全息信息存储介质和用于检查其缺陷的设备和方法

文档序号:6749958阅读:265来源:国知局
专利名称:全息信息存储介质和用于检查其缺陷的设备和方法
技术领域
本发明的各方面涉及一种全息信息存储介质和用于检查其缺陷的设备和方法。
背景技术
最近,使用全息摄影术的信息存储技术引起了广泛的关注。根据全息信息存储方 法,信息以光学干涉图案的形式被存储在无机晶体或对光敏感的光敏聚合物材料中。使用 两个相干的激光光束形成所述光学干涉图案。即,通过在感光的存储介质上产生化学的或 物理的变化来记录干涉图案,所述干涉图案被形成为具有不同路径并相互干涉的参考光和 信号光。为了从记录的干涉图案再现信息,在存储介质上记录的干涉图案上照射与记录光 类似的参考光。干涉图案产生照射的光的衍射,从而存储信号光并再现所述信息。全息信息存储技术包括体全息方法,使用体全息摄影术以页为单位记录/再现 信息;微全息方法,使用微全息摄影术以单个比特记录/再现信息。尽管体全息方法在同时 处理大量信息方面有优势,但由于需要非常精确地调整光学系统,因此对于用于普通消费 者的信息存储设备来说,体全息方法难以被商业化。在微全息方法中,通过在存储介质中的平面上移动两个聚焦的光的焦点允许两个 聚焦的光在焦点和多个干涉图案相互干涉来形成好的干涉图案,从而在记录层记录信息。 此外,由于由感光的材料(例如,记录干涉图案的光敏聚合物)形成的记录层具有预定的 厚度,并且记录信息的信息层在记录层的深度方向上被形成,因此信息能够被三维地记录。 由于信息被记录在记录层中的多个信息层中,光束穿过物镜与存储介质的表面接触的区域 (即,斑点区域)根据执行记录的信息层而变化。当信息层的数量是4、8或16时,光束接触 存储介质的表面的最小区域和最大区域之间的差别增加。因此,具有相同大小的灰尘对不 同存储介质的表面的影响根据信息层的数量而不同,并且不同的程度随着信息层的数量的 增加而增加。因此,需要去除由灰尘对存储介质的各个信息层造成的影响(错误)的方法。图1示出微全息方法中使用的存储介质,在所述微全息方法中信息被记录在这样 的存储介质的多个层中。参照图1,参考光Ll和信号光L2分别穿过第一物镜OLl和第二物 镜0L2,并在全息信息存储介质10的记录层12上形成焦点F。由于在形成焦点F的位置参 考光Ll和信号光L2之间的干涉,信息以全息图13的形式被记录。通过全息图13记录的 信息在距存储介质10的表面的相同的深度形成信息层IL。随着参考光Ll和信号光L2的 焦点F的深度的变化,在距存储介质11的表面的不同深度形成多个信息层IL。从覆盖记录 层12的两个面的第一保护层11的表面和第二保护层19的表面到各个信息层IL的距离被 称为覆盖层(cover layer)厚度。在本示例中,由于存储介质11是两面照射类型,因此能 够基于参考光Ll入射的表面或信号光L2入射的表面来定义覆盖层厚度。

发明内容
技术问题图2示出根据覆盖层的不同厚度的记录层内的各个信息层中的斑点区域。在图2
4中,基于参考光Ll入射到的表面来定义覆盖层厚度。参照图2,覆盖层厚度对于各个信息层 是不同的,因此对各个信息层IL来说,作为参考光Ll与第一保护层11的表面接触的区域 的斑点区域是不同的。例如,当第一信息层ILl的第一覆盖层厚度Tl比第二信息层IL2的 第二覆盖层厚度T2小时,由具有第一信息层ILl上形成的焦点的参考光Ll形成的第一斑 点区域Sl比由具有第二信息层IL2上形成的焦点的参考光Ll形成的第二斑点区域S2小。当入射/反射光束被缺陷(例如,灰尘、手印、划痕或气泡)阻挡时,由于存储介质 的表面上形成的斑点区域对各个信息层不同,因此,通过存储介质的表面上产生的缺陷而 反射的光量对各个信息层不同。即,反射的光量与斑点区域和缺陷阻挡入射/反射光的区 域之间的差别成比例。这是因为斑点区域根据各个信息层的覆盖层的厚度变化,而“缺陷阻 挡入射/反射光的区域”关于存储介质的表面上的相同缺陷对于各个信息层来说是常量。 