专利名称：形成用于磁头的读取传感器的方法
技术领域：
本发明总体上涉及形成用于磁头的读取传感器的方法。特别是涉及包括用没有凹陷的第一光致抗蚀剂层限定读取传感器长条高度的初始处理的方法，其中凹陷用化学机械抛光剥离技术去除，和用没有凹陷的第二光致抗蚀剂层限定读取传感器轨道宽度的后序处理，其中凹陷也是用化学机械抛光剥离技术去除。
背景技术：
在装在滑动触头上的磁读/写头是用来从磁盘的轨道中读取数据或将数据写入磁盘的轨道中。这种滑动触头和磁头一般用薄膜沉积技术生产。具体地说，一般是通过在晶片衬底上溅射沉积所需材料的全膜层形成构成磁头读取传感器的多层材料层，在层上形成构图光致抗蚀剂结构，离子研磨光致抗蚀剂结构的曝光部分，然后，去除构图光致抗蚀剂结构。
这种技术使用光致抗蚀剂结构的“双层剥离掩模”精确地裁剪。双层剥离掩模横截面为T形，其中“T”形垂直部分短而宽，但没有T形水平上部宽。T形上部通常是构图光致抗蚀剂层，T形底部垂直部分一般是聚四氟乙烯(PMGI)制成的释放层(或“衬层”)。这种结构具有左和右“凹陷”(在横截面中可以看出)，其中在上部光致抗蚀剂部分下面，各凹陷具有高度和长度。
传统方法一般在使用具有凹陷的双层剥离掩模限定读取传感器长条高度之前限定读取传感器的轨道宽度。具体地说，读取传感层是在晶片衬底上溅射沉积全膜，随后，在它上面形成双层剥离掩模，以盖住读取传感器位置。由于双层剥离掩模在适当位置，除了在掩模下面之外，用离子研磨去除所有读取传感材料，由此限定读取传感器的轨道宽度。然后，溅射沉积硬偏磁全膜和引线层材料来覆盖双层剥离掩模的顶部和端部周围的区域。为了去除双层剥离掩模，采用涂层消除剂来溶解底部释放层。这样引起沉积的双层剥离掩模、硬偏磁和引线材料从晶片衬底上释放。随后，用类似的方法重复这个过程来限定读取传感器的长条厚度。
遗憾的是，双层剥离掩模凹陷的长度和高度的处理控制难以限定非常窄的轨道宽度。如果凹陷太长，留下不足的释放层材料，造成双层剥离掩模太容易从衬底分离或在随后的处理期间颠倒。如果凹陷太短，可能会出现“栅栏”，其是去除光致抗蚀剂后留下的凹陷高度上溅射材料的沉积。栅栏会导致磁头的读取传感器和磁头的屏蔽之间出现令人讨厌的短路。
按常规，在轨道宽度限定处理后，通过限定长条高度离子研磨，用于长条高度限定处理的离子研磨去除一些可以重新沉积在读取传感器上部造成电流分流的引线材料(lead material)。而且，由于离子研磨去除引线材料增加不需要的引线电阻。在限定轨道宽度之前，采用传统的剥离处理并限定长条的高度会出现另外的问题，在凹陷下、读取传感器上保留一些材料。如果出现这种情况，随后用于限定轨道宽度的离子研磨不完全，不能很好地限定轨道宽度。而且，因为这个问题，在传感器和保护层之间形成的绝缘沟比要求的厚。最后，用于限定轨道宽度形成光致抗蚀剂的溶剂不能理想地蚀刻下面的绝缘材料，增加短路的可能性。
因此，非常需要一种形成一种具有非常窄的轨道宽度的读取传感器的方法，以克服现有技术的不足。
发明内容
在此描述一种形成磁头的读取传感器的方法，其在限定它的轨道宽度之前限定它的长条高度。这种方法用没有凹陷的光致抗蚀剂层来完成，凹陷用化学机械抛光(CMP)剥离处理去除。因此，消除了使用具有凹陷的光致抗蚀剂结构固有的问题。
在限定读取传感器长条高度时，在多个读取传感层上的一中心区域中形成一第一光致抗蚀剂层；通过蚀刻去除该第一光致抗蚀剂层周围的读取传感层的端部，从而限定长条高度；在被去除的读取传感层的端部沉积一绝缘层；通过与CMP衬垫的机械作用去除该第一光致抗蚀剂层。随后，限定读取传感器的轨道宽度，在读取传感层上的一中心区域中形成一第二光致抗蚀剂层；通过蚀刻去除在第二光致抗蚀剂层周围的读取传感层端部，从而限定轨道宽度；在被去除的读取传感层的端部沉积硬偏磁层和引线层；通过与CMP衬垫的机械作用去除该第二光致抗蚀剂层。优选在去除它们之前在光致抗蚀剂层下面形成保护层(例如，碳层)。
