接触检测方法、盘驱动器的制造方法及盘驱动器与流程

本申请享有以美国临时专利申请62/165,497号(申请日:2015年5月22日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请，包含基础申请的全部内容。

技术领域

本实施方式一般涉及接触检测方法、盘驱动器的制造方法及盘驱动器。

背景技术：

在盘驱动器中，有时在盘的外周附近设置形成斜坡(倾斜)并用于头部的退避的部件(斜坡部件)。此时，为了在盘上适当且在更广范围控制头部的位置，期望检测头部附近的部件与斜坡部件接触的、在盘上的接触位置。通过检测该接触位置，可以适当地确保盘上的记录面的范围。

技术实现要素：

本发明的实施方式提供可以提高接触位置的检测精度的接触检测方法、盘驱动器的制造方法及盘驱动器。

根据本实施方式，提供接触检测方法。接触检测方法包括：边通过致动器使头部相对于盘在近似半径方向从内周侧向外周侧移动，边在半径方向的多个测定位置测定与致动器受到的力对应的值。接触检测方法包括：计算多个第1区的各自的代表值。多个第1区分别是在盘上配置在不同的半径位置并在半径方向具有预定宽度的区域。代表值是基于在各第1区所包含的多个不同的半径位置测定的值而计算的值。接触检测方法包括：根据第1差值，检测第1部件与第2部件接触的接触位置。第1差值是在对 象测定位置测定的值与多个第1区之中的第2区的代表值之差的值。对象测定位置包含于多个第1区之中的第3区。第2区与第3区相比靠内周侧配置。第1部件是安装在头部附近的部件。第2部件是配置在盘的外周附近的部件。

附图说明

图1是表示第1实施方式所涉及的盘驱动器的构成的图。

图2是表示应用第1实施方式所涉及的接触检测方法的盘驱动器的制造方法的一例的流程图。

图3是表示应用第1实施方式所涉及的接触检测方法的盘驱动器的制造方法的其他例子的流程图。

图4A是表示第1实施方式中的反馈控制的构成的方框图。

图4B是表示第1实施方式中的头部位置控制器及测定电路的构成的方框图。

图5是表示第1实施方式中的与偏置力对应的值的测定结果的一例的波形图。

图6是表示第1实施方式所涉及的接触检测方法的图。

图7是表示第1实施方式所涉及的接触检测方法的流程图。

图8是表示第2实施方式所涉及的接触检测方法的流程图。

图9是表示第3实施方式所涉及的接触检测方法的流程图。

图10是表示第3实施方式的变形例所涉及的接触检测方法的流程图。

图11是表示第4实施方式所涉及的接触检测方法的流程图。

图12是表示由第4实施方式所涉及的接触检测方法设定的区的图。

具体实施方式

以下参照附图，详细说明实施方式所涉及的接触检测方法。另外，本发明不由这些实施方式所限定。

(第1实施方式)

第1实施方式所涉及的接触检测方法是检测盘驱动器中的头部附近的部件与斜坡部件的位置关系的方法，应用于盘驱动器的制造方法。在盘驱动器的制造方法中，例如，检测图1所示的盘驱动器1中的头部附近的部件(加载片43)与斜坡部件8接触的位置(以下称为接触位置)。图1是表示盘驱动器1的构成的俯视图。

盘驱动器1例如用作为主机100的外部存储装置，构成为可以与主机100连接。盘驱动器1具备外壳2、盘介质(以下称为盘)3、头部4、加载片(以下称为片)43、致动器5、转轴马达6、臂7、斜坡部件8及控制器9。

1块以上的盘3以经由转轴马达6可以旋转的方式搭载于外壳2。盘3是记录各种信息的圆盘状的记录介质，通过转轴马达6旋转驱动。盘3是具有例如垂直磁记录层的记录介质。例如，在盘3的表背面，规定从盘3的中心附近在放射方向延伸的多个伺服区域。伺服区域在圆周方向以等间隔配置。例如，在伺服区域记录有包含伺服图形及辅助伺服图形的伺服信息。

另外，头部4及臂7以枢轴10为中心以可以旋转驱动的方式搭载于外壳2。对盘3的读写通过头部4进行，头部4设置在头部支持机构即臂7的一个前端。头部4通过由盘3的旋转而产生的升力，边维持从盘3的表面稍微上浮的状态，边对盘3记录信息或者从盘3读出信息。另外，臂7通过以枢轴10为中心旋转，使头部4在盘3的近似半径方向搜寻，改变盘3上的进行读写的位置。

此时，头部4读取在盘3上周期地设置的伺服信息，将所读取的伺服信息(头部信号)向控制器9输出。控制器9根据该伺服信息，控制致动器5，以进行头部4相对于盘3的定位。致动器5包含音圈马达(VCM)51、臂7、头部4。VCM51能够旋转臂7的范围由外周阻挡件52及内周阻挡件53规定。VCM51包含磁体及音圈。磁体安装于外壳2。致动器5根据对音圈供给的电流I，经由臂7使头部4进行搜寻。