通常来说,当反射的光量小于特定水平时,检测系统检测错误。因此,对于相同大小的缺陷, 在特定层中检测到错误,而在另一层检测不到错误。因此,尽管各个信息层受相同的缺陷的 影响不同,但用于在全息信息存储介质中检查缺陷的方法检查记录层的全部区域并确定是 否存在缺陷。如上所述,由于记录层的全部区域被检查,因此检查缺陷花费大量时间。此外, 即使在记录的过程中,也会执行缺陷检查操作,从而消耗大量时间。技术方案本发明的若干方面和示例实施例提供了一种全息信息存储介质以及用于检查缺 陷的设备和方法,所述全息信息存储介质能够降低由于多层信息存储介质中的各个层的不 同信号质量引起的数据的可靠度的恶化或存储容量的减少。将在接下来的描述中部分阐述本发明的另外的方面和/或优点,还有一部分从描 述是显而易见的,或可通过本发明的实施而得知。根据本发明的一方面,提供了一种全息信息存储介质,在所述全息信息存储介质 中,沿信息层的深度的方向在多层中形成信息层,在所述信息层中使用参考光与信号光之 间的干涉的全息图记录信息。缺陷条目被记录在全息信息存储介质中,所述缺陷条目包括 参考信息层的缺陷块的位置信息,以及指示位于参考信息层的缺陷块的垂直方向的其他信 息层的块的缺陷状态的状态信息。根据本发明的另一方面,所述其他信息层的块是这样的块,光通过所述块以记录/
再现参考信息层。根据本发明的另一方面,所述状态信息指示位于参考信息层的缺陷块的垂直方向 的其他信息层的块是否是缺陷块。根据本发明的另一方面,所述状态信息指示位于参考信息层的缺陷块的垂直方向 的其他信息层的块是否可能是缺陷块。根据本发明的另一方面,所述状态信息指示位于参考信息层的缺陷块的垂直方向 的其他信息层的所有块的缺陷状态。根据本发明的另一方面,用于在具有多个层的全息信息存储介质中记录/再现信 息的缺陷检查设备包括控制部分,确定参考信息层中的块是否是有缺陷的,并确定位于参 考信息层的缺陷块的垂直方向的其他信息层的块是否是有缺陷的。根据本发明的另一方面,用于在包括多个层的全息信息存储介质上检查缺陷的方 法包括确定参考信息层中的块是否是有缺陷的;基于参考信息层的确定,确定位于所述参考信息层的缺陷块的垂直方向的其他信息层的块是否是有缺陷的。根据上面的全息信息存储介质的另一方面,用于检查缺陷的设备和方法不仅减少 了缺陷检查的时间,还能够通过使用缺陷条目防止将信息记录在缺陷块或疑似缺陷块上来 为用户提供非常可靠的数据。除上述的示例实施例和多个方面之外,通过参考附图并通过学习下面的描述,更 多的方面和实施例将是清楚的。


通过下面结合附图对示例实施例和权利要求进行的详细描述,本发明更好的理解 将变得清楚,所述实施例、所述权利要求书、附图形成本发明公开的一部分。尽管下面描写 和示出的公开集中在公开本发明的示例实施例,但应该理解,描写和示出的公开仅是通过 阐述和示例的方式,但本发明并不限于此。本发明的精神和范围仅由权利要求的术语所限 制。下面描述附图的简要描述,其中图1示出记录信息的全息信息存储介质的光学结构;图2是根据图1中覆盖层厚度的差别说明各个信息层的斑点区域的差别的参考示 图;图3是显示根据本发明的示例实施例的全息信息记录/再现设备的结构的框图;图4示出在根据本发明的示例实施例的全息信息存储介质中,参考信息层和其他 信息层的缺陷块之间的关系;图5示出根据本发明的示例实施例的根据全息信息记录/再现设备的缺陷条目的 数据结构;图6示出图5的状态信息的详细数据结构;图7示出根据本发明的另一示例实施例的根据全息信息记录/再现设备的缺陷条 目的数据结构;图8示出图7的状态信息的详细数据结构;图9是用于说明根据本发明的示例实施例的检查全息信息存储介质的缺陷的方 法的过程的流程图。
