记录条件或再生条件的确定方法、集成电路及光盘装置的制作方法

专利名称：记录条件或再生条件的确定方法、集成电路及光盘装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种在对光记录介质照射激光来进行数据的记录及再生的记录再生 装置中，通过进行测试记录来确定记录条件及再生条件的技术。
背景技术：
专利文献1中揭示了一种对形成有多个记录层的光盘，通过光拾取器的激光照 射来进行数据再生的光盘装置。该光盘装置将通过具有放大器的电气电路来控制光拾取 器，确定每一记录层的上述放大器在数据再生时的增益。专利文献2中揭示了一种对具有多个记录区域的记录介质，进行数据记录的光 盘装置。该光盘装置在上述多个记录区域中的记录/再生特性最佳的区域，进行用于确 定记录条件的测试记录。专利文献1 日本特开2001-319332号公报专利文献2 日本特开2007-179656号公报关于如通过专利文献1的光盘装置所再生的光盘那样的、形成有多个记录层的 光记录介质，一般，各记录层具有测试记录区域和用户数据区域，为了确定各记录层的 记录条件及再生条件，在该记录层的测试记录区域进行测试记录。一般来说，其形成为 测试记录区域比用户数据区域小的结构。因此，如果对一个记录层的测试记录区域进行反复测试记录时，测试记录区域 的剩余容量就会变小，从而导致不能再次进行测试记录。其结果，将导致不能确定该记 录层中的记录条件或再生条件。尤其对于追记型BD-R (Blu-ray Disc Recordable)盘(蓝光盘)等的追记型盘，在
记录小单位的多数文件的情况下，由于对每一文件进行测试记录，从而易于导致测试记 录区域的剩余容量变小。另外，还可能出现下述情况，即，小单位的多数文件被记录于 某一记录层中而测试记录区域的剩余容量变小，而另一方，大单位的文件以较少的次数 记录于其他的记录层中而测试记录区域余留下较大的容量。

发明内容
本发明鉴于上述缺点，其目的在于，在对光记录介质进行数据的记录及再生的 记录再生装置中，防止发生由于测试记录区域的剩余容量不足而导致不能确定记录条件 及再生条件的情况。为了解决上述课题，本发明用于在记录再生装置中，对在多个记录层中的任一 个的记录对象记录层进行用户数据的记录时的记录条件以及再生上述记录对象记录层的 数据时的再生条件中的至少一者进行确定的处理，其中，上述记录再生装置通过对光记 录介质照射激光来进行数据的记录及再生，上述光记录介质形成有上述多个记录层，并 且上述光记录介质记录有表示上述多个记录层中的已记录区域的记录管理数据，上述多 个记录层分别具有测试记录区域和用户数据区域，本发明的特征在于包括，剩余容量取得处理，基于上述记录管理数据，取得每一记录层的上述测试记录区域的剩余容量； 测试记录层确定处理，基于在上述剩余容量取得处理中所取得的每一记录层的测试记录 区域的剩余容量，将进行测试记录的记录层确定为测试记录层；测试记录处理，对上述 测试记录层确定处理中所确定的测试记录层的测试记录区域进行测试记录；条件确定处 理，基于上述测试记录处理中进行了测试记录的区域的记录品质，对上述记录条件及上 述再生条件中的至少一者进行确定。由此，即使在记录对象记录层中的测试记录区域的剩余容量不足的情况下，也 能够基于每一记录层的测试记录区域的剩余容量，将与记录对象记录层不同的记录层确 定为测试记录层，以所确定的测试记录层的测试记录区域进行测试记录。所以，能够防 止发生因测试记录区域的剩余容量不足而导致不能确定记录条件及再生条件的情况。另 外，由于能有效地利用测试记录区域，所以能够增大追记次数。(发明效果)基于本发明，即使在记录对象记录层中的测试记录区域的剩余容量不足的情况 下，也由于能够通过其他记录层的测试记录区域来进行测试记录，所以，可以防止发生 因测试记录区域的剩余容量不足而导致不能确定记录条件及再生条件的情况。另外，由 于能有效地利用测试记录区域，所以能够增大追记次数。


图1是表示本发明的实施方式1的光盘装置的构成的框图。图2是表示BD-R盘的格式(format)的说明图。图3是表示记录条件及再生条件的确定方法的流程图。图4是表示在图3的(S1000)中的处理的流程图。图5是表示在图3的(S2000)中的处理的流程图。图6是表示在BD-R盘形成记录标记时，驱动单元输出的驱动波形和栅极信号的 曲线图。图7是表示BD-R盘的PIC区域的构成的说明图。图8是表示对BD-R盘的记录有单一模式(pattern)数据的区域进行再生时所取 得的再生信号的电平的曲线图。图9(a)是表示光输出级别与调制度之间关系的曲线图。图9(b)是表示光输出 级别和将调制度乘以光输出级别所得到的值之间关系的曲线图。图10是表示在图3的(S3000)中的处理的流程图。图11是用于说明在(S3003) (S3007)中进行测试记录的方法的说明图。图12是表示通过本发明的实施方式2的光盘装置进行图3的(S2000)中的处理 的流程图。图13是表示通过本发明的实施方式3的光盘装置进行图3的(S2000)中的处理 的流程图。图14是表示通过本发明的实施方式4的光盘装置进行图3的(S2000)中的处理 的流程图。图15是表示通过本发明的实施方式5的光盘装置进行图3的(S2000)中的处理
