专利名称：具有独立消磁场的大磁阻传感器的制作方法
技术领域：
本发明涉及数据存储系统。更具体地说，本发明涉及数据存储系统中使用的旋阀传感器，它适合于为响应所加磁场来产生大磁阻(GMR)效应。
利用GMR效应的典型磁性传感器，常称为“旋阀”传感器，它是本专利业中共知的。旋阀传感器一般为夹心式结构，该结构由两铁磁层中夹一薄非铁磁层组成。铁磁层之一被称为“被束缚层”，因为它被邻接的反铁磁层(通常称为“束缚层”)通过反铁磁交换耦合加以磁性束缚或定向于固定的或不变的方向上。另一铁磁层被称为“自由”或“未束缚”层，因为磁化作用被允许为响应外磁场的存在而旋转。叠堆的电阻率随着自由或活性层的磁化作用与被束缚层的磁化作用之间的角度的作用而变化。接触层被附加到GMR传感器以提供检测电流并允许测量传感器上的电压降或其电阻。
磁记录媒质的面积数据密度等于沿记录磁道的长度的位密度与在垂直于该磁道长度方向上的这些磁道的密度的乘积。随着磁道密度的增加，磁道宽度和间隔减小，且面积密度增加。较小的磁道宽度和间隔要求读出磁头有更窄的宽度并具有防止旁读的能力。当磁头响应其边界外的变化磁场时就会发生旁读。这种旁读是被恢复数据信号中的噪声源，也是串扰(读出磁头从两个或更多个相邻磁道读取数据的现象)源。因而，读数磁头中旁读的影响是限制相邻磁道之间间隔的因素，因此它是限制提高面积密度的因素。
当读出磁头的宽度变得更小以提供较高的记录磁道密度时，消磁场会对GMR传感器的运作和灵敏度有实质的影响。消磁场是由于其磁场横穿分隔它们的薄的非铁磁层的被束缚层和自由层而产生的。对于给定的来自记录媒质的所加磁场，这些消磁场通常具有减小被束缚层和自由层的磁化作用间相对角度变化的作用。结果，降低了GMR传感器的灵敏度。另外，消磁场会将GMR传感器的读出器转移曲线中的偏置点推向它的非线性区，从而产生了对称性和稳定性的问题。对于许多旋阀传感器的设计而言，消磁场是限制该传感器最小宽度的因素，因此也是限制对能可靠读出的数据的面积密度的因素。
用来确定旋阀传感器能读出的最大面积密度的另一因素是旋阀传感器的转换读取间隔的长度(在磁道长度的方向上)。设计旋阀传感器以使转换读取间隔的长度不大于磁道上对应于数据位的单个磁通单元的长度。连续的磁通单元在沿磁道长度的相反磁性取向上加以记录，故通过将转换间隔的长度限制为单个通道单元的长度，可不同时读取两个或更多个连续的磁通单元，否则将导致它们的对消。结果是希望旋阀传感器的转换读取间隔或其顶屏蔽和底屏蔽之间屏蔽到屏蔽的间隔为最小，从而可使旋阀传感器所能读出的数据的面积密度为最大。
一些旋阀传感器采用永磁铁，它邻接传感器堆的磁阻单元的相对侧。这些磁头一般称为“相邻连接(abutted-junction)”磁阻和GMR头。如上所述，通常通过在平面底屏蔽上形成磁阻元件或传感器堆，然后形成永磁铁和接触层来形成磁头。永磁铁和接触层的高度配置经常要求相对于底屏蔽设置的顶屏蔽与距底屏蔽的距离是可变的。具体而言，接触层中永磁铁的厚度通常大于传感器堆的厚度。结果，顶屏蔽与底屏蔽之间的间距增大(沿磁道长度)到传感器堆的宽度之外。顶屏蔽与底屏蔽之间间隔的这种增加会使旋阀读取多个磁通单元，从而导致所读信号的抵消效应。
在磁数据存储系统中存在着不断提高面积密度的要求。为适应这一要求，需要对GMR传感器的设计进行改进，以在这些区域中减小消磁场的负面影响并增加屏蔽到屏蔽的间隔。
偏置部件在垂直于第一和第二方向的第三方向上产生偏置M1和M2的偏置磁场，并建立M1和M2的静偏置态。响应于所加磁场，磁化强度M1和M2被许可绕其静偏置态旋转。由于M1和M2的旋转作用，该旋转在传感器中产生了GMR效应。
本发明的另一个方面针对使用GMR效应检测所加磁场的方法。在该方法中，提供第一铁磁自由层，当该自由层处于静态时在第一方向上具有磁化强度M1。接着提供第二铁磁层，当该自由层处于静态时在第二方向上具有磁化强度M2。对第一和第二铁磁层施加偏置磁场，以使M1和M2指向垂直于第一和第二方向的第三方向，从而对M1和M2建立静偏置态。最后使M1和M2为响应所加磁场而绕其静偏置态旋转，从而由于M1和M2的旋转作用产生所要的GMR效应。
