本发明的实施方式涉及磁盘装置。
背景技术：
磁盘装置具备具有主磁极、写入屏蔽件以及侧屏蔽件的写入头。关于磁盘装置，通过向写入头施加记录电流来激发记录磁场，进而将数据记录于写入头的主磁极的正下方的盘的记录层。侧屏蔽件与写入屏蔽件一体地形成，位于主磁极的交叉磁道方向。在交叉磁道方向上，侧屏蔽件在一个方向上被磁化。因此，写入头在交叉磁道方向上存在记录磁场的磁通易流通的磁化容易方向和记录磁场的磁通难以流通的磁化困难方向。
技术实现要素：
本发明的实施方式提供一种能够提高记录容量和/或记录品质的磁盘装置。
本实施方式的磁盘装置具备：盘；头，其具有主磁极和侧屏蔽件，所述主磁极向所述盘施加记录磁场，所述侧屏蔽件相对于所述主磁极沿第1方向设置，并且具有沿所述第1方向的磁化方向上的磁场；以及控制器，其根据所述侧屏蔽件的磁场向所述头输出第1电流的大小与第2电流的大小不同的记录电流，所述第2电流的电流流向与所述第1电流相反。
附图说明
图1是表示第1实施方式的磁盘装置的构成的框图。
图2是表示写入有数据的瓦记录区域的一例的示意图。
图3是表示盘和头的一例的放大剖视图。
图4是表示从盘相对面侧观察到的头的下表面的一例的俯视图。
图5a是示意性地表示沿图3的v-v线剖切而得到的主磁极的头端(前端)部和侧屏蔽件的一例的剖视图。
图5b是示意性地表示沿图3的v-v线剖切而得到的主磁极的头端部和侧屏蔽件的一例的剖视图。
图6是表示数据的写入处理的控制的一例的概要图。
图7是表示在正负方向上相同大小的记录电流的波形的一例的图。
图8(a)是表示利用侧屏蔽件的磁化方向的磁场作用下的记录磁场来写入后的记录位的配置的一例的示意图，图8(b)是表示利用侧屏蔽件的磁化方向的磁场作用下的记录磁场来写入后的记录位的配置的一例的示意图。
图9是表示正的记录电流比负的记录电流大的记录电流的波形的一例的图。
图10是表示正的记录电流比负的记录电流大的记录电流的波形的一例的图。
图11是表示正的记录电流比负的记录电流大的记录电流的波形的一例的图。
图12(a)是表示本实施方式的记录位的配置的一例的示意图，图12(b)是表示本实施方式的记录位的配置的一例的示意图。
图13(a)是表示本实施方式的记录位的配置的一例的示意图，图13(b)是表示本实施方式的记录位的配置的一例的示意图。
图14是表示本实施方式的在正负方向上不同大小的记录电流的波形的一例的图。
图15(a)是表示本实施方式的记录位的配置的一例的示意图，图15(b)是表示本实施方式的记录位的配置的一例的示意图。
图16是表示记录电流与错误率的关系的图。
图17是表示记录电流与错误率的关系的图。
图18是表示记录电流的调整方法的一例的流程图。
图19是表示本实施方式的数据的写入方法的一例的流程图。
具体实施方式
以下，参照附图对实施方式进行说明。此外，附图只是一例，并非限定发明的范围。
(第1实施方式)
图1是表示第1实施方式的磁盘装置1的构成的框图。
磁盘装置1具备：后述的头盘组件(head-diskassembly：hda)、驱动器ic20、头放大器集成电路(以下称为头放大器ic)30、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓冲存储器(缓冲器)90以及作为1芯片的集成电路的系统控制器130。另外，磁盘装置1与主机系统(主机)100连接。
hda具有磁盘(以下称为盘)10、主轴马达(spm)12、搭载了头15的臂13以及音圈马达(vcm)14。盘10通过主轴马达12旋转。臂13和vcm14构成致动器。致动器通过vcm14的驱动，控制搭载于臂13的头15移动到盘10上的目标半径位置。盘10以及头15也可以设有2个以上的数目。