控制器9具备主控制器91、头部位置解调电路92、减法器96、头部位置控制器(HPC)93及VCM用电流放大器(SVC)94。头部位置解调电路92 从头部信号解调表示头部4的盘3的半径方向的位置的头部位置信号(检测位置)r’，向减法器96及主控制器91供给。减法器96从主控制器91接收目标位置信号(目标位置)r，将目标位置信号r减去头部位置信号r’，将减法结果作为位置误差e向头部位置控制器93供给。头部位置控制器93对于对致动器5的VCM操作量u，求出使位置误差e接近零的修正量Δu。例如，头部位置控制器93按照PID控制，求出基于位置误差e的比例修正值Δup、积分修正值Δui、微分修正值Δud，将它们相加而求出修正量Δu(＝Δup+Δui+Δud)。头部位置控制器93向SVC94供给将VCM操作量u加上修正量Δu而得到的VCM控制信号u’。SVC94按照VCM控制信号u’，生成用于使头部4进行搜寻的电流I(或电压V)，向VCM51供给。

另外，主控制器91包含测定电路91a。测定电路91a从头部位置解调电路92接收检测位置r’，从头部位置控制器93接收积分修正值Δui。测定电路91a将检测位置r’作为半径方向上每隔预定的步进宽度的测定位置，测定积分修正值Δui，描绘每个测定位置的积分修正值Δui，能够获得例如图5所示的测定结果。图5是表示这样获得的、与致动器5所受到的力对应的值(积分修正值Δui)的测定结果的一例的波形图。关于图5的详细情况，后面描述。

头部4具有写入头部41及读出头部42。另外，片43是安装在头部4附近的部件，例如，安装在臂7的前端。片43可以基于致动器5的旋转移动而在盘3的半径方向移动。在片43的移动路径上，在盘3的外周附近配置斜坡部件8。斜坡部件8固定于外壳2内。片43受阻于斜坡部件8。

在斜坡部件8，形成有沿着片43的移动路径延伸的斜坡(倾斜)8a。该斜坡8a随着从盘3的旋转轴远离而从包含盘3的表面3a的假想平面远离。从而，头部4若从盘3的中心(旋转轴)向远离的方向搜寻，则头部4附近的部件(片43)与斜坡部件8接触，此后，片43搭上斜坡8a。由此，头部4从盘3的表面3a附近向斜坡部件8退避(卸载)。另外，若头部4向接近盘3的中心(旋转轴)的方向搜寻，则片43从斜坡8a移下。由此，头部4被从斜坡部件8向盘3的表面3a附近引导(加载)。斜坡部件8及片43协动，构 成所谓的加载卸载机构。

在盘驱动器1的制造方法中，对盘3写入伺服图形。

例如如图2所示，在SSW(Self Servo Write，自伺服写入)方式中，通过STW(Servo Track Writer，伺服道录写器)对盘3写入辅助伺服图形，之后将多块盘3搭载于外壳2。然后，控制器9通过边将头部4从内周侧向外周侧移送，边使用辅助伺服图形进行定位控制等，来进行各种校准(S1)。此后，控制器9执行实施方式所涉及的接触检测方法。例如，控制器9边使用辅助伺服图形进行头部4的定位控制，边检测接触位置(S20)。控制器9边使用辅助伺服图形，按预定的磁道间距将头部4从内周侧送到在S20检测出的接触位置，边对多块盘3同时写入伺服图形(S30)。由此，在各盘3上同心圆状地规定多个磁道。然后，控制器9边使用伺服图形，定位控制到各磁道的中心，边对各磁道写入数据，并判定所写入的数据是否能够正确地读出。即，控制器9进行数据的读出/写入的测试(S60)。另外，图2是表示按照SSW方式的盘驱动器的制造方法作为应用了接触检测方法(S20)的盘驱动器的制造方法的一例的流程图。

或者，例如如图3所示，在单板STW(Servo Track Writer，伺服道录写器)方式中，通过STW对单板(1块)的盘3写入伺服图形。然后，将分别写入了伺服图形的多块盘3搭载于外壳2。此后，控制器9执行实施方式所涉及的接触检测方法。例如，控制器9边使用伺服图形进行头部4的定位控制，边检测接触位置(S20)。控制器9边将头部4从外周侧向内周侧移送，边使用伺服图形，检测最内周侧的位置作为与内周阻挡件53对应的头部4的位置(S40)。控制器9边使用伺服图形，边基于在S20检测的接触位置和在S40检测的位置，进行头部4的控制位置的校准(S50)。由此，规定各盘3上的可以由头部4访问的多个磁道。然后，控制器9边使用伺服图形，定位控制到各磁道的中心，边对各磁道写入数据，并判定所写入的数据是否能够正确地读出。即，控制器9进行数据的读出/写入的测试(S60)。另外，图3是表示按照单板STW方式的盘驱动器的制造方法作为应用了接触检测方法(S20)的盘驱动器的制造方法的另一例的流程图。

在该盘驱动器1中，为了增加盘3的记录容量，需要确保宽阔的盘3的记录区域。为了确保宽阔的盘3的记录区域，正确地掌握头部4的能够移动的范围(从与内周阻挡件53对应的位置到与斜坡部件8接触的位置的可动距离，以下称为行程)是有效的。