有利地，用这种方法在限定轨道宽度之前限定长条高度，可以更精确地限定磁头的零长条高度的位置。在长条高度限定处理期间，离子研磨不去除引线材料，因此，消除电流分流的可能性，并且不产生增加的引线电阻。最后，在光致抗蚀剂的下面使用保护层防止在长条高度限定作为第一处理期间出现的短路。这些保护层对无意地蚀刻需要的材料(例如，绝缘材料)的光致抗蚀剂显影剂起到了屏障作用。
鉴于下列详细描述和附图，本发明的其它目的和优点对本领域的技术人员来说是显而易见的。
图1是用于描述一种制造磁头的读取传感器的方法的流程图，具体地说是在限定读取传感器的轨道宽度之前限定读取传感器的长条高度；图2是用于制造读取传感器方法的图1流程图的继续，具体地说是在限定长条高度之后限定读取传感器的轨道宽度；图3是用于描述形成磁头读取传感器方法的多个横截面图中图3-22中的第一图，其具体示出在绝缘层和屏蔽层上形成多个读取传感层；图4除了在读取传感层上形成保护层(例如，碳层)之外，与图3相同；图5除了在中心区域的保护层上形成没有凹陷的光致抗蚀剂层之外，与图4相同；图6除了通过活性离子蚀刻(RIE)在围绕光致抗蚀剂层的端部区域去除保护层之外，与图5相同；图7除了通过离子研磨在端部区域去除读取传感层之外，与图6相同；图8除了在端部区域沉积绝缘层之外，与图7相同；图9除了在端部区域形成保护层之外，与图8相同；图10除了用化学机械抛光(CMP)剥离技术去除抗蚀剂层之外，与图9相同；图11除了通过RIE去除留下的保护层-进行长条高度限定处理之外，与图10相同；图12除了在读取传感层上形成保护层(例如，碳层)之外，与图11相同；
图13除了在中心区域保护层上形成没有凹陷的光致抗蚀剂层之外，与图12形同；图14除了用PIE在围绕光致抗蚀剂层的端部区域去除保护层之外，与图13相同；图15除了通过离子研磨在端部区域去除读取传感层之外，与图14相同；图16除了在端部区域形成硬偏磁层之外，与图15相同；图17除了在端部区域的硬偏磁上形成引线层之外，与图16相同；图18除了在端部区域的引线层上形成保护层之外，与图17相同；图19除了用CMP剥离技术去除光致抗蚀剂层之外，与图18相同；图20除了去除剩余的保护层-进行轨道宽度限定处理之外，与图19相同；图21是简化的形成的读取传感器俯视图；图22是用带有凹陷的双层剥离掩模形成读取传感器方法的传统步骤横截面图；和图23是利用含有读取传感器磁头的数据存储装置(例如，磁盘驱动)的示意图。
具体实施例方式
下列描述是实施本发明的优选实施例。这些描述是为了解释本发明的一般原则，并不意味着限制在此要求的发明原理。
图1和图2是描述使用发明的技术形成磁头读取传感器的具体方法的流程图。图1和图2中的流程图略述相应于图3-22的部分读取传感器结构横截面的步骤。具体地说，图1的流程图和相应的图3-11涉及读取传感器的长条高度限定。图2的流程图和相应的图12-22涉及读取传感器之后的轨道宽度限定。
现在参照流程1并结合图3-11的横截面图来详细描述读取传感器的长条高度限定处理。从图1结合图3开始，在绝缘层104(图1的步骤102)上沉积多个读取传感层106。读取传感层106包括多个众所周知构成磁阻(MR)或巨磁阻(GMR)传感器的材料层。绝缘层104自己在屏蔽层102上形成，其可以是磁头两屏蔽层之一。绝缘层104可以是任何合适的电介质材料，诸如氧化铝(Al2O3)或(SiO2)。
接下来，在图4中，在读取传感层106上形成保护层202(图1的步骤104)。保护层202可以形成的厚度大约在100-200埃之间。保护层202可以是任何合适的材料，诸如碳。碳例如可以是溅射的碳、钻石般的碳(DLC)、或阴极电弧。优选碳的硬度大约为22Gpa。
