专利名称：磁光记录媒体及磁光存储装置的制作方法
技术领域：
本发明一般涉及磁光记录媒体，特别涉及适用于高密度记录的磁光记录媒体。
背景技术：
作为提高光盘的记录密度的一种方法，对缩短对数据进行记录或再生(重放)时所使用的激光的波长的方法进行了研究。例如，现在在3.5英寸的磁光盘装置中使用的激光波长为650nm，通过将其变成波长405nm的蓝紫色激光，可使束斑直径从现有的约1.0μm减小为0.65μm，可以进行高密度记录。
磁光盘作为高密度记录媒体是众所周知的，优选地，随着信息量的增大实现更高密度化。高密度化可通过紧缩记录标识的间隔而实现，但其再生受到媒体上的光束的大小(束斑)的限制。在设定在束斑内只存在一个记录标记时，根据是否存在记录标记而可以观测到与“0”、“1”相对应的输出波形作为再生信号。
然而，在紧缩记录标记的间隔而在束斑内存在多个时，由于即使媒体上的束斑移动，再生输出也不发生改变，输出波形变成直线而不能识别记录标记的有无。为了使具有小于等于这样的束斑的周期的小记录标记再生，可以将束斑缩小，但束斑的大小受到光源的波长λ和物镜的数值孔径NA的制约，不能充分地缩小。
最近，采用利用原样不变地使用现有的光学系统对小于等于束斑的记录标记进行再生的磁感应超高分辨(MSR)技术的再生方法的磁光盘装置已经进入市场。MSR是一种在束斑内的一个标记再生时通过将周围的其他标记掩蔽而提高再生分辨率的再生方法。因此，在超高分辨盘媒体中，为了在用来对标记进行记录的记录层以外的部分在信号再生时只使一个标记再生，必须至少具有用来使另一个标记隐去的掩模层或再生层。
例如，提出了在再生层和记录层之间插入非磁性层，通过利用静磁耦合将记录层的记录标记复印写，进行信息再生的CAD(中心孔径检测)型的MSR媒体。作为再生层，使用在室温下具有在面内方向容易磁化的性质的面内膜，通过只将借助激光束的照射而成为高温的部分的记录层的记录标记复印到再生层，将再生部分以外的部分用再生层掩蔽可以进行超高分辨再生。在CAD媒体中，因为孔径部以外的再生层磁化是面内，不能检出，对抗来自邻接轨道的串扰能力强，可以将道距减小。而在不是超高分辨再生的通常的磁光记录媒体中，通过使用蓝紫波段的短波长激光可以获得比现有的道距窄的道距，通过将CAD方式与短波长进行组合，可以更进一步减小道距。在本说明书中，将波长300nm～500nm的激光定义为短波长激光。
下面，参照图1对作为CAD型的一例的现有的磁光记录媒体2的结构进行说明。在透明基板4上按照下面顺序依此层叠以下各层由SiN构成的介电体底层6；由GdFeCo构成的第1再生层8；由GdGe构成的第2再生层10；由SiN构成的非磁性层12；由TbFeCo构成的记录层14。在记录层14上，层叠由GdFeCo构成的记录辅助层16；SiN覆盖层18；含Al金属层20。第1再生层8及第2再生层10具有在室温下在面内方向容易磁化的性质。另一方面，记录层14为单层，具有在室温下在垂直方向容易磁化的性质。
图1所示的CAD媒体的再生，可利用来自记录层14的磁场使第1及第2再生层8、10的磁化方向反转而进行。如上所述，在CAD媒体中部分部以外的再生层磁化是在面内而不能检测出，对抗来自邻接轨道的串扰能力强，可以将道距减小。然而，实际上在为了高密度化而减小道距时，在邻接的轨道上存在记录标记时，再生轨道的抖动上升的问题明显。此处所谓的抖动，指的是标记长度的波动量。在光盘中目标标记的长度是确定的，但实际上标记的长度有波动而偏离目标值。在该偏离大于等于某一限界值时，在再生时就会出错。在该限界值为T(ns)、标记长度波动的正则分布为σ时，抖动用100×σ/(T×21/2)％定义。其中，21/2是取决于再生方式的修正系数。