图2为说明根据本发明的检测所加磁场的方法的流程图。
图3为根据本发明实施例的与数据存储系统一起使用的旋阀传感器的简图。
图4为根据本发明的旋阀传感器的一部分传感器堆的简化俯视图，它说明了消磁场对第一和第二铁磁自由层静态下磁化强度的影响。
图5为说明根据本发明实施例的旋阀传感器各层中磁化强度的矢量图。
图6为根据本发明实施例的旋阀传感器的传感器堆的分解透视图。
图7为根据本发明实施例的旋阀传感器沿其纵向的侧剖面图。
图8为根据本发明的旋阀传感器的一空气承载表面。
对所示实施例的详细描述本发明涉及大磁组(GMR)或旋阀型的磁阻传感器，用于从如磁盘之类的记录媒质读取信息。希望旋阀传感器能读高面积密度的数据记录(以100Gb/In2为量级)。要求旋阀传感器减小尺寸，从而使其以这种高面积密度发挥作用。减小旋阀传感器尺寸的一个代价是增加了操作中消磁场所产生的影响。特别是，在被充分缩减尺寸的典型旋阀传感器设计中将产生的消磁场会不尽如人意地减小旋阀传感器对来自磁性记录媒质所施加磁场的灵敏度。然而，本发明将对这些消磁场化害为利。
本发明的旋阀传感器包括两种具有磁化强度矢量的铁磁自由层，当处于静态时，磁化强度的矢量对准平行于空气承载面(ABS)的纵向，并与传感器或偏置电流对准。静态或非偏置态是指未加外磁场时磁化强度矢量的状态。由于旋阀传感器的配置，铁磁层的磁化强度矢量被如此设置，以使所产生的消磁场或杂散场在与它们静态时的磁化强度矢量一致的方向上互相偏置。旋阀传感器的偏置部件对铁磁层施加磁场，以对旋阀建立工作点，也对磁化强度矢量建立静偏置点，这两个点的方向大约相隔90°。采用位于铁磁层上面的永磁铁或采用交换耦合于铁磁层的反铁磁层来形成旋阀的偏置部件。在所加磁场前，铁磁自由层的磁化强度矢量的静偏置点旋转，从而使分隔它们的角度增大或减小，从而提供所要的GMR效应。
图1为可在其中应用本发明的一例数据存储系统的透视图，表示为磁盘驱动器100。磁盘驱动器100包括带有基座102的外壳和顶盖(未示出)。磁盘驱动器还包括磁盘组106，它通过磁盘夹108安装在主轴电动机(未示出)上。磁盘组106包括多个单独磁盘107，它们被安装成绕中心轴109共同旋转。每个磁盘表面有一相关的盘磁头滑动器110，它被安装于磁盘驱动器100用于与相对的磁盘表面进行通信。磁头滑动器110包括设置为在单独磁盘107的相关盘面上扫过的滑动器结构以及具有写和读部分(分别将数据写到或读自所相对的盘表面的中央数据磁道)的转换头111。磁头111包括相对磁盘107并当磁盘107转动时在该磁盘表面上支持磁头111的空气承载面。
在图1所示的数据存储系统中，磁头滑动器110由悬臂112支承，后者连接到促动器116的磁道访问臂114。由音圈电动机(VCM)118驱动促动器116以使促动器116和其连接的磁头滑动器110绕枢轴120转动。促动器116的转动使磁头滑动器110沿弧形路径122移动，从而将磁头111定位于磁盘内径124和磁盘外径126之间所希望的数据磁道上。包括在电路板128上的伺服电子线路根据磁头滑动器110的磁头111和主计算机(未示出)所产生的信号驱动VCM128。读写电子线路也包括在电路板128上，以根据由磁头111的读出部分从磁盘组106读得的数据向主计算机提供信号，并将写信号提供给磁头111的写入部分以对磁盘107写入数据。