此时，由于按每个盘驱动器1的个体存在机构部件的尺寸、安装的偏差，所以在头部4的行程上会产生偏差。通过按每个盘驱动器1的个体测定头部4的行程，可以对各个盘驱动器1适合地(例如最大限度地)确保头部4的行程。此时，由于与内周阻挡件53对应的位置物理地限制头部4的移动，所以比较容易处理。另一方面，接触位置由于即使与斜坡部件8接触也不限制头部4的移动，所以在其检测上需要花费工夫。

例如，考虑下述方法(第1方法)：利用头部位置信号(检测位置)r’本身，在该信号的振幅比预定的阈值降低时(或变得无法进行定位控制时)，将该位置检测为接触位置。盘驱动器1大多搭载有多个头部4。在第1方法中，由于检测对象为单独的解调对象的头部4，所以在解调对象的头部4以外的头部4附近的部件(片43)与斜坡部件8接触的情况下，难以检测接触位置。另外，在第1方法中，有时从与斜坡部件8接触到变得无法进行解调为止的距离较长，接触位置的检测精度容易变低。

或者，例如，考虑下述方法(第2方法)：在对头部4进行了匀速控制时，基于VCM51的逆电压，捕获头部4附近的部件(片43)与斜坡部件8接触时的速度变动的时刻，测定从匀速控制的开始位置到速度变动的位置的距离。在第2方法中，在距目标速度的速度误差上，测定精度容易受到影响，接触位置的检测精度容易变低。另外，在第2方法中，由于速度越快测定误差越容易变大，所以接触位置的检测精度容易变低。

因此，与第1方法及第2方法相比，期望接触位置的检测精度高的检测方法。例如，在控制器9中，在反馈控制头部4的位置时，如图4A所示，由致动器5产生的力受到由风等干扰产生的力(偏置力)Fb的干涉，作用于头部4的力发生变动。图4A是表示盘驱动器1中的反馈控制的构成的方框图。另外，设备P是将臂7→头部4→头部位置解调电路92的传递特性模型 化的设备。控制器C是将头部位置控制器93→VCM用电流放大器(SVC)94→VCM51(致动器5)的传递特性模型化的设备。即，在控制器9中，在进行头部4的定位控制时，能够使用与偏置力Fb对应的值进行消除由偏置力Fb产生的影响的修正工作。在该修正工作中使用的值用作为与偏置力Fb对应的值。即，考虑边使头部4从内周侧向外周侧在近似半径方向按预定的步进移动，边测定与偏置力Fb对应的值，使用该测定值检测接触位置。

例如，与由风等干扰产生的力相比，在头部4附近的部件(片43)与斜坡部件8接触时头部4从斜坡部件8受到的力有可能更大。因此，考虑下述方法(第3方法)：固定对作为基准的值进行测定的测定起点，将与偏置力Fb对应的值距测定起点的测定值的变化量变得比阈值大的位置检测为接触位置。在第3方法中，由于固定测定起点，所以随着从测定起点到斜坡接触点的距离变长，有可能无法追随与偏置力Fb对应的值的变化，检测误差有可能变大。

或者，与由风等干扰产生的力的时间性变化相比，在头部4附近的部件(片43)与斜坡部件8接触时头部4受到的力的时间性变化有可能更大。因此，考虑下述方法(第4方法)：按每个测定位置，以紧靠其之前的测定位置作为测定起点，将与偏置力Fb对应的值距紧靠其之前的测定位置的测定值的变化量变得比阈值大的位置检测为接触位置。

在第3方法及第4方法中，都有可能在测定值波动的情况下，将比实际的接触位置靠内周侧的位置检测为接触位置。由此，接触位置的检测精度容易变低。

另外，在第3方法及第4方法中，都由于以与偏置力Fb对应的值的波形形状有从内周侧向外周侧单调增加的趋势为前提，所以在与偏置力Fb对应的值的波形形状没有单调增加的趋势的情况下，难以检测接触位置。

例如，如图4B所示，作为与偏置力Fb对应的值，能够使用由头部位置控制器93生成的积分修正值Δui。图4B是表示头部位置控制器93及测定电路91a的构成的方框图。

头部位置控制器93具备积分器93A、微分器93b、放大器93c～93e及 加法器93f、93g。积分器93a对从减法器96接收到的位置误差e进行积分，并将积分结果向放大器93c供给。放大器93c对积分器93a的积分结果进行放大而生成积分修正值Δui，并将该积分修正值Δui向加法器93f供给。放大器93d对从减法器96接收到的位置误差e进行放大而生成比例修正值Δup，并将该比例修正值Δup向加法器93f供给。微分器93b将从减法器96接收到的位置误差e微分，并将微分结果向放大器93e供给。放大器93e对微分器93b的微分结果进行放大而生成微分修正值Δud，并将该微分修正值Δud向加法器93f供给。

加法器93f将比例修正值Δup、积分修正值Δui及微分修正值Δud相加，并将加法结果作为PID控制的修正值Δu向加法器93g供给。加法器93g从主控制器91(参照图1)接收VCM操作量u，从加法器93f接收PID控制的修正值Δu。加法器93g将VCM操作量u与修正值Δu相加，并将加法结果作为VCM控制信号u’向SVC94供给。