此抖动的上升，在对邻接轨道记录标记之后，对自己的轨道记录标记时表现显著。这一问题，在不是超高分辨型的通常的磁光记录媒体中在道距减小时出现。特别是在使用过渡金属占优势(富含TM)的记录层时这一问题明显。
在CAD媒体中，利用记录层的磁场使再生层的磁化方向反转。因此，必须使用磁化(Ms)强的过渡金属占优势的材料作为记录层。但是，在使用由于过渡金属占优势而磁化(Ms)强的记录层时，从写在不进行再生的邻轨的记录层中的标记也会产生磁场，可知该磁场会影响邻轨的记录层而使抖动上升。为了避免这一抖动的上升，可以减少记录层中的FeCo的含量，就是说，可以在稀土类元素占优势(富含RE)组分侧调整组分，但由于在富含RE的记录层中记录层的标记究竟不能充分地复印到记录层，再生很困难。
另外，已经了解，在通常的磁光记录媒体中，为提高CN比使用过渡金属占优势的TbFeCo构成的记录层时，或为减小消磁磁场添加由过渡金属占优势的GdFeCo组成的记录辅助层时，伴随窄道距化会发生同样的问题。即使记录层在室温下处于补偿组分附近，磁光盘装置内的温度一直上升到50～60℃左右时，变成过渡金属占优势，产生同样的问题。
发明内容
因此，本发明的目的是提供具有良好的抖动特性可进行高密度记录的磁光记录媒体。
根据本发明的一个方面，提供一种磁光记录媒体，其特征在于具有基板；设置在该基板上，以Tb和FeCo为主成分，在室温下补偿组分或过渡金属占优势，且表现出垂直磁化的第1记录层；以及设置在上述第1记录层上，具有大于等于100℃的补偿温度，在室温下稀土类元素占优势，且表现出垂直磁化的第2记录层；在上述第1记录层和第2记录层的居里温度分别为Tc1、Tc2，室温下的矫顽力为Hc1、Hc2，膜厚为t1、t2时，有以下的关系60℃＜Tc2＜Tc1，Hc1·t1＞Hc2·t2。
优选地，60℃≤Tc2≤Tc1-50℃。第2记录层以Dy及FeCo为主成分。或者，第2记录层以从GdTb、TbDy、DyGd、TbNd、DyNd、GdNd及TbGdDy构成的组中选择的合金及FeCo为主成分。
优选地，第1记录层的组分为Tbx(Fe100-yCoy)，15≤x≤20，8≤y≤18；第2记录层的组分为Dyx(Fe100-yCoy)，24≤x≤30，5≤y≤20。
优选地，磁光记录媒体还包含由与第1记录层磁接触配置的GdFeCo构成的记录辅助层。记录辅助层为在室温下过渡金属占优势(富含TM)。在记录辅助层的居里温度为Tca时，Tc2＜Tc1＜Tca。
根据本发明的磁光记录媒体，在窄道距下即使在两侧有标记，也可以提供具有良好抖动特性的可进行高密度记录的磁光记录媒体。
根据本发明的另一个方面，提供一种磁光盘装置，可对磁光记录媒体进行信息记录/再生，其特征在于具有使激光束照射到上述磁光记录媒体上的光学头；以及从被上述磁光记录媒体反射的反射光生成再生信号的光检出器；上述磁光记录媒体具有基板；设置在该基板上，以Tb和FeCo为主成分，在室温下补偿组分或过渡金属占优势，且表现出垂直磁化的第1记录层；设置在上述第1记录层上，具有大于等于100℃的补偿温度，在室温下稀土类元素占优势，且表现出垂直磁化的第2记录层；在上述第1记录层和第2记录层的居里温度分别为Tc1、Tc2，室温下的矫顽力为Hc1、Hc2，膜厚为t1、t2时，有以下的关系60℃＜Tc2＜Tc1，Hc1·t1＞Hc2·t2。
图1为现有的CAD型的磁光记录媒体结构图。
图2为本发明实施方式1的磁光记录媒体结构图。
图3为示出抖动与第2记录层的Dy组分的依赖关系的示图。
图4为示出抖动与第2记录层的Co组分的依赖关系的示图。
图5为示出抖动与第1记录层的Co组分的依赖关系的示图。
图6为示出抖动与第1记录层的Tb组分的依赖关系的示图。
图7为示出记录功率与第1记录层的Co组分的依赖关系的示图。
图8为本发明实施方式2的磁光记录媒体结构图。
