触控面板的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供的触控面板具有触控面，包含第一轴向触控电极与第二轴向触控电极，绝缘地交错设置于基板上，其中第一轴向触控电极包含复数个第一导电单元经由连接部互相连接，第二轴向触控电极包含复数个互相分开的第二导电单元，架桥结构电性连接相邻的第二导电单元，其中架桥结构包含金属层及第一透明导电层，且第一透明导电层相较于金属层更靠近触控面。
【专利说明】
触控面板
技术领域
[0001] 本实用新型是有关于触控面板技术，特别有关于触控面板的架桥结构材料。
【背景技术】
[0002] 近年来，触控面板已经广泛地应用在各种电子产品中，例如手机、便携计算机W及 掌上电脑等，触控面板通常与显示面板结合成为电子产品的输入/输出接口。
[0003] 在习知技术中，触控面板通常包含多个互相连接的导电单元与多个互相分开的导 电单元排列成触控阵列，还包含架桥线将运些互相分开的导电单元电性连接在一起，W提 供触控感测功能。
[0004] 传统的架桥线通常由钢/侣/钢组成，为了保证架桥线的电性连接功能，其厚度需 达到至少4200Λ或更厚，当架桥线的厚度较厚时，在触控面板的制程中将会产生对架桥线 蚀刻不完全的现象，并且使触控面板存在整体厚度增加、表面平整度降低等问题，进而影响 触控面板的良率。此外，钢/侣/钢制成的架桥线亮度较高，导致触控面板的架桥线容易被用 户看到，即有可视性的问题，进而影响触控面板的外观。
[0005] 另一种传统的架桥结构的材料(例如:铜锡氧化物）电阻率较大，且架桥结构的宽 度通常不大，因此需要厚度较大的架桥结构W保证触控电极的灵敏度，然而，当架桥结构厚 度增加时，会存在蚀刻不完全、触控面板整体厚度增加、触控面板平整度低等问题，进而降 低触控面板的制造良率，且当架桥结构的厚度增加后，还会产生触控面板的可视问题。 【实用新型内容】
[0006] 本实用新型提供触控面板的架桥结构之材料选择，利用本实用新型之架桥结构的 材料，可使得触控面板的架桥结构在达到低阻抗的同时具有较薄的厚度，而在触控面板的 制程中，对较薄的架桥结构较不易产生蚀刻不完全的问题，并且可W让架桥结构的亮度降 低，避免架桥结构可视性的问题，达到良率高及外观佳的触控面板。
[0007] 本实用新型的一些实施例提供触控面板，具有触控面，包括:第一轴向触控电极与 第二轴向触控电极绝缘地交错设置于基板上，其中第一轴向触控电极包含复数个第一导电 单元经由连接部互相连接，第二轴向触控电极包含复数个互相分开的第二导电单元，及架 桥结构电性连接运些第二导电单元，其中架桥结构包括:金属层及第一透明导电层，且第一 透明导电层相较于金属层更靠近触控面。
【附图说明】
[000引图1A显示依据本实用新型的一些实施例的触控面板的平面示意图。
[0009] 图1B显示图1A之剖面线A-A'的一些实施例的局部剖面示意图。
[0010] 图1C显示图1A之剖面线A-A'的一些其他实施例的局部剖面示意图。
[0011] 图1D显示图1A之剖面线A-A'的一些其他实施例的局部剖面示意图。
[0012] 图2A-2C显示本实用新型一些其他实施例的触控面板的局部剖面示意图。
【具体实施方式】
[0013] 下面结合附图与【具体实施方式】对本实用新型作进一步详细描述。
[0014] 请参照图1A，其显示出依据本实用新型的一些实施例的触控面板100的平面示意 图。触控面板100包含基板101。在一些实施例中，基板101的材质可包含玻璃、聚对苯二甲酸 乙二醋（polyethylene tere地thalate，阳T)或聚亚酷胺（polyimide，PI)。