盘10在数据区域分配有瓦记录区域((shingledmagneticrecording：smr)区域)10s和介质高速缓存(mediacache)区域10m。瓦记录区域10s从主机100记录要求写入的用户数据等。能够利用介质高速缓存区域10m作为瓦记录区域10s的高速缓存。瓦记录区域10s是下一被写入的磁道(写入磁道)重叠写到磁道的一部分的记录区域。这样，通过多个磁道被重叠写，从而瓦记录区域10s的磁道密度(trackperinch：tpi，每英寸磁道数)比没有被重叠写的通常的记录区域的磁道密度高。在瓦记录区域10s中，将多个磁道被重叠写的磁道组称为带区域。带区域包括重叠写到相邻磁道的一部分的至少一个磁道(瓦记录磁道)和最后重叠写的磁道(最终磁道)。最终磁道没有重叠写到其他的磁道，因此磁道宽度比瓦记录磁道宽。瓦记录区域10s可以包括多个带区域。以下，将数据写入时的头15的磁道称为写入磁道。另外，将重叠写的区域之外的剩余的写入磁道的区域称为读取磁道。此外，“磁道”这一用语有时作为包括“写入磁道”以及“读取磁道”的用语使用。磁道包括多个记录位。
图2是表示写入了数据的瓦记录区域10s的一例的示意图。在图2中，将横轴设为盘10的周向(以下简单地称为周向)，将纵轴设为相对于周向正交的盘10的径向。周向是与盘10的旋转方向(以下简单地称为旋转方向)平行的方向。在周向上，将一方向设为前方fd，将与前方相反的方向设为后方bd。另外，在周向上，将写入数据的方向称为行进方向。例如，行进方向是与旋转方向相反的方向。在图2中，行进方向是与前方fd相同的方向。此外，行进方向也可以是与后方bd相同的方向。在径向上，将从盘10的内周朝向外周的方向设为外侧od，将与外侧od相反的方向设为内侧id。另外，在径向上，将写入数据的方向称为正向。在图2中，正向是与外侧od相同的方向。此外，正向也可以是与内侧id相同的方向。
图2示出了写入到瓦记录区域10s的带区域ba。在图2中，为了方便说明，由以某个磁道宽度沿周向延伸的直线示出了各磁道，但实际上是沿周向的曲线。另外，在图2中，各磁道设为不包括因干扰和/或其他的构造等的影响而造成的偏差等。
图2示出了写入磁道wt1、wt2以及wt3。写入磁道wt1具有磁道边缘ig11和磁道边缘ig12。在图示的例中，磁道边缘ig11是写入磁道wt1的与正向相反的方向(内侧id)上的端部，磁道边缘ig12是写入磁道wt1的正向(外侧od)上的端部。写入磁道wt2具有磁道边缘ig21和磁道边缘ig22。在图示的例中，磁道边缘ig21是写入磁道wt2的与正向相反的方向(内侧id)上的端部，磁道边缘ig22是写入磁道wt2的正向(外侧od)上的端部。写入磁道wt3具有磁道边缘ig31和磁道边缘ig32。在图示的例中，磁道边缘ig31是写入磁道wt3的与正向相反的方向(内侧id)上的端部，磁道边缘ig32是写入磁道wt3的正向(外侧od)上的端部。在图2中，写入磁道wt1的磁道宽度(以下简单地称为写入磁道宽度)wtw11是磁道边缘ig11与ig12之间的径向上的宽度。写入磁道宽度wtw21是磁道边缘ig21与ig22之间的径向上的宽度。写入磁道宽度wtw31是磁道边缘ig31与ig32之间的径向上的宽度。另外，图2示出了写入磁道wt1的磁道中心wtc1、写入磁道wt2的磁道中心wtc2以及写入磁道wt3的磁道中心wtc3。磁道中心wtc1、wtc2以及wtc3是分别在各磁道的周向上的各位置通过写入磁道宽度wtw11、wtw21以及wtw31的中心位置的轨道。在图示的例中，由沿周向的直线示出了磁道中心wtc1、wtc2以及wtc3，但实际上是沿盘10的周向的曲线。