具体实施例方式现在将详细描述本发明的当前实施例,其示例在附图中被示出,其中,相同的标号 始终是指相同的元件。以下通过参考附图描述实施例以解释本发明。图3是显示根据本发明的实施例的全息信息记录/再现设备的结构的框图。参照 图3,根据当前实施例的一方面的全息信息记录/再现设备在全息信息存储介质100上记 录信息和/或从全息信息存储介质100再现信息,并包括记录/再现部分200和控制部分 300。记录/再现部分200在控制部分300的控制下在全息信息存储介质100上记录信 息并再现记录的信息。记录/再现部分200包括光源210、分光器220、第一中继透镜235 和第二中继透镜250、第一物镜245和第二物镜260、用于驱动全息信息存储介质100的主 轴电机280以及驱动光学系统的驱动单元(未示出),所述光源210是用于发射光到全息信息存储介质100并接收反射光的光学系统。光源210发射用于在全息信息存储介质100上 记录/再现信息的光。分光器220将从光源210输出的光分成参考光和信号光,并还将全 息信息存储介质100反射的光的前进路径改变为朝向光电检测器270。第一中继透镜235 包括多个镜片235a和235b,第二中继透镜250包括多个镜片250a和250b。至少一个镜片 235a或250a在沿光轴的方向移动,第一中继透镜235和第二中继透镜250控制参考光和信 号光在全息信息存储介质100上形成焦点的位置。随着参考光和信号光形成焦点的位置沿 全息信息存储介质100的深度的方向改变,信息在记录层的多个信息层中被写入全息信息 存储介质100。在图3中,布置镜230、240和250来改变光的前进路径。控制部分300控制用于记录/再现信息的记录/再现部分200,并执行记录信息和 再现信息的信号处理。具体地讲,控制部分300控制缺陷的检查,并还块控制记录/再现部 分200来将关于检查的缺陷块的缺陷条目记录在全息信息存储介质100的区域中。控制部 分300包括主RF放大器310、信号处理器320、主机I/F 330、系统控制器340和伺服系统 350。主机390从用户接收信息记录/再现命令,并通过主机I/F 330将接收的命令发送到 记录/再现部分200。主机I/F 330是用于主机390与记录/再现部分200之间的交互的 设备。系统控制器340根据来自主机390的记录/再现命令控制信号处理器320和伺服系 统350。信号处理器320对从主机I/F 330接收的将被记录在全息信息存储介质100上的 数据编码,并在再现期间解码从全息信息存储介质100读取的数据。RF放大器310在记录 期间,将从信号处理器320输出的数据转换为RF信号,并将转换的信号发送到记录/再现 部分200,在再现期间,将从全息信息存储介质100检测的光信号转换为RF信号,并将从RF 信号获得的调制数据提供给信号处理器320。此外,RF放大器310将从RF信号获得的用于 控制记录/再现部分200的伺服信号通过系统控制器340提供给伺服系统350。伺服系统 350从系统控制器340接收伺服控制所需的命令,并执行记录/再现部分200的伺服控制。具体地讲,系统控制器340包括缺陷管理部分342和存储部分344来执行缺陷检 查。例如,在对全息信息存储介质100的参考信息层的缺陷检查完成之后,系统控制器340 的缺陷管理部分342从检查找到的缺陷块来确定其他信息层中是否存在缺陷,产生缺陷信 息,并将产生的缺陷信息存储在存储部分344中。在将信息记录在其他信息层上和/或从 其他信息层再现信息时,可使用所述缺陷信息。此外,系统控制器340控制记录/再现部分 200来将缺陷条目记录在全息信息存储介质100的预定区域,所述缺陷条目包括存储部分 344中存储的参考信息层的缺陷块位置信息,以及基于参考信息层的缺陷块位置信息所确 定的关于其他信息层中的缺陷块或疑似缺陷块的信息。将在稍后详细地描述所述缺陷检查 过程或缺陷条目。图4示出根据本发明实施例的全息信息存储介质中的参考信息层和其他信息层 的缺陷块之间的关系。