接下来，在图5中，在中心区域的保护层202上形成光致抗蚀剂层302(图1的步骤106)。形成光致抗蚀剂层302，以限定读取传感器长条高度。由多酚聚合体或聚乙烯苯酚形成的光致抗蚀剂层302可以旋涂到保护层202上。多酚聚合体是苯酚和甲醛的共聚物，还知道商业上称为Novolak，其可以从Hoechst Celanese，Sumitomo，或Shipley购买。优选光致抗蚀剂层形成不包括底部释放层和/或凹陷的单层。诸如光致抗蚀剂层302可以形成的厚度大约在150-600纳米(nm)的范围内。
为了形成图5的光致抗蚀剂层302，光致抗蚀剂的全薄膜在保护层202上形成，曝光区被去除，提供的光致抗蚀剂是正光致抗蚀剂。如果光致抗蚀剂是负光致抗蚀剂，曝光区被保留。接下来，光致抗蚀剂受碱性的显影剂溶液影响。例如，显影剂可以用含水氢氧化钾(KOH)显影剂，诸如1∶6 2401(Shipley)或1∶4 AZ 400K(Hoechst Celanese)，其中比率是显影剂比水的比率。在1∶6 2401显影剂中，为了去除曝光的光致抗蚀剂部分，显影时间可以高达3分种。也可以用另一种含水显影剂，诸如2.38％氢氧化四甲胺(TMAH)。
在图5中形成光致抗蚀剂302之后，利用蚀刻处理304去除围绕光致抗蚀剂层302末端区域的保护层202(图1的步骤108)。如果碳被用作保护层202，那么利用活性离子蚀刻(RIE)去除末端区域的保护层材料。使用任何合适的蚀刻气体进行RIE，诸如含有二氧化碳(CO2)和氧气(O2)。如图6形成的结构所示，读取传感层106的上表面402在端部区域被暴露。
随后，利用另一蚀刻处理406去除光致抗蚀剂层302端部区域的读取传感层106(图1的步骤110)。这个蚀刻处理406限定读取传感器的长条高度。蚀刻处理406可以是任何合适的蚀刻处理，诸如离子研磨。如图7形成的结构所示，在端部区域暴露绝缘层104的上表面502。
在图8中示出在去除读取传感器材料的端部区域沉积绝缘层602(图1的步骤112)。在这个步骤中，在光致抗蚀剂层302的上面和侧面形成绝缘材料。绝缘层602可以是任何合适的绝缘材料，诸如氧化铝(Al2O2)、二氧化硅(SiO2)或氧化钽(TaO2)。绝缘层602沉积一定厚度，这样绝缘层602的上面与读取传感层504的上面基本水平和齐平。为了实现这个目的，绝缘材料沉积可以用时间适当地控制和可以利用端点检测技术。
接下来，在图9中，保护层702沉积在绝缘层602的端部区域(图1的步骤114)。在这个步骤中，在光致抗蚀剂层302的上面和侧面形成保护材料。保护层702沉积的厚度大约为100-200埃。保护层702可以是任何合适的材料，诸如碳。这种碳例如可以是溅射碳，钻石类碳(DLC)或阴极电弧。优选碳的硬度大约为22Gpa。
接下来，利用化学机械抛光(CMP)剥离处理706去除光致抗蚀剂层302(图1的步骤116)。通常，在CMP处理期间CMP衬垫的机械作用从在它下面的保留层上去除光致抗蚀剂层302。具体地说，CMP衬垫与光致抗蚀剂结构物理接触(即，光致抗蚀剂层302具有在其上形成绝缘和保护材料)并压缩它，直到CMP衬垫到达保护层404和702的上表面。由于CMP剥离处理，保护层404和702有助于提供物理屏障，以保护读取传感层504和绝缘层602。CMP剥离处理706只是持续去除保护层404和702的非常薄的层。在进行CMP剥离处理706之后，形成的结构图如图10所示。
然后，在图10中利用蚀刻处理802从保留结构中去除保护层404和702(图1的步骤118)。如果碳用作保护层404和702，那么可以利用RIE去除保护层材料。使用任何合适的蚀刻气体进行RIE，诸如含有二氧化碳(CO2)或氧气(O2)之一。图11形成的结构示出限定读取传感器的长条高度(“SH，”stripe height)902。图1的流程图用连接符“A”结束。