7的流程图。图16是表示通过本发明的实施方式6的光盘装置进行代替图3的(S0008)的处 理所进行的处理的流程图。图17是表示DVD+R(Dual Layer)盘的格式的说明图。图18是表示记录有多个区段(session)的DVD+R盘的格式的说明图。符号的说明100-光头，106-物镜，200-集成电路，221-剩余容量取得单元，222-测试记 录层确定单元，223-记录/再生条件确定单元(条件确定单元)，224-测试记录单元， 700-BD-R盘(光记录介质)。
具体实施例方式以下，关于本发明的实施方式，参照附图进行说明。(实施方式1)如图1所示，本发明的实施方式1涉及的光盘装置(记录再生装置)包括光 头100、集成电路200、用于存储计算机程序的存储器元件300、驱动单元400、盘电动机 500及移送电动机600，该光盘装置用于对装入的二层构造的BD-R盘700进行数据的记 录及再生。<BD-R盘的格式>首先，参照图2来说明本实施方式的光盘装置的记录对象即BD-R盘700的格 式。BD-R盘700具有一般的BD-R盘的格式。如图2所示，BD-R盘700具有LO层和L 1层，在各层中，半径为24.00mm(毫 米)的内周配置有引入区，在半径为24.00mm 58.00mm的范围，配置有用户数据区 域，在半径为58.00mm的外周配置有引出区域。用户数据区域能用于记录任意的用户数 据，在引入、引出区域预先记录有盘信息等。另夕卜，在每一记录层，作为测试记录区域存在有OPC (Optimum Power Control
最适功率控制)区域，如图2所示，LO层的OPC区域(OPCO)为半径23.329mm到 23.647mm之间的区域，Ll层的OPC区域(OPCl)为半径22.740mm到23.067mm之间的
区域。在此，测试记录表示为了恰当地调整用户数据记录时的光输出级别或光脉冲宽度 而进行的记录动作。另夕卜，BD-R盘700中存在有，作为记录管理区域的临时盘管理区域(Temporary DiscManagementArea)(图2中以“TDMA”来标示)，在LO层配置有作为TDMA区域的 TDMAO (从半径23.647mm起的2048个物理簇(cluster))、TDMA2 (从半径24.00mm起的 ηX 256个物理簇，但最大为4096个物理簇)以及TDMA3 (半径到58.00mm为止的ηX 256 物理簇)。另一方面，在L 1层配置有作为TDMA区域的TDMAl (从半径23.329mm起 的2048个物理簇)、TDMA4(半径到58.00mm为止的ηX 256个物理簇)以及TDMA5(从 半径24.00mm起的nX 256个物理簇，但最大为4096个物理簇)。在此，按照TDMA0、 TDMAl、TDMA2、TDMA3、TDMA4、TDMA5的顺序，对TDMA区域进行记录表示 在OPC区域及用户数据区域中的已记录区域的记录管理数据。另外，不论对OPC区域 或用户数据区域的记录是在哪个层，TDMA区域都是按照TDMAO、TDMAU TDMA2、TDMA3、TDMA4、TDMA5的顺序来予以使用。因此，即使在Ll层进行对OPC区域或
用户数据区域的记录，也可能在LO层的TDMAO对上述记录管理数据进行记录的情况。 光盘装置通过对TDMA区域的上述记录管理数据进行再生，就能检测出OPC区域和用户 数据区域的使用状况。另外，在LO层的半径为22.512mm的外周侧，配置有用于对盘属性和用 于表示记录时的推荐功率及光脉冲宽度等的盘信息进行了记录的PIC (Permanent Information&Control Data 固有信息及控制数据)区域。关于PIC区域，将在后面详述。< 光头 100>光头100对BD-R盘700照射激光。具体而言，光头100具有半导体激光器 101、准直透镜102、偏振光束分光器(PBS polarization beam splitter) 103、前光检测器 104、波长板105、物镜106、致动器(actuator) 107、检测透镜108以及士 1次光检测器 109。