图9为本发明实施方式3的磁光记录媒体结构图。
图10为本发明实施方式4的磁光记录媒体结构图。
图11为本发明实施方式5的磁光记录媒体结构图。
图12为本发明实施方式6的磁光记录媒体结构图。
图13为本发明实施方式7的磁光记录媒体结构图。
图14为本发明实施方式8的磁光记录媒体结构图。
图15为根据本发明的磁光盘装置的框图。
图16为装载MO盘盒的磁光盘装置的内部构造的说明图。
具体实施例方式
下面，参照附图对本发明的各实施方式进行详细说明。在各实施方式的说明中，对与图1所示的现有例实质上相同的结构部分赋予相同的符号进行说明。图2示出本发明实施方式1的磁光记录媒体2A的结构图。4是凸台和凹槽的间隔为0.40μm，凸台和凹槽之间的高度(沟深)为30nm的凸台凹槽记录用透明基板。基板4由玻璃或聚碳酸酯等构成。
在基板4上，按照下面顺序依此层叠以下各层由SiN构成的介电体底层6；由GdFeCo构成的第1再生层8；由GdFe构成的第2再生层10；由SiN构成的非磁性层12。在非磁性层12上按照下面顺序依此层叠以下各层由TbFeCo构成的第1记录层14；由GdFeCo构成的记录辅助层16；由DyFeCo构成的第2记录层22；SiN覆盖层18以及含Al金属层20。
本实施方式的磁光记录媒体2A是可将第1及第2记录层14、22的记录标记通过静磁耦合复印到第2再生层10及第1再生层8的CAD型的MSR媒体。第1再生层8及第2再生层10具有在室温下在面内方向容易磁化的性质。另一方面，第1记录层14、记录辅助层16及第2记录层22分别为单层，具有在室温下在垂直方向容易磁化的性质。
下面，对本实施方式的磁光记录媒体2A的制造方法进行说明。将凸台·凹槽记录用透明基板4插入到具有真空度达到小于等于5×10-5Pa的多个成膜室(溅射室)的静止对置型的溅射装置。首先，将上述基板4传送到安装Si靶的第1室，导入Ar气和N2气，通过反应性溅射形成40nm的SiN层的薄膜。
之后，将基板4移动到具有Gd30Fe56Co14合金靶的第2室，导入Ar气，通过DC溅射在室温下形成由富含RE的成分(补偿温度高于等于室温)的Gd30Fe56Co14构成的第1再生层8薄膜。第1再生层8的居里温度大于等于300℃。之后，将基板4移动到安装有Gd靶和Fe靶的第3室，导入Ar气，通过DC溅射在室温下形成由Gd15Fe85构成的膜厚为7nm的第2再生层10薄膜。另外，只要没有特别说明，组分是以原子％表示。
之后，将基板4送回到第1室，形成膜厚为1.5nm的SiN非磁性阻挡层12薄膜。之后，将基板4移动到第4室，使对Tb靶和FeCo靶同时放电形成由TbFeCo构成的膜厚为40nm的第1记录层14薄膜。此处，通过改变对Tb靶和FeCo靶的接通功率比可改变Tb的组分。另外，通过使用组分比不同的FeCo靶，生成了Co组分不同的多个试样。之后，将基板4移动到安装有Gd20Fe64Co16合金靶的第5室，导入Ar气，通过DC溅射形成由Gd20Fe64Co16构成的膜厚5nm的记录辅助层16薄膜。记录辅助层16具有在室温下容易垂直磁化的性质，即在垂直方向容易磁化的性质。
之后，将基板4移动到第6室，导入Ar气，使对Dy靶和FeCo靶同时放电通过DC溅射形成由DyFeCo构成的膜厚为15nm的第2记录层22薄膜。此处，通过改变对Dy靶和FeCo靶的接通功率比可改变Dy的组分，通过使用组分比不同的FeCo靶，生成了Co组分改变的多个试样。之后，将基板4移动到第1室，形成膜厚为10nm的SiN覆盖层18薄膜。之后，将基板4移动到安装有包含Ti为1.5wt％的AlTi合金靶的第7室，形成膜厚60nm的AlTi金属层20薄膜。在金属层20之上施加紫外线硬化树脂涂层而制成图2所示的磁光记录媒体2A。