[0015] 在一些实施例中，触控面板100包含复数条第一轴向触控电极102与复数条第二轴 向触控电极103互相绝缘地交错设置于基板101上，其中第一轴向触控电极102包含复数个 沿着第一方向（例如:x轴方向）延伸的第一导电单元1〇2曰，第一导电单元102a经由第一轴向 触控电极102的连接部10化互相连接，第二轴向触控电极103包含复数个沿着第二方向（例 如:Y轴方向）延伸的第二导电单元1〇3曰，第二方向垂直于第一方向，第二导电单元103a互相 分开，相邻的两个第二导电单元103a分别设置在连接部10化的两侧，并藉由架桥结构104互 相连接。
[0016] 在一些实施例中，第一轴向触控电极102可为接收电极，第二轴向触控电极103则 为驱动电极。在另一些实施例中，第一轴向触控电极102可为驱动电极，第二轴向触控电极 103则为接收电极。第一轴向触控电极102与第二轴向触控电极103的材质可包含透明导电 材料，例如铜锡氧化物（indium tin oxide,IT0)、铜锋氧化物（indium zinc oxide,IZ0)、 渗氣氧化锡（fluorine doped tin oxide,FTO)、渗侣氧化锋（aluminum doped zinc oxide,AZO)、渗嫁氧化锋(gallium doped zinc oxide,GZO)，或者其他透光导电材料，例如 金属网格(metal mesh)、纳米银线（silver nano-wire,SNW)等。
[0017] 架桥结构104设置在互相分开的第二导电单元103a之间，W电性连接第二导电单 元103a，并且在第一轴向触控电极102的连接部10化与架桥结构104之间设置绝缘块105,使 连接部10化与架桥结构104透过绝缘块105形成电性隔绝，W提供第一轴向触控电极102与 第二轴向触控电极103之间的电性隔绝。在一些实施例中，绝缘块105的材质可包含无机材 料(例如，氧化娃、氮化娃、氮氧化娃或前述之组合），有机材料(例如，环氧树脂、聚酷亚胺树 脂（polyimide)、苯环下締（butyl巧clobutene，BCB)、聚对二甲苯（parylene)、糞聚合物 (polyna曲thalenes)、氣碳化物（f luorocarbons)、丙締酸醋（ac巧lates))或其他适合的绝 缘材料。
[0018] 请参照图1B，其显示沿着图1A之剖面线A-A'，触控面板100的一些实施例的局部剖 面示意图，触控面板100包含基板101，基板101具有触控面101a及与触控面101a相对的另一 内侧面1〇化，第一轴向触控电极102及其连接部10化与第二导电单元103a形成于基板101的 内侧面10化上，绝缘块105形成于连接部10化上并包覆连接部10化，架桥结构104位于绝缘 块105上方，依据本实用新型的一些实施例，架桥结构104包含金属层104a及第一透明导电 层104b，其中第一透明导电层104b相较于金属层104a更靠近触控面101a，可降低金属层 104a的反射，因此当使用者由触控面101a观看触控面板100时，使架桥结构104的亮度降低， 避免架桥结构104可视性的问题。
[0019] 请参照表1，其显示架桥结构104对于不同的光线入射面（即从第一透明导电层 104b侧入射与从金属层104a侧入射)产生的L亮度空间数据表，当光线从金属层104a侧入射 时，架桥结构104的L*值为68.4077,当光线从第一透明导电层104b侧入射面时，架桥结构 104的L*值为50.0068。由此可见，当光线先进入第一透明导电层104b再通过金属层104a时， 所反射的光线亮度较暗化*值较小），因此，当第一透明导电层104b相较于金属层104a更靠 近触控面101a时，第一透明导电层104b具有降低金属层104a的反射的功效，证明架桥结构 104的亮度可降低，进而避免架桥结构104可视性的问题。
[0020] 表1:
[0021]