另外，图2示出了读取磁道rt1、rt2以及rt3。读取磁道rt1与写入磁道wt1相对应，读取磁道rt2与写入磁道wt2相对应，读取磁道rt3与写入磁道wt3相对应。图2示出了读取磁道rt1的径向上的磁道宽度(以下简单地称为读取磁道宽度)rtw11、读取磁道rt2的读取磁道宽度rtw21以及读取磁道rt3的读取磁道宽度rtw31。读取磁道宽度rtw11是从磁道边缘ig11到磁道边缘ig21的径向上的宽度。即，读取磁道宽度rtw11是读取磁道rt1与读取磁道rt2的磁道间距。读取磁道宽度rtw21是从磁道边缘ig21到磁道边缘ig31的径向上的宽度。即，读取磁道宽度rtw21是读取磁道rt2与读取磁道rt3的磁道间距。读取磁道宽度rtw31是从磁道边缘ig31到磁道边缘ig32的径向上的宽度。即，读取磁道宽度rtw31是写入磁道宽度wtw31。以下也存在将读取磁道rt1以及rt2称为瓦记录磁道，将读取磁道rt3称为最终磁道的情况。
带区域ba包括瓦记录磁道rt1以及rt2和最终磁道rt3。虽然没有图示，但瓦记录磁道rt1以及rt2和最终磁道rt3分别被划分为多个扇区。
瓦记录磁道rt1是被正向上相邻的写入磁道wt2重叠写的写入磁道wt1的一部分之外的剩余的写入磁道wt1。瓦记录磁道rt2是被正向上相邻的写入磁道wt3重叠写的写入磁道wt2的一部分之外的剩余的写入磁道wt2。最终磁道rt3是重叠写到瓦记录磁道rt2的一部分的写入磁道wt3。在图2中，瓦记录磁道rt1以及rt2的磁道宽度rtw11与rtw21大致相同。最终磁道rt3的磁道宽度rtw31比瓦记录磁道rt1以及rt2的磁道宽度rtw1和rtw2大。另外，记载了带区域ba包括三个磁道，但也可以包括少于三个或多于三个磁道。
如图1所示，驱动器ic20在系统控制器130(详细而言，后述的mpu60)的控制下，对spm12和vcm14的驱动进行控制。
头放大器ic30具有读取放大器31和写入驱动器33。读取放大器31放大从盘10读取出的读取信号，并向系统控制器130(详细而言，后述的读取/写入(r/w)信道40)输出。写入驱动器33将与从系统控制器130输出的写入数据相应的记录电流(写入电流)向头15输出。另外，写入驱动器33根据来自系统控制器130例如mpu60的控制信号使记录电流值的大小变化。此外，写入驱动器33也可以包括供给与来自系统控制器130的控制信号相应的记录电流的电源。另外，头放大器ic30也可以独立于写入驱动器33之外地另行具备该电源。
头15以滑块为主体，具备安装于该滑块的写入头15w和读取头15r。写入头15w根据从写入驱动器33输出的记录电流将数据写进(写入)到盘10上。读取头15r读入(读取)写入到盘10上的数据磁道的数据。
图3是表示盘10和头15的一例的放大剖视图。以下，将从头15朝向盘10的方向称为下方向，将从盘10朝向头15的方向称为上方向。在图3中，盘10的旋转方向b与气流c的方向一致。
在图示的例中，盘10按顺序层叠基板111、软磁性层112、磁记录层113以及保护膜层114。基板111由圆板状的非磁性体形成。软磁性层112在基板111的上方由表现软磁特性的材料形成。磁记录层113在软磁性层112的上方，在相对于盘10的表面垂直的方向上具有磁各向异性。保护膜层114形成于磁记录层113的上方。
在图示的例中，头15具备滑块150。滑块150由例如氧化铝与碳化钛的烧结体(altic)形成。滑块150具有与盘10的表面相对的盘相对面(空气支承表面(abs))151和位于气流c的流出侧的尾随端153。读取头15r以及写入头15w的一部分在盘相对面151露出。
读取头15r由磁性膜161、屏蔽膜162以及屏蔽膜163构成。磁性膜161位于屏蔽膜162与屏蔽膜163之间，产生磁阻效应。屏蔽膜162相对于磁性膜161位于尾随端153侧。屏蔽膜163与屏蔽膜162相对。磁性膜161、屏蔽膜162以及屏蔽膜163的下端在盘相对面151露出。
写入头15w相对于读取头15r设置于滑块150的尾随端153侧。写入头15w具备主磁极171、尾随屏蔽件(写入屏蔽件)172、为了使磁通在主磁极171流通而以卷绕于包括主磁极171和写入屏蔽件172的磁路的方式配置的记录线圈180。
