在方框914继续，冷却基板和载体膜，以形成被涂覆的基板，并且从被涂覆的基板剥离载体膜。
[0110]图10示出了根据本公开的实施例的载体膜1002、第一黑墨水/粘合剂子层404A以及玻璃或蓝宝石基板202的堆叠。通过重复以上对第一黑墨水层所公开的方法，附加的黑墨水层可以施加到被涂覆的玻璃基板。这种方法可以提供基本上均质并且均匀不透明的薄膜。
[0111]在还有另一种实施例中，旋涂是用来对扁平基板沉积均匀的薄膜的过程。一般而言，少量涂覆材料被施加在基板的中心上。然后，基板高速旋转，以便通过离心力散布涂覆材料。这种旋涂方法可以产生厚度低于1nm的薄膜。因此，更多黑墨水层可以被沉积，以形成黑色涂层，这不同于图2-5中所示的堆叠。
[0112]现在讨论用于沉积黑色堆叠的过程。对于按钮106，黑色堆叠用来使下面的传感器208不可见。本文所讨论的黑色堆叠204、304、404的各个层可以以各种方式在基板202之上形成。例如，这些技术可以包括PVD、CVD、PECVDjP /或IBAD，每种技术都会产生具有稍不同结构的层。不同的结构会影响镜堆叠(mirror stack)的电气属性、光学属性。涂层材料的沉积被过程改变，特殊的条件-包括大气、基板和室的温度、压力、附加能量离子的存在、比率、类型和能量、涂层材料的沉积率和条件-全都对会影响各种材料属性的最终结构、成分和密度起作用。
[0113]图11是根据本公开的实施例的用于包括PVD的沉积系统的简化系统图。沉积系统1100可以对基板202应用表面处理。在这个特定的例子中，沉积系统1100包括用于各种涂层材料1108(例如，Si02、Si3N4、Sn和Nb2O5)的一个或多个储料池1110。惰性气体1112(例如，氩或氮)可以通过吹扫或加压流管1114由气体源1116提供，以便减少储料池1110中的氧化、变湿和/或污染。依赖于设计，储料池1110可以通过一个或多个输送管1122耦合到真空室1118，该管道1122配置为把材料1108从储料池1110输送到供给系统1120。供给系统1120利用管道、泵、阀门和其它组件的合适组合把材料1108指引到蒸发或沉积单元1126，用于沉积到基板202上，如图2中所示。在图11的特定配置中，沉积单元1126以CVD或PVD组件的形式提供。作为选择，其它过程和组件可以用来例如通过喷射、电子束沉积或者电子束蒸发、IBAD, PECVD和/或这种过程的组合处理基板202。
[0114]在有些实施例中，沉积系统1100还控制操作室1118的压力、温度和湿度，其中室1118作为真空室或者其它化学或物理汽相沉积环境。沉积系统1100还可以对表面涂覆过程维持特定的温度，例如，在大约100 °C和大约150°C之间，或者在大约100°C和大约170°C之间。空气也可以在室1118中提供，或者在涂覆过程中或者在其之后，以便在从室1118除去之前在受控的过程中把基板202暴露给大气。
[0115]一般而言，供给系统1120和沉积单元1126被控制成以特定的次序和组合把选定数量的材料(例如，S12, Sn和Nb2O5)沉积到基板202上。
[0116]虽然已经描述了若干实施例，但是本领域技术人员将认识到，在不背离本公开内容主旨的情况下，可以使用各种修改、备选构造及等价物。此外，为了避免不必要地模糊本文所公开的实施例，许多众所周知的过程和元件没有描述。因此，以上描述不应当认为是限定本文档的范围。例如，虽然本文的实施例已经在电子设备的上下文中进行了讨论，但是本文所述的颜色堆叠(color stack)、方法和其它实施例可以基本上与任何产品或者在基本任何表面上使用。
[0117]本领域技术人员将理解，目前公开的实施例是作为例子而不是作为限制来讲授的。因此，以上描述中所包含的或者在附图中所示出的主题应当从说明性而不是限制的意义上解释。以下权利要求是要覆盖本文所描述的全部通用和特殊特征，以及语言上可以说成属于其的目前方法和系统的范围的全部陈述。
【主权项】
1.一种用于电容性传感器的不透明盖子，其特征在于，所述盖子包括: 透明基板；及 布置成与所述透明基板相邻的黑色堆叠，其中所述黑色堆叠包括: 颜料堆叠，包括: 第一介电层； 第二介电层； 第一光吸收层，位于所述第一介电层和所述第二介电层之间，其中: 所述第一介电层具有第一折射率； 所述第二介电层具有与所述第一折射率不同的第二折射率；及 与多个第三介电层交错的多个第二光吸收层。
2.如权利要求1所述的不透明盖子，其特征在于，所述第一介电层和所述第二介电层每一个都是由选自包括以下的组中的一种材料形成的层:氧化硅、氮化硅和氧化铌。
3.如权利要求1所述的不透明盖子，其特征在于，所述黑色堆叠是具有至少1014Ω cm或更大的电阻率的堆叠。
4.如权利要求1所述的不透明盖子，其特征在于，所述黑色堆叠是具有至少3或更大的光密度的堆叠。