对以上述方法制成的磁光记录媒体2A在线速度7.5m/s的条件下利用405nm的激光束(物镜的数值孔径NA＝0.55)以0.20μm/位的标记长度进行1-7调制的随机模式光调制记录，测定抖动。抖动是标记长度的波动量。此处，假设消磁磁场为200奥斯特(Oe)或200×103/4π(A/m)，记录磁场为200奥斯特(Oe)或200×103/4π(A/m)。
在图3～图6中示出在各个条件下的抖动的测定结果。抖动测定是随机进行的，在两侧的凹槽中预先记录随机模式的标记。在图3中，为了比较，以虚线示出在两侧的凹槽中未记录标记的状态中的抖动。在图7中示出记录功率Pw与第1记录层14的Co组分的依赖关系的测定结果。
如图3的虚线所示，在两侧的凹槽轨道中没有标记时，与第2记录层22的Dy组分无关，得到9％左右的抖动，而在两侧的凹槽轨道中记录有标记的状态下在凸台轨道上记录标记时，在Dy组分小于24％，大于30％时，抖动上升。第1记录层14的组分为Tb18Fe68Co14，居里温度为210℃。
为了进行比较，在图1所示的现有媒体中，在由Tb18Fe68Co14形成记录层14，制成没有第2记录层的试样，测定抖动时，在不存在两侧轨道的标记时，可得到达到8.5％的良好的抖动，在两侧轨道上有标记的状态下，抖动上升到11.8％。因此可知，在增加DyFeCo作为第2记录层时，通过将该组分调整为适当的值，可以不受两侧轨道的标记的影响而得到良好的抖动。
在Dy组分小于24％时，由于接近补偿组分，从第2记录层22发生的与第1记录层14逆向的磁化(Ms)变小。在Dy组分进一步减小时，作为与第1记录层14的磁化(Ms)相同方向的磁化的过渡金属变为优势(富余)，在使第1记录层14及第2记录层22相加的室温下的磁化(Ms)变得过大的结果，来自两侧轨道的标记的磁场的影响变强，抖动上升。在Dy组分大于30％时，第2记录层22变成面内磁化膜的倾向变强。由于磁光记录媒体是垂直记录媒体，因为一般在面内方向的磁化容易性变强时，记录特性恶化，噪声上升，抖动恶化。所以，通过使Dy组分处于24％～30％的范围内，在室温附近第1记录层14的磁化与第2记录层22的磁化抵消，由于相加的磁化(Ms)变小，可以获得良好的记录特性。
图4为示出抖动与第2记录层22的Co组分的依赖关系的示图。从图4可知，第2记录层22的Co组分在5％～20％范围内是优选的。由于在Co组分小于5％时，居里温度一直下降到室温附近，与第1记录层14的磁化(Ms)逆向的磁化(Ms)变小。其结果，第1记录层14的磁化(Ms)抵消效果变小。另一方面，由于在Co组分大于20％时，居里温度变得大于等于160℃，变得接近第1记录层14的居里温度。其结果，记录特性恶化，抖动上升。在第1记录层14和第2记录层22的居里温度分别为Tc1、Tc2时，第1记录层14和第2记录层22的居里温度的关系为60℃＜Tc2＜Tc1是优选的，更优选地，60℃＜Tc2＜Tc1-50℃。
图5为示出抖动与第1记录层14的Co组分的依赖关系的示图。从图5可知，在Tb组分小于15％时，过渡金属成为极端优势，记录特性恶化，抖动上升。另一方面，在Tb组分大于20％时，补偿组分或稀土类金属成为优势，磁化(Ms)降低，CAD再生困难。另外，由于记录特性恶化，抖动上升。因此，第1记录层14的Tb的组分在15％～20％范围内是优选的。
图6为示出抖动与第1记录层14的Co组分的依赖关系的示图。在第1记录层14的Co组分在小于8％时，第1记录层14的居里温度变得小于等于150℃，变得与第2记录层22的居里温度大致相同的居里温度，其结果，记录特性恶化，抖动上升。另一方面，在第1记录层14的Co组分大于18％时，从图7可知，记录所必需的激光功率上升，会变得大于等于容许值的7mW。另外，需要大功率的激光，能耗增大。所以，第1记录层14的Co组分在8％～18％范围内是优选的。