另一方面，在由测定电路91a得到的测定结果中，如图5所示，存在如下趋势：随着头部4从内周侧向外周侧移动，测定值在逐渐上升后波动，此后若到达外周附近则测定值急剧下降。在图5的测定结果中，表示与偏置力Fb对应的值的波形形状没有单调增加或减少的趋势。在图5中，用虚线包围接触位置附近，表示为区域A。此时，若按照第3方法，将与偏置力Fb对应的值变得比阈值大的位置检测为接触位置，则有可能将区域A的内周侧的区域检测为接触位置。

另外，若扩大区域A、即分别扩大纵轴及横轴，则成为图6的情形。在图6的测定结果中，表示了按每个测定位置，测定值存在波动的趋势。在图6中，用一点划线包围接触位置附近，表示为区域C。此时，若按照第4方法，关于与偏置力Fb对应的值，按每个测定位置，取得与紧靠其之前的测定位置的差值，将该差值变得比阈值大的位置检测为接触位置，则有可能将区域C的内周侧的区域检测为接触位置。

这样，为了高精度地检测接触位置，需要满足以下要求的新的接触检测方法：

(1)难以受到测定值的波动的影响，

(2)不使测定起点固定而设为可变，来缩短当前测定位置与起点的距离，

(3)也能够应对到斜坡接触点的倾斜度非单调增加的情况，

(4)斜坡接触后的倾斜度无论是急剧还是缓和都能够应对。

因而，在本实施方式中，对盘3设定多个包含半径方向的多个测定位置的区，按每区求出测定值的代表值，取当前的测定值与紧靠其之前的区的代表值的差值，基于该差值，检测接触位置。由此，能够实现满足上述的(1)～(4)的要求的接触检测方法。

具体地，不使测定起点固定，而设为可变。例如，设为将盘3上的记录区域分割为同心圆状的多个区，在各区包含半径方向的多个测定位置。盘驱动器1边使头部4在近似半径方向从内周侧向外周侧移动，边在半径方向的多个测定位置的各个测定与偏置力Fb对应的值(例如，积分修正值Δui)。然后，盘驱动器1比较当前的测定位置的测定值与前一个区的代表值。这样，盘驱动器1由于能够容易使起点追随于测定值的变化，所以也可以应对从内周侧向外周侧非单调增加的波形形状。

例如，可以将该区内的多个测定值的最大值设为该区的代表值。由此，能够缓和测定值的测定偏差的影响。在片43与斜坡部件8接触时，偏置力增加。即，即使存在测定值的测定偏差，若追随最大值的轨迹，则盘驱动器1能够判断片43与斜坡部件8接触了这一情况。例如，盘驱动器1边测定当前的测定值边更新当前的区的偏置最大值。该偏置最大值用于下一区中的测定。

然后，盘驱动器1取得当前区的当前的测定值与紧靠其之前的区的代表值(例如，最大值)的差值。即，由于对紧靠其之前的区的多个测定值取代表值(例如，最大值)，将该代表值用作测定起点的测定值，所以能够边将测定起点以区为单位设为可变，边以区为单位缓和测定值的偏差的影响。

进而，若该差值比预定的判定值(指定切片(slice))大，则可以判断为头部4附近的部件(片43)与斜坡部件8接触。

此时，需要适度确定区宽度。若过短，则容易受到测定值的测定误差、变动的影响。另一方面，若过长，则距起点的距离过长，有可能无法追随测定值的变化。例如，在测定结果(参照图5、图6)所示的2.5型盘装置的例子中，可以将包含200步进(200个测定位置)的约6微米的宽度设为区宽度。

更具体地，测定电路91a如图4B所示，具备设定电路91a1、测定处理电路91a2、计算电路91a3、运算电路91a4、判定电路91a5及存储电路91a6。

设定电路91a1按指定的步进宽度进行区分割。即，设定电路91a1对盘3设定多个区。多个区在盘3上配置为同心圆状。各区包含半径方向的多个测定位置。

例如，设定电路91a1如图6所示，按照从内周侧朝向外周侧的顺序，设定具有区编号N-5、N-4、N-3、N-2、N-1、N的多个区。图6是表示接触检测方法的图。多个区N-5～N在盘3上配置为同心圆状。各区N-5～N如图6所示，包含多个半径方向的测定位置。另外，各区N-5～N中应该包含的半径方向的测定位置的数量以各测定位置的测定值的偏差对于检测精度的影响控制在容许范围内的方式预先实验地确定。

返回图4，测定处理电路91a2边使头部4在近似半径方向移动而改变测定位置，边测定与偏置力Fb对应的值。例如，测定处理电路91a2通过按指定的步进宽度改变目标位置r，使头部4在近似半径方向移动而使测定位置改变。同时，测定处理电路91a2将各测定值(积分修正值Δui)与半径方向的测定位置和其所属区的识别符(例如，区编号)相关联。此时，测定处理电路91a2关于在半径方向的测定位置相同的多个圆周方向的测定位置测定的值，将1周量的各测定位置处的值平均化，设为该半径方向的测定位置的测定值。由此，可以降低盘3的偏心和/或RRO(旋转同步分量)、NRRO(旋转非同步分量)对测定值的影响。由此，测定处理电路91a2可以获得图5、图6所示的测定结果。

