本发明涉及存储技术领域，特别是涉及一种改善编程性能的方法和一种改善编程性能的装置。
背景技术：
现有norflash(闪存)中，同一根bl(位线)电压会同时施加到多个norflashcell(单元)的漏端。当某根bl被选中后，那么在该bl上会有电流流过。
现有norflash还存在以下缺陷：在norflash的版图布局中，同一根bl上的各norflashcell中，不可避免地有些norflashcell离漏端编程电源端较近，有些norflashcell离漏端编程电源端较远。较远的norflashcell会因为较大的漏端串联电阻压降的影响，使得实际加在这些norflashcell漏端的电压减小至vppd-irpara，vppd为漏端编程电源端电压，irpara为漏端串联电阻压降，极大削弱了这些norflashcell的编程性能，增加了编程时间。
技术实现要素：
鉴于上述问题，本发明实施例的目的在于提供一种改善编程性能的方法和相应的一种改善编程性能的装置，以解决现有norflashcell由于漏端串联电阻压降的影响，编程性能差、编程时间长的问题。
为了解决上述问题，本发明实施例公开了一种改善编程性能的方法，应用于非易失性存储器，所述非易失性存储器包括n个字线组，n为大于1的整数，所述改善编程性能的方法包括以下步骤：获取编程地址；根据所述编程地址对应字线所在的字线组，与所述编程地址对应位线相应的漏端编程电源端之间的距离，确定目标漏端编程电压；设置所述非易失性存储器的各漏端编程电源端电压为所述目标漏端编程电压。
可选地，所述字线组中每个字线具有编号，确定所述编程地址对应字线所在的字线组，包括以下步骤：确定所述编程地址对应字线的字线编号；根据所述字线编号确定所述编程地址对应字线所在的字线组。
可选地，所述非易失性存储器包括多个顺序编号的位线，确定所述编程地址对应字线所在的字线组，与所述编程地址对应位线相应的漏端编程电源端之间的距离，包括以下步骤：确定所述编程地址对应位线的位线编号；根据所述位线编号的奇偶性确定所述编程地址对应字线所在的字线组与所述编程地址对应位线相应的漏端编程电源端之间的距离。
可选地，所述确定目标漏端编程电压，包括以下步骤：当所述编程地址对应字线所在的字线组，与所述编程地址对应位线相应的漏端编程电源端之间的距离为第n预设距离时，相应的确定所述目标漏端编程电压为第n电压。
可选地，所述设置所述非易失性存储器的各漏端编程电源端电压为所述目标漏端编程电压，包括：将所述非易失性存储器的各漏端编程电源端与所述目标漏端编程电压的提供端连接。
为了解决上述问题，本发明实施例公开了一种改善编程性能的装置，应用于非易失性存储器，所述非易失性存储器包括n个字线组，n为大于1的整数，所述改善编程性能的装置包括：地址获取模块，用于获取编程地址；电压确定模块，用于根据所述编程地址对应字线所在的字线组，与所述编程地址对应位线相应的漏端编程电源端之间的距离，确定目标漏端编程电压；电压设置模块，用于设置所述非易失性存储器的各漏端编程电源端电压为所述目标漏端编程电压。
可选地，所述字线组中每个字线具有编号，所述电压确定模块确定所述编程地址对应字线所在的字线组，包括：字线编号确定单元，用于确定所述编程地址对应字线的字线编号；字线组确定单元，用于根据所述字线编号确定所述编程地址对应字线所在的字线组。
可选地，所述非易失性存储器包括多个顺序编号的位线，所述电压确定模块确定所述编程地址对应字线所在的字线组，与所述编程地址对应位线相应的漏端编程电源端之间的距离，包括：位线编号确定单元，用于确定所述编程地址对应位线的位线编号；距离确定单元，用于根据所述位线编号的奇偶性确定所述编程地址对应字线所在的字线组与所述编程地址对应位线相应的漏端编程电源端之间的距离。
可选地，所述电压确定模块确定目标漏端编程电压，包括：电压确定单元，用于当所述编程地址对应字线所在的字线组，与所述编程地址对应位线相应的漏端编程电源端之间的距离为第n预设距离时，相应的确定所述目标漏端编程电压为第n电压。
可选地，所述电压设置模块包括：连接单元，用于将所述非易失性存储器的各漏端编程电源端与所述目标漏端编程电压的提供端连接。
本发明实施例包括以下优点：在获取编程地址后，确定编程地址对应字线所在的字线组与编程地址对应位线相应的漏端编程电源端之间的距离，并根据该距离确定目标漏端编程电压，进而设置非易失性存储器的各漏端编程电源端电压为目标漏端编程电压，即可实现补偿编程地址对应非易失性存储器(例如norflash)cell与漏端编程电源端之间的漏端串联电阻压降，有效提高了非易失性存储器cell的编程性能，节省了编程时间。
