专利名称：用于单相电能表的数据存储电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及电能表静电防护技术领域，具体是指一种用于单相电能表的数据存储电路。
背景技术：
单相电能表的绝大多数电量信息、事件记录等相关数据均存储在单相电能表内专门的数据存储芯片中，其中电量信息可通过机械计度器、数码管或液晶显示屏直观的显示出来，是用户用电信息最集中的体现。数据存储芯片与单相电能表的CPU相连，两者需要进行数据交换，现有技术中的数据存储芯片上的数据交换接口是直接与单相电能表的CPU上的对应引脚相连的，这种结构在实际使用过程中当外界环境对电能表施加有静电场时，静电会干扰到数据存储芯片与CPU之间的数据交换，引起单相电能表计量不准确，甚至会造成数据存储芯片的损坏，导致重要的数据信息丢失。综上所述，现有技术中的单相电能表数据存储电路不能很好的防止静电损伤。
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是，提供一种能很好的防止静电损伤的用于单相电能表的数据存储电路。为解决上述技术问题，本实用新型提供的技术方案为一种用于单相电能表的数据存储电路，它包括数据存储芯片，所述的数据存储芯片上设有多个用于与单相电能表进行数据交换的I/o接口，它还包括用于防止单相电能表受静电损伤的静电防护模块，所述的静电防护模块上设有与数据存储芯片上的I/o接口一一对应的接线端子，所述的数据存储芯片通过静电防护模块与单相电能表的主芯片电连接。采用以上结构后， 本实用新型具有如下优点静电防护模块的加入可以在电能表受到静电干扰时，及时泄放静电电压，保护数据存储芯片不被损坏的同时也保证了数据存储芯片与单相电能表主芯片之间的正常通信。综上所述本实用新型提供了一种能很好的防止静电损伤的用于单相电能表的数据存储电路。作为优选，所述的数据存储芯片上设有三个用于与单相电能表进行数据交换的I/O接口，分别是第一 I/O接口、第二 I/O接口和第三I/O接口，所述的静电防护模块包括三个稳压二极管分别是D1、D2和D3，三个电阻分别是R1、R2和R3，第一 I/O接口分别通过稳压二极管Dl和电阻Rl后接地，第二 I/O接口分别通过稳压二极管D2和电阻R2后接地，第三I/O接口分别通过稳压二极管D3和电阻R3后接地。三个I/O接口上都并入有稳压二极管，当I/O接口处出现静电干扰产生的瞬时峰值电压时，对应的稳压二极管会及时导通将电压泄放到接地端，从而保护数据存储芯片不被损坏。作为改进，所述的静电防护模块还包括四个电容分别是Cl、C2、C3和C4，第一 I/O接口通过Cl后接地，第二 I/O接口通过C2后接地，第三I/O接口通过C3后接地，C4串联在电阻R3和地之间。电容的加入可以滤除静电所产生的杂波对数据通信的干扰，进一步优化了数据通信的可靠性。
图1是本实用新型用于单相电能表的数据存储电路的电路原理示意图。如图所示本实用新型中1、数据存储芯片，2、静电防护模块。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型做进一步的详细说明。结合附图1，一种用于单相电能表的数据存储电路，它包括数据存储芯片1，所述的数据存储芯片I上设有多个用于与单相电能表进行数据交换的I/o接口，它还包括用于防止单相电能表受静电损伤的静电防护模块2，所述的静电防护模块2上设有与数据存储芯片I上的I/O接口一一对应的接线端子，所述的数据存储芯片I通过静电防护模块2与单相电能表的主芯片电连接。所述的数据存储芯片I上设有三个用于与单相电能表进行数据交换的I/o接口，分别是第一 I/O接口、第二 I/O接口和第三I/O接口，所述的静电防护模块2包括三个稳压二极管分别是Dl、D2和D3，三个电阻分别是Rl、R2和R3，第一 I/O接口分别通过稳压二极管Dl和电阻Rl后接地，第二 I/O接口分别通过稳压二极管D2和电阻R2后接地，第三I/O接口分别通过稳压二极管D3和电阻R3后接地。所述的静电防护模块2还包括四个电容分别是C1、C2、C3和C4，第一 I/O接口通过Cl后接地，第二 I/O接口通过C2后接地，第三I/O接口通过C3后接地，C4串联在电阻R3和地之间。本实用新型在具体实施时,所述的数据存储芯片I可以选用Microchip公司的24LC256型芯片，所述的第一 I/O接口、第二 I/O接口和第三I/O接口分别是SDA接口，SCL接口和WP接口，除去与静电防护模块2有连接的三个接口外，还有电源接口 VCC也是通过电容C4接地的，其它各引脚之间的连接关系芯片说明书上有详细记载，此处不再详细说明，具体也可参照附图1。以上对本实用新型及其实施方式进行了描述，这种描述没有限制性，附图中所示的也只是本实用新型的实施方式之一，实际的结构并不局限于此。总而言之如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本实用新型创造宗旨的情况下，不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例，均应属于本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种用于单相电能表的数据存储电路，它包括数据存储芯片(1)，所述的数据存储芯片(I)上设有多个用于与单相电能表进行数据交换的I/O接口，其特征在于它还包括用于防止单相电能表受静电损伤的静电防护模块(2)，所述的静电防护模块(2)上设有与数据存储芯片(I)上的I/O接口一一对应的接线端子，所述的数据存储芯片(I)通过静电防护模块(2)与单相电能表的主芯片电连接。
2.根据权利要求1所述的用于单相电能表的数据存储电路，其特征在于所述的数据存储芯片(I)上设有三个用于与单相电能表进行数据交换的I/O接口，分别是第一 I/O接口、第二 I/O接口和第三I/O接口，所述的静电防护模块(2)包括三个稳压二极管分别是D1、D2和D3，三个电阻分别是R1、R2和R3，第一 I/O接口分别通过稳压二极管Dl和电阻Rl后接地，第二 I/O接口分别通过稳压二极管D2和电阻R2后接地，第三I/O接口分别通过稳压二极管D3和电阻R3后接地。
3.根据权利要求2所述的用于单相电能表的数据存储电路，其特征在于所述的静电防护模块(2)还包括四个电容分别是Cl、C2、C3和C4，第一 I/O接口通过Cl后接地，第二I/O接口通过C2后接地，第三I/O接口通过C3后接地，C4串联在电阻R3和地之间。
专利摘要本实用新型涉及一种用于单相电能表的数据存储电路，它包括数据存储芯片(1)，所述的数据存储芯片(1)上设有多个用于与单相电能表进行数据交换的I/O接口，其特征在于它还包括用于防止单相电能表受静电损伤的静电防护模块(2)，所述的静电防护模块(2)上设有与数据存储芯片(1)上的I/O接口一一对应的接线端子，所述的数据存储芯片(1)通过静电防护模块(2)与单相电能表的主芯片电连接。本实用新型提供了一种能很好的防止静电损伤的用于单相电能表的数据存储电路。
文档编号G11C7/10GK202905178SQ20122050665
公开日2013年4月24日 申请日期2012年9月29日 优先权日2012年9月29日
发明者余转丽, 杨建明, 黄苏云, 李莉, 周伟光 申请人:宁波三星电气股份有限公司