5.如权利要求1所述的不透明盖子，其特征在于，所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三介电层每一个都是具有比阈值低的介电常数的层。
6.如权利要求5所述的不透明盖子，其特征在于，所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三介电层每一个都是具有比50低的介电常数的层。
7.如权利要求1所述的不透明盖子，其特征在于，所述第一光吸收层和所述第二光吸收层每一个都是由选自包括以下的组中的一种材料形成的层:锡、氧化铜、氧化锌。
8.如权利要求7所述的不透明盖子，其特征在于，锡层具有等于或小于10nm的厚度以使得所述锡层不导电。
9.如权利要求8所述的不透明盖子，其特征在于，所述锡层具有大约5nm的厚度。
10.如权利要求1所述的不透明盖子，其特征在于，所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三介电层每一个都具有1nm到10nm的厚度。
11.如权利要求1所述的不透明盖子，其特征在于，所述透明基板是由蓝宝石或玻璃形成的基板。
12.如权利要求1所述的不透明盖子，其特征在于，所述黑色堆叠具有Iym到2 μπι的厚度。
13.如权利要求1所述的不透明盖子，其特征在于，所述电容性传感器放置成与所述黑色堆叠相邻以使得从所述透明基板的顶部来看，所述传感器被所述黑色堆叠遮蔽。
14.一种形成在基板之上的黑色堆叠，其特征在于，包括: 在透明基板之上沉积的颜料堆叠，其中所述颜料堆叠包括被第一光吸收层与第二介电层隔开的第一介电层，所述第一介电层和所述第二介电层具有不同的折射率； 在所述颜料堆叠之上沉积的不导电光吸收堆叠；及 与所述光吸收堆叠相邻地放置的电容性传感器。
15.如权利要求14所述的黑色堆叠，其特征在于，所述不导电光吸收堆叠具有Iμπι到2 μπι的厚度。
16.如权利要求14所述的黑色堆叠，其特征在于，所述第一介电层和所述第二介电层每一个都是由选自包括以下的组中的一种材料形成的层:氧化硅、氮化硅和氧化铌。
17.如权利要求14所述的黑色堆叠，其特征在于，所述第一光吸收层是由选自包括以下的组中的一种材料形成的层:锡、氧化铜和氧化锌。
18.如权利要求17所述的黑色堆叠，其特征在于，锡层具有等于或小于10nm的厚度以使得所述锡层不导电。
19.如权利要求17所述的黑色堆叠，其特征在于，所述锡层具有大约5nm的厚度。
20.如权利要求14所述的黑色堆叠，其特征在于，所述不导电光吸收堆叠包括与第三介电层交错的多个第二光吸收层，所述第三介电层是具有低于阈值的介电常数的层。
21.如权利要求20所述的黑色堆叠，其特征在于，所述第二光吸收层是由选自包括以下的组中的一种材料形成的层:锡、氧化铜和氧化锌。
22.如权利要求21所述的黑色堆叠，其特征在于，锡层具有等于或小于10nm的厚度以使得所述锡层不导电。
23.如权利要求21所述的黑色堆叠，其特征在于，所述锡层具有大约5nm的厚度。
24.如权利要求20所述的黑色堆叠，其特征在于，所述第三介电层是由选自包括以下的组中的一种材料形成的层:氧化硅、氮化硅和氧化铌。
25.如权利要求14所述的黑色堆叠，其特征在于，所述不导电光吸收堆叠包括与19个氮化硅层交错的18个锡层的堆叠。
26.如权利要求14所述的黑色堆叠，其特征在于，所述颜料堆叠具有等于或小于10nm的厚度。
27.如权利要求14所述的黑色堆叠，其特征在于，所述透明基板是由蓝宝石或玻璃形成的基板。
28.如权利要求14所述的黑色堆叠，其特征在于，所述黑色堆叠是具有至少3或更大的光密度的堆叠。
【专利摘要】本实用新型公开涉及不透明盖子和黑色堆叠。提供了用于电容性传感器的不透明盖子。盖子包括透明基板以及布置成与透明基板相邻的黑色堆叠。黑色堆叠包括具有第一介电层、第二介电层以及位于第一和第二介电层之间的第一光吸收层的颜料堆叠。第一介电层具有第一折射率。第二介电层具有与第一折射率不同的第二折射率。黑色堆叠还包括与多个第三介电层交错的多个第二光吸收层。本公开的一个实施例解决的一个问题是提供用于电子设备的既薄又不透明的不导电黑色着色层/堆叠，这可以允许通过其操作电容性传感器。根据本公开的一个实施例的一个用途是提供了用于电子设备的既薄又不透明的不导电黑色着色层/堆叠，这可以允许通过其操作电容性传感器。
【IPC分类】G06F3-044, G06F1-16
【公开号】CN204440366
【申请号】CN201420496653
【发明人】松雪直人, D·J·韦伯
【申请人】苹果公司
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2014年8月29日
【公告号】CN104423762A, US20150064432, WO2015034594A1