本发明提供了一种方法和旋阀传感器，从而可利用GMR效应来检测由诸如磁盘驱动存储系统100(图1)的磁盘107之类的磁性记录媒质所施加的磁场。图2的流程图中说明了本发明的一般方法。在步骤130，提供了静态时在第一方向上具有磁化强度(M1)的第一铁磁层。在步骤132，提供了静态时在第二方向上具有磁化强度(M2)的第二铁磁层。第一和第二方向是反向平行的。如下所述，这种结构使得由磁化强度M1和M2产生的消磁场在与其静态一致的方向上互相偏置，从而使装置稳定。接着在步骤134，向第一和第二铁磁层施加偏置磁场，从而使磁化强度M1和M2转一角度至垂直于第一和第二方向的第三方向。偏置磁场为磁化强度M1和M2建立静偏置态。最后在步骤136，使第一和第二磁化强度M1和M2为响应所加磁场而绕其静偏置态旋转，从而由于磁化强度M1和M2转动的作用而产生GMR效应。然后可检测GMR效应以确定所加磁场的极性。
图3示出了根据本发明多个实施例的与如磁盘驱动器100(图1)之类的数据存储系统一起使用的旋阀传感器140的简图。旋阀140通过从电流源142接收检测(或偏置)电流(I)来运作。从例如相对的磁盘107(图1)加到旋阀140的磁场的变化将引起旋阀传感器140的传感器堆144的电阻变化。这种传感器堆144的电阻变化称为GMR效应，可用负责提供数据输出的读出电子装置146进行检测。
旋阀传感器140一般适用于高面积密度的磁性数据记录，诸如约100Gb/In2或大于该值。旋阀传感器140一般包括传感器堆144、接触层148以及偏置部件(未示出)。传感器堆144分别包含第一和第二铁磁自由层150和152，它们由导电的非磁性隔离层154隔开。第一和第二铁磁自由层150和152具有分别由磁化强度矢量156和158表示的反平行磁化强度M1和M2。第一铁磁自由层150的磁化强度矢量156取向为第一方向，该方向与第二铁磁自由层152的第二磁化强度矢量158所取向的第二方向反平行。第一方向通常对准纵向，检测电流I沿该方向通过传感器堆144，且该方向通常平行于旋阀传感器140的空气承载面(ABS)166。第一和第二磁化强度矢量156根据第一和第二铁磁自由层150和152的形状各向异性来建立。结果，第一和第二磁化强度矢量156和158在其静态时取向第一和第二方向。
由于旋阀140的小尺寸，由第一和第二铁磁自由层150和152的磁化强度所产生的消磁场或杂散场在旋阀传感器140的运作中起主要作用。图4是一部分传感器堆144的简化俯视图，用来说明第一和第二铁磁自由层150和152的第一和第二磁化强度M1和M2所产生的消磁场对于互相所起的作用。第一铁磁自由层150的磁化强度M1所产生的消磁场或杂散场160在由第二磁化强度矢量158表示的第二方向上偏置磁化强度M2。同样，第二铁磁自由层152的第二磁化强度M2产生了消磁场162，该消磁场在由第一磁化强度矢量156表示的第一方向上偏置第一磁化强度M1。结果，第一和第二磁化强度M1和M2分别产生了消磁场160和162，它们以与其静态一致的方式互相偏置。结果，第一和第二磁化强度M1和M2的静态是非常稳定的。
第一和第二铁磁自由层150和152可用单独的钴铁(CoFe)层、CoFe层和镍铁(NiFe)层、与一些较小层间耦合(宜为-100至-500奥斯特(Oe))合成的反铁磁材料层、或其他为业内人士了解的适合于形成第一和第二铁磁自由层150和152的材料形成。隔离层154可用铜(Cu)或其它合适的导电非磁性材料形成。较佳地，形成隔离层154的材料具有约-10至-70Oe的负交换耦合以改进稳定性。
偏置部件具有在如箭头164所示的第三方向上产生磁场的磁化强度，第三方向垂直于图3中由第一和第二磁化强度矢量156和158所示的第一和第二方向。由偏置部件产生的磁场可以如图3中所示的向下，或向上。施阀140对偏置部件所产生的每个偏置磁场的方向大体上都以相同的方式运作。然而，由于对向下的偏置磁场方向对所加磁场的有稍好的灵敏度，所以该方向更为可取。偏置部件的作用在于将第一和第二铁磁层150和152的第一和第二磁化强度M1和M2引向第三方向164，从而建立静偏置态，如图5中所示。