半导体激光器101是一种光源，其与来自驱动单元400的电流输出对应地出射在 再生及记录时所需光强度的光束，例如出射波长为405nm的激光。致动器107，进行使物镜106沿着聚焦方向及轨道方向移动的控制以及使物镜 106相对于记录面发生倾斜的控制。从半导体激光器101出射的激光(出射光)通过准直透镜102而形成平行光，并 通过PBS103进行分离。接着，分离后的光经过波长板105，并通过物镜106而聚光于 BD-R盘700，该聚光位置为光束聚点(Spot)。此时，入射到PBS103的一部分激光由前 光检测器104检测到并转换成电信号。另一方面，来自BD-R盘700的反射光经过物镜106及波长板105后，通过 PBS103而与出射光的光路分离，进而被引导至检测透镜108。检测透镜108将聚焦错误信号检测用+1次光和跟踪错误信号检测用-1次光导至 士 1次光检测器109。士 1次光检测器109将通过检测透镜108所导入的+1次光以及_1 次光转换成电信号后输出。<集成电路200>集成电路200具有伺服控制单元201、光检测单元202、再生单元203、检波 单元204、再生信号品质评价单元210及微机220。再生信号品质评价单元210具有抖 动(jitter)计算单元211、非对称(asymmetry)计算单元212及调制度计算单元213。微 机220具有剩余容量取得单元221、测试记录层确定单元222、记录/再生条件确定单 元223及测试记录单元224。伺服控制单元201根据通过士 1次光检测器109所输出的电信号来进行聚焦控制 及跟踪控制。这些聚焦控制及跟踪控制是通过对致动器107的驱动来进行的。另外，伺 服控制单元201将根据来自微机220 (后述)的记录/再生条件确定单元223及测试记录 单元224的命令，来变更聚焦控制及跟踪控制的目标位置(聚焦偏移及跟踪偏移)以及变 更物镜106的倾斜度(倾角)及像差。光检测单元202基于士 1次光检测器109所输出的电信号的一部分或全部，生成 用于再生BD-R盘700所记录的数据(地址信息、用户数据等)的再生信号。再生单元203对光检测单元202所生成的再生信号，进行通过均衡电路的均衡处
9理等的信号处理。检波单元204对通过前光检测器104所取得的电信号进行检波处理，并输出对应 于再生状态或记录状态的光输出级别。再生信号品质评价单元210对再生单元203进行的信号处理后的再生信号的品质 进行评价。具体而言，再生信号品质评价单元210具有用于算出抖动值的抖动计算单 元211、用于算出非对称值的非对称计算单元212以及用于算出调制度的调制度计算单元 213。剩余容量取得单元221接受由再生单元203进行信号处理后的再生信号，并对每 一记录层，基于由该再生信号所示的上述记录管理数据(从TDMA区域读出的数据)来 取得BD-R盘700的OPC区域的剩余容量(在OPC区域中的可记录区域的剩余容量)。 另外，剩余容量取得单元221输出用于使光束聚点(Spot)移动至OPC区域、PIC区域、 TDMA区域或用户数据区域的驱动信号。测试记录层确定单元222基于通过剩余容量取得单元221所取得的各记录层的 OPC区域的剩余容量，将进行测试记录的记录层确定为测试记录层。记录/再生条件确定单元223基于在再生信号品质评价单元210中所算出的抖动 值、非对称值以及调制度(进行了测试记录的区域的记录品质)，来确定在多个记录层中 的任一个的记录对象记录层进行用户数据的记录时的记录条件以及再生上述记录对象记 录层的数据时的再生条件。具体而言，作为记录条件，确定出光头100对BD-R盘700 所照射的激光的光输出级别及光脉冲宽度，并基于该确定结果进行对驱动单元400的命 令。作为再生条件，确定出聚焦控制及跟踪控制的目标位置(偏移)、物镜106的倾斜 度、伺服控制单元201内部的增益、以及像差，并基于该确定结果进行对伺服控制单元 201的命令。另外，作为再生条件，进一步确定出再生单元203的均衡电路的增强值(增 益)及截止频率等，并基于该确定结果进行对再生单元203的命令。测试记录单元224为了根据再生状态或记录状态，来控制半导体激光器101的光 输出级别及光脉冲宽度，向驱动单元400输出激光驱动命令及脉冲命令。另外，测试记 录单元224通过对驱动单元400及移送电动机600进行控制而间接地控制光头100，使得 在测试记录层确定单元222所确定的测试记录层的OPC区域进行测试记录。微机220的上述各单元的功能可通过执行被存储在存储器元件300中的计算机程 序来实现。