[0022] 在一些实施例中，金属层104a由电阻率在20°C时介于1.6Χ10-7ω · m至5.3Χ10-8 Ω · m之间的材质形成，金属层104a的材质可包含铜、银、金、侣、鹤及其合金，且金属层104a 的厚度范围可在约10纳米与约50纳米之间，即可产生低阻抗的架桥结构104。
[0023] 相较于传统的架桥结构的材料(例如:铜锡氧化物或钢/侣/钢），依据本实用新型 的实施例，由于形成架桥结构104的金属层104a的电阻率相较于传统架桥结构的材料更低， 因此在架桥结构104的金属层104a与传统架桥结构具有相同的阻抗(例如:约0.3 Ω )的情况 下，且金属层104a与传统架桥结构具有相同的长度时，金属层104a相较于传统架桥结构具 有更薄的厚度（例如：约100A-500A)，使得架桥结构104的整体膜厚降低，因此架桥结构 104的蚀刻制程较不易发生蚀刻不完全的问题，进而提升触控面板100的制造良率。同时，当 架桥结构104的膜厚降低后会具有较佳的光线穿透率，藉此可避免架桥结构104的可视性问 题，并且当触控面板100与显示面板组合时，显示面板发出的光线穿透架桥结构的穿透率较 高，可产生较佳的显示效果。
[0024] 再者，当架桥结构104的金属层104a在达到更低阻抗约0.15 Ω的情况下，相较于架 桥结构的阻抗为0.3 Ω时，金属层104a的厚度通常需增加一倍W上，而依据本实用新型的一 些实施例，在架桥结构具有相同阻抗的情况下，金属层104a的厚度(例如:约2〇αΑ-?ο〇οΑ )相较于传统的架桥结构的材料(例如:钢/侣/钢)的厚度(例如:约、40()Λ)降低许多，因此 本实用新型的实施例提供的架桥结构104的优点就更趋明显。
[0025] 如图1Α所示，触控面板100更包含周边线路107,周边线路107电性连接第一轴向触 控电极102与第二轴向触控电极103至接垫108。其材质可包含金属网格、纳米银线或透明导 电材料，例如铜锡氧化物、铜锋氧化物、渗氣氧化锡、渗侣氧化锋、渗嫁氧化锋等。在一些实 施例中，周边线路107和接垫108可与金属层104a-起形成，即周边线路107与接垫108的材 质与厚度可相同于金属层104a，且在同一步制程中一次形成。减少触控面板100的制作步 骤，节省材料、提高良率。在另一些实施例中，周边线路107和接垫108还可与架桥结构104- 起形成。
[00%]依据本实用新型的实施例，架桥结构104的第一透明导电层104b与第一轴向触控 电极102与第二轴向触控电极103具有相同或相近的折射率，使得架桥结构104在触控面板 100上的视觉颜色与第一轴向触控电极102及第二轴向触控电极103的视觉颜色接近。在一 些实施例中，形成第一透明导电层104b的材料之折射率范围可在约1.6至约2.2,第一透明 导电层104b的材质可包含铜锋氧化物、渗氣氧化锡、渗侣氧化锋或渗嫁氧化锋，且第一透明 导电层104b的厚度范围可在约20纳米与约50纳米之间。
[0027] 此外，触控面板100还包含保护层106,保护层106设置于基板101上，全面性地覆盖 第一轴向触控电极1〇2(包含第一导电单元102曰、连接部10化）、第二轴向触控电极103(包含 第二导电单元103a)、架桥结构104(包含金属层104a、第一透明导电层104b)及绝缘块105。 在一些实施例中，保护层106的材质可包含无机材料(例如，氧化娃、氮化娃、氮氧化娃或前 述之组合）、有机材料(例如，环氧树脂、聚酷亚胺树脂、苯环下締、聚对二甲苯、糞聚合物、氣 碳化物、丙締酸醋)或其他适合的材料。
[0028] 在一些实施例中，触控面板100的基板101为保护盖板，且触控面板100还包含显示 组件110,显示组件110接合于保护层106下方。显示组件110可包含液晶显示组件化iquid Oystal Display,LCD)或主动矩阵有机发光二极管（Active-matrix organic light- emitting diode,AM0LED) 显示组件。
