信号输入装置以及所述第一反射波检测装置均与所述第一导体层以及第二导体层连接， 所述第一反射时间测定装置与所述第一反射波检测装置连接。5.根据权利要求1或2所述的感压传感器， 所述第一导体层覆盖所述第一面的整面， 所述第二导体层具有蜿蜒形状。6.根据权利要求1或2所述的感压传感器， 还具备: 第二电介质层，其配置在所述第二导体层上以及所述第一电介质层的所述第二面上，具有弹性;和 屏蔽层，其配置在所述第二电介质层上，具有导电性。7.根据权利要求1或2所述的感压传感器， 还具备: 第二电介质层，其配置在所述第二导体层上以及所述第一电介质层的所述第二面上，具有弹性;和 线状的第三导体层，其配置在所述第二电介质层上。8.根据权利要求7所述的感压传感器， 所述第二导体层以及所述第三导体层具有蜿蜒形状。9.根据权利要求8所述的感压传感器， 所述第二导体层包括在第一方向上延伸的多个第一直线部、和分别比所述多个第一直线部的每一个短的多个第一连接部，所述多个第一连接部的每一个将所述多个第一直线部中相邻的2个第一直线部的端部连结， 所述第三导体层包括在与所述第一方向不同的第二方向上延伸的多个第二直线部、和分别比所述多个第二直线部的每一个短的多个第二连接部，所述多个第二连接部的每一个将所述多个第二直线部中相邻的2个第二直线部的端部连结。10.根据权利要求7所述的感压传感器， 还具备与所述第一导体层以及第三导体层连接的第二时域反射测定装置。11.根据权利要求10所述的感压传感器， 所述第二时域反射测定装置包括: 第二信号输入装置，其向所述第一导体层以及第三导体层输入第二信号； 第二反射波检测装置，其检测所述第二信号在所述第一电介质层以及所述第二电介质层的至少一部分发生反射而产生的第二反射波;和 第二反射时间测定装置，其测定第二反射时间，所述第二反射时间是所述第二信号被输入至所述第一导体层以及第三导体层之后直到所述第二反射波到达所述第二时域反射测定装置为止的时间， 所述第二信号输入装置以及所述第二反射波检测装置均与所述第一导体层以及第三导体层连接， 所述第二反射时间测定装置与所述第二反射波检测装置连接。12.根据权利要求7所述的感压传感器， 还具备开关，所述开关配置在所述第一时域反射测定装置与所述第二导体层之间，在所述第一时域反射测定装置与所述第二导体层被连接的状态、和所述第一时域反射测定装置与所述第三导体层被连接的状态之间进行切换。13.根据权利要求7所述的感压传感器， 还具备: 第三电介质层，其配置在所述第三导体层上以及配置有所述第三导体层的所述第二电介质层上，具有弹性;和 屏蔽层，其配置在所述第三电介质层上，具有导电性。14.根据权利要求7所述的感压传感器， 还具备配置在所述第二电介质层内且具有导电性的屏蔽层。15.根据权利要求1或2所述的感压传感器， 所述第一导体层以及所述第二导体层中的至少I个包含氧化铟锡。16.根据权利要求1或2所述的感压传感器， 所述第一电介质层包含透明的树脂。
【文档编号】G06F3/041GK106020522SQ201610076754
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年2月3日
【发明人】小掠哲义, 江崎贤, 江崎贤一, 野稻启二, 增田忍
【申请人】松下知识产权经营株式会社