另外，存储器元件300能够根据来自微机220的命令来启动计算机程序。驱动单元400根据由集成电路200的测试记录单元224所输出的激光驱动命令及 脉冲命令来输出电流。驱动单元400使输出电流的电流量发生变化，以达到使得半导体 激光器101能对BD-R盘700照射在再生及记录时所需强度的出射光。盘电动机500以所设定的转数使BD-R盘700进行旋转。移送电动机600能够根据微机220的剩余容量取得单元221及测试记录单元224 所输出的驱动信号，通过使光头100向横切BD-R盘700的轨道的方向进行移动，从而能 够将光头100配置到所设定的位置。在此，关于通过如上所述地构成的光盘装置来确定的记录条件及再生条件的确 定方法，参照图3的流程图来进行说明。另外，图3所示的记录条件及再生条件的确定 动作，是在对多个记录层中的任一个记录层(以下称之为“记录对象记录层”)进行用户
10数据的一连串记录动作开始时所进行的动作。BD-R盘700装入光盘装置中时，光盘装置就启动。其后，通过伺服控制而成 为从半导体激光器101出射的激光聚光于BD-R盘700的规定位置的状态。接着，微机 220根据对BD-R盘700的数据记录状况等，判断是否要执行测试记录。所涉及的判断， 例如是基于上次记录的用户数据大小、上次记录的用户数据是否是通过相同光盘装置记 录的数据来进行判断的。在判断为需要执行测试记录的情况下，开始进行图3的流程图 所示的动作。首先，在(S1000)中，光盘装置取得BD-R盘700的各记录层的OPC区域的剩
余容量。图4是详细说明在(S1000)中的处理的流程图。在(S1000)中，光盘装置执行下述步骤，即，首先在(S1001)中，将初始值设为 0，在(S1002)中，使光头100进行寻找(seek)以使得光束聚点位于TDMAn的位置，并 对TDMA η的数据进行再生。在(S1003)中，判断TDMA η的全部是否为已记录。接 着，TDMA η的全部为已记录的情况下，在(S1004)中，判断是否满足η = 5，如果满足η =5，就结束处理，如果不满足η = 5，则在(S1005)中，使η = η+1，并返回到(S1002) 的处理。具体而言，光盘装置最初对TDMAO的数据进行再生，判断TDMAO的全部是否 已记录，如果为已记录的情况，则进一步对TDMAl的数据进行再生。然后，直到出现有 不是已记录的TDMA区域或者直到对TDMA5进行再生为止进行反复的动作。然后，光 盘装置的剩余容量取得单元221根据从TDMA区域中所读出的记录管理数据，取得OPCO 及OPCl的剩余容量。接着，在图3的(S2000)中，测试记录层确定单元222根据在(S1000)中所取得 的各记录层的OPC区域的剩余容量，确定是否在任一个的记录层的OPC区域中进行测试 记录。也就是说，确定出用于进行测试记录的记录层作为测试记录层。图5是详细地说明在(S2000)中的处理的流程图。在(S2000)中，测试记录层确定单元222执行下述步骤，S卩，首先在(S2001) 中，判断上述记录对象记录层是LO层还是Ll层，如果是LO层，在(S2002)中，对OPCO 的剩余容量是否大于规定值Thl进行判断。如果OPCO的剩余容量为规定值Thl以下， 进入到(S2003)的处理。而如果OPCO的剩余容量大于规定值Thl时，在(S2004)中， 确定出用于进行测试记录的OPC区域为OPCO，艮卩，LO层的OPC区域。在(S2003)中， 对OPCl的剩余容量是否小于规定值Thl进行判断。如果OPCl的剩余容量为规定值Thl 以上，在(S2005)中，确定出用于进行测试记录的OPC区域为OPC1，即，Ll层的OPC 区域。另一方面，如果OPCl的剩余容量小于规定值Thl时，在(S2004)中，确定出用 于进行测试记录的OPC区域为OPCO，即，LO层的OPC区域。另一方面，在(S2001)中判断出记录对象记录层为Ll层的情况下，在(S2006) 中，对OPCl的剩余容量是否大于规定值Thl进行判断。如果OPCl的剩余容量为规定 值Thl以下，进入到(S2007)的处理。而如果OPCl的剩余容量大于规定值Thl，则在 (S2005)中，确定出用于进行测试记录的OPC区域为OPC1，即，Ll层的OPC区域。在 (S2007)中，对OPCO的剩余容量是否小于规定值Thl进行判断。如果OPCO的剩余容 量小于规定值Thl，在(S2005)中，确定出用于进行测试记录的OPC区域为OPC1，艮口，Ll层的OPC区域。另一方面，如果OPCl的剩余容量为规定值Thl以上时，在(S2004) 中，确定出用于进行测试记录的OPC区域为OPCO，S卩，LO层的OPC区域。在图3的(SOOOl)中，光盘装置对(S2000)中所确定的测试记录层的OPC区域