现在从图2的流程图结合图12-22的横截面图来描述轨道宽度的限定过程。这个轨道宽度限定过程跟随在先涉及图1和图3-11描述的长条高度限定过程。显而易见，轨道宽度限定过程基本上与长条高度限定过程相同，除了在端部区域沉积硬偏磁和引线层。
从图2结合图12开始(从图2的连接符“A”)，在保留的读取传感层504上沉积保护层1204(图2的步骤202)。沉积保护层1204，厚度在大约50-100埃。保护层1204可以是任何合适的材料，诸如碳。这种碳例如可以是溅射碳，钻石类碳(DLC)或阴极电弧。优选碳的硬度大约为22Gpa。
在图13中，在保护层1204中心区形成光致抗蚀剂层(图2的步骤204)。形成光致抗蚀剂层1302，以便限定读取传感器的轨道宽度。由多酚聚合体或乙烯苯酚形成的光致抗蚀剂层1302可以在保护层1204上旋涂。优选光致抗蚀剂层1302形成不包括底部释放层和/或凹陷的单层。这种光致抗蚀剂层1302可以形成的厚度大约在150-600纳米(nm)的范围之内。
图13中光致抗蚀剂层1302形成后，利用蚀刻处理1304去除围绕光致抗蚀剂层1302端部区域的保护层1204(图2中的步骤206)。如果碳用于保护层1204，那么利用活性粒子蚀刻(RIE)去除末端保护层材料。使用任何合适的蚀刻气体进行RIE，诸如含有二氧化碳(CO2)或氧气(O2)之一。如图14形成的结构所示，在端部区域暴露读取传感层504的上表面1404。
随后，利用另外的蚀刻处理1406去除围绕光致抗蚀剂层1302端部区域的读取传感层504(图2的步骤208)。蚀刻处理1406可以是任何合适的蚀刻处理，诸如离子研磨。如图15形成的结构所示，这种蚀刻处理限定新形成读取传感器1502的轨道宽度。在端部区域暴露绝缘层104的上表面1504。
在图16中，在围绕读取传感器1502的端部区域沉积硬偏磁层1602(图2的步骤210)。在这个步骤中，在光致抗蚀剂层1302的上面和侧面形成硬偏磁材料。硬偏磁层1602可以是任何合适的硬磁性材料，诸如钴-铂-铬或其它钴合金。接下来在图17中，在硬偏磁层1602的末端区域沉积引线层1702(图2的步骤210)。在这个步骤中，在光致抗蚀剂层1302的上面和侧面形成引线材料。引线层1702提供从电流源到读取传感器1502传感电流Is流动的电连接。引线层1702可以是任何合适的导电材料，诸如铑(Rh)、钽(Ta)或金(Au)。如图所示，硬偏磁和引线层1602和1702沉积一定厚度，这样引线层1602的上面与读取传感器1502的上面基本水平和齐平。
在图18中，保护层1802沉积在引线层1702的端部区域(图2的步骤212)。在这个步骤中，在光致抗蚀剂层1302的上面和侧面形成保护材料。保护层1204沉积的厚度大约为50-100埃。保护层1802可以是任何合适的材料，诸如碳。这种碳例如可以是溅射碳，钻石类碳(DLC)或阴极电弧。优选碳的硬度大约为22Gpa。
接下来，利用化学机械抛光(CMP)剥离处理1804去除光致抗蚀剂层1302(图2的步骤214)。优选这种CMP剥离处理与图9的CMP处理706和图1的步骤116是相同的处理。通常，在CMP剥离处理期间，CMP衬垫的机械作用从在它下面的保留层上去除光致抗蚀剂层1302。具体地说，CMP衬垫与光致抗蚀剂结构物理接触(即，光致抗蚀剂层1302具有在其上形成的硬偏磁、引线和保护材料)并压缩它，直到CMP衬垫到达保护层1402的上表面。由于CMP剥离处理706，保护层1402和1802有助于提供物理屏障，以保护读取传感层504和绝缘层602。CMP剥离处理1804只是持续去除保护层1402和1802的非常薄的层。在进行CMP剥离处理1804之后，形成的结构图如图19所示。