附图说明
图1是本发明的一种改善编程性能的方法实施例的步骤流程图；
图2是本发明的另一种改善编程性能的方法实施例的步骤流程图；
图3是本发明的一种改善编程性能的装置实施例的结构框图；
图4是本发明的另一种改善编程性能的装置实施例的结构框图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
实施例一
参照图1，示出了本发明的一种改善编程性能的方法实施例的步骤流程图，该改善编程性能的方法可以应用于包括n个字线组的非易失性存储器(例如nandflash、norflash等)，n为大于1的整数，改善编程性能的方法具体可以包括如下步骤：
步骤s10，获取编程地址。
步骤s20，根据编程地址对应字线所在的字线组，与编程地址对应位线相应的漏端编程电源端之间的距离，确定目标漏端编程电压。
步骤s20中编程地址对应字线为编程地址对应非易失性存储器cell相对应的字线，编程地址对应位线为编程地址对应非易失性存储器cell相对应的位线，因此，步骤s20中的距离可近似认为是编程地址对应非易失性存储器cell与漏端编程电源端之间的距离。
步骤s30，设置非易失性存储器的各漏端编程电源端电压为目标漏端编程电压。
由于目标漏端编程电压根据步骤s20中的距离确定，即目标漏端编程电压与步骤s20中的距离相应，步骤s30设置非易失性存储器的各漏端编程电源端电压为目标漏端编程电压，即可实现补偿编程地址对应非易失性存储器cell与漏端编程电源端之间距离造成的漏端串联电阻压降。
本发明实施例一包括以下优点：在获取编程地址后，确定编程地址对应字线所在的字线组与编程地址对应位线相应的漏端编程电源端之间的距离，并根据该距离确定目标漏端编程电压，进而设置非易失性存储器的各漏端编程电源端电压为目标漏端编程电压，即可实现补偿编程地址对应非易失性存储器cell与漏端编程电源端之间的漏端串联电阻压降，有效提高了非易失性存储器cell的编程性能，节省了编程时间。
实施例二
参照图2，示出了本发明的另一种改善编程性能的方法实施例的步骤流程图，该改善编程性能的方法可以应用于包括n个字线组的非易失性存储器，n为大于1的整数，字线组中每个字线可以具有编号，非易失性存储器包括中多个位线顺序编号。优选地，n为偶数。
参照图2，该改善编程性能的方法具体可以包括如下步骤：
步骤s10，获取编程地址。
步骤s20，根据编程地址对应字线所在的字线组，与编程地址对应位线相应的漏端编程电源端之间的距离，确定目标漏端编程电压。
可选地，在本发明的一个实施例中，参照图2，步骤s20确定编程地址对应字线所在的字线组，可以包括以下步骤：
步骤s21，确定编程地址对应字线的字线编号。
步骤s22，根据字线编号确定编程地址对应字线所在的字线组。
其中，步骤s22可以根据字线编号查询各字线组中字线的编号，以确定编程地址对应字线所在的字线组。
可选地，在本发明的一个实施例中，参照图2，步骤s20确定编程地址对应字线所在的字线组，与编程地址对应位线相应的漏端编程电源端之间的距离，可以包括以下步骤：
步骤s23，确定编程地址对应位线的位线编号。
步骤s24，根据位线编号的奇偶性确定编程地址对应字线所在的字线组与编程地址对应位线相应的漏端编程电源端之间的距离。
其中，假设非易失性存储器中各非易失性存储器cell的漏端编程电源端分布在上侧和下侧，位线编号为偶数的位线与上侧的漏端编程电源端相连，位线编号为奇数的位线与下侧的漏端编程电源端相连。当编程地址对应位线的位线编号为偶数时，编程地址对应字线所在的字线组越靠近上侧，编程地址对应字线所在的字线组与编程地址对应位线相应的漏端编程电源端之间的距离越小，编程地址对应字线所在的字线组越靠近下侧，编程地址对应字线所在的字线组与编程地址对应位线相应的漏端编程电源端之间的距离越大；当编程地址对应位线的位线编号为奇数时，编程地址对应字线所在的字线组越靠近下侧，编程地址对应字线所在的字线组与编程地址对应位线相应的漏端编程电源端之间的距离越小，编程地址对应字线所在的字线组越靠近上侧，编程地址对应字线所在的字线组与编程地址对应位线相应的漏端编程电源端之间的距离越大。
