专利名称：Tm卡电子防盗锁防高压破坏保护装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种防高压破坏保护装置，尤其涉及一种TM卡电子防 盗锁防高压破坏保护装置，它是各种电子锁首选的安全的TM卡防止高压破 坏电路。
技术背景随着科技不断发展，人们生活水平的提高，各种电子锁琳琅满目，用以 满足不同的需要。电子防盗锁势必代替传统机械锁，将逐渐走入家庭。电子 锁安全性很高，不可能被技术开启。但由于TM卡读头置于门外，恶意的高 压电击，将破坏主板电路，破坏门锁，使有效的TM卡失灵，给用户带来很 大的麻烦，这也制约了电子锁的推广。 实用新型内容本实用新型是为了解决上述的问题而提供一种TM卡电子防盗锁防高 压破坏保护装置，目的是提供一种适于各种TM卡电子锁，安全可靠的TM 卡读头防高压破坏电路，同时又成功的分离复位电路和数据电路，保证信号 的可靠性，结构合理。为了实现上述目的本实用新型的技术方案是TM卡电子防盗锁防高 压破坏保护装置，包括读头，用于读取TM卡上的数据，过流保护部，用于 接收读头读取的数据并阻止大电流从读头进入电路；过压保护部，用于接收 过流保护部的信号并在高压从过流保护部进入电路时，将电路的电压箝位在 所要求的安全数值上，有效箝位电压和吸收电流；信号处理部，接收过压保
护部的信号，对从过压保护部传送的数据进行放大。 所述的过流保护部为自恢复保险。所述的过压保护部由下述结构构成与过流保护部连接的二极管D2和 瞬变电压抑制二极管。所述的信号处理部由下述结构构成与过压保护部串联的电阻R3、稳压管D3，稳压管D3的正极接地，与电阻R3、稳压管D3并联的二极管D1， 二极管D1的负极与复位电路连接，与电阻R3、稳压管D3并联的电阻R4， 三极管Q1的基极与电阻R4连接，三极管Q1的集电极与电阻(R7、 R5) 连接，电阻R7的另一端接地，电阻R5的另一端与三极管Q2的基极连接， 三极管Q2的发射集接地，电阻R6设在三极管Q2的集电极与三极管Ql的 发射极之间，电阻R6与三极管Q2的集电极之间连接数据电路，电阻R1 与二极管D2并联。本实用新型具有下述优点和效果本实用新型增加了过流和过压保护电路，使用高压设备无法通过读头破 坏内部电路，更保证了TM卡锁的安全性和可靠性，更具推广价值。
图l是本实用新型的结构框图。图2是本实用新型的电路结构原理图。图l、读头；2、过流保护部；3、过压保护部；4、信号处理部。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。TM卡电子防盗锁防高压破坏保护装置，由下述结构构成包括读头1, 用于读取TM卡上的数据，过流保护部2，用于阻止大电流从读头1进入电
用于读取TM卡上的数据，过流保护部2，用于阻止大电流从读头1进入电 路；过压保护部3，用于当高压从过流保护部2进入电路时，将电路的电压 箝位在所要求的安全数值上，有效箝位电压和吸收电流；信号处理部4，用 于对从过压保护部3传送的数据进行放大。 所述的过流保护部2为自恢复保险。所述的过压保护部3由下述结构构成与过流保护部2连接的二极管 D2和瞬变电压抑制二极管TVS，瞬变电压抑制二极管TVS的型号为 P6SMBJ9.0A。所述的信号处理部4由下述结构构成与过压保护部3串联的电阻R3、 稳压管D3，稳压管D3的正极接地，与电阻R3、稳压管D3并联的二极管 Dl， 二极管D1的负极与复位电路连接，与电阻R3、稳压管D3并联的电阻 R4，三极管Q1的基极与电阻R4连接，三极管Q1的集电极与电阻(R7、 R5)连接，电阻R7的另一端接地，电阻R5的另一端与三极管Q2的基极 连接，三极管Q2的发射集接地，电阻R6设在三极管Q2的集电极与三极 管Ql的发射极之间，电阻R6与三极管Q2的集电极之间连接数据电路， 电阻R1与二极管D2并联。