[0029] 请参照图1C，其显示沿着图ΙΑ之剖面线A-A'，触控面板100的一些其他实施例的局 部剖面示意图，其中相同于图1B中的部件使用相同的标号表示并省略其说明。
[0030] 图1C中的触控面板100之结构类似于图1B中的触控面板100之结构，差异处在于触 控面板100的架桥结构104还包含第二透明导电层104c，使得金属层104a设置于第一透明导 电层104b与第二透明导电层104c之间。在一些实施例中，第二透明导电层104c的材质及厚 度可相同于第一透明导电层104b。在一些其他实施例中，第二透明导电层104c的材质及厚 度可不同于第一透明导电层104b。根据本实用新型的一些实施例，架桥结构104包含的第二 透明导电层104c可W在触控面板100的制造过程中保护金属层104a不被氧化，或者可增加 架桥结构104与第二导电单元103a之间的附着力。
[0031] 请参照图1D，其显示沿着图1A之剖面线A-A'，触控面板100的一些其他实施例的局 部剖面示意图，其中相同于图1B中的部件是使用相同的标号表示并省略其说明。
[0032] 图1D中的触控面板100之结构类似于图1B中的触控面板100之结构，差异处在于触 控面板100的基板101是作为承载第一轴向触控电极102与第二轴向触控电极103的基板，且 触控面板100还包含保护盖板120设置于保护层106上，在此实施例中，触控面板100的触控 面120a位于保护盖板120上，并且显示组件110接合于基板101远离触控面120a的一侧。
[0033] 关于触控面板100的制造方法，如图1B所示，在一些实施例中，提供基板101，基板 101具有触控面101a及与其相对的另一内侧表面1〇化，可透过沉积制程(例如，物理气相沈 积制程、化学气相沈积制程或其他适合的制程）、微影制程及蚀刻制程(例如，干蚀刻制程、 湿蚀刻制程、电浆蚀刻制程、反应性离子蚀刻制程或其他适合的制程），或W涂布与图案化 制程，形成第一轴向触控电极1〇2(包含第一导电单元102曰、连接部10化)与第二轴向触控电 极1〇3(包含第二导电单元103a)于基板101上，然后可透过沉积制程(例如，物理气相沈积制 程、化学气相沈积制程或其他适合的制程）、微影制程及蚀刻制程(例如，干蚀刻制程、湿蚀 刻制程、电浆蚀刻制程、反应性离子蚀刻制程或其他适合的制程），或W涂布与图案化制程， 形成绝缘块105于连接部10化上，且绝缘块105包覆连接部10化。
[0034] 接着，可透过沉积制程(例如，物理气相沈积制程、化学气相沈积制程或其他适合 的制程）、微影制程及蚀刻制程(例如，干蚀刻制程、湿蚀刻制程、电浆蚀刻制程、反应性离子 蚀刻制程或其他适合的制程），或W涂布与图案化制程，形成架桥结构1〇4(包含金属层 104a、第一透明导电层104b)于绝缘块105上，架桥结构104电性连接第二导电单元103a，其 中第一透明导电层104b相较于金属层104a更靠近触控面101a。由于架桥结构104的金属层 104a在达到低阻抗约0.15Ω的情况下具有较薄的厚度(约200A-1000A)，因此在蚀刻制程 中较不易发生蚀刻不完全的问题，达到良率高的触控面板。
[0035] 接着，可透过沉积制程(例如，物理气相沈积制程、化学气相沈积制程或其他适合 的制程)或涂布制程形成保护层106于基板101上，全面性地覆盖第一轴向触控电极102(包 含第一导电单元1〇2曰、连接部10化）、第二轴向触控电极103(包含第二导电单元103a)、架桥 结构1〇4(包含金属层104a、第一透明导电层104b)及绝缘块105。