可以选择地，在前面图2的步骤214的CMP剥离处理之前，可以如传统剥离处理一样将光致抗蚀剂暴露于溶剂(例如，N-甲基-2-吡咯或NMP)。这样有助于去除沿读取传感器轨道边缘的任何栅栏。
在步骤214的CMP之后，利用图19中的蚀刻处理1902从保留的结构上去除保护层1402和1802(图2的步骤216)。如果用碳作为保护层1402和1802，那么利用RIE去除保护层材料。图20形成的结构示出限定读取传感器1502的轨道宽度2002(“TW”)。图21示出简化的读取传感器的长条高度902和轨道宽度2002的俯视图。
因此，已经描述了形成磁头读取传感器的方法，其在限定轨道宽度之前限定长条高度。该方法使用化学机械抛光(CMP)处理去除光致抗蚀剂层来完成，没有凹陷形成。因此，解决了传统方法固有的问题。这种独特的技术通过在限定轨道宽度之前限定长条高度，可以更准确地限定零长条高度的位置。使用CMP剥离技术形成读取传感器的边缘，比使用传统剥离处理形成的读取传感器边缘具有更陡峭的壁。在长条高度限定处理期间，通过离子研磨不去除引线材料，因此，消除电流分流的可能性，并且产生的引线阻抗不增加。最终，使用保护层消除了在限定长条高度时用光致抗蚀剂显影剂蚀刻绝缘层无意地造成短路的可能性。
在图22中更详细地描述现有技术的轨道限定问题。在图22中示出了传统具有上部光致坑蚀剂层2204和下部释放层2206的双层剥离掩模2202(在发明背景部分已描述)。如上所述，双层剥离掩模2202形成具有凹陷的“T”形。在使用传统技术在这种结构上沉积绝缘材料602后，在读取传感器材料504的凹陷区形成一些不需要的绝缘层2208。既使在去除双层剥离掩模2202之后，这些绝缘材料2208保留下来。返回来参照图21，示出了使用双层剥离掩模技术覆盖的不需要区域2102，导致不精确的轨道宽度精度。本发明使用光致抗蚀剂层不形成凹陷来消除这种可能性。
为了讨论更清楚，图23示出采用含有本发明制作的读取传感器的磁头2321的数据存储装置(例如，磁盘驱动器)。在图23中，至少一个旋转磁盘2312支撑在转轴2314上，用磁盘驱动电机2318驱动。在各磁盘上的磁记录介质是在磁盘2312上的同心数据轨的环形图形。至少一个滑动触头2313位于磁盘2312上，各滑动触头2313支撑与读取传感器一体的磁读/写头2321。当磁盘旋转时，滑动触头2313在盘表面2322上沿半径方向向内和向外移动，这样头2321进入记录需要数据的不同部分。各滑动触头2313通过吊架2315连接致动器臂2319。吊架2315具有微小弹力，其靠盘表面2322偏置滑动触头2313。各致动器臂2319连接致动器装置2327。图23中的致动器装置2327是音圈电机(VCM，voice coil motor)。VCM包括线圈在固定磁区内可移动，线圈移动的方向和速度由控制器2329供给的电机电流信号来控制。
在磁盘存贮系统操作期间，盘1312的旋转在滑动触头2313(包括头2321和面对盘2312表面的滑动触头2313的表面称为空气轴承表面(ABS))和盘表面2322之间形成空气轴承，其施加向上的力或抬起滑动触头。因此，空气轴承反平衡吊架2315的微小弹力并抬起滑动触头2313，稍为在盘表面上一点，在操作期间基本上为不变的间隔。在操作中通过控制由控制单元2329产生的信号控制磁盘存储系统的各种元件，诸如接收控制信号和内部时钟信号。一般控制单元2329包括逻辑控制电路、存储装置和微处理器。控制单元2329产生控制信号，以控制诸如在线2323上的驱动电机控制信号、头位置的各种系统操作，并搜寻在线2328上的控制信号。在线2328的控制信号将任意移动的理想电流图和位置滑动触头2313提供给盘2312上的理想数据轨。通过记录信道2325从(和到)读/写头2321交流读取信号(和写入信号)。