总而言之，第1记录层14在室温下是补偿组分或过渡金属优势的垂直磁化膜，第2记录层22在大于等于100℃时，具有小于等于居里温度附近的补偿温度，在室温下是稀土类元素优势的垂直磁化膜是优选的。此处所谓的“居里温度附近”定义为居里温度±20℃。另外，在上述第1记录层14和第2记录层22的居里温度分别为Tc1、Tc2，室温下的矫顽力为Hc1、Hc2，膜厚为t1、t2时，有60℃＜Tc2＜Tc1且Hc1·t1＞Hc2·t2的关系是优选的。更优选地，60℃＜Tc2＜Tc1-50℃。
本发明可应用于第1记录层14及第2记录层22满足上述关系的一切磁光记录媒体，并不限定于图所示的CAD型的磁光记录媒体2A。例如，也同样适用于如图8所示的将记录辅助层16′插入到基板4侧与第1记录层14相接的磁光记录媒体2B或如图9所示的在第1记录层14的两侧设置记录辅助层16′、16的磁光记录媒体2C。实施方式2及3的磁光记录媒体2B、2C，与图2所示的实施方式1的磁光记录媒体2A一样，是CAD型的MRS媒体。
另外，如图10～12所示的实施方式4～6，对不具有再生层的通常的磁光记录媒体2D～2F也同样适用。在图11所示的实施方式5中，在第1记录层14和介电体底层6之间插入记录辅助层16，在图12所示的实施方式6中在第1记录层14的两侧设置有记录辅助层16′、16。
另外，不仅是SiN等非磁性阻挡层，对于再生层是经磁性开关层与记录层交换耦合类型的可进行超高分辨再生的磁光记录媒体或可扩大再生的磁光记录媒体也可获得同样的效果。例如，如图13及图14所示的实施方式7、实施方式8的磁光记录媒体2G、2H，通过在再生层8和第1记录层14之间，插入由居里温度比再生层8及第1记录层14低的TbFe或TbFeCo构成的开关层24而成为前孔径检测(FAD)型的超高分辨媒体(MSR)、或畴壁移动检测技术(DWDD)、磁畴放大读出技术(MAMMOS)等扩大再生媒体，即使是这种可扩大再生的磁光记录媒体也可以得到同样的效果。
另外，代替第2记录层22的Dy，使用GdTb、TbDy、DyGd、TbNd、DyNd、GdNd及TbGdDy等也会获得同样的效果。为了提高耐久性也可对各磁性层添加非磁性元素。另外，可以适当选择各材料的组分比。
图15示出为根据本发明的磁光盘装置的电路框图。本发明的磁光盘装置，由控制单元40和盒体41构成。在控制单元40中设置有对磁光盘装置进行整体控制的MPU42；在与上位之间进行命令及数据交换的接口47；对磁光盘媒体进行数据读写所必需的处理光盘控制器(ODC)44；数字信号处理器(DSP)46以及缓冲存储器48。缓冲存储器48、MPU42、光盘控制器44以及上位接口47是共用的。
在光盘控制器44中设置有格式器44a及ECC处理部44b。在写入访问时，格式器44a将NRZ写入数据分割为媒体的扇区单位生成记录格式。ECC处理部44b对扇区写入数据单位生成ECC码附加于记录格式，并且在需要时生成和附加CRC码。并且将已经完成ECC编码的扇区数据变换为1-7RLL编码。
格式器44a生成从OS上访问时所使用的逻辑块地址(LBA)。此LBA由根据磁光盘媒体的记录容量预先编程，此程序以固件形式存放于格式器44a中。在格式器44a中存放将LBA变换为轨道地址及扇区地址的程序。而且，将在磁光盘媒体物理格式化时所发现的缺陷扇区编号也存放于格式器44a中。
在读入访问时，对解调的扇区数据进行1-7RLL逆变换，在ECC处理部44b中进行CRC检验之后，进行错误检测和纠正。此外，在格式器44a中，连接扇区单位的NRZ数据并作为NRZ读出数据的流传送到上位装置。写入LSI电路50由光盘控制器44控制。写入LSI电路50具有写入调制部51和激光二极管控制电路52。激光二极管控制电路52的输出发送给设置于盒体41侧的光学单元中的激光二极管单元60。