[0036] 接着，可透过光学透明胶（Optical Clear A化esive，0CA)或光学透明树脂 (Optical Clear Resin,OCR)将显示组件110贴合于保护层106远离触控面101a的一侧，完 成触控面板100。
[0037] 关于如图1C所示之触控面板100的制造方法，其中相同于图1B的触控面板100的制 造方法将省略其说明。
[0038] 图1C的触控面板100之制造方法类似于图1B的触控面板100之制造方法，差异处在 于形成触控面板100的架桥结构104时，还包含形成第二透明导电层104c覆盖金属层104a， 使得金属层104a介于第一透明导电层104b与第二透明导电层104c之间，第二透明导电层 104c的形成可W保护金属层104a避免其在制程当中被氧化。
[0039] 关于如图1D所示之触控面板100的制造方法，其中相同于图1B的触控面板100的制 造方法将省略其说明。
[0040] 图1D的触控面板100之制造方法类似于图1B的触控面板100之制造方法，差异处在 于形成保护层106之后，透过光学透明胶或光学透明树脂（图1D未绘出）将保护盖板120贴合 于保护层106上，使得触控面板100的触控面120a位于保护盖板120上，并透过另一光学透明 胶或光学透明树脂(未绘出）将显示组件110贴合于基板101远离触控面120a的一侧，在此实 施例中，触控面板100的基板101是作为第一轴向触控电极102与第二轴向触控电极103的承 载基板。
[0041] 请参照图2A，其显示依据本实用新型一些其他实施例之触控面板200的局部剖面 示意图，其中相同于图1B中的部件是使用相同的标号表示并省略其说明。
[0042] 图2A中的触控面板200之结构类似于图1B中的触控面板100之结构，基板101具有 触控面101a及与触控面101a相对的内侧面101b，差异处在于触控面板200的架桥结构104 (包括金属层104a及第一透明导电层104b)先形成于基板101的内侧面10化上，绝缘块105位 于架桥结构104上，且第一轴向触控电极102的连接部10化位于绝缘块105上，也就是说，触 控面板200的架桥结构104先形成于基板101上，再形成第一轴向触控电极102与第二轴向触 控电极103。此外，触控面板200的架桥结构104中的第一透明导电层104b相较于金属层104a 更靠近触控面10 la。
[0043] 请参照图2B，其显示依据本实用新型一些其他实施例的触控面板200的剖面示意 图，其中相同于图2A中的部件是使用相同的标号表示并省略其说明。
[0044] 图2B中的触控面板200之结构类似于图2A中的触控面板200之结构，差异处在于图 2B的触控面板200还包含第二透明导电层104c覆盖金属层104a，使得金属层104a介于第一 透明导电层104b与第二透明导电层104c之间。在一些实施例中，第二透明导电层104c的材 质及厚度可相同于第一透明导电层104b。在一些其他实施例中，第二透明导电层104c的材 质及厚度可不同于第一透明导电层104b，第二透明导电层104c可在触控面板200的制程中 保护金属层104a，避免金属层104a发生氧化。
[0045] 请参照图2C，其显示依据本实用新型一些其他实施例的局部剖面示意图，其中相 同于图2A中的部件是使用相同的标号表示并省略其说明。
[0046] 图2C中的触控面板200之结构类似于图2A中的触控面板200之结构，差异处在于图 2C的触控面板200的基板101是作为第一轴向触控电极102与第二轴向触控电极103的承载 基板，且触控面板200还包含保护盖板120设置于保护层106上，触控面板200的触控面120a 位于保护盖板120上，W及显示组件110接合于基板101远离触控面120a的一侧。
[0047] 关于如图2A所示之触控面板200的制造方法，其中相同于图1B中的制造方法将省 略其说明。
