专利名称：磁记录头的制作方法
技术领域：
本发明涉及一在一个信息存储媒体上完成磁记录的磁记录头，更特别地，涉及一具有能够在一个记录方向上增强磁场的结构的磁记录头。
背景技术：
一般磁记录头用于在一个信息存储媒体上记录信息和/或重现其中信息。
最近，为了在一个有限的信息存储区域，如硬盘内增加记录密度，有关使用一个垂直磁记录方法的磁记录头的研究有了很大的进展。
与一个一般的纵向磁记录头不同，使用如一个垂直记录方法的一个磁记录头在一个信息存储媒体的一个记录层上垂直地记录一个磁化方向。结果，能够得到高密度的记录，它导致了记录密度的急剧增加。
图1和图2表示一个常规环型磁记录头，包括一个头部体1，和第一和第二磁极3和5。所述头部体1的末端分成彼此面对的两部分其间具有一个预定的间隙。所述第一和第二磁极3和5分别放置在所述头部体1的所述两部分上并彼此面对。这里在所述第一和第二磁极3和5之间形成一个预定的间隙G1，可以在所述间隙G1内插入一个电绝缘的绝缘介质。
具有上述结构的一个所述常规环型磁记录头在一个信息存储媒体10上记录信息和/或重现其中信息，所述信息存储媒体10包括一个基层11和一个层叠在所述基层11之上的一个磁体层13并且在其上完成一个预定磁记录方向的记录。
而且，通过用改变由电流形成的磁通的方向改变一个垂直磁化方向将信息记录到所述信息存储媒体10上。所述记录的信息能够根据在所述信息存储媒体10上的磁化方向通过检测磁阻设备的阻力变化从所述信息存储媒体10上重现。
如图2中的虚线所标出的，当所述常规环型磁记录头在所述信息存储媒体10上进行记录时，一个磁场泄漏到所述第一和第二磁极3和5之间的所述预定的间隙G1。随着所述第一和第二磁极3和5之间的所述预定的间隙G1的减小，该磁场的泄漏的增加。
该磁场的泄漏大大减少一个朝向所述信息存储媒体10的垂直磁场的大小。而且，所述磁场的泄漏阻碍了磁通在记录方向的记录。
还有，在所述常规环型磁记录头的所述预定的间隙G1插入一个各相同性磁介质的情况下，引导磁通的方向朝向所述各相同性磁介质，大大减少记录磁场的大小。
发明内容
本发明提供一个磁记录头，它能够通过使用一个各相异性介质减小一个磁场的泄漏保证高密度记录特征。
根据本发明的一个方面，提供一个用于在一个信息存储媒体上记录和/或重现来自其中的信息的磁记录头，所述信息记录媒体包括一个基层和在所述基层上层叠的一个磁记录层并且在其上完成在一个预定磁记录方向上的记录。所述磁记录头包括一个末端分成彼此面对的两部分其间具有一个预定的间隙的头部体；第一和第二磁极，放置在所述头部体的所述两部分上，并彼此面对以形成一个磁通路并且其间具有一个间隙；一个插在所述第一和第二磁极之间的各相异性介质。进入所述预定间隙内的一个磁场减小而使得所述磁场被引导进入预定的磁记录方向。这里，放置所述各相异性介质以在磁记录头的磁记录方向或在信息存储媒体的一个轨道方向上具有磁性的各相异性。
所述各相异性介质被分成两个彼此面对的部分，其间有一预定的间隙，在所述预定的间隙内放置一个绝缘介质。
通过下面对示例的实施例进行详细的说明并参考附图本发明上述的和其它特点及优点将会更加明显。
图1表示一个常规的环型垂直磁记录头一部分的图示的透视图；图2表示一个图1的常规的环型垂直磁记录头一部分和所述一个信息记录媒体一部分的图示剖面图；图3表示一个本发明实施例的磁记录头的图示的剖面图；
图4A到图4D表示图3的磁记录头的制造方法的图示性的剖面图；图5表示一个本发明的另一实施例的磁记录头的图示性剖面图；图6表示一个比较根据本发明的一个垂直磁流通强度与一个常规垂直磁流通强度的曲线图；和图7表示一个比较根据本发明的一个纵向磁流通强度与一个常规纵向磁流通强度的曲线图。
具体实施例方式
参考图3，根据本发明一个实施例的一个用于在一个信息存储媒体30上记录和/或重现来自其中的信息的磁记录头包括一个头部体21，彼此互相面对的第一和第二磁极23和25其间具有一个间隙G2，及一个插在所述第一和第二磁极之间的各相异性介质27。在此，所述信息记录媒体30包括一个基层31和在所述基层31上层叠的一个磁记录层33并且在其上完成在一个预定磁记录方向上的记录。