本实用新型的工作原理过流保护部分限制了大电流进入电路，过压保 护部分将进入电路的高压迅速降低到安全电压以内，信号处理部分又将减弱 的正常信号进行放大，输出给微处理器。当有超过100mA的电流从读头进入电路板时，自恢复保险F1的自身阻 抗迅速增加，从而使电流迅速降低到100mA以下，该器件阻止了大电流进 入电路板。当有高压进入电路板时，TVS二极管在极短的时间内迅速转入
反向导通状态，并将电路的电压箝位在所要求的安全数值上，同时二级管D2也导通，能够更有效箝位电压和吸收电流，保护电子线路中器件免受损 坏。为了更安全起见，在数据输出电路中又串联了一个1M的电阻R4，增 加了后级电路的阻抗，使抗高压能力增强，但有效信号势必减弱，所以又增 加了Q1、 Q2两级放大电路，增强了正常的数据信号。复位控制电路中又串 联了一个20K的电阻R3，为了增加信号强度又接了一个5.1K的上拉电阻 Rl，复位信号的输入端又接了一个6.2￥的箝位二极管。 本实用新型简单实用，可有效的防止高压破坏。
权利要求1、TM卡电子防盗锁防高压破坏保护装置，包括读头(1)，用于读取TM卡上的数据，其特征在于过流保护部(2)，用于接收读头(1)读取的数据并阻止大电流从读头(1)进入电路；过压保护部(3)，用于接收过流保护部(2)的信号并在高压从过流保护部(2)进入电路时，将电路的电压箝位在所要求的安全数值上，有效箝位电压和吸收电流；信号处理部(4)，接收过压保护部(3)的信号，对从过压保护部(3)传送的数据进行放大。
2、 根据权利要求1所述的TM卡电子防盗锁防高压破坏保护装置，其 特征在于所述的过流保护部(2)为自恢复保险。
3、 根据权利要求1所述的TM卡电子防盗锁防高压破坏保护装置，其 特征在于所述的过压保护部(3)由下述结构构成与过流保护部(2)连接 的二极管(D2)和瞬变电压抑制二极管(TVS)。
4、 根据权利要求1所述的TM卡电子防盗锁防高压破坏保护装置，其 特征在于所述的信号处理部.(4)由下述结构构成与过压保护部(3)串联 的电阻(R3)、稳压管(D3)，稳压管(D3)的正极接地，与电阻(R3)、 稳压管(D3)并联的二极管(Dl)， 二极管(Dl)的负极与复位电路连接， 与电阻(R3)、稳压管(D3)并联的电阻(R4)，三极管(Ql)的基极与电 阻(R4)连接，三极管(Ql)的集电极与电阻(R7、 R5)连接，电阻(R7) 的另一端接地，电阻(R5)的另一端与三极管(Q2)的基极连接，三极管(Q2)的发射集接地，电阻(R6)设在三极管(Q2)的集电极与三极管(Ql) 的发射极之间，电阻(R6)与三极管(Q2)的集电极之间连接数据电路， 电阻(Rl)与二极管(D2)并联。
专利摘要本实用新型涉及一种防高压破坏保护装置，尤其涉及一种TM卡电子防盗锁防高压破坏保护装置，它是各种电子锁首选的安全的TM卡防止高压破坏电路。本实用新型的技术方案是TM卡电子防盗锁防高压破坏保护装置，包括读头，用于读取TM卡上的数据，过流保护部，用于阻止大电流从读头进入电路；过压保护部，用于当高压从过流保护部进入电路时，将电路的电压箝位在所要求的安全数值上，有效箝位电压和吸收电流；信号处理部，用于对从过压保护部传送的数据进行放大。本实用新型增加了过流和过压保护电路，使用高压设备无法通过读头破坏内部电路，更保证了TM卡锁的安全性和可靠性，更具推广价值。
文档编号G07C9/00GK201035631SQ20062009243
公开日2008年3月12日 申请日期2006年7月27日 优先权日2006年7月27日
发明者陈玉林 申请人:沈阳泰格科技发展有限公司