[0048] 图2A中的触控面板200之制造方法类似于图1B中的触控面板100之制造方法，差异 处在于触控面板200透过沉积制程(例如，物理气相沈积制程、化学气相沈积制程或其他适 合的制程）、微影制程及蚀刻制程(例如，干蚀刻制程、湿蚀刻制程、电浆蚀刻制程、反应性离 子蚀刻制程或其他适合的制程）或W涂布与图案化制程，形成架桥结构1〇4(包含金属层 104a、第一透明导电层104b)于基板101之与触控面101a相反的另一内侧表面10化上，架桥 结构104电性连接第二导电单元103a，并且架桥结构104的第一透明导电层104b相较于金属 层104a更靠近触控面101a，然后可透过沉积制程(例如，物理气相沈积制程、化学气相沈积 审雌或其他适合的制程）、微影制程及蚀刻制程(例如，干蚀刻制程、湿蚀刻制程、电浆蚀刻 制程、反应性离子蚀刻制程或其他适合的制程)或W涂布与图案化制程，形成绝缘块105于 架桥结构104上。依据本实用新型的实施例，架桥结构104的金属层104a在达到低阻抗约 0.15 Ω时具有较薄的厚度，因此在蚀刻制程中较不易造成蚀刻不完全的问题，达到良率高 的触控面板。
[0049] 接着，可透过沉积制程(例如，物理气相沈积制程、化学气相沈积制程或其他适合 的制程）、微影制程及蚀刻制程(例如，干蚀刻制程、湿蚀刻制程、电浆蚀刻制程、反应性离子 蚀刻制程或其他适合的制程)或W涂布与图案化制程，形成第一轴向触控电极1〇2(包含第 一导电单元102a及连接部10化）与第二轴向触控电极103(包含第二导电单元103a)于基板 101上，其中第一轴向触控电极102的连接部10化形成于绝缘块105上，并且架桥结构104电 性连接第二导电单元1〇3曰。
[0050] 关于如图2B所示之触控面板200的制造方法，其中相同于图2A中的触控面板200的 制造方法将省略其说明。
[0051] 图2B中的触控面板200之制造方法类似于图2A中的触控面板200之制造方法，差异 处在于形成触控面板200的架桥结构104时，还包含形成第二透明导电层104c包覆金属层 104a，使得金属层104a介于第一透明导电层104b与第二透明导电层104c之间。
[0052] 关于如图2C所示之触控面板200的制造方法，其中相同于图2A中的触控面板200的 制造方法将省略其说明。
[0053] 图2C中的触控面板200之制造方法类似于图2A中的触控面板200之制造方法，差异 处在于形成保护层106之后，透过光学透明胶或光学透明树脂(未绘出）将保护盖板120贴合 于保护层106上，在此实施例中，触控面板200的触控面120a位于保护盖板120上，并透过另 一光学透明胶或光学透明树脂将显示组件110贴合于基板101远离触控面120a的一侧，在此 实施例中，触控面板200的基板101是作为第一轴向触控电极102与第二轴向触控电极103的 承载基板。
[0054] 根据本实用新型的一些实施例，由于架桥结构包含由电阻率低于传统架桥结构的 材料所制成的金属层及第一透明导电层，因此可在达到低阻抗的同时降低整体架桥结构的 厚度，使架桥结构具有较薄的厚度，又避免架桥结构的可视性问题。
[0055] 此外，架桥结构还包含第一透明导电层，相较于金属层，第一透明导电层设置在更 靠近触控面(也是使用者的观看面）的位置，藉此可降低金属层的反射，使整体架桥结构的 亮度降低，使其相较于传统钢/侣/钢制成的架桥线可避免架桥结构于触控面板发生可视性 问题，达到外观佳的触控面板。
[0056] 依据本实用新型的实施例，触控面板的架桥结构在达到低阻抗的同时，整体厚度 也降低，藉此可改善触控面板的架桥结构在制程中对架桥结构蚀刻不完全的现象，进而提 升触控面板的制造良率。此外，当架桥结构的金属层在达到低阻抗约0.15 Ω的情况下，金属 层的厚度相较于传统的架桥结构的材料的厚度降低更多，因此本实用新型的实施例提供的 架桥结构的优点就更趋明显。