应该理解上述描述仅仅是本发明优选实施例的描述，不脱离本发明附加权利要求的正确精神和范围可以作出各种变化、替换和变型。在说明书和权利要求书中给出的任何术语和惯用语具有不同于普通语言含义的具体含义，因此，说明书不是将术语限定在不合适的狭窄含义。
权利要求
1.一种用于形成用于一磁头的一读取传感器的方法，包括在形成读取传感器的一轨道宽度之前在多个读取传感层上的一中心区域中形成一光致抗蚀剂层；蚀刻读取传感层，使得读取传感层的端部被去除，并且一中心部分保留在光致抗蚀剂层下面，从而限定读取传感器的一长条高度；和通过用化学机械抛光衬垫的机械作用去除光致抗蚀剂层。
2.如权利要求1所述的方法，其中该光致抗蚀剂层形成为没有凹陷。
3.如权利要求1所述的方法，其中该光致抗蚀剂层包括一第一光致抗蚀剂层，该方法还包括在限定读取传感器的一长条高度之后在读取传感层上的中心区域中形成一第二光致抗蚀剂层；和蚀刻读取传感层，使得读取传感层的端部被去除，并且一中心部分保留在第二光致抗蚀剂层的下面，从而限定读取传感器的轨道宽度。
4.如权利要求1所述的方法，其中光致抗蚀剂层包括一第一光致抗蚀剂层，该方法还包括在限定读取传感器的一长条高度之后在读取传感层上的中心区域中形成一第二光致抗蚀剂层；蚀刻读取传感层，使得读取传感层的端部被去除，并且一中心部分保留在第二光致抗蚀剂层的下面，从而限定读取传感器的轨道宽度；在读取传感器周围沉积硬偏磁和引线层；和通过用化学机械抛光衬垫的机械作用去除第二光致抗蚀剂层。
5.如权利要求1所述的方法，还包括在蚀刻读取传感层之后，在端部被去除的读取传感器的周围形成一绝缘层。
6.如权利要求1所述的方法，其中去除光致抗蚀剂层包括用化学机械抛光衬垫机械压缩光致抗蚀剂层。
7.如权利要求1所述的方法，还包括在去除光致抗蚀剂层之前，在读取传感层和光致抗蚀剂层之间形成一保护层。
8.如权利要求1所述的方法，还包括在去除光致抗蚀剂层之前，在围绕读取传感层的材料上形成一保护层；其中该材料包括绝缘材料和引线材料中的一个。
9.如权利要求1所述的方法，还包括在去除光致抗蚀剂层之前，在读取传感层和厚度大约在50-200埃的包围材料上形成保护层。
10.如权利要求1所述的方法，还包括在去除光致抗蚀剂层之前，在读取传感层和包围材料上形成一保护层；和其中保护层包括碳。
11.如权利要求1所述的方法，还包括在去除光致抗蚀剂层之前，在读取传感层和包围材料上形成一保护层；和其中保护层包括硬度大约为22Gpa的碳。
12.一种用于形成磁头读取传感器的方法，包括通过以下方式限定读取传感器的一长条高度在多个读取传感层上的一中心区域中形成一第一光致抗蚀剂层；蚀刻读取传感层，这样去除读取传感层的端部，并且一中心部分保留在第一光致抗蚀剂层下面；通过用化学机械抛光衬垫的机械作用去除第一光致抗蚀剂层；随后通过以下方式限定读取传感器的一轨道宽度在多个读取传感层上的中心区域中形成一第二光致抗蚀剂层；蚀刻读取传感层，这样去除读取传感层的端部，并且一中心部分保留在第二光致抗蚀剂层下面；通过用化学机械抛光衬垫的机械作用去除第二光致抗蚀剂层。
13.如权利要求12所述的方法，还包括在使用第一光致抗蚀剂层蚀刻读取传感层之后，在端部被去除的读取传感器周围形成一绝缘层。
14.如权利要求12所述的方法，还包括在使用第一光致抗蚀剂层蚀刻读取传感层之后，在端部被去除的读取传感器周围形成一绝缘层；和在使用第二光致抗蚀剂层蚀刻读取传感层之后，在端部被去除的读取传感器周围形成硬偏磁层和引线层。
15.如权利要求12所述的方法，其中第一和第二光致抗蚀剂层形成为没有凹陷。
16.如权利要求12所述的方法，其中去除光致抗蚀剂层包括用化学机械抛光衬垫机械压缩光致抗蚀剂层。
17.如权利要求12所述的方法，还包括在去除第一光致抗蚀剂层之前，在读取传感层和包围材料上形成一保护层。
