一种一体机的散热结构的制作方法

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一种一体机的散热结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属微电子及计算机技术领域,涉及一种启动服务器(一体机),具体涉及一种一体机的散热结构。
【背景技术】
[0002]目前市场上的视频彩票无盘终端的启动服务器(一体机)主要采用类PC的设计,散热主要靠散热风扇进行,通常需要数量较多的风扇,这样不可避免地会带来一定的风扇噪音影响;同时风扇的采用,会在机箱散热片上形成积灰效应,影响散热效果及系统稳定性。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于提供一种无风扇、提升系统稳定性、提高散热效果的一体机的散热结构,以解决现有技术中的不足之处。
[0004]本实用新型米用的技术方案是:一种一体机的散热结构,包括一体机外壳、外壳内安装的主板、主板上设有的CPU导热铝块A和GPU导热铝块B、CPU导热铝块A和GPU导热铝块B分别连接的导热铜管,所述外壳是铝挤外壳,导热铜管另一端与安装在铝挤外壳后面的左右散热片连接。
[0005]本实用新型的改进之处还在于:
[0006]所述铝挤外壳的底面、后面及左右侧面均设有多个凸起的锯齿条。
[0007]本实用新型相比现有技术,具有以下有益效果:
[0008]1、本实用新型通过在主板上设置CPU导热铝块A和GPU导热铝块B,导热铝块A和导热铝块B分别通过导热铜管与安装在一体机铝挤外壳后面的左右散热片连接,实现了一体机的无风扇散热结构,消除了风扇噪音及风扇积灰效应产生的影响,可增加系统的使用寿命,提升系统的稳定性;
[0009]2、本实用新型一体机主板上主要发热器件(CPU和GPU)上的热量依次通过导热铝块、导热铜管、散热片再传导至整个铝挤外壳,进行大面积散热,提高了散热效果;
[0010]3、铝挤外壳的多个面设有多个凸起的锯齿条,散热效果好。
【附图说明】
[0011]图1是本实用新型正面立体结构示意图;
[0012]图2是本实用新型底面、后面及侧面立体结构示意图。
[0013]图中,1.外壳,2.主板,3.导热铝块A,4.导热铝块B,5.导热铜管,6.散热片,7.锯齿条。
【具体实施方式】
[0014]下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型进行详细说明。
[0015]如图1、图2所不,本实用新型一种一体机的散热结构,包括一体机外壳1、外壳1内安装的主板2及主板2上安装的CPU和GPU,所述外壳1是铝挤外壳,所述主板2上设有盖住CPU的导热铝块A3和盖住GPU的导热铝块B4,所述导热铝块A3和导热铝块B4分别通过导热铜管5与安装在铝挤外壳1后面的左右散热片6连接;所述铝挤外壳1的底面、后面及左右侧面均设有多个凸起的锯齿条7。
[0016]本实用新型散热时,一体机主板2上主要发热器件(CPU和GPU)上的热量依次通过导热铝块3、4、导热铜管5、散热片6再传导至整个铝挤外壳1,实现了一体机的无风扇散热结构,消除了风扇噪音及风扇积灰效应产生的影响,可增加系统的使用寿命,提升系统的稳定性;通过整个外壳散热,增大了散热面积,采用铝挤外壳大面积散热,提高了散热效果;铝挤外壳的多个面设有多个凸起的锯齿条,散热效果好。
[0017]以上仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,对于本领域的技术人员来说,本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的权利要求范围之内。
【主权项】
1.一种一体机的散热结构,包括一体机外壳(1)、外壳(1)内安装的主板(2)、主板(2)上设有的CPU导热铝块A (3)和GPU导热铝块B (4)、CPU导热铝块A (3)和GPU导热铝块B (4)分别连接的导热铜管(5),其特征在于,所述外壳(1)是铝挤外壳,导热铜管(5)另一端与安装在铝挤外壳(1)后面的左右散热片(6)连接。2.根据权利要求1所述的一种一体机的散热结构,其特征在于,所述铝挤外壳(1)的底面、后面及左右侧面均设有多个凸起的锯齿条(7)。
【专利摘要】本实用新型属微电子及计算机技术领域,涉及一种启动服务器(一体机),具体涉及一种一体机的散热结构。一种一体机的散热结构,包括一体机外壳、外壳内安装的主板、主板上设有的CPU导热铝块A和GPU导热铝块B、CPU导热铝块A和GPU导热铝块B分别连接的导热铜管,所述外壳是铝挤外壳,导热铜管另一端与安装在铝挤外壳后面的左右散热片连接。本实用新型实现了一体机的无风扇散热结构,消除了风扇噪音及风扇积灰效应产生的影响,可增加系统的使用寿命,提升系统的稳定性;通过整个外壳散热,增大了散热面积,采用铝挤外壳大面积散热,提高了散热效果。
【IPC分类】G06F1/20
【公开号】CN205038583
【申请号】CN201420083454
【发明人】吴德理, 罗继峰, 张逵
【申请人】东莞天意电子有限公司
【公开日】2016年2月17日
【申请日】2014年2月26日
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