主磁极171由具有高饱和磁通密度的软磁性体形成。主磁极171为了使盘10的磁记录层103磁化而产生相对于盘10的表面垂直的方向上的记录磁场。在图示的例中，主磁极171相对于abs151大致垂直地延伸。在主磁极171中，将abs151侧称为头端部171a。头端部171a的下表面在abs151露出。主磁极171的头端部171a朝向abs151前端变细地缩小，并形成为相对于其他部分宽度较窄的柱状。主磁极171的头端部171a的交叉磁道方向(磁道宽度方向(第1方向))上的宽度与写入磁道的磁道宽度大致对应。交叉磁道方向是与磁道正交的方向。例如，交叉磁道方向是沿盘10的径向的方向。
写入屏蔽件172由具有高饱和磁通密度的软磁性体形成。为了借助主磁极171正下方的软磁性层112来有效地封闭磁路而设置写入屏蔽件172。写入屏蔽件172相对于主磁极171位于尾随端153侧。写入屏蔽件172经由绝缘体173连结于主磁极171。主磁极171与写入屏蔽件172电绝缘且形成磁路。写入屏蔽件172形成为大致l字形状，并且具有与主磁极171的头端部171a隔着写入间隙相对的头端部172a。头端部172a的下表面在滑块150的abs151露出。
为了使磁通在主磁极171流通而以卷绕于包括主磁极171和写入屏蔽件172的磁路的方式设置记录线圈180。记录线圈180例如设置于主磁极171与写入屏蔽件172之间。记录线圈180与写入驱动器33连接。
从写入驱动器33向记录线圈180供给的记录电流由系统控制器130例如mpu60控制。从写入驱动器33向记录线圈180供给某个大小的电流，从而在主磁极171以及写入屏蔽件172激发记录磁场。因此，主磁极171以及写入屏蔽件被磁化。通过在该磁化了的主磁极171以及写入屏蔽件172流通的磁通使盘10的记录层113的记录位的磁化方向变化，从而将与记录电流相应的磁化模式记录于盘10。以下，存在将“使记录位的磁化方向变化”表记为“写入记录位”的情况。
图4是表示从盘相对面abs151侧观察到的头15的下表面的一例的俯视图。图4示出了没有将数据写入到盘10时的写入屏蔽件172以及侧屏蔽件175的磁化方向的一例。图4示出了没有写入时的写入屏蔽件172的磁化方向mg1、侧屏蔽件174的磁化方向mg2以及侧屏蔽件175的磁化方向mg3。另外，图4示出了交叉磁道方向xd。
写入头15w具备设置于主磁极171的交叉磁道方向xd的两侧的侧屏蔽件174、175。侧屏蔽件174、175由具有高饱和磁通密度的软磁性体形成，连结于写入屏蔽件172。在图示的例中，侧屏蔽件174、175与写入屏蔽件172一体地形成。另外，侧屏蔽件174与侧屏蔽件175在交叉磁道方向xd上中间夹着主磁极171而相对。换言之，侧屏蔽件174以及侧屏蔽件175相对于主磁极171沿交叉磁道方向xd设置。写入屏蔽件172和侧屏蔽件174、175从主磁极171物理地分开。
将不写入时的磁化方向固定(磁化)使得写入屏蔽件172和侧屏蔽件174、175不在盘10的方向上产生意外的磁场。例如，写入屏蔽件172、侧屏蔽件174以及侧屏蔽件175的磁化方向mg1、mg2以及mg3固定于与盘10的表面平行的方向例如固定于交叉磁道方向xd。在图示的例中，磁化方向mg1、mg2以及mg3是在交叉磁道方向xd上从侧屏蔽件174朝向侧屏蔽件175的方向。写入屏蔽件172以及侧屏蔽件174、175像一块磁体那样发挥作用。因此，以下将写入屏蔽件172、侧屏蔽件174以及侧屏蔽件175的磁化方向mg1、mg2以及mg3统称为磁化方向mgh。
图5a和图5b是示意性地表示沿图3的v-v线剖切而得到的主磁极171的头端部171a和侧屏蔽件174、175的一例的剖视图。图5a和图5b示意性地示出了在将数据写入到盘10时的、在主磁极171以及侧屏蔽件174、175中的交叉磁道方向xd上的磁通流的一例。图5a和图5b示出了在写入头15w产生的记录磁场的磁极性互相反转的状态。即，图5a和图5b示出了在写入头15w产生的记录磁场的磁通互相向相反方向流通。另外，在图5a和图5b中，侧屏蔽件174以及175的磁化方向mgh相同。此外，为了便于说明，在图5a中仅示出了两个磁通流ms1和ms2，但还产生了其他很多的磁通流。同样地，在图5b中仅示出了两个磁通流mn1和mn2，但还产生了其他很多的磁通流。另外，以下也存在将“磁通流”简单地表记为“磁通”的情况。