计算电路91a3计算各区N-5～N的测定值的代表值。例如，计算电路91a3如图6所示，确定各区N-5、N-4、N-3、N-2、N-1、N的测定值的最 大值Bmax[N-5]、Bmax[N-4]、Bmax[N-3]、Bmax[N-2]、Bmax[N-1]、Bmax[N]。计算电路91a3可以在各区N-5～N所包含的半径方向的多个测定位置处的测定完成的定时，计算各区N-5～N的测定值的代表值。或者，计算电路91a3也可以边逐次更新边计算各区N-5～N的测定值的代表值直至测定完成的定时为止。由此，计算电路91a3关于进行了测定的各区，能够计算在多个测定位置测定的值的代表值。

运算电路91a4从测定处理电路91a2接收当前的测定位置的测定值，从计算电路91a3接收在紧靠当前的测定位置所属的区之前进行了测定的区的代表值(例如，最大值Bmax)。运算电路91a4求出当前的测定位置的测定值与紧靠其之前的区的代表值的差值Diff。例如，运算电路91a4通过将当前的测定位置的测定值减去紧靠其之前的区的最大值Bmax，来求出差值Diff。如图6所示，在当前的测定位置所属的区为区N的情况下，运算电路91a4通过将当前的测定位置的测定值减去紧靠其之前的区N-1的最大值Bmax[N-1]，来求出差值Diff。

判定电路91a5从运算电路91a4接收差值Diff。判定电路91a5基于差值Diff，判定头部4是否与斜坡部件8接触。例如，判定电路91a5判断差值Diff是否满足第1判定条件。第1判定条件包含差值Diff超过判定值DiffSlice这一情况。判定电路91a5在第1判定条件满足的情况下，将当前的测定位置判定为接触位置。即，判定电路91a5在差值Diff为判定值DiffSlice以下的情况下，将当前的测定位置判定为不是接触位置。判定电路91a5在差值Diff超过了判定值DiffSlice的情况下，将当前的测定位置判定为是接触位置。

存储电路91a6接收判定电路91a5的判定结果并将其作为接触位置的信息进行存储。控制器9通过参照存储电路91a6，能够掌握接触位置。由此，在盘驱动器1的制造工序中，能够正确地掌握头部4的行程。例如，在SSW(Self Servo Write，自伺服写入)方式中，能够对盘3写入伺服图形直至斜坡部件8的附近。或者，例如在单板STW方式中，能够以将头部4定位控制到斜坡部件8的附近的方式，进行头部4的定位参数的校准。其 结果，例如，能够确保盘3的记录区域直到斜坡部件8的附近。

接着，使用图7说明接触检测方法(图2、图3的S20)。图7是表示接触检测方法的流程图。

控制器9对盘3设定多个包含半径方向的多个测定位置的区(S2)。控制器9对于使头部4移动的方向(从内周侧朝向外周侧的方向)以编号升序的方式，设定各区的区编号(参照图6)。例如，图6所示的多个区N-5～N在盘3上配置为同心圆状。各区N-5～N包含多个半径方向的测定位置。

控制器9使头部4的半径方向的位置向外周侧移动1步进量，使头部4向应该进行测定的半径方向的测定位置移动(S21)。控制器9对于在半径方向的测定位置相同的多个圆周方向的测定位置测定的值(积分修正值Δui)，将1周量的各测定位置的值平均化，设为该半径方向的测定位置的测定值(S22)。然后，控制器9进行判定头部4附近的部件(片43)是否与斜坡部件8接触的判定处理(S170)。

在判定处理(S170)中，控制器9将参数“ZoneNow”的值(区编号)设定到参数“ZoneOld”，对参数“ZoneNow”设定当前的区的区编号(S23)。控制器9对参数“ZoneNow”的值与参数“ZoneOld”的值进行比较(S24)。

若参数“ZoneNow”的值与参数“ZoneOld”的值不同(S24中是)，则控制器9判断为当前的测定位置所属的区改变成了与紧靠其之前的测定位置所属的区不同的区。相应于此，控制器9对当前的区的代表值Bmax“ZoneNow”设定当前的测定值Δui(S26)。

若参数“ZoneNow”的值与参数“ZoneOld”的值相等(S24中否)，则控制器9判断为当前的测定位置所属的区与紧靠其之前的测定位置所属的区相同不变。由于有可能能够更新当前的区的代表值，所以控制器9判断当前的测定值Δui是否超过当前的区的代表值Bmax[ZoneNow](S25)。

若当前的测定值Δui超过当前的区的代表值Bmax[ZoneNow](S25中是)，则控制器9将当前的区的代表值设为应该更新的值，将当前的测定值Δui设定为当前的区的代表值Bmax[ZoneNow](S26)。

若当前的测定值Δui未超过当前的区的代表值Bmax[ZoneNow](S25 中否)，则控制器9认为不必更新当前的区的代表值，将处理前进至S27。

然后，控制器9求出当前的测定值Δui与紧靠其之前的区的代表值Bmax[ZoneNow-1]的差值Diff。例如，控制器9将当前的测定值Δui减去紧靠其之前的区的代表值Bmax[ZoneNow-1]，来求出差值Diff(S27)。

控制器9判断差值Diff是否超过判定值DiffSlice(S28)。控制器9在差值Diff不超过判定值DiffSlice的情况下(S28中否)，认为头部4附近的部件(片43)还未与斜坡部件8接触，将处理返回至S21。

