1.一种适用于MTM反熔丝PROM的编程方法，包括：编程器与PROM电路成功连接；根据读取的PROM电路型号选择适当的编程算法；对PROM电路空片检查；编程器根据加载的要对PROM电路进行编程的数据以及对应的地址进行编程寻址，其特征在于，还包括：对欲编程的反熔丝施加每一个编程脉冲之前先进行编程预充电；上一个编程脉冲完成后，施加下一个编程脉冲之前先给PROM电路一定的热弛豫时间；将编程脉冲进行分组，两个一组，在每一组编程脉冲的第二个编程脉冲期间，进行编程电流Ipp检测，并且在每一组编程脉冲完成后，进行编程中的字节数据读取验证；在对所有字节编程完成后，进行全片数据读取校验。
2.根据权利要求1所述的适用于MTM反熔丝PROM的编程方法，其特征在于：所述编程预充电在编程脉冲之前，预充电压与编程电压数值相同，数值均在8V～10V之间。
3.根据权利要求1所述的适用于MTM反熔丝PROM的编程方法，其特征在于，所述编程脉冲时间宽度是编程预充电时间宽度的2倍，其中编程预充电时间在3ms～5ms，编程脉冲时间宽度在6ms～10ms。
4.根据权利要求1所述的适用于MTM反熔丝PROM的编程方法，其特征在于，所述两个编程脉冲之间的热弛豫时间宽度与编程预充电时间宽度相同，其中编程脉冲之间的热弛豫时间为3ms～5ms。
5.根据权利要求1所述的适用于MTM反熔丝PROM的编程方法，其特征在于，所述编程过程中每一次编程电流检测在每一组编程脉冲的第二个编程脉冲宽度的2/3时间处。
6.根据权利要求1所述的适用于MTM反熔丝PROM的编程方法，其特征在于，所述编程过程中每一次字节数据读取校验在经过第二个热弛豫时间后，再进行字节读取校验。