主磁极171的记录磁场的磁通流通的方向(极性)根据施加于记录线圈180的记录电流的方向的变化(正负的变化或极性反转)而反转。
图5a是示意性地表示交叉磁道方向xd上的记录磁场的磁通流ms1、ms2的一例的图。在图示的例中，记录磁场的磁通流ms1从主磁极171朝向盘10、穿过盘10的软磁性层112而朝向侧屏蔽件174、穿过侧屏蔽件174而回到主磁极171。同样地，记录磁场的磁通流ms2从主磁极171朝向盘10、穿过盘10的软磁性层112而朝向侧屏蔽件175、穿过侧屏蔽件175而回到主磁极171。在该情况下，侧屏蔽件174、175的磁化方向mgh是在交叉磁道方向xd上从侧屏蔽件174朝向侧屏蔽件175的方向。磁通流ms1向与磁化方向mgh相同的方向流通。因此，磁通流ms1在磁化方向mgh的磁场的作用下易流通。另一方面，磁通流ms2向与磁化方向mgh相反的方向流通。因此，磁通流ms2在磁化方向mgh的磁场的作用下难以流通。
图5b是示意性地表示与图5a反向的交叉磁道方向xd上的记录磁场的磁通流mn1、mn2的一例的图。在图示的例中，记录磁场的磁通流mn1从主磁极171朝向侧屏蔽件174、从侧屏蔽件174朝向盘10、穿过盘10的软磁性层112而回到主磁极171。同样地，记录磁场的磁通流mn2从主磁极171朝向侧屏蔽件175、从侧屏蔽件175朝向盘10、穿过盘10的软磁性层112而回到主磁极171。在该情况下，侧屏蔽件174、175的磁化方向mgh是在交叉磁道方向xd上从侧屏蔽件174朝向侧屏蔽件175的方向。磁通流mn1向与磁化方向mgh相反的方向流通。因此，磁通流mn1在磁化方向mgh的磁场的作用下难以流通。另一方面，磁通流mn2向与磁化方向mgh相同的方向流通。因此，磁通流mn2在磁化方向mgh的磁场的作用下易流通。
如图5a和图5b所示，侧屏蔽件174、175中的磁化方向mgh的磁场作用于记录磁场，由此会产生记录磁场的磁通易流通的磁化容易方向ed和记录磁场的磁通难以流通的磁化困难方向dd。这样，在磁化方向mgh的磁场作用于记录磁场的情况下，写入头15w会将记录位写入到从某个磁道的目标位置向磁化容易方向偏离了的位置。即，在磁化方向mgh的磁场作用于记录磁场的情况下，写入头15w将数据写入到从某个磁道的目标位置向磁化容易方向ed移位了的位置。磁化容易方向ed以及磁化困难方向dd基于记录磁场的磁通流通的方向和侧屏蔽件174、175中的磁场的磁化方向mgh来决定。在图5a和图5b所示的例中，侧屏蔽件174、175的磁化方向mgh相同，但磁通流反向，因此磁化容易方向ed与磁化困难方向dd分别互相反向。
在图1中，易失性存储器70是电力供给被切断时所保存的数据丢失的半导体存储器。易失性存储器70储存磁盘装置1的各部的处理所需要的数据等。易失性存储器70例如是dram(dynamicrandomaccessmemory)或sdram(synchronousdynamicrandomaccessmemory)。
非易失性存储器80是即使电力供给被切断也记录所保存的数据的半导体存储器。非易失性存储器80例如是nor型或nand型的闪存rom(flashreadonlymemory：from)。
缓冲存储器90是暂时地记录在磁盘装置1与主机100之间发送接收的数据等的半导体存储器。此外，缓冲存储器90也可以与易失性存储器70构成为一体。缓冲存储器90例如是dram(dynamicrandomaccessmemory)、sram(staticrandomaccessmemory)、sdram、feram(ferroelectricrandomaccessmemory)或mram(magnetoresistiverandomaccessmemory)等。