控制器9在差值Diff超过判定值DiffSlice的情况下(S28中是)，即在判定处理(S170)的判定条件满足的情况下，将当前的测定位置判定(检测)为接触位置。然后，控制器9将当前的测定位置作为接触位置记录在例如存储电路91a6(S29)。

如上所述，在第1实施方式中，在接触检测方法中，对盘3设定多个包含半径方向的多个测定位置的区，并边使头部4在近似半径方向从内周侧向外周侧移动而改变测定位置，边测定与偏置力Fb对应的值。然后，按每区求出测定值的代表值，取当前的测定值与紧靠其之前的区的代表值的差值，基于该差值检测接触位置。例如，在差值超过了判定值DiffSlice的情况下，能够将当前的测定位置检测为接触位置。由此，能够按每区使用缓和了测定值的偏差的影响的代表值，根据这样的代表值，能够获得缓和了测定值的偏差的影响的差值。其结果，由于能够捕获缓和了测定值的偏差的影响的差值的变化而检测接触位置，所以在测定值波动的情况下，能够提高接触位置的检测精度。

另外，在第1实施方式中，取得当前的测定值与紧靠其之前的区的代表值的差值，并基于该差值，检测接触位置。即，由于能够对于当前的测定位置将紧靠其之前的区设为测定起点，所以能够不使测定起点固定而设为可变，能够缩短当前测定位置与起点的距离。由此，能够容易提高接触位置的检测精度。

另外，在第1实施方式中，取当前的测定值与紧靠其之前的区的代表值的差值，并基于该差值检测接触位置。即，由于捕获当前的测定值与紧 靠其之前的区的代表值的相对变化，所以即使在测定值自身的变化的趋势非单调增加的情况下，也能够检测接触位置。

另外，在第1实施方式中，由于捕获当前的测定值与紧靠其之前的区的代表值的相对变化，所以头部4与斜坡部件8接触后的测定值的变化(波形的倾斜度)无论是急剧还是缓和都能够应对。

另外，在第1实施方式中，例示了区的代表值是其区内的与偏置力对应的值的最大值的情况，但是，区的代表值只要是代表区的值即可，并不限定于最大值。例如，区的代表值也可以是将在属于区的多个测定位置测定的值关于该多个测定位置平均后的值。在该情况下，判定值DiffSlice也可以调整为与区的代表值为最大值的情况相比更大的值。

或者，用于进行本实施方式的定位控制系统不限于图1例示的控制系统，例如，既可以是与具备VCM51作为致动器5的驱动机构的机械对应的控制系统，也可以是与在致动器5的基础上具备VCM51并在致动器5的各臂的前端和/或悬架上具备包括PZT元件等的可以实现微动驱动的机构的机械即双极致动器(DSA)对应的控制系统。在任一控制系统中，在头部4附近的部件(片43)与斜坡部件8接触前后，VCM51的控制系统(定位控制系统)中所具备的、用于修正由偏置力产生的影响的修正值(积分修正值Δui)会急剧变化。另外，作为VCM51的控制系统(定位控制系统)，既可以是具备偏置推定功能的观测器控制系统，也可以是使用了PI调节器和超前滞后(LeadLag)滤波器的控制系统。任何一个都只要构成为等价地包含积分要素、VCM51的控制系统的补偿器的DC分量成为无限大即可。

或者，应该测定的值、即与偏置力对应的值优选是VCM51的控制系统中的用于修正由偏置力产生的影响的修正值(积分修正值Δui)，但是也可以是最终输出的VCM控制电流I的值。测定任何一个，都优选为了降低偏心和/或RRO(旋转同步分量)、NRRO(旋转非同步分量)的影响，测定1周或数周量的各半径方向的测定位置中所包含的多个测定位置处的值而求出平均值。

(第2实施方式)

接着，说明第2实施方式所涉及的接触检测方法。以下，关于与第1实施方式相同的构成，省略或简化说明，以不同部分为中心进行说明。

在第1实施方式中，判定当前的测定值与紧靠其之前的区的代表值的差值Diff是否超过判定值(指定切片)DiffSlice。由此，可以提高接触位置的检测精度。

但是，为了取尽可能小的判定值(指定切片)DiffSlice、减小斜坡接触的判定误差，有时要求进一步应对与偏置力Fb对应的值的测定值的偏差。

因而，在第2实施方式中，不是设为在差值Diff超过判定值(指定切片)DiffSlice一次的情况，而是在连续超过了判定值(指定切片)DiffSlice阈值次数(指定次数)的情况下，设为检测完成。该次数计测在移动到了新的区时重置。

具体地，接触检测方法(图2、图3的S20)如图8所示，在以下方面不同于第1实施方式。图8是表示第2实施方式所涉及的接触检测方法的流程图。

如果参数“ZoneNow”的值与参数“ZoneOld”的值不同(S24中是)，则控制器9判断为当前的测定位置所属的区从紧靠其之前的测定位置所属的区改变成了不同的区。相应于此，控制器9对次数计测用的参数“Count”设定初始值“0”(S221)，并使处理前进至(S26)。

另外，控制器9在差值Diff超过判定值DiffSlice的情况下(S28中是)，由于有可能头部4附近的部件(片43)与斜坡部件8接触，所以使参数“Count”的值递增(S222)。