激光二极管单元60具有激光二极管60a和监视器用光电检测器60b。写入调制部51，将写入数据变换为PPM记录或PWM记录的数据形式。作为使用激光二极管单元60进行记录再生的磁光盘，即可重写的磁光(MO)盒媒体，本发明的磁光盘装置可以使用128MB、230MB、540MB、640MB、1.3GB及本发明的磁光记录媒体的任何一个。在物镜的数值孔径(NA)大于等于0.55时，使用波长405nm的蓝紫色激光，可与在上述各实施方式中公开的本发明的磁光记录媒体进行下位互换。
其中，对于128MB、230MB的MO盒媒体，采用与媒体上的标记的有无相对应记录数据的凹坑位置记录(PPM记录)。另外，媒体的记录格式是CAV(恒定角速度)。另外，对于可进行高密度记录的540MB、640MB和1.3GB以及本发明的MO盒媒体，采用使标记的边缘部分，即标记的前缘和后缘，与数据相对应的脉冲宽度记录(PWM记录)。另外，采用分区CAV。
这样，本发明的磁光盘装置，除了本发明的媒体之外，可与128MB、230MB、540MB、640MB、1.3GB的各记录容量的MO盒媒体相对应。所以，在将MO盒媒体装载到磁光盘装置中时，首先读出在媒体的头标部由多个预制凹坑形成的ID部，从该凹坑间隔MPU42识别媒体的类别，将识别结果通知写入LSI50。另外，在将CAD型的MO盒媒体装载到磁光盘装置中时，由MPU42设定此媒体用的规定的设定值，将此设定值通知写入LSI50。
在来自光盘控制器44的扇区写入数据是128MB、230MB的媒体时，由写入调制部51变换为PPM记录数据，在是540MB、640MB、1.3GB的媒体或本发明的磁光记录媒体时，变换为PWM记录数据。由写入调制部51变换的PPM记录数据或PWM记录数据传送给激光二极管控制电路52，驱动激光二极管60a将数据写入到媒体。
读出LSI电路54，具有读出解调部55和频率合成器56。从激光二极管60a出射的激光束的反射光由ID/MO用检测器62检测，经光学头放大器64输入到读出LSI电路54作为ID信号及MO信号。头标部的地址信息等作为ID信号检测，通过标识符和轨道地址、扇区地址的连续数据的再生，可以识别光束的媒体上的位置。
在读出LSI电路54的读出解调部55上设置有AGC电路、滤波电路、扇区标记检测电路等的电路功能，由输入的ID信号及MO信号生成读入时钟脉冲和读入数据，将PPM记录数据或PWM记录数据解调为原本的NRZ数据。由于采用分区CAV作为主轴电动机70的控制，从MPU42对内置于读出LSI电路54中的频率合成器56，进行用来使与分区对应的时钟频率发生的分频系数的设定控制。
频率合成器56是具备可编程分频器的PLL电路，可根据媒体的分区(频带)位置生成具有预先确定的频率的基准时钟脉冲作为读入时钟脉冲。就是说，频率合成器56，由具备可编程分频器的PLL电路构成，MPU42根据分区号按照下式产生依照分频系数(m/n)的频率fo的基准时钟脉冲fo＝(m/n)·fi其中，分频系数(m/n)的分母的分频值n是与128MB、230MB、540MB、640MB、1.3GB或本发明的磁光记录媒体类别相应的固有值。分子的分频值m是相应于媒体的分区位置而改变的值，是作为与各媒体附带的分区号相对应的值的表信息预先准备的。
读出LSI电路54还向DSP46输出MOXID信号E4。MOXID信号E4，在成为数据区的MO区中为高电平(位1)，在形成预制凹坑的ID区中是L电平(位0)，是表示媒体的记录轨道上的MO区和ID区的物理位置的信号。由读出LSI54解调的读出数据发送给光盘控制器44，在1-7RLL的逆变换后利用ECC处理部44b的编码功能接受CRC检验和ECC处理而还原为NRZ扇区数据。另外，由格式器44a联系到NRZ读出数据的流之后，由上位接口47经缓冲存储器48传送到上位装置。