所述头部体21的一端分成彼此面对的两部分，其间具有一个预定的间隙。所述第一和第二磁极23和25放置在所述头部体21的所述两部分上并彼此面对。所述第一和第二磁极23和25形成一个磁通路，通过一个线圈内(图4B到图4C的45)流过电流感应一个磁场经过该磁通路。
为了增加磁场的效率，在所述预定的间隙G2内放置所述各相异性介质27，减少磁流量泄漏到所述预定间隙G2内，并且引导由所述第一磁极23在所述信息存储媒体30的一个记录磁化方向上产生的一个磁场。因此，所述各相异性介质27具有在预定方向上的一个磁的各相异性。
这里，最好放置所述各相异性介质27以使在磁记录头的一个磁记录方向上，如在所述磁记录层33的一个垂直磁记录方向上具有所述磁场各相异性。如图3所示，在一个垂直磁记录结构中放置所述各相异性介质27以使在一个限定所述磁记录层33的垂直方向上具有各相异性。
可替换地，可以将所述各相异性介质27放置成在所述信息记录媒体30的一个循轨方向具有各相异性。
这里，最好所述各相异性介质27由一个导磁率为100或更高的磁物质制成，最好地使用导磁率在2000或更高。换句话说，所述各相异性介质27最好由坡莫合金(镍铁合金)或钴镍铁形成。
所述各相异性介质27的尺寸最好使用公式1决定出最小的磁流量的泄漏1≤UhA1≤4·······(1)]]>其中Uh是指所述第一磁极23一部分面对所述信息存储媒体30的纵向尺寸和A1是指所述各相异性介质27垂直于所述磁记录层33的长度。
现在参考图4A到4D对制造具有上述结构的磁记录头的方法。
参考图4A，制备一部分所述头部体21并然后在该头部体21的部分上形成所述第二磁极25。这里，一个所述第二磁极25的上表面沿箭头R方向压延以决定所述各相异性介质27的一个各相异性方向。
如图4B所示，所述各相异性介质27放在所述第二磁极25的上表面的端部且然后以R方向压延。这里，在所述第二磁极25的上表面所述各相异性介质27的后面形成光阻绝缘体41和43，在所述绝缘体43上制备一个线圈45，并且所述第二磁极25与所述线圈电绝缘。
如图4C可见，所述线圈45上由附加的绝缘体47所覆盖。下面，如图4D所示，在所述各相异性介质27和所述光绝缘体41，43和47之上形成所述第一磁极23。此后，沿R方向压延所述第一磁极23以形成各相异性，然后结束制造过程。
下面对由上述方法制造的磁记录头的操作进行说明。
在所述信息存储媒体30上完成磁记录时，磁通由所述第一磁极23朝向所述第二磁极25。这里，一个由所述第一磁极23和所述第二磁极25形成的磁场泄漏到所述间隙G2。因此，通过在所述间隙G2内插入所述各相异性介质27，一般会从第一磁极23进入所述间隙G2的大量的磁通被引导朝向所述信息存储媒体30并且进入所述第二磁极25。结果，能够保证一个高密度的磁记录特性。
参考图5，根据本发明的另一个实施例的一个磁记录头包括一个头部体21，彼此互相面对的第一和第二磁极23和25其间具有一个间隙G2，及一个插在所述第一和第二磁极23和25之间的各相异性介质28和一个绝缘介质29。在此，所述头部体21，和所述第一和第二磁极23和25与前述实施例相同部分相同，因此就不再作描述。
根据本实施例的磁记录媒体中，所述各相异性介质28分成两个部分28a和28b，它们彼此离开并且在两个部分28a和28b之间插入所述绝缘介质29。
所述绝缘介质29最好由一个光阻绝缘体，如钽(Ta)，钛(Ti)，氧化铝(A12O3)，或氧化硅(SiO2)构成。因此由于绝缘介质29，能够有效地减少进入所述间隙G2的磁通。
在根据本发明的所述磁记录头中，参考图3和图5并进行了说明的所述第一磁极23和/或第二磁极25可以象所述各相异性介质27和28一样由各相异性材料制造。因此，所述磁各相异性材料的各相异性方向能够设定成与所述各相异性介质27和28一样，从而有效地引导和调节磁通。