进行测试记录。接着，在(S0002)中，光盘装置使光头100寻找到(SOOOl)中进行测试记录的 OPC区域。其次，在(S0003)中，记录/再生条件确定单元223根据再生信号品质评价单元 210中算出的抖动值、非对称值及调制度(进行了测试记录的区域的记录品质)，来计算 出伺服控制单元201内部的调整参数。在此，所算出的调整参数，为聚焦控制及跟踪控 制的目标位置、物镜106的倾斜度、伺服控制单元201内部的增益、及像差等。而且，在(S0004)中，光盘装置再次使光头100寻找到(SOOOl)中进行测试记录 的OPC区域。然后，在(S0005)中，记录/再生条件确定单元223根据再生信号品质评价单元 210中算出的抖动值、非对称值及调制度(进行了测试记录的区域的记录品质)，来计算 出再生单元203内部的调整参数。在此，所算出的调整参数，为对通过光检测单元202 所生成的再生信号即用户数据的再生所取得的再生信号进行均衡处理的均衡电路的电路 常数、再生信号的振幅电平等。另外，增强值(增益)及截止频率等作为均衡电路的电 路常数而被算出。接着，在(S3000)中，基于再生信号品质评价单元210中所算出的调制度(进行 了测试记录的区域的记录品质)，记录/再生条件确定单元223算出如图6所示的光输出 级别Ppeak、Pspace> PcooL Pbias及光脉冲宽度。图6是表示在BD-R盘700形成记录 标记时，驱动单元400输出给半导体激光器101的驱动波形、以及在记录状态及再生状态 下的栅极信号的波形的曲线图。在对BD-R盘700进行记录的情况下，如果不恰当地设 定光输出级别及光脉冲宽度，就有可能形成不可再生的记录标记。记录/再生条件确定单元223利用以下式⑴ (4)算出光输出级别Ppeak、 Pspace、Pcool 以及 Pbias。Ppeak = PthX κ X ρ ...⑴Pspace = PpeakX ε s ... (2)Pcool = PpeakX ε c... (3)Pbias = PpeakX ε bw... (4)这些系数κ、ρ、ε s、ε c、ε bw是通过对图2所示的PIC区域的信息进行 再生所取得的。图 是表示BD-R盘700的PIC区域的构成的说明图。PIC区域是由5 个信息标签(IF)构成。各信息标签是由544个物理簇构成，各物理簇含有32个ID信息 (ID),各ID信息分别由112字节(Byte)构成。在该ID信息的50 54字节上，记录有 上述式⑴至⑷所示的系数κ、ρ、ε s、ε c以及ε bw。因此，光盘装置能够在算 出光输出级别时，通过对PIC区域的再生来取得系数κ、ρ、ε s、ε c以及ε bw。在此，对调制度进行说明。图8是表示对BD-R盘700的、记录有单一模式 (pattern)数据的区域进行再生时所取得的再生信号的电平的曲线图，即光检测单元202的 输出级别的曲线图。另外，士 1次光检测器109的输出电平也为同样的波形。纵轴上的“0”表示未记录区域的信号电平。调制度可由以下的式(5)算出。调制度=(a_b)(a+b)··· (5)图9(a)是，横轴表示光输出级别Ppeak、纵轴表示在该光输出级别下基于所记 录的记录标记的再生信号而计算出的调制度m的曲线图。图9(b)是，横轴表示光输出级 别Ppeak、纵轴表示将图9 (a)的纵轴所示的调制度m乘以光输出级别Ppeak所得到的值 m X Ppeak的曲线图。光盘装置使光输出级别Ppeak进行变化的同时进行测试记录，并对进行了该测试 记录的区域进行再生而取得再生信号，基于所取得的再生信号来计算出与各光输出级别 对应的调制度，由此得到图9(a)所示的光输出级别Ppeak与调制度m之间的关系。而 且，进行将纵轴的值转换成mXPpeak的运算，并将光输出级别Ppeak与mXPpeak之间 的关系近似为1次近似式。如图9(b)所示，将表示该近似式的曲线图的χ轴的截取部分 的值确定为Pth。通过将如此确定的Pth代入上述的式(1)至式(4)，即可计算出光输出 级另ij Ppeak> Pspace> PcooL Pbias。图10是详细说明在(S3000)中的光输出级别的计算处理的流程图。首先在(S3001)中，光盘装置使光头100在PIC区域进行寻找，取得在光输出 调整时所需的系数K、P、ε S、ε C以及ε bw。接着，在(S3002)中，使光头100在 (S2000)所确定的测试记录层的OPC区域进行寻找。而在(S3003)中，将内部变量η复 位为0。