图5示出了处于静偏置态时的第一和第二磁化强度矢量156和158和处于静偏置态时的第一和第二磁化强度矢量156’和158’。这里，所示的偏置部件所产生的偏置磁场164的第三方向向下朝着ABS166。另外，如上所述，第三方向可向上离开ABS166。如图5所示，对第一和第二磁化强度矢量156和158施加偏置磁场164，可起到使第一和第二磁化强度矢量156和158在第三方向上旋转的作用。在较佳实施例中，第一和第二磁化强度矢量156’和158’的静偏置态与水平取向的静态156和158成角大约45°，并且互相间隔90°进行取向，从而形成具有最佳对称的旋阀传感器140的工作点。然而，其他的工作点也是可接受的。
当旋阀140被带过记录媒质时，由该记录媒质上所存储的磁性转移所产生的磁场使第一和第二磁化强度矢量156’和158’如翅膀般“上下摆动”。结果，第一和第二磁化强度矢量156’和158’之间的角度为响应所加磁场而增加和减小，从而在可由读出电子装置146(图3)进行检测的旋阀传感器140中产生所需的GMR效应。
在本发明的一个实施例中，偏置部件由一对分别被交换耦合到第一和第二铁磁自由层156和158的反铁磁(AFM)层166和168形成，如图6的传感器堆144的分解透视图所示。第一和第二AFM层166和168提供了使第一和第二铁磁自由层156和158在由矢量170表示的第三方向上发生偏置的层间交换，从而产生所要的偏置磁场164(图5)并将第一和第二磁化强度M1和M2设置为静偏置态，如第一和第二磁化强度矢量156’和158’所示。旋阀140的传感器堆144可包含籽晶层或界面层，以确保各层的适当连接并如业内人士所了解地控制磁性层的晶粒大小、纹理和晶体结构。
常规的旋阀设计使用单独的AFM层在一方向上束缚一自由层，用另一AFM层在另一方方向上束缚第二自由层，从而设置所希望的旋阀传感器的工作点。这种配置要求AFM层由具有不同退火温度的不同材料形成，以使它们的交换吏缚或偏置场被设置在不同的方向上。传统上，先设置具有较高退火温度的AFM层，接着设置退火温度较低的AFM层。本发明避免了这种两步工艺并允许用相同材料形成每一AFM层，因为它们具有均在第三方向上进行取向的交换束缚或偏置场。因此旋阀传感器140的这个实施例的好处在于它比传统的旋阀设计更容易制造。
在本发明的另一实施例中，通过在传感器堆144上设置永磁铁172来形成偏置部件，如图7旋阀140沿纵向的侧面剖视图所示。永磁铁172具有在由磁化强度174所表示的第三方向(本例中是向下)上的磁化强度。永磁铁172的磁化强度对传感器堆144的第一和第二铁磁自由层150和152(图3)施加所要的偏置磁场164(图5)。永磁铁172通过后间隙或绝缘层176与传感器堆144和接触层148隔开。后侧间隙或绝缘层178使永磁铁172的侧面与接触层148和侧屏蔽180分隔开。间隙层176和178由具有适当厚度的绝缘材料形成，以防止永磁铁172和接触层148、传感器堆144、以及侧屏蔽180之间的静电放电。
可以根据需要来控制由永磁铁172所产生的偏置磁场164的强度，以便通过调节一个或多个参数来设置旋阀140的工作点(第一和第二磁化强度矢量156’和158’之间的角度)。这些参数包括永磁铁172的宽度182、高度184、深度、磁化强度以及边缘角度186。影响由永磁铁172所产生的偏置磁场的附加参数包括后间隙和侧间隙176和178的厚度。宽度182较佳地大于传感器堆144的宽度188。传感器堆144的宽度188和高度190通常小于0.15μm，以适应所用的旋阀传感器140所有的高面积密度记录。永磁铁172的高度184较佳地至少为0.5μm，从而使永磁铁172中的负电荷对传感器堆144的影响较小。