系统控制器(控制器)130使用例如多个元件集成于单一芯片的被称为system-on-a-chip(soc)的大规模集成电路(lsi)来实现。系统控制器130包括读取/写入(r/w)信道40、硬盘控制器(hdc)50以及微处理器(mpu)60。
r/w信道40执行读取数据和写入数据的信号处理。r/w信道40具有测定读取数据的信号品质的电路或功能。
hdc50根据来自后述的mpu60的指示来控制主机100与r/w信道40之间的数据传送。
mpu60是控制磁盘装置1的各部的主控制器。mpu60通过驱动器ic20控制vcm14来执行进行头15的定位的伺服控制。另外，mpu60控制向盘10的数据的写入动作，并且选择从主机100传送的写入数据的保存目的地。
mpu60包括读取/写入控制部61、记录电流控制部63以及调整部65。mpu60也可以在固件上执行所述各部的处理。
读取/写入控制部61根据来自主机100的命令来控制数据的读取处理和写入处理。读取/写入控制部61通过驱动器ic20控制vcm14，将头15定位于盘10上的目标位置，进而执行读取处理或写入处理。例如，读取/写入控制部61在执行写入处理时，以各磁道的磁道中心为目标位置，执行瓦记录。
图6是表示数据的写入处理的控制的一例的概要图。图6示出了盘10的径向上的内周ic、切换位置cc、介质高速缓存区域10m与瓦记录区域10s的边界位置bp以及盘10的径向上的外周oc。另外，图6示出了从内周ic朝向外周oc的外侧od和从外周oc朝向内周ci的内侧id。切换位置cc是在径向上切换写入数据的方向(正向)的位置。切换位置cc位于内周ic与边界位置bp之间。例如，切换位置cc是头15相对于盘10的周向的倾斜即倾斜角几乎为0的位置。此外，切换位置cc也可以在每个头和/或每个磁盘装置中设定于不同的位置。
读取/写入控制部61将正向切换为外侧od或内侧id后写入数据。作为一例，读取/写入控制部61在从内周ic到切换位置cc向外侧od对数据进行瓦记录后，从边界位置bp到切换位置cc向内侧id对数据进行瓦记录。另外，读取/写入控制部61也可以在从边界位置bp到切换位置cc向内侧id对数据进行瓦记录后，从内周ic到切换位置cc向外侧od对数据进行瓦记录。这样，读取/写入控制部61在切换位置cc将正向切换为外侧od或内侧id后进行瓦记录，从而能够抑制因在盘10的内周ic的附近的磁道与外周oc的附近的磁道产生的倾斜角的差异对磁道宽度等的影响。此外，读取/写入控制部61在切换位置cc将正向切换为外侧od或内侧id，但也可以不切换正向。例如，读取/写入控制部61也可以将正向固定于内侧id或外侧od中的任一方来对数据进行瓦记录。此外，读取/写入控制部61也可以执行通常的写入处理而并非瓦记录。
记录电流控制部63控制从头放大器ic30(详细而言，写入驱动器33)向写入头15w输出的记录电流，在写入头15w使与该记录电流对应的记录磁场产生。即，记录电流控制部63经由写入头15w将与记录电流相应的数据写入到盘10。例如，记录电流控制部63基于调整值来控制记录电流。调整值包括例如与在盘10的每个半径位置和/或每个磁道中调整后的记录电流相关联的信息。此外，调整值也可以在每个头和/或每个磁盘装置中不同。调整值保持于存储器例如易失性存储器70、非易失性存储器80以及缓冲存储器90中的至少一者。另外，调整值也可以记录于未图示的mpu60内的内部存储器。调整值通过后述的记录电流的调整处理等来取得。此外，记录电流控制部63既可以设置于头放大器ic30，也可以设置于系统控制器130的mpu60之外，还可以设置于头放大器30与系统控制器130之间。