接着，在(S3004)中，将光输出级别Ppeak设定成Ppeak (η)，在(S3005)中进 行测试记录。在(S3006)中，判断是否为n^ptn-1，如果不满足n^ptn-l，在(S3007)中 将η加上1，如果满足n^ptn-Ι就前进到(S3008)。由此，在(S3003) (S3007)中，以 ptn种类的光输出级别来进行测试记录。例如，光盘装置在(S3003) (S3007)中将ptn设定成13，进行测试记录，使得 进行测试记录的BD-R盘700的地址和光输出级别Ppeak之间的关系成为如图11所示那 样。在该例中，在IAU的区域中，进行与1种类的光输出级别对应的测试记录。首先， 最初将Ppeak设定为PpeakO，在OPC区域的最初的地址AUO进行测试记录。接着，将 Ppeak变更成Ppeakl，在第2地址AUl进行测试记录。如此，直到Ppeakl2为止，反复 进行这样的测试记录。另外，PpeakO Ppeakl2的范围是在考虑了半导体激光器101的特性偏差、 BD-R盘700的记录特性偏差的基础上而设定的。例如，在半导体激光器101的特性或 BD-R盘700的记录特性的偏差较小的情况下，也可使PpeakO Ppeakl2的幅宽减小。 另外，记录/再生条件确定单元223的目标调整精度较低的情况下，也可使PpeakCn) Ppeak(n+1)的幅宽增大。因此，ptn的值并不仅限于13。其后，在(S3008)中，光盘装置使光头100在(S3003) (S3007)中进行了测试 记录的区域进行寻找，在(S3009)中，计算出该区域的调制度。具体而言，调制度是在 图11所示的AUO至AU12的区间对每一 AU，利用上述的式(5)来计算出的。另外，光 输出级别Ppeak也可以不必一定设定为如图11所示的台阶状。还有，也可以不必一定对 每IAU来进行测试记录，也可对其他单位区域来进行。接着，在(S3010)中，记录/再生条件确定单元223，参照图9(a)及图9(b)并 如上所述那样，基于光输出级别Ppeak和mXPpeak的关系算出Pth，通过再将算出的Pth
13代入到式(1)至式⑷而算出光输出级别Ppeak、Pspace> Pcool以及Pbias。其次，在图3的(S0006)中，记录/再生条件确定单元223对于在(S2000)中所 确定的测试记录层是否是与上述记录对象记录层相一致进行判断。当在(S2000)中所确 定的测试记录层与上述记录对象记录层相一致的情况下，在(S0007)中，记录/再生条件 确定单元223将(S0003)及(S0005)中所算出的调整参数确定为在对记录对象记录层的数 据进行再生时的再生条件，并将在(S3000)中所算出的光输出级别及光脉冲宽度确定为 在将用户数据记录于记录对象记录层时的记录条件。另一方面，在图3的(S0006)中，记录/再生条件确定单元223判断出在(S2000) 中所确定的测试记录层与上述记录对象记录层为不一致的情况下，进入到(S0008)的处 理。并且，在(S0008)中，对在(S0003)及(S0005)以及(S3000)中所算出的调整参 数、光输出级别及光脉冲宽度进行补正。具体而言，利用以下的表1上侧2层中所示的 值，来补正在(S0003)中所算出的聚焦控制目标位置及物镜106的倾斜度、在(S0005)中 所算出的均衡电路的增强值(boostvalue)及截止频率、在(S3000)中所算出的光输出级别 Ppeak、Pspace> Pcool以及Pbias。光盘装置预先保存有表1的值。(表 1)
权利要求
1.一种记录条件或再生条件的确定方法，用于在记录再生装置中，对在多个记录层 中的任一个记录对象记录层记录用户数据时的记录条件以及再生上述记录对象记录层的 数据时的再生条件中的至少一者进行确定，其中，上述记录再生装置通过对光记录介质 照射激光来进行数据的记录及再生，上述光记录介质形成有分别具有测试记录区域和用 户数据区域的上述多个记录层，并且上述光记录介质记录有表示上述多个记录层中的已 记录区域的记录管理数据，该记录条件或再生条件的确定方法包括剩余容量取得步骤，基于上述记录管理数据，取得每一记录层的上述测试记录区域 的剩余容量；测试记录层确定步骤，基于在上述剩余容量取得步骤中所取得的每一记录层的测试 记录区域的剩余容量，将进行测试记录的记录层确定为测试记录层；测试记录步骤，对上述测试记录层确定步骤中所确定的测试记录层的测试记录区域 进行测试记录；及条件确定步骤，基于上述测试记录步骤中进行了测试记录的区域的记录品质，对上 述记录条件及上述再生条件中的至少一者进行确定。