18.如权利要求12所述的方法，还包括在去除第一光致抗蚀剂层之前，在读取传感层和包围材料上形成一保护层；其中该保护层包括碳。
19.如权利要求12所述的方法，还包括在去除第一光致抗蚀剂层之前，在读取传感层和包围材料上形成一第一保护层；和在形成第二光致抗蚀剂层之前，在读取传感层和包围材料上形成一第二保护层。
20.如权利要求12所述的方法，还包括在去除第一光致抗蚀剂层之前，在读取传感层和包围材料上形成一第一保护层；和在形成第二光致抗蚀剂层之前，在读取传感层和包围材料上形成一第二保护层；和其中该第一和第二保护层包括碳。
21.如权利要求12所述的方法，还包括在去除第一光致抗蚀剂层之前，在读取传感层和包围材料上形成一第一保护层；和在形成第二光致抗蚀剂层之前，在读取传感层和包围材料上形成一第二保护层；和其中该第一和第二保护层包括硬度大约为22Gpa的碳。
22.如权利要求12所述的方法，还包括在去除第一光致抗蚀剂层之前，在读取传感层和包围材料上形成一第一保护层；和在形成第二光致抗蚀剂层之前，在读取传感层和包围材料上形成一第二保护层；和其中该第一和第二保护层形成的厚度大约在50-200埃之间。
23.一种形成磁头的读取传感器的方法，包括在多个读取传感层上一中心区域中形成一没有凹陷的光致抗蚀剂层；在光致抗蚀剂层下面形成一保护层；蚀刻读取传感层，这样去除读取传感层的端部，并且一中心部分保留在光致抗蚀剂层下面，从而限定读取传感器的一长条高度；和通过用化学机械抛光衬垫的机械作用去除该光致抗蚀剂层。
24.如权利要求23所述的方法，其中光致抗蚀剂层包括一第一光致抗蚀剂层，该方法包括在限定读取传感器的一长条高度之后在读取传感层上的中心区域中形成一没有凹陷的第二光致抗蚀剂层；和蚀刻读取传感层，这样去除读取传感层的端部，并且一中心部分保留在第二光致抗蚀剂层下面，从而限定读取传感器的轨道宽度。
25.如权利要求23所述的方法，其中光致抗蚀剂层包括一第一光致抗蚀剂层，该方法包括在限定读取传感器的一长条高度之后在读取传感层上的中心区域中形成没有凹陷的一第二光致抗蚀剂层；和蚀刻读取传感层，这样去除读取传感层的端部，并且一中心部分保留在第二光致抗蚀剂层下面，从而限定读取传感器的轨道宽度；通过用化学机械抛光衬垫的机械作用去除该第二光致抗蚀剂。
26.如权利要求23所述的方法，其中该保护层包括碳。
27.如权利要求23所述的方法，其中该保护层包括硬度大约为22Gpa的碳。
28.如权利要求23所述的方法，其中该保护层形成一大约在50-200埃之间的厚度。
29.如权利要求23所述的方法，其中在读取传感层上形成该保护层。
30.如权利要求23所述的方法，其中在读取传感层和包围的绝缘材料上形成该保护层。
全文摘要
一种制造读取传感器的方法，该方法在多个读取传感层的中心区域形成第一光致抗蚀剂层。通过离子研磨去除在第一光致抗蚀剂层周围的读取传感层的端部，以限定读取传感器的长条高度。接下来，在读取传感层被去除的端部沉积绝缘层。通过用CMP衬垫的机械作用去除第一光致抗蚀剂层。限定读取传感器的轨道宽度，在保留读取传感层的中心区域形成第二光致抗蚀剂层。通过离子研磨去除第二光致抗蚀剂层周围的读取传感层的端部，以限定读取传感器的轨道宽度。在读取传感层被去除的端部沉积硬偏磁层和引线层。通过用CMP衬垫的机械作用去除第二光致抗蚀剂层。因此，消除了包括使用具有凹陷的光致抗蚀剂结构的固有问题。
文档编号G11B5/39GK1604192SQ20041001201
公开日2005年4月6日 申请日期2004年9月28日 优先权日2003年9月30日
发明者阿曼达·贝尔, 马里-克莱尔·西里尔, 弗雷德里克·H·迪尔, 王汝诚, 彻恩吉·黄, 马斯塔法·皮纳巴西 申请人:日立环球储存科技荷兰有限公司