记录电流控制部63基于调整值，根据电流的方向(正负或高低)将不同大小(振幅或绝对值)的记录电流向写入头15w输出，在写入头15w根据磁场(磁通)的方向使不同大小的记录磁场产生。另外，记录电流控制部63也可以不论电流的方向如何都将相同大小的记录电流向写入头15w输出，在写入头15w不论磁场(磁通)的方向如何都使相同大小的记录磁场产生。
图7是表示在正负方向上相同大小的记录电流的波形的一例的图。在图示的例中，纵轴表示记录电流[毫安(ma)]，横轴表示时间[纳秒(nsec)]。图7示出了记录电流的波形w71。波形w71根据时间而正负变化。在图示的例中，关于波形w71，正的记录电流的波形(或，高的记录电流的波形)p71与负的记录电流的波形(或，低的记录电流的波形)n71周期性地反复。波形p71与波形n71的期间为同一期间t1。波形p71包含过冲o71和正的电流pc71。图7示出了过冲o71的振幅oa1和正的电流pc71的振幅pca1。振幅(第1振幅)oa1比振幅(第2振幅)pca1大。波形n71包含下冲u71和负的电流nc71。图7示出了下冲u71的振幅ua1和负的电流nc71的振幅nca1。振幅(第3振幅)ua1比振幅(第4振幅)nca大。波形p71与波形n71以某个记录电流例如记录电流0[ma]为基准而对称。由非对称率表示，则(oa1-ua1)/(oa1+ua1)＝0，(pca1-nca1)/(pca1+nca1)＝0。即，波形p71与波形n71振幅相同。在图示的例中，过冲o71的振幅oa与下冲u71的振幅ua1约为1.4x[ma]。另外，电流pc71的振幅pca与电流nc71的振幅nca1约为0.4x[ma]。此外，在图7中，在波形w71中，波形p71和波形n71周期性地反复，但也可以不是周期性地反复。
例如，记录电流控制部63将图7所示的波形w71的记录电流向写入头15w输出，在写入头15w不论磁通的方向如何都使相同大小的记录磁场产生。记录电流控制部63将正的记录电流例如波形p71的正的记录电流向写入头15w输出，在写入头15w使图5b所示的磁通流mn1以及mn2的记录磁场产生。记录电流控制部63将负的记录电流例如波形n71的负的记录电流向写入头15w输出，在写入头15w使图5a所示的磁通流ms1以及ms2的记录磁场产生。在该情况下，磁通流mn1以及mn2的记录磁场与磁通流ms1以及ms2的记录磁场大小相同。记录电流控制部63经由写入头15w将与记录电流相应的数据写入到盘10的目标位置。此时，侧屏蔽件174、175的磁化方向mgh的磁场作用，因此，写入头15w将数据写入到从盘10上的目标位置向磁化容易方向移位了的位置。此外，记录电流控制部63也可以将正的记录电流向写入头15w输出，在写入头15w使图5a所示的磁通流ms1以及ms2的记录磁场产生。记录电流控制部63也可以将负的记录电流向写入头15w输出，在写入头15w使图5b所示的磁通流mn1以及mn2的记录磁场产生。
图8(a)和图8(b)是表示利用侧屏蔽件174、175的磁化方向mgh的磁场作用下的记录磁场来写入后的记录位的配置的一例的示意图。在图8(a)和图8(b)中，正向是与外侧od相同的方向。
图8(a)是表示利用磁化方向mgh的磁场作用下的记录磁场来写入后的写入磁道wt1的记录位的配置的一例的示意图。
图8(a)示出了图2所示的写入磁道wt1的磁道边缘ig11和磁道边缘ig12。另外，图8(a)也示出了图2所示的写入磁道wt1的写入磁道宽度wtw11。图2所示的写入磁道wt1设为利用磁化方向mgh的磁场不作用或磁化方向mgh的磁场以不影响记录磁场的程度作用下的记录磁场被写入的磁道。为了便于说明，磁道边缘ig11和磁道边缘ig12设为不变动。此外，实际上，磁道边缘ig11和ig12均存在因干扰等的影响而变动的情况。