2.根据权利要求1所述的记录条件或再生条件的确定方法，其特征在于在上述测试记录层确定步骤中，当上述记录对象记录层的测试记录区域的剩余容量 大于规定值时，将该记录对象记录层确定为上述测试记录层。
3.根据权利要求1所述的记录条件或再生条件的确定方法，其特征在于在上述测试记录层确定步骤中，将上述测试记录区域的剩余容量为最大的记录层即 剩余容量最大记录层确定为上述测试记录层。
4.根据权利要求3所述的记录条件或再生条件的确定方法，其特征在于在上述测试记录层确定步骤中，当上述剩余容量最大记录层存在有多个时，将上述 剩余容量最大记录层中最接近上述记录对象记录层的记录层确定为上述测试记录层。
5.根据权利要求1所述的记录条件或再生条件的确定方法，其特征在于在上述剩余容量取得步骤中，基于上述记录管理数据，进一步取得每一记录层的上 述用户数据区域的剩余容量；在上述测试记录层确定步骤中，基于上述每一记录层的测试记录区域的剩余容量和 在上述剩余容量取得步骤中所取得的每一记录层的用户数据区域的剩余容量，来确定上 述测试记录层。
6.根据权利要求5所述的记录条件或再生条件的确定方法，其特征在于在上述测试记录层确定步骤中，在上述记录对象记录层中的上述测试记录区域的剩 余容量相对于上述用户数据区域的剩余容量的比例大于规定值的情况下，将该记录对象 记录层确定为上述测试记录层。
7.根据权利要求5所述的记录条件或再生条件的确定方法，其特征在于在上述测试记录层确定步骤中，将上述测试记录区域的剩余容量相对于上述用户数 据区域的剩余容量的比例为最大的记录层即比例最大记录层确定为上述测试记录层。
8.根据权利要求7所述的记录条件或再生条件的确定方法，其特征在于在上述测试记录层确定步骤中，当上述比例最大记录层存在有多个时，将上述比例最大记录层中的最接近上述记录对象记录层的记录层确定为上述测试记录层。
9.根据权利要求5所述的记录条件或再生条件的确定方法，其特征在于在上述测试记录层确定步骤中，将上述测试记录区域的剩余容量相对于上述用户数 据区域的剩余容量的比例大于规定值的记录层中的最接近上述记录对象记录层的记录层 确定为上述测试记录层。
10.根据权利要求5所述的记录条件或再生条件的确定方法，其特征在于在上述测试记录层确定步骤中，当上述记录对象记录层的测试记录区域的剩余容量 大于规定值的情况下，将该记录对象记录层确定为上述测试记录层。
11.根据权利要求1所述的记录条件或再生条件的确定方法，其特征在于在上述条件确定步骤中，除了基于上述记录品质之外，还基于上述测试记录层和上 述记录对象记录层的组合，来确定上述记录条件及上述再生条件中的至少一者。
12.根据权利要求1所述的记录条件或再生条件的确定方法，其特征在于在上述条件确定步骤中，当上述测试记录层与上述记录对象记录层不一致的情况 下，对上述记录对象记录层的测试记录区域，以基于在上述测试记录步骤中进行了测试 记录的区域的记录品质而设定的多个种类的光输出级别来进行测试记录，并基于进行了 该测试记录的区域的记录品质来确定上述记录条件及上述再生条件中的至少一者。
13.根据权利要求1至12中任意一项所述的记录条件或再生条件的确定方法，其特征 在于将上述激光的光输出级别及光脉冲宽度中的至少一者确定为上述记录条件。
14.根据权利要求1至12中的任意一项所述的记录条件或再生条件的确定方法，其特 征在于将对再生用户数据所得到的再生信号进行均衡处理的均衡电路的增强值、该均衡电 路的截止频率、聚焦偏移、跟踪偏移、用于使照射的激光聚光于上述光记录介质的物镜 的倾斜度以及像差中的至少一者确定作为上述再生条件。
15.—种集成电路，其用于在记录再生装置中，对在多个记录层中的任一个记录对象 记录层记录用户数据时的记录条件以及再生上述记录对象记录层的数据时的再生条件中 的至少一者进行确定，其中，上述记录再生装置通过对光记录介质照射光头产生的激光 来进行数据的记录及再生，上述光记录介质形成有分别具有测试记录区域和用户数据区 域的上述多个记录层，并且上述光记录介质记录有表示上述多个记录层中的已记录区域 的记录管理数据，该集成电路包括剩余容量取得单元，其基于上述记录管理数据，取得每一记录层的上述测试记录区 域的剩余容量；测试记录层确定单元，其基于由上述剩余容量取得单元取得的每一记录层的测试记 录区域的剩余容量，将进行测试记录的记录层确定为测试记录层；测试记录单元，其对上述光头进行控制，使得对由上述测试记录层确定单元所确定 的测试记录层的测试记录区域进行测试记录；及条件确定单元，其基于由上述测试记录单元进行了测试记录的区域的记录品质，对 上述记录条件及上述再生条件中的至少一者进行确定。