参照图4,全息信息存储介质100包括由使用全息摄影术能够记录信 息的感光性材料形成的记录层120以及覆盖记录层120的两个表面的第一保护层110和第 二保护层190。全息信息存储介质100是在记录期间,从第一保护层110和第二保护层190 的两层输入参考光Ll和信号光L2的双面入射类型全息信息存储介质,以及在记录期间,从 第一保护层110和第二保护层190中的仅一层输入参考光Ll和信号光L2的单面入射类型 全息信息存储介质。在双面入射类型全息信息存储介质中,所述第一保护层110和所述第 二保护层190均由透明介质形成,并且缺陷因素D可能会在第一保护层110和第二保护层190两层上出现。在图4中,在双面入射类型的全息信息存储介质100中,缺陷因素D出现 在第一保护层110。在信号发射类型中,例如,当光通过第一保护层110被输入时,还能够在 记录层120和第二保护层190之间提供反射层(未示出),并且缺陷因素D可能会出现在第 一保护层110上。根据当前实施例的全息信息存储介质100能够通过微全息方法形成,在所述微全 息方法中,通过参考光Ll和信号光L2之间的干涉产生的全息图包含一比特信息。在所述
微全息方法中,能够通过形成多个全息图来在记录层120上形成多个信息层IL1、IL2.....
ILn0缺陷因素D能够由全息信息存储介质100的表面上的灰尘、手印和划痕造成。对 于用于在多个层中写入信息的微全息方法的全息信息存储介质100来说,缺陷因素D会影
响所有信息层IL1、IL2.....ILn。当缺陷因素D出现在第一保护层110上并且用于记录/
再现的光沿与全息信息存储介质100的表面垂直的方向照射在缺陷因素D的位置上时,受
缺陷因素D影响的光影响信息层IL1、IL2.....ILn。结果,很可能在位于与第一保护层110
层上缺陷因素D所在的位置垂直的方向的区域中产生缺陷,并且多个信息层的对应位置的 块BL1、BL2、· · ·、BLn被确定为缺陷块。在信息层IL1、IL2.....ILn之中最容易受缺陷因素D影响的层被设置为参考信
息层,并且能够基于所述参考信息层确定其他层的缺陷。在参考光和信号光入射在相同表 面上的单面入射类型全息信息存储介质中,参考信息层可以是最接近光入射的信息层的入 射表面的一层。此外,在参考光和信号光入射在介质的不同表面上的双面入射类型全息信 息存储介质中,参考信息层可以是与介质的两面中的任何一面最近的层,或者是与任意一 面最近的层。选择参考信息层是因为参考信息层最容易被缺陷因素D影响。然而,参考信 息层并不限于此。最容易受缺陷因素D影响的层能够通过多种光学变量(例如,第一保护
层110和第二保护层190的厚度或记录层120的厚度、信息层IL1、IL2.....ILn之间的间
隔、第一保护层110和第二保护层190的折射率或记录标记的大小)被不同地设置。在本实施例中,描述了将第一信息层ILl设置为参考信息层的情况。当作为参考 信息层的第一信息层ILl的第一块BLl被确定为缺陷块时,位于与第一块BLl所在位置的
全息信息存储介质100的表面垂直的方向的其他信息层IL2.....ILn的块BL2.....BLn被
确定为缺陷块或被认为是疑似缺陷块。因为位于与第一块BLl所在位置的全息信息存储介
质100的表面垂直的方向的其他信息层IL2.....ILn的块BL2.....BLn被确定为缺陷块,
所以可省略或简化对其他信息层IL2.....ILn的缺陷检查,从而减少用于缺陷检查的初始时间。图5示出根据本发明实施例的根据全息信息记录/再现设备的缺陷条目的数据结 构。图6示出图5的状态信息的详细数据结构。全息信息记录/再现设备检查全息信息存储介质100的参考信息层的缺陷,并写 入关于参考信息层的缺陷信息和关于与此相关的其他信息层的缺陷信息的缺陷列表。缺陷 列表被记录在全息信息存储介质100的预定区域中提供的缺陷管理区域中,并防止由于缺 陷引起的记录/再现错误。缺陷列表可包括多个缺陷条目,图5显示作为第i条目的缺陷 条目#i 410。缺陷条目射410包括状态信息#1410和缺陷块位置信息420。缺陷块位置 信息420是关于缺陷块(例如,从参考信息层检查的图4的BLl)的位置的信息。状态信息