可选地，在本发明的一个实施例中，参照图2，步骤s20确定目标漏端编程电压，可以包括以下步骤：
步骤s25，当编程地址对应字线所在的字线组，与编程地址对应位线相应的漏端编程电源端之间的距离为第n预设距离时，相应的确定目标漏端编程电压为第n电压。
具体地，假设n为4，即非易失性存储器包括4个字线组(第一字线组、第二字线组、第三字线组、第四字线组)，4个字线组从下侧至上侧依次分布，非易失性存储器中各非易失性存储器cell的漏端编程电源端分布在上侧和下侧，位线编号为偶数的位线与上侧的漏端编程电源端相连，位线编号为奇数的位线与下侧的漏端编程电源端相连。
若编程地址对应位线的位线编号为奇数，则当编程地址对应字线所在的字线组为第一字线组时，步骤s25中第n预设距离为第一预设距离、第n电压为第一电压；当编程地址对应字线所在的字线组为第二字线组时，步骤s25中第n预设距离为第二预设距离、第n电压为第二电压；当编程地址对应字线所在的字线组为第三字线组时，步骤s25中第n预设距离为第三预设距离、第n电压为第三电压；当编程地址对应字线所在的字线组为第四字线组时，步骤s25中第n预设距离为第四预设距离、第n电压为第四电压。
若编程地址对应位线的位线编号为偶数，则当编程地址对应字线所在的字线组为第四字线组时，步骤s25中第n预设距离为第一预设距离、第n电压为第一电压；当编程地址对应字线所在的字线组为第三字线组时，步骤s25中第n预设距离为第二预设距离、第n电压为第二电压；当编程地址对应字线所在的字线组为第二字线组时，步骤s25中第n预设距离为第三预设距离、第n电压为第三电压；当编程地址对应字线所在的字线组为第一字线组时，步骤s25中第n预设距离为第四预设距离、第n电压为第四电压。
其中，第一预设距离＜第二预设距离＜第三预设距离＜第四预设距离，第一电压＜第二电压＜第三电压＜第四电压。
步骤s30，设置非易失性存储器的各漏端编程电源端电压为目标漏端编程电压。
可选地，在本发明的一个实施例中，参照图2，步骤s30设置非易失性存储器的各漏端编程电源端电压为目标漏端编程电压，可以包括：
步骤s31，将非易失性存储器的各漏端编程电源端与目标漏端编程电压的提供端连接。
在本发明的一个实施例中，目标漏端编程电压的提供端可以为n个，该n个目标漏端编程电压的提供端可以为对非易失性存储器的原始漏端编程电压进行分压后产生。此时，步骤s31可以通过单刀多掷开关或其它方式将目标漏端编程电压的提供端与非易失性存储器的各漏端编程电源端进行电连接。
本发明实施例二包括以下优点：在获取编程地址后，根据编程地址对应字线的字线编号，确定编程地址对应字线所在的字线组，以及根据编程地址对应位线的位线编号奇偶性，确定编程地址对应字线所在的字线组与编程地址对应位线相应的漏端编程电源端之间的距离，进而根据该距离相应的确定目标漏端编程电压，最后将非易失性存储器的各漏端编程电源端与目标漏端编程电压的提供端进行连接，即可实现补偿编程地址对应非易失性存储器cell与漏端编程电源端之间的漏端串联电阻压降，有效提高了非易失性存储器cell的编程性能，节省了编程时间。
需要说明的是，对于方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明实施例并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明实施例，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作并不一定是本发明实施例所必须的。
实施例三
参照图3，示出了本发明的一种改善编程性能的装置实施例的结构框图，该改善编程性能的装置可以应用于包括n个字线组的非易失性存储器，n为大于1的整数，改善编程性能的装置具体可以包括如下模块：
地址获取模块10，用于获取编程地址。
电压确定模块20，用于根据编程地址对应字线所在的字线组，与编程地址对应位线相应的漏端编程电源端之间的距离，确定目标漏端编程电压。
电压设置模块30，用于设置非易失性存储器的各漏端编程电源端电压为目标漏端编程电压。
本发明实施例三包括以下优点：在获取编程地址后，确定编程地址对应字线所在的字线组与编程地址对应位线相应的漏端编程电源端之间的距离，并根据该距离确定目标漏端编程电压，进而设置非易失性存储器的各漏端编程电源端电压为目标漏端编程电压，即可实现补偿编程地址对应非易失性存储器cell与漏端编程电源端之间的漏端串联电阻压降，有效提高了非易失性存储器cell的编程性能，节省了编程时间。