控制器9判断参数“Count”的值是否超过次数阈值CountSlice(S223)。控制器9在参数“Count”的值不超过次数阈值CountSlice的情况下(S223中否)，认为头部4还未与斜坡部件8接触，将处理返回至S21。

控制器9在参数“Count”的值超过次数阈值CountSlice的情况(S223中是)、即判定处理(S270)的判定条件满足了的情况下，将当前的测定位置判定(检测)为接触位置。然后，控制器9将当前的测定位置作为接触位置记录在例如存储电路91a6(S29)。

如上所述，在第2实施方式中，在接触检测方法中，在差值Diff超过判定值DiffSlice的次数超过了阈值次数CountSlice的情况下，将当前的测定位置检测为接触位置。由此，能够除去因测定偏差取得了比较大的偏置值的情况，可以更正确地进行斜坡接触检测。

另外，在图8所示的接触检测方法中，控制器9在参数“ZoneNow”的值与参数“ZoneOld”的值不同的情况下(S24中是)，也可以判断在紧靠其之前的测定位置，差值Diff是否超过了判定值DiffSlice(与S28同样的处理)。在该情况下，如果在紧靠其之前的测定位置，差值Diff超过判定值DiffSlice，则控制器9使处理前进至S25，如果在紧靠其之前的测定位置，差值Diff未超过判定值DiffSlice，则对次数计测用的参数“Count”设定初始值“0”(S221)。由此，由于即使在相同区内也能够除去差值Diff不连续地超过判定值DiffSlice的情况，所以能够进一步抑制由测定偏差引起的影响。

(第3实施方式)

接着，说明第3实施方式所涉及的接触检测方法。以下，关于与第1实施方式相同的构成省略或简化说明，以不同的部分为中心进行说明。

在第1实施方式中，判定当前的测定值与紧靠其之前的区的代表值的差值是否超过判定值(指定切片)DiffSlice。由此，对于与偏置力Fb对应的值的变化，有时要求取平缓的变化。

因而，在第3实施方式中，对差值Diff进行积分，对其积分值与积分判定值(积分切片)进行比较而进行判定。这样，与偏置力Fb对应的值即使比较平缓地变化，也能够提高斜坡接触的检测精度。

具体地，接触检测方法(图2、图3的S20)如图9所示，在以下方面不同于第1实施方式。图9是表示第3实施方式所涉及的接触检测方法的流程图。

若参数“ZoneNow”的值与参数“ZoneOld”的值不同(S24中是)，则控制器9判断为当前的测定位置所属的区从紧靠其之前的测定位置所属的区改变成了不同的区。相应于此，控制器9对积分值用的参数“Sum”设 定初始值“0”(S321)。

另外，控制器9在求出差值Diff(S27)后，将参数“Sum”的值与差值Diff相加，并用加法结果更新参数“Sum”的值(S322)。

控制器9判断参数“Sum”的值是否超过积分判定值SumSlice(S323)。控制器9在参数“Sum”的值未超过积分判定值SumSlice的情况下(S323中否)，认为头部4还未与斜坡部件8接触，并将处理返回至S21。

控制器9在参数“Sum”的值超过积分判定值SumSlice的情况下(S323中是)、即判定处理(S370)的判定条件满足了的情况下，将当前的测定位置判定(检测)为接触位置。然后，控制器9将当前的测定位置作为接触位置记录在例如存储电路91a6(S29)。

如上所述，在第3实施方式中，在接触检测方法中，在差值的积分值(参数“Sum”)超过了积分判定值SumSlice的情况下，将当前的测定位置检测为接触位置。由此，在虽然比较平缓但是已经与斜坡部件8接触的情况下，容易取得与偏置力Fb对应的值的曲线的倾斜度的变化，能够提高接触位置的检测精度。

另外，在接触检测方法中，也可以将第1实施方式的接触检测方法与第3实施方式的接触检测方法并用。在该情况下，关于与偏置力Fb对应的值的变化，对急剧的变化和平缓的变化这两种情况，容易取得曲线的倾斜度的变化，能够提高接触位置的检测精度。

(变形例)

或者，在接触检测方法中，也可以将第2实施方式的接触检测方法与第3实施方式的接触检测方法并用。具体地，接触检测方法也可以如图10所示，在以下方面不同于第1实施方式。图10是表示第3实施方式的变形例所涉及的接触检测方法的流程图。

如果参数“ZoneNow”的值与参数“ZoneOld”的值不同(S24中是)，则控制器9判断为当前的测定位置所属的区从紧靠其之前的测定位置所属的区改变成了不同的区。相应于此，控制器9对次数计测用的参数“Count”设定初始值“0”，并且对积分值用的参数“Sum”设定初始值“0”(S421)， 并将处理前进至(S26)。

另外，控制器9求出差值Diff(S27)，之后将参数“Sum”的值与差值Diff相加，并用加法结果更新参数“Sum”的值(S322)。

控制器9判断差值Diff是否超过判定值DiffSlice(S422)。控制器9在差值Diff超过判定值DiffSlice的情况下(S422中是)，由于头部4有可能与斜坡部件8接触，所以使参数“Count”的值递增(S222)。控制器9在差值Diff未超过判定值DiffSlice的情况下(S422中否)，认为头部4还未与斜坡部件8接触，使处理前进至S423。