8#1410包含关于位于垂直于全息信息存储介质100的表面方向上的与对应于的缺陷块位置 信息420的位置相邻的其他信息层的块是否是缺陷块的信息。在下面的描述中,位于存在 参考信息层的缺陷块的位置的垂直方向的其他信息层的块被称为相关块。所述相关块可以 是参考信息层的缺陷块的记录/再现光穿过的块。例如,状态信息#1410指示除参考信息层以外的其他信息层的所有相关块是缺陷 块或者不是缺陷块。例如,参照图6,状态信息“1”指示其他信息层的所有相关块是缺陷块, 状态信息“0”指示其他信息层的所有相关块不是缺陷块。从而,由于基于参考信息层的缺 陷信息确定其他信息层的缺陷信息,因此能够省略对其他信息层的缺陷检查。作为本实施例的修改示例,例如,状态信息#1 410能够指示除参考信息层以外的 其他信息层的所有相关块是否可能是缺陷块。例如,在图6中,状态信息“1”指示其他信息 层的所有相关块可能是缺陷块,状态信息“0”指示其他信息层的所有相关块可能不是缺陷 块或者不存在关于其他信息层的相关块的缺陷信息。当其他信息层的所有相关块可能是缺 陷块时,能够仅对相关块执行缺陷检查。图7示出根据本发明的另一示例实施例的根据全息信息记录/再现设备的缺陷条 目的数据结构。图8示出图7的状态信息的详细数据结构。参照图7,缺陷条目#i 450包括状态信息#1460和缺陷块位置信息470。缺陷块位 置信息470是关于缺陷块(例如,从参考信息层检查的图4的BLl)的信息。状态信息#1460
包含关于与缺陷块位置信息470对应的第一信息层461、第二信息层462.....第η信息层
463中的每一个的缺陷信息。例如,当第一信息层461是参考信息层时,状态信息#1460包 含第一信息层461中与缺陷块位置信息470对应的块的缺陷信息,以及位于作为第二信息 层462至第η信息层463的其他信息层中与缺陷块位置信息470的垂直方向相邻的块(即, 相关块)的缺陷信息。例如,状态信息#1460指示其他信息层的相关块是否是缺陷块。参照图8,状态 信息中存储的数字行中的数字的数量与信息层的数量对应。在数字行“1000. . . 000”和 "1100. . . 000”中,一比特的数字“1”或“0”包含关于各信息层的对应块的信息。例如,当状 态信息是“1000. . . 000”时,分配给关于第一信息层的对应块的信息的数字“1”指示第一信 息层的对应块是缺陷块。分配给关于其他信息层的每一层的对应块的信息的数字“0”指示 各个块不是缺陷块。在另一示例中,当状态信息是“1111... 111”时,所有信息层的对应块 都是缺陷块。作为本实施例的修改示例,例如,状态信息#1460能够指示位于与缺陷块位置信 息470对应的位置的垂直方向上的各个信息层的块是否可能是缺陷块。例如,在图8中,状 态信息“ 1,,指示对应信息层的相关块可能是缺陷块,状态信息“0”指示对应信息层的相关 块可能不是缺陷块或者不存在关于相关块的缺陷信息。当相关块可能是缺陷块时,在记录 过程中可再次执行缺陷检查,或者不允许记录数据。图9是用于说明根据本发明实施例的检查全息信息存储介质的缺陷的方法的过 程的流程图。参照图9,当全息信息记录/再现设备从主机接收记录命令时,首先对参考信 息层检查缺陷(S500)。当在参考信息层中未找到缺陷时,完成缺陷检查。当在参考信息层 中找到缺陷时,在找到缺陷的位置的块(记录/再现单元)被确定为缺陷块(S510)。当如 上述的在参考信息层找到缺陷块时,位于参考信息层的缺陷块的位置的垂直方向的其他信息层的相关块被确定为缺陷块或疑似缺陷块(S520)。