实施例四
参照图4，示出了本发明的另一种改善编程性能的装置实施例的结构框图，该改善编程性能的装置可以应用于包括n个字线组的非易失性存储器，n为大于1的整数，字线组中每个字线可以具有编号，非易失性存储器包括中多个位线顺序编号。优选地，n为偶数。
参照图4，该改善编程性能的装置具体可以包括如下模块：
地址获取模块10，用于获取编程地址。
电压确定模块20，用于根据编程地址对应字线所在的字线组，与编程地址对应位线相应的漏端编程电源端之间的距离，确定目标漏端编程电压。
电压设置模块30，用于设置非易失性存储器的各漏端编程电源端电压为目标漏端编程电压。
可选地，在本发明的一个实施例中，参照图4，电压确定模块20确定编程地址对应字线所在的字线组，可以包括：
字线编号确定单元21，用于确定编程地址对应字线的字线编号。
字线组确定单元22，用于根据字线编号确定编程地址对应字线所在的字线组。
可选地，在本发明的一个实施例中，参照图4，电压确定模块20确定编程地址对应字线所在的字线组，与编程地址对应位线相应的漏端编程电源端之间的距离，可以包括：
位线编号确定单元23，用于确定编程地址对应位线的位线编号。
距离确定单元24，用于根据位线编号的奇偶性确定编程地址对应字线所在的字线组与编程地址对应位线相应的漏端编程电源端之间的距离。
可选地，在本发明的一个实施例中，参照图4，电压确定模块20确定目标漏端编程电压，可以包括：
电压确定单元25，用于当编程地址对应字线所在的字线组，与编程地址对应位线相应的漏端编程电源端之间的距离为第n预设距离时，相应的确定目标漏端编程电压为第n电压。
可选地，在本发明的一个实施例中，参照图4，电压设置模块30可以包括：
连接单元31，用于将非易失性存储器的各漏端编程电源端与目标漏端编程电压的提供端连接。
本发明实施例四包括以下优点：在获取编程地址后，根据编程地址对应字线的字线编号，确定编程地址对应字线所在的字线组，以及根据编程地址对应位线的位线编号奇偶性，确定编程地址对应字线所在的字线组与编程地址对应位线相应的漏端编程电源端之间的距离，进而根据该距离相应的确定目标漏端编程电压，最后将非易失性存储器的各漏端编程电源端与目标漏端编程电压的提供端进行连接，即可实现补偿编程地址对应非易失性存储器cell与漏端编程电源端之间的漏端串联电阻压降，有效提高了非易失性存储器cell的编程性能，节省了编程时间。
对于装置实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
本领域内的技术人员应明白，本发明实施例的实施例可提供为方法、装置、或计算机程序产品。因此，本发明实施例可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明实施例可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、cd-rom、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本发明实施例是参照根据本发明实施例的方法、终端设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理终端设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理终端设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理终端设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理终端设备上，使得在计算机或其他可编程终端设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程终端设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
尽管已描述了本发明实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种改善编程性能的方法和一种改善编程性能的装置，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。