设置于盒体41侧的温度传感器66的检测信号经DSP46发送给MPU42。MPU42，根据由温度传感器66所检出的装置内部的环境温度，将激光二极管控制电路52中的读出、写入、擦除的各发光功率控制为最佳值。激光二极管控制电路52，例如，将写入功率控制为6.0mW，将读出功率控制为2.0mW。128MB至1.3GB媒体进行光调制记录。在本发明的磁光记录媒体中，也可以采用光调制记录及磁场调制记录中的任何一个。MPU42还经DSP46由驱动器68控制设置于盒体41侧的主轴电动机70。由于MO盒的记录格式是分区CAV，使主轴电动机70以一定速度，例如，4500rpm转动。在数据记录时及再生时媒体的线速度都是7.5m/s。
MPU42还经DSP46由驱动器72控制设置于盒体41侧的磁场施加部74。磁场施加部74，配置于与装载到装置内的MO盒的光束照射侧的反对侧，向媒体提供外部磁场。DSP46，具有用来使来自激光二极管60a的激光束定位的伺服功能，具有用来寻找目标轨道并在轨(on-track)的寻道控制部57和在使光束引入到目标轨道之后跟踪轨道中心的在轨控制部58。
为了实现DSP46的伺服功能，在盒体41侧设置接受从媒体反射的光束的光学单元，FES检测电路76由FES用检测器75的受光输出生成聚焦误差信号并输入到DSP46。在盒体4侧的光学单元中设置接受来自媒体的反射光束的TES用检测器77，TES检测电路78由TES用检测器77的受光输出生成跟踪误差信号E1并输入到DSP46。
跟踪(tracking)误差信号E1输入到TZC检测电路(跟踪过零检测电路)80，生成跟踪过零脉冲E2并输入到DSP46。DSP46，为了控制媒体上的束斑的位置，还经驱动器88、92、96控制聚焦执行器90、跟踪执行器94及VCM98的驱动。
图16示出磁光盘装置的盒体41的概略结构。在盒体100内设置有主轴电动机70，在经入口104将MO盒插入到装置内时，内部的MO媒体12卡紧在主轴电动机70的转动轴的中枢上而进行MO媒体12的装载。在装载的MO媒体12的下侧设置有由VCM98在横切媒体轨道方向上自由移动的滑架108。在滑架108上装载物镜110及光束调试棱镜114。
来自设置于固定光学系统中的激光二极管60a的激光束由光束调试棱镜114反射而入射到物镜110，将束斑聚焦于MO媒体12的记录面。物镜110可由图15的盒体41中的聚焦执行器90控制其在光轴方向上的移动，并由跟踪执行器94在横切媒体轨道的半径方向上，例如，在数十轨道的范围内移动。在装载的MO媒体12的上侧设置有用来对媒体施加外部磁场的磁头机构102。磁头机构既可以是上浮或接触型的磁头滑动器，也可以是电磁铁。
如上所详述，根据本发明，通过使记录层多层化，可以提供即使是在记录轨道的两侧有标记时也具有良好的抖动特性的窄道距的适于高密度记录的磁光记录媒体。本发明特别是在凸台凹槽记录方式中有效，但在窄道距的凸台记录方式及凹槽记录方式中也有效。另外，还可以提供适用于这种磁光记录媒体的数据的记录/再生的磁光盘装置。
权利要求
1.一种磁光记录媒体，其特征在于具有基板；设置在该基板上的、以Tb和FeCo为主成分、在室温下补偿组分或过渡金属占优势、且表现出垂直磁化的第1记录层；以及设置在上述第1记录层上的、具有大于等于100℃的补偿温度、在室温下稀土类元素占优势、且表现出垂直磁化的第2记录层；在上述第1记录层和第2记录层的居里温度分别为Tc1、Tc2，室温下的矫顽力为Hc1、Hc2，膜厚为t1、t2时，有以下的关系60℃＜Tc2＜Tc1，Hc1·t1＞Hc2·t2。
2.如权利要求1所述的磁光记录媒体，其特征在于60℃＜Tc2＜Tc1-50℃。
