技术总结
本发明涉及一种适用于MTM反熔丝PROM的编程方法,包括:对欲编程的反熔丝施加每一个编程脉冲之前先进行编程预充电;上一个编程脉冲完成后,施加下一个编程脉冲之前先给PROM电路一定的热弛豫时间;将编程脉冲进行分组,两个一组,在每一组编程脉冲的第二个编程脉冲期间,进行编程电流Ipp检测,并且在每一组编程脉冲完成后,进行该字节数据读取验证;在对所有字节编程完成后,进行全片数据读取校验。采用本发明的编程方法,能够有效地避免反熔丝被误编程,提升芯片的编程成功率,通过优化编程算法,提高编程后反熔丝PROM电路的可靠性。
技术研发人员:马金龙;孙杰杰;封晴;吴素贞;于跃;王栋;徐睿
受保护的技术使用者:中国电子科技集团公司第五十八研究所
技术研发日:2016.08.19
技术公布日:2019.08.20