通过进行电磁场分析，根据本发明的垂直和纵向的磁通将与根据已有技术的垂直和纵向的磁通作比较。
图6是一个通过电磁场分析比较根据本发明的垂直方向的磁通和根据已有技术的垂直方向的磁通的曲线图。
一个实线表示一个根据本发明的垂直方向的磁通，其中在所述间隙G2内插入一个各相异性介质，而虚线表示一个已有的磁记录头的垂直方向的磁通。所述各相异性介质的导磁率为4000且使在一个磁记录方向上各相异性，及一个磁通强度代表在离开所述磁记录头50nm时得到的值。
由图6可见，根据本发明的磁通强度大于根据已有技术的磁通强度，根据本发明的磁通强度集中朝向在所述第一和第二磁极之间的间隙。结果，在一个信息存储媒体上的记录一个磁场和记录的强度增加，这些都导致高密度的记录。
图7是一个通过电磁场分析比较根据本发明的纵向的磁通和根据已有技术的纵向的磁通的曲线图。如在图6的描述，一个实线表示一个根据本发明的纵向的磁通而虚线表示一个常规的磁记录头的纵向的磁通。
由图7可见，根据本发明的纵向的磁通比根据已有技术的纵向的磁通大。换句话说，一个各相异性介质的使用增加了在一个记录磁化方向的磁场。
如上所述，一个根据本发明的磁记录头能够包括一个插在一个间隙内的及具有一个预定的在所述间隙的一个方向上各相异性的各相异性介质。因此，在一个记录方向上能够增大磁场。而且，能够引导一个高强度垂直磁场到所述信息存储媒体上并且引导一个记录区域为一个垂直方向。结果能够保证高密度记录的特性。
虽然参考示例性的实施例特别地对本发明进行了描述。应该明白本领域普通技术人员能够在不违背所附的权利要求的实质和范围的情况下作出各种形式的变化和细微的改进。
权利要求
1.一用于在一个信息存储媒体上记录信息和／或重现其中信息的磁记录头，所述信息记录媒体包括一个基层和在所述基层上层叠的一个磁记录层并且在其上完成在一个预定磁记录方向上的记录，所述磁记录头包括一端分成彼此面对的两部分、其间具有一个预定的间隙的头部；第一和第二磁极，放置在所述头部体的所述两部分上以形成一个磁通路，并且其间具有一个间隙，彼此互相面对；和一个插在所述第一和第二磁极之间的各相异性介质，其中进入所述预定间隙内的一个磁场减小而使得所述磁场被引导进入预定的磁记录方向。
2.如权利要求1所述磁记录头，其特征在于放置所述各相异性介质以在磁记录头的磁记录方向上具有磁性的各相异性。
3.如权利要求1所述磁记录头，其特征在于放置所述各相异性介质以在信息存储媒体的一个循轨方向上具有磁性的各相异性。
4.如权利要求1到3中任一项所述磁记录头，其特征在于各相异性介质是一种具有导磁率为100或更高的磁物质。
5.如权利要求4所述磁记录头，其特征在于所述各相异性介质由NiFe或CoNiFe制成。
6.如权利要求1到5中任一项所述磁记录头，其特征在于当所述第一磁极一部分面对所述信息存储媒体的纵向尺寸为Uh和所述各相异性介质垂直于所述磁记录层的长度为A1时，所述各相异性介质的尺寸最好使用下面的公式决定1≤UhA1≤4]]>
7.如权利要求1到6中任一项所述磁记录头，其特征在于所述各相异性介质被分成两个彼此面对的部分，其间有一预定的间隙，在所述预定的间隙内放置一个绝缘介质。
8.如权利要求7所述磁记录头，其特征在于所述绝缘介质由光阻绝缘体构成，从钽、钛、氧化铝、或氧化硅一组中选取。
9.如权利要求1到8中任一项所述磁记录头，其特征在于所述第一和/或第二磁极由一个磁各相异性材料制成。
全文摘要
一磁记录头包括一端分成彼此面对的两部分其间具有一个预定的间隙的头部体，第一和第二磁极放置在所述头部体的所述两部分上以形成一个磁通路并且其间具有一个间隙地彼此互相面对，一个插在所述第一和第二磁极之间的各相异性介质。进入所述预定间隙内的一个磁场减小而使得所述磁场被引导进入预定的磁记录方向。
文档编号G11B5/012GK1517981SQ20031010261
公开日2004年8月4日 申请日期2003年10月27日 优先权日2003年1月28日
发明者任暎勋, 任 勋 申请人:三星电子株式会社