然后,写入包括找到缺陷的参考信息 层的块的位置信息和关于其他信息层的相关块的状态信息的缺陷条目(S530)。通过执行如 上面的缺陷检查,全息信息记录/再现设备能够更快速地转到随后的记录/再现操作。所述缺陷检查方法可被实施为计算机可读记录介质上的计算机可读代码。所述计 算机可读记录介质可以是任何可存储其后可以被计算机系统读取的数据的数据存储设备。 所述计算机可读记录介质的示例包括只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、CD-ROM、 磁带、软盘、光学数据存储装置和载波(例如,通过互联网的数据传输)。所述计算机可读记 录介质也可以被分布在联网的计算机系统上,从而所述计算机可读代码以分布式方式被存 储和执行。此外,完成本发明一个方面的功能程序、代码和代码段能够容易地被本发明所属 领域的程序员解释。尽管显示和描述了本发明的示例实施例,但是本领域的技术人员以及技术开发人 员应该理解,在不脱离本发明的真实范围的情况下,可以进行各种改变和修改,并且可用等 同物代替其元件。在不脱离本发明的范围的情况下,可以进行多种修改、改变、添加和子组 合以适应本发明的教导。因此,应该注意,本发明并不限于公开的多种示例实施例,本发明 包括落入权利要求范围内的所有实施例。
权利要求
一种全息信息存储介质,包括多个信息层,以通过参考光和信号光之间的干涉产生的全息图的形式记录信息,其中,缺陷条目被记录在全息信息存储介质上,所述缺陷条目包括参考信息层的缺陷块的位置信息和指示位于参考信息层的缺陷块的垂直方向的其他信息层的块的缺陷状态的状态信息。
2.如权利要求1所述的全息信息存储介质,其中,位于与参考信息层的缺陷块相邻和 垂直的位置的其他信息层的块是用于记录/再现参考信息层的缺陷块的光穿过的块。
3.如权利要求1所述的全息信息存储介质,其中,所述状态信息指示位于与参考信息 层的缺陷块相邻和垂直的位置的其他信息层的块是否是缺陷块。
4.如权利要求1所述的全息信息存储介质,其中,所述状态信息指示位于与参考信息 层的缺陷块相邻和垂直的位置的其他信息层的块是否可能是缺陷块。
5.如权利要求3所述的全息信息存储介质,其中,所述状态信息指示位于与参考信息 层的缺陷块垂直的位置的其他信息层的所有块的缺陷状态。
6.如权利要求3所述的全息信息存储介质,其中,所述状态信息指示位于与参考信息 层的缺陷块垂直的位置的其他信息层的每一块的缺陷状态。
7.如权利要求1所述的全息信息存储介质,其中,在参考光和信号光入射在相同表面 上的单面入射类型全息信息存储介质中,参考信息层是最接近于光入射到的入射表面的信 息层‘ ο
8.如权利要求1所述的全息信息存储介质,其中,在参考光和信号光入射在不同表面 上的双面入射类型全息信息存储介质中,参考信息层是最接近于全息信息存储介质的两面 之一的信息层之一,或者参考信息层是分别最接近于全息信息存储介质的两面的两层。
9.如权利要求1所述的全息信息存储介质,其中,参考信息层是最可能受缺陷因素影 响的信息层之一。
10.一种用于在具有多个信息层的全息信息存储介质中记录信息和/或从具有多个信 息层的全息信息存储介质再现信息的缺陷检查设备,所述缺陷检查设备包括控制部分,确定参考信息层中的块是否是有缺陷的,以及位于参考信息层的缺陷块的 垂直方向的其他信息层中的块是否是有缺陷的。
11.如权利要求10所述的缺陷检查设备,其中,基于参考信息层的缺陷块检查,控制部 分确定位于与参考信息层的缺陷块垂直的位置的其他信息层的块是否是缺陷块。
12.如权利要求10所述的缺陷检查设备,其中,基于参考信息层的缺陷块检查,控制部 分确定位于与参考信息层的缺陷块垂直的位置的其他信息层的块是否是疑似缺陷块。
13.如权利要求10所述的缺陷检查设备,其中,控制部分控制记录/再现部分来将缺陷 条目记录在全息信息存储介质的区域中,所述缺陷条目包括参考信息层的缺陷块的位置信 息字段和指示位于与参考信息层的缺陷块垂直的位置的其他信息层的块的缺陷状态的状 态信息字段。