本发明的另一个方面涉及在传感器堆144的第一和第二端192和194处接触层148的设置，如图3和图8所示。这种排列取代了现有技术中旋阀的相邻连接设计，其中将永磁铁置于接触层置于其上的传感器堆附近。本发明的这一方面至少有两个优于相邻连接的好处。第一，通过使接触层148与传感器堆144的元件直接接触，比起在其中迫使检测电流通过永磁铁的相邻连接设计，导线电阻要低。其二，通过消除在第一和第二端192和194处的永磁铁，旋阀140的转换读出间隙或屏蔽到屏蔽的间隔(由底屏蔽196与顶屏蔽198隔开的距离决定)被减小，如图8旋阀140的空气承载面的图所示。另外，消除第一和第二端192和194处的永久磁铁可获得底屏蔽192和顶屏蔽198之间更小和更均匀的屏蔽到屏蔽的间隔。该旋阀140的屏蔽到屏蔽的间隔的减小使旋阀140可用于读取高面积密度的数据记录。
其中用永磁铁172形成偏置部件的本发明的这一实施例获得了底屏蔽196和顶屏蔽198之间最小的屏蔽到屏蔽间隔，因为不存在第一和第二AFM层166和168，如图6和8所示。底屏蔽196和顶屏蔽198间的附加间隔是由于将接触层148和传感器堆144与底屏蔽196隔开的间隙层200和将接触层148和传感叠堆144与顶屏蔽198隔开的间隙层202。通过调节传感器堆144的厚度、接触层148、间隙层200和202，可优化旋阀传感器140从而可读取所希望面积密度的数据。
总之，本发明的一个方面涉及接收检测电流I的旋阀140，它在对应于传感器堆144的宽度188的纵向上水平取向，并具有为响应所加磁场而变化的电阻。旋阀140包括第一和第二铁磁自由层152和152、隔离层154以及偏置部件。第一铁磁自由层150具有静态，在其中，其磁化强度M1(由磁化强度矢量156表示)处于对准于纵向的第一方向上。第二铁磁自由层152具有静态，在其中，其磁化强度M2(由磁化强度矢量158表示)对准于与第一方向反平行的第二方向。第一铁磁自由层150的磁化强度M1产生了在第二方向上偏置第二铁磁自由层152的磁化强度M2的第一杂散场160。类似地，第二铁磁自由层152的磁化强度M2产生了在第一方向上偏置第一磁化强度M1的第二消磁场162。隔离层154分隔第一和第二铁磁自由层150和152。偏置部件产生了偏置磁场164，该磁场在垂直于第一和第二方向的第三方向上偏置第一和第二磁化强度M1和M2。偏置部件从而为分别由磁化强度矢量156’和158’表示的第一和第二磁化强度M1和M2建立静偏置态，。
在旋阀140的一个实施例中，偏置部件由置于第一和第二铁磁自由层150和152上面的永磁铁172形成。在另一实施例中，偏置部件分别由第一和第二反铁磁层166和168形成。第一铁磁层166交换耦合到第一铁磁自由层150并具有在第三方向上取向的磁化强度170。
在本发明的另一实施例中，旋阀140包括与传感器堆144各元件的第一和第二端192和194分别直接接触的接触层148。旋阀140还可包括邻近第一铁磁自由层150的底屏蔽196和邻近第二铁磁自由层152和接触层148的顶屏蔽198。在本发明的一个方面中，底屏蔽和顶屏蔽196和198有基本上均匀的屏蔽到屏蔽的间隔。
本发明的另一个方面针对一种数据存储系统100，它包含根据本发明各种实施例的旋阀140。
本发明还针对检测所加磁场的方法。在该方法中，提供第一铁磁自由层150，该层在静态时具有在第一方向上的磁化强度M1(由磁化强度矢量156表示)并与纵向上的检测电流I对准(步骤130)。接着，提供第二铁磁自由层152，该层在静态时具有在与第一方向反平行的第二方向上的磁化强度M2(由磁化强度矢量158表示)(步骤132)。第一磁化强度M1产生在第二方向上偏置第二磁化强度M2的第一消磁场160，而第二磁化强度M2产生在第一方向上偏置第一磁化强度M1的第二消磁场162。接着，偏置磁场被加到第一和第二磁化强度M1和M2，使它们向垂直于第一和第二方向的第三方向转一角度，并建立由第一和第二磁化强度矢量156’和158’表示的静偏置态。然后使第一和第二磁化强度矢量156’和158’为响应所加的磁场而绕其静偏置态转动，从而由于它们的转动作用而产生大磁阻效应。