[0057] 本实用新型的实施例可W应用于使用架桥结构连接触控电极之分开的导电单元 的任何类型的触控显示设备，例如触控面板形成在显示组件外（如图1B-1D及2A-2C所示)或 触控面板形成在显示组件的彩色滤光片kolor filter,CF)上。此外，第一轴向触控电极与 第二轴向触控电极的图案设计并不限定于上述图式中的型态。
[0058] 虽然本实用新型已W具体之较佳实施例掲露如上，然其并非用W限定本实用新 型，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本实用新型之精神和范围内，当可更动 与组合上述各种实施例。
【主权项】
1. 一种触控面板，具有一触控面，其特征在于，包括： 一第一轴向触控电极与一第二轴向触控电极，互相绝缘地交错设置于一基板上，其中 所述第一轴向触控电极包含复数个第一导电单元经由一连接部互相连接，所述第二轴向触 控电极包含复数个互相分开的第二导电单元，相邻的所述第二导电单元分别设置于所述连 接部的两侧;及 一架桥结构，电性连接所述第二导电单元，其中所述架桥结构包括： 一金属层;及 一第一透明导电层，其中所述第一透明导电层相较于所述金属层更靠近所述触控面。2. 如权利要求1所述的触控面板，其特征在于，所述金属层的电阻率在20°C时介于1.6 Χ10_7Ω ·πι至5.3Χ10_8Ω ^之间，其中所述金属层的材质为铜、银、金、错或钨。3. 如权利要求1所述的触控面板，其特征在于，所述金属层的厚度范围在10纳米与50纳 米之间。4. 如权利要求1所述的触控面板，其特征在于，所述第一透明导电层的折射率范围在 1.6至2.2之间。5. 如权利要求4所述的触控面板，其特征在于，所述第一透明导电层的材质包括铟锌氧 化物、掺氟氧化锡、掺铝氧化锌或掺镓氧化锌。6. 如权利要求1所述的触控面板，其特征在于，所述第一透明导电层的厚度范围在20纳 米与50纳米之间。7. 如权利要求1所述的触控面板，其特征在于，所述架桥结构更包括一第二透明导电 层，且所述金属层设置于所述第一透明导电层与所述第二透明导电层之间。8. 如权利要求7所述的触控面板，其特征在于，所述第二透明导电层的材质及厚度相同 于所述第一透明导电层。9. 如权利要求7所述的触控面板，其特征在于，所述第二透明导电层的材质及厚度不同 于所述第一透明导电层。10. 如权利要求1所述的触控面板，其特征在于，更包括一周边线路，电性连接至所述第 一轴向触控电极与所述第二轴向触控电极，其中所述周边线路由所述金属层形成。11. 如权利要求1所述的触控面板，其特征在于，更包括一绝缘块，设置于所述连接部与 所述架桥结构之间。12. 如权利要求11所述的触控面板，其特征在于，所述架桥结构形成于所述基板上，且 所述绝缘块位于所述架桥结构上方。13. 如权利要求11所述的触控面板，其特征在于，所述绝缘块形成于所述连接部上，且 所述架桥结构位于所述绝缘块上方。14. 如权利要求11所述的触控面板，其特征在于，更包括一保护层设置于所述基板上， 全面性地覆盖所述第一轴向触控电极、所述第二轴向触控电极、所述架桥结构及所述绝缘 块。15. 如权利要求14所述的触控面板，其特征在于，所述基板为一保护盖板，且更包括一 显示组件接合于所述保护层远离所述触控面的一侧。16. 如权利要求14所述的触控面板，其特征在于，所述基板为一玻璃基板或聚对苯二甲 酸乙二酯薄膜，且更包括一保护盖板设置于所述保护层上;及一显示组件接合于所述基板
【文档编号】G06F3/041GK205451006SQ201521104378
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2015年12月28日
【发明人】许毅中, 徐国书
【申请人】宸鸭科技（厦门）有限公司