控制器9判断参数“Count”的值是否超过次数阈值CountSlice(S423)。控制器9在参数“Count”的值未超过次数阈值CountSlice的情况下(S423中否)，认为头部4还未与斜坡部件8接触，使处理前进至S424。

控制器9判断参数“Sum”的值是否超过积分判定值SumSlice(S424)。控制器9在参数“Sum”的值未超过积分判定值SumSlice的情况下(S424中否)，认为头部4还未与斜坡部件8接触，使处理返回至S21。

控制器9在参数“Count”的值超过次数阈值CountSlice的情况下(S423中是)、即判定处理(S470)的判定条件满足了的情况下，将当前的测定位置判定(检测)为接触位置。然后，控制器9将当前的测定位置作为接触位置记录在例如存储电路91a6(S29)。

另外，控制器9在参数“Sum”的值超过积分判定值SumSlice的情况下(S424中是)、即判定处理(S470)的判定条件满足了的情况下，将当前的测定位置判定(检测)为接触位置。然后，控制器9将当前的测定位置作为接触位置记录在例如存储电路91a6(S29)。

这样，能够将第2实施方式的接触检测方法与第3实施方式的接触检测方法并用。由此，关于与偏置力Fb对应的值的变化，对急剧的变化和平缓的变化这两种情况，容易取得曲线的倾斜度的变化，能够提高接触位置的检测精度。

(第4实施方式)

接着，说明第4实施方式所涉及的接触检测方法。以下，对于与第1 实施方式～第3实施方式相同的构成，省略或简化说明，以不同的部分为中心进行说明。

在第1实施方式～第3实施方式中，需要正确地确定区宽度(在区中应该包含的半径方向的测定位置的数量)。在过短的情况下，容易受到测定值的测定误差、变动的影响。另一方面，在过长的情况下，距测定起点的距离过长，有可能无法追随测定值的变化。

因此，在第4实施方式中，为了进一步提高检测精度，并行进行区划分不同的K种(K是2以上的整数)的判定。例如，如果区宽度为200步进(即，在1个区中包含200个半径方向的测定位置)，则盘驱动器1并行进行将区宽度分割为4份(K＝4的情况)而使区划分按逐次50步进而不同的4个判定。由此，能够改善检测精度。

具体地，接触检测方法(图2、图3的S20)如图11及图12所示，在以下方面不同于第1实施方式。图11是表示接触检测方法的流程图。图12是表示在接触检测方法中设定的区的图。

控制器9对盘3设定K种区(S502)。例如，使第1种区以比区宽度小的移动量(例如，区宽度的1/K的移动量)在半径方向移动，获得第2种区。反复进行同样的移动，能够获得K种区。控制器9按各种区，对使头部4移动的方向(从内周侧朝向外周侧的方向)以编号升序的方式设定各区的区编号(参照图12)。

例如，在K＝4的情况下，如图12所示，使区范围向内周侧逐次偏移区宽度的1/4，分别设定判定处理1用的区N-4～N、判定处理2用的区N-4～N、判定处理3用的区N-4～N、判定处理4用的区N-4～N。

各判定处理1～4用的多个区N-4～N在盘3上配置为同心圆状。各区N-4～N包含多个半径方向的测定位置。

例如，半径方向的测定位置MP1属于判定处理1用的区N-2、判定处理2用的区N-2、判定处理3用的区N-1、判定处理4用的区N-1。

控制器9若对于在半径方向的测定位置相同的多个圆周方向的测定位置测定的值(积分修正值Δui)，将1周量的各测定位置处的值平均化，设为 该半径方向的测定位置的测定值(S22)，则按照S502中的设定，并行进行判定处理1(S570-1)～判定处理K(S570-K)。作为各判定处理S570-1～S570-K，既可以使用第1实施方式的判定处理S170、第2实施方式的判定处理S270、第3实施方式的判定处理S370及第3实施方式的变形例的判定处理S470中的任意一种，也可以混合使用2种以上。

若判定处理1(S570-1)～判定处理K(S570-K)都完成，则控制器9判断在判定处理1(S570-1)～判定处理K(S570-K)的某一个中是否检测到接触位置(S528)。

控制器9在判定处理1(S570-1)～判定处理K(S570-K)的任一个中都未检测到接触位置的情况下(S528中否)，认为头部4附近的部件(片43)还未与斜坡部件8接触，使处理返回至S21。

控制器9在判定处理1(S570-1)～判定处理K(S570-K)的某一个中检测到接触位置的情况下(S528中是)，将当前的测定位置作为接触位置记录在例如存储电路91a6(S29)。

如上所述，在第4实施方式中，在接触检测方法(S20)中，并行进行使区划分不同的K种(K是2以上的整数)的判定处理。由此，在保持区宽度不变的情况下，能够实质地缩短从测定起点到当前的测定位置的距离，能够进一步改善接触位置的检测误差。

虽然说明了本发明的几个实施方式，但是这些实施方式是作为例子而呈现的，而并非要限定发明的范围。这些新实施方式能够以其他各种方式实施，在不脱离发明的主旨的范围，可以进行各种省略、置换、改变。这些实施方式和/或其变形包含于发明的范围和/或主旨，并且包含于权利要求的范围所记载的发明及其均等的范围。