3.如权利要求1所述的磁光记录媒体，其特征在于上述第2记录层以Dy及FeCo为主成分。
4.如权利要求1所述的磁光记录媒体，其特征在于上述第2记录层以从GdTb、TbDy、DyGd、TbNd、DyNd、GdNd及TbGdDy构成的组中选择的合金及FeCo为主成分。
5.如权利要求1所述的磁光记录媒体，其特征在于上述第1记录层的组分为Tbx(Fe100-yCoy)，15≤x≤20及8≤y＜18。
6.如权利要求3所述的磁光记录媒体，其特征在于上述第2记录层的组分为Dyx(Fe100-yCoy)，24≤x≤30及5≤y≤20。
7.如权利要求1所述的磁光记录媒体，其特征在于还具有与上述第1记录层磁接触配置的、由GdFeCo构成的记录辅助层。
8.如权利要求7所述的磁光记录媒体，其特征在于上述记录辅助层为在室温下过渡金属占优势。
9.如权利要求7所述的磁光记录媒体，其特征在于在上述记录辅助层的居里温度为Tca时，Tc2＜Tc1＜Tca。
10.如权利要求1所述的磁光记录媒体，其特征在于还具有在上述基板和上述第1记录层之间插入的、在室温下表现出面内磁化、稀土类元素占优势、以GdFeCo为主成分的再生层；以及在该再生层和上述第1记录层之间插入的非磁性阻挡层。
11.如权利要求10所述的磁光记录媒体，其特征在于还具有与上述第1记录层磁接触配置的、由GdFeCo构成的、在室温下过渡金属占优势的记录辅助层。
12.如权利要求1所述的磁光记录媒体，其特征在于还具有在上述基板和上述第1记录层之间插入的、在室温下表现出面内磁化、稀土类元素占优势、以GdFeCo为主成分的再生层；以及在该再生层和上述第1记录层之间插入的、以TbFe为主成分的磁性开关层。
13.如权利要求12所述的磁光记录媒体，其特征在于还具有与上述第1记录层磁接触配置的、由GdFeCo构成的、在室温下过渡金属占优势的记录辅助层。
14.如权利要求1所述的磁光记录媒体，其特征在于还具有在上述基板和上述第1记录层之间插入的、在室温下表现出面内磁化、稀土类元素占优势、以GdFeCo为主成分的再生层；以及在该再生层和上述第1记录层之间插入的、以TbFeCo为主成分的磁性开关层。
15.如权利要求14所述的磁光记录媒体，其特征在于还具有与上述第1记录层磁接触配置的、由GdFeCo构成的、在室温下过渡金属占优势的记录辅助层。
16.一种磁光存储装置，可对磁光记录媒体进行信息记录/再生，其特征在于具有使激光束照射到上述磁光记录媒体上的光学头；以及从被上述磁光记录媒体反射的反射光生成再生信号的光检出器；上述磁光记录媒体具有基板；设置在该基板上的、以Tb和FeCo为主成分、在室温下补偿组分或过渡金属占优势、且表现出垂直磁化的第1记录层；设置在上述第1记录层上的、具有大于等于100℃的补偿温度、在室温下稀土类元素占优势、且表现出垂直磁化的第2记录层；在上述第1记录层和第2记录层的居里温度分别为Tc1、Tc2，室温下的矫顽力为Hc1、Hc2，膜厚为t1、t2时，有以下的关系60℃＜Tc2＜Tc1，Hc1·t1＞Hc2·t2。
全文摘要
一种磁光记录媒体，其特征在于具有基板；设置在该基板上，以Tb和FeCo为主成分，在室温下补偿组分或过渡金属占优势，且表现出垂直磁化的第1记录层；以及设置在上述第1记录层上，具有大于等于100℃的补偿温度，在室温下稀土类元素占优势，且表现出垂直磁化的第2记录层；在上述第1记录层和第2记录层的居里温度分别为Tc1、Tc2，室温下的矫顽力为Hc1、Hc2，膜厚为t1、t2时，有以下的关系60℃＜Tc2＜Tc1，Hc1·t1＞Hc2·t2。
文档编号G11B11/00GK1650361SQ0282943
公开日2005年8月3日 申请日期2002年8月13日 优先权日2002年8月13日
发明者细川哲夫 申请人:富士通株式会社