16.根据权利要求15所述的集成电路，其特征在于当上述记录对象记录层的测试记录区域的剩余容量大于规定值时，上述测试记录层 确定单元将该记录对象记录层确定为上述测试记录层。
17.根据权利要求15所述的集成电路，其特征在于上述测试记录层确定单元将上述测试记录区域的剩余容量为最大的记录层即剩余容 量最大记录层确定为上述测试记录层。
18.根据权利要求17所述的集成电路，其特征在于当上述剩余容量最大记录层存在有多个时，上述测试记录层确定单元将上述剩余容 量最大记录层中的最接近上述记录对象记录层的记录层确定为上述测试记录层。
19.根据权利要求15所述的集成电路，其特征在于上述剩余容量取得单元基于上述记录管理数据，进一步取得每一记录层的上述用户 数据区域的剩余容量；上述测试记录层确定单元基于上述每一记录层的测试记录区域的剩余容量和由上述 剩余容量取得单元所取得的每一记录层的用户数据区域的剩余容量，来确定上述测试记 录层。
20.根据权利要求19所述的集成电路，其特征在于上述测试记录层确定单元，在上述记录对象记录层中的上述测试记录区域的剩余容 量相对于上述用户数据区域的剩余容量的比例大于规定值的情况下，将该记录对象记录 层确定为上述测试记录层。
21.根据权利要求19所述的集成电路，其特征在于上述测试记录层确定单元将上述测试记录区域的剩余容量相对于上述用户数据区域 的剩余容量的比例为最大的记录层即比例最大记录层确定为上述测试记录层。
22.根据权利要求21所述的集成电路，其特征在于当上述比例最大记录层存在有多个时，上述测试记录层确定单元将上述比例最大记 录层中的最接近上述记录对象记录层的记录层确定为上述测试记录层。
23.根据权利要求19所述的集成电路，其特征在于上述测试记录层确定单元将上述测试记录区域的剩余容量相对于上述用户数据区域 的剩余容量的比例大于规定值的记录层中的最接近上述记录对象记录层的记录层确定为 上述测试记录层。
24.根据权利要求19所述的集成电路，其特征在于上述测试记录层确定单元，在上述记录对象记录层的测试记录区域的剩余容量大于 规定值的情况下，将该记录对象记录层确定为上述测试记录层。
25.根据权利要求15所述的集成电路，其特征在于上述条件确定单元除了基于上述记录品质之外，还基于上述测试记录层和上述记录 对象记录层的组合，来确定上述记录条件及上述再生条件中的至少一者。
26.根据权利要求15所述的集成电路，其特征在于在上述测试记录层与上述记录对象记录层不一致的情况下，上述测试记录单元对上述光头进行控制，使得以基于在上述测试记录层的进行了测 试记录的区域的记录品质而设定的多个种类的光输出级别来对上述记录对象记录层的测 试记录区域进行测试记录，并且上述条件确定单元基于在上述记录对象记录层的通过上述测试记录单元进行了 测试记录的区域的记录品质来确定上述记录条件及上述再生条件中的至少一者。
27.根据权利要求15至26中任意一项所述的集成电路，其特征在于 将上述激光的光输出级别及光脉冲宽度中的至少一者确定为上述记录条件。
28.根据权利要求15至26中任意一项所述的集成电路，其特征在于将对再生用户数据所得到的再生信号进行均衡处理的均衡电路的增强值、该均衡电 路的截止频率、聚焦偏移、跟踪偏移、用于使照射的激光聚光于上述光记录介质的物镜 的倾斜度以及像差中的至少一者确定作为上述再生条件。
29.—种光盘装置，其特征在于具有权利要求15至28中的任意一项所述的集成电路；和 上述光头，且上述光记录介质为光盘。
全文摘要
本发明提供一种记录条件或再生条件的确定方法。在记录再生装置中，对在多个记录层中的任一个的记录对象记录层进行用户数据的记录时的记录条件以及再生上述记录对象记录层的数据时的再生条件中的至少一者进行确定的处理，其中，上述记录再生装置通过对光记录介质照射激光来进行数据的记录及再生，上述光记录介质形成有上述多个记录层，并记录有表示上述多个记录层中的已记录区域的记录管理数据，上述多个记录层分别具有测试记录区域和用户数据区域；基于上述记录管理数据，取得每一记录层的上述测试记录区域的剩余容量；基于所取得的每一记录层的测试记录区域的剩余容量，将进行测试记录的记录层确定为测试记录层；对所确定的测试记录层的测试记录区域进行测试记录；基于进行了测试记录的区域的记录品质，对上述记录条件及上述再生条件中的至少一者进行确定。
文档编号G11B7/0045GK102016989SQ20098011100
公开日2011年4月13日 申请日期2009年3月10日 优先权日2008年3月28日
发明者出合孝行, 桑原雅弥, 永田圣记, 薮野宽之 申请人:松下电器产业株式会社