14.如权利要求13所述的缺陷检查设备,其中,控制部分控制记录/再现部分来将位于 与参考信息层的缺陷块垂直的位置的其他信息层的所有块的缺陷状态记录在状态信息字 段中。
15.如权利要求13所述的缺陷检查设备,其中,控制部分控制记录/再现部分来将位于 与参考信息层的缺陷块垂直的位置的其他信息层的每一层的缺陷状态记录在状态信息字段中。
16.一种用于在包括多个信息层的全息信息存储介质中检查缺陷的方法,所述方法包括确定参考信息层中的块是否是有缺陷的;基于参考信息层的确定,确定位于参考信息层的缺陷块的垂直方向的其他信息层上的 块是否是有缺陷的。
17.如权利要求16所述的方法,其中,位于与缺陷块垂直的位置的其他信息层的块是 用于记录/再现参考信息层的缺陷块的光穿过的块。
18.如权利要求16所述的方法,其中,在确定其他信息层的块的缺陷的步骤中,基于从 参考信息层检查的缺陷块,位于与参考信息层的缺陷块垂直的位置的其他信息层的块被确 定为缺陷块。
19.如权利要求16所述的方法,其中,在确定其他信息层的块的步骤中,基于从参考信 息层检查的缺陷块,位于与参考信息层的缺陷块垂直的位置的其他信息层的块被确定为疑 似缺陷块。
20.如权利要求16所述的方法,还包括将缺陷条目记录在全息信息存储介质的区域 中,所述缺陷条目包括参考信息层的缺陷块的位置信息字段和指示位于与缺陷块垂直的位 置的其他信息层的块的缺陷状态的状态信息字段。
21.如权利要求16所述的方法,其中,在参考光和信号光入射在相同表面上的单面入 射类型全息信息存储介质中,参考信息层是最接近于光入射到的入射表面的信息层之一。
22.如权利要求16所述的方法,其中,在参考光和信号光入射在不同表面上的双面入 射类型全息信息存储介质中,参考信息层是最接近于全息信息存储介质的两面之一的信息 层之一,或者参考信息层包括分别最接近于全息信息存储介质的两面的两层。
23.如权利要求16所述的方法,其中,参考信息层是最可能受缺陷因素影响的信息层 之一。
24.一种全息信息存储介质,包括第一保护层和第二保护层;多个信息层,被布置在第一保护层和第二保护层之间,所述第一保护层和第二保护层 包括通过在多个信息层上参考光和信号光之间的干涉图案产生的全息图;第一保护层和第二保护层,覆盖多个信息层,其中,缺陷条目被记录在全息信息存储介 质上,所述缺陷条目包括位于多个信息层之一上的缺陷块的位置信息,以及指示位于与所 述多个信息层之一的缺陷块垂直的位置的其他信息层的块的缺陷状态的状态信息。
25.如权利要求24所述的全息信息存储介质,其中,所述状态信息指示位于与所述缺 陷块相邻和垂直的位置的信息层中的另一信息层的块是否是缺陷块。
26.如权利要求24所述的全息信息存储介质,其中,所述状态信息指示位于与所述缺 陷块垂直的位置的其他信息层的所有块的缺陷状态。
27.如权利要求24所述的全息信息存储介质,其中,所述状态信息指示位于与所述缺 陷块相邻和垂直的位置的信息层中的另一信息层的块的是否可能是缺陷块。
全文摘要
在全息信息存储介质上记录缺陷条目,所述缺陷条目包括参考信息层的缺陷块的位置信息和状态信息,所述状态信息指示位于与参考信息层的缺陷块的位置的垂直方向相邻的其他信息层的块的缺陷状态。一种检查缺陷的方法,所述方法包括确定参考信息层中的块是否是有缺陷的,并基于参考信息层的缺陷确定的结果,确定位于与参考信息层的缺陷块的位置的垂直方向相邻的其他信息层的块是否是有缺陷的。
文档编号G11B7/007GK101911190SQ200880124485
公开日2010年12月8日 申请日期2008年9月11日 优先权日2008年1月10日
发明者郑泽成, 黄盛凞 申请人:三星电子株式会社
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