应当理解，虽然在上述说明中结合本发明各种实施例的结构和功能细节说明了本发明各种实施例的许多特性与优点，但这些揭示也只是说明性的，可在所附权利要求项表述的广泛意义所指的充分范围内对细节，特别是部件结构和安排作出改变。例如可在不脱离本发明范围和精神的前体下，在基本保持相同功能的同时，根据旋阀传感器的特定应用来改变特定的单元。
权利要求
1.一种与数据存储系统一起应用的旋阀传感器，为响应所加磁场而产生大磁阻(GMR)效应，其特征在于，所述传感器包括检测电流(I)，它在纵向上水平取向；第一铁磁自由层，当其处于静态时，在与检测电流的纵向对准的第一方向上具有磁化强度(M1)；第二铁磁自由层，当其处于静态时，在与所述第一方向反平行的第二方向上具有磁化强度(M2)；隔离层，位于第一与第二铁磁自由层之间；偏置部件，它在与所述第一和第二方向垂直的第三方向上产生使M1和M2都偏置的偏置磁场，从而建立M1和M2的静偏置态；以及其中，当所述第一和第二铁磁自由层处于静态时，M1产生在第二方向上偏置M2的第一消磁场，M2产生在第一方向上偏置M1的第二消磁场，而且为响应所加磁场，M1和M2绕其静偏置态旋转，从而由M1和M2旋转作用的结果在传感器中产生GMR效应。
2.如权利要求1所述的旋阀传感器，其特征在于，所述偏置部件是永磁铁，它在第三方向上具有磁化强度并位于所述第一和第二铁磁自由层之上。
3.如权利要求1所述的旋阀传感器，其特征在于，所述偏置部件包括交换耦合于所述第一铁磁自由层的第一反铁磁层，以及交换耦合于所述第二铁磁自由层的第二反铁磁层。
4.如权利要求1所述的旋阀传感器，其特征在于，所述第三方向选自一组包含向上和向下的方向。
5.如权利要求1所述的旋阀传感器，其特征在于，包括分别处于与所述第一和第二铁磁自由层的第一和第二端接触的第一和第二接触层，以及隔离层，其中检测电流在所述纵向上流动于所述第一和第二接触层之间。
6.如权利要求5所述的旋阀传感器，其特征在于，包括邻近于所述第一铁磁自由层和所述接触层的底屏蔽；和邻近于所述第二铁磁自由层和所述接触层的顶屏蔽；其中，所述底屏蔽与顶屏蔽具有大体上均匀的屏蔽到屏蔽间隔。
7.如权利要求1所述的旋阀传感器，其特征在于，M1和M2在相对于检测电流约45°的方向上取向。
8.一种包括权利要求1的旋阀传感器的数据存储系统。
9.一种检测所加磁场的方法，其特征在于包括步骤(a)提供第一铁磁自由层，该层在静态时具有在与纵向上的检测电流(I)对准的第一方向上的磁化强度(M1)；(b)提供第二铁磁自由层，该层在静态时具有在与第一方向反平行的第二方向上的磁化强度(M2)；(c)对第一和第二铁磁自由层施加偏置磁场，从而使M1和M2转变角度向着垂直于所述第一和第二方向的第三方向并建立静偏置态；以及(d)使M1和M2为响应所加磁场而绕其静偏置态旋转，从而由M1和M2旋转作用的结果产生GMR效应。
10.一种旋阀传感器，其特征在于，包括适合于接收检测电流的传感器堆；和磁场检测装置，用于为响应所加磁场而调节所述传感器堆的电阻，从而在所述传感器堆中产生GMR效应。
全文摘要
本发明针对用于数据存储系统(100)中的旋阀传感器(140)，它适合于接收检测电流(I)并为响应所加的磁场而产生GMR效应。旋阀传感器(140)包含第一和第二铁磁自由层，位于该第一和第二铁磁自由层150和152之间的隔离层，以及偏置部件。第一铁磁自由层(150)当处于静(未偏置)态时在第一方向上具有磁化强度(M1)。第二铁磁自由层(152)当处于静(未偏置)态时在反平行于第一方向的第二方向上具有磁化强度(M2)。
文档编号G11B5/00GK1459094SQ01815809
公开日2003年11月26日 申请日期2001年4月26日 优先权日2000年9月19日
发明者陈路君, J·H·朱斯蒂, J·J·弗南德兹德卡斯特罗 申请人:西加特技术有限责任公司