在图8(a)中，写入磁道wt1具有磁道边缘tg11和磁道边缘tg12。在图示的例中，磁道边缘tg11是写入磁道wt1的与正向相反的方向(内侧id)上的端部，磁道边缘tg12是写入磁道wt12的正向(外侧od)上的端部。另外，写入磁道wt1包括记录位bt1和记录位bt2。在写入磁道wt1中，记录位bt1与记录位bt2沿周向交替配置。此外，记录位bt1与记录位bt2也可以不交替配置。例如，也可以是，多个记录位bt1沿周向若干个连续地配置。也可以是，多个记录位bt2沿周向若干个连续地排列。另外，对于写入磁道wt1之外的其他的写入磁道也能够与写入磁道wt1同样地说明，因此省略在其他的写入磁道的记录位的配置的详细说明。
在图示的例中，记录位bt1以及bt2为矩形状。此外，记录位bt1以及bt2也可以是其他的形状。记录位bt1具有与正向相反的方向(内侧id)上的端部be11和记录位bt1的正向(外侧od)上的端部be12。另外，记录位bt2具有与正向相反的方向(内侧id)上的端部be21和正向(外侧od)上的端部be22。记录位bt1的径向上的宽度btw11是端部be11与端部be12之间的径向上的宽度。记录位bt2的径向上的宽度btw12是端部be21与端部be22之间的径向上的宽度。在图8(a)中，宽度btw11与宽度btw12相同。另外，记录位bt1的周向上的宽度与记录位bt2的周向上的宽度相同。此外，也可以是，记录位bt1的周向上的宽度与记录位bt2的周向上的宽度不同。
在图8(a)中，记录位bt1相对于磁道中心wtc1向磁化容易方向例如正向(外侧od)偏离。记录位bt1的端部be11和端部be12分别相对于磁道边缘ig11和磁道边缘ig12向磁化容易方向例如正向(外侧od)偏离。
在图8(a)所示的例中，记录位bt2相对于磁道中心wtc1向磁化容易方向例如与正向相反的方向(内侧id)偏离。记录位bt2的端部be21和端部be22分别相对于磁道边缘ig11和ig12向磁化容易方向例如与正向相反的方向(内侧id)偏离。
在图8(a)中，记录位bt1与记录位bt2在径向上互相偏离。记录位bt1的端部be11相对于记录位bt2向正向(外侧od)偏离。记录位bt1的端部be12相对于记录位bt2向正向(外侧od)偏离。在图8(a)中，端部be11与端部be21之间的径向上的差d1和端部be12与端部be22之间的径向上的差d2大致相同。
端部be11和端部be21与磁道边缘tg11相对应。端部be12和端部be22与磁道边缘tg12相对应。在图8(a)中，磁道边缘tg11和磁道边缘tg12沿周向在径向上凸凹状地变动。例如，磁道边缘tg11在追随磁道边缘ig11的线上凸凹状地变动。另外，磁道边缘tg12在追随磁道边缘ig12的线上凸凹状地变动。图8(a)示出了写入磁道wt1的写入磁道宽度wtw12。写入磁道宽度wtw12是磁道边缘tg11与磁道边缘tg12的径向上的宽度。写入磁道宽度wtw12沿周向在径向上变动。
在图8(a)所示的例中，例如，读取/写入控制部61将写入头15w定位于图6所示的切换位置cc附近的磁道。
记录电流控制部63基于正的记录电流例如波形p71的正的记录电流，经由写入头15w，利用图5b所示的磁通流mn1以及mn2的记录磁场来写入记录位bt1。磁化方向mgh的磁化方向作用于记录磁场，因此，如图8(a)所示，记录电流控制部63将记录位bt1写入到相对于磁道中心wtc1向磁化容易方向例如正向(外侧od)偏离的位置。
记录电流控制部63基于负的记录电流例如波形n71的负的记录电流，经由写入头15w，利用图5a所示的磁通流ms1以及ms2的记录磁场来写入记录位bt2。磁化方向mgh的磁化方向作用于记录磁场，因此，如图8(a)所示，记录电流控制部63将记录位bt2写入到相对于磁道中心wtc1向磁化容易方向例如与正向相反的方向(内侧id)偏离的位置。
因此，记录电流控制部63能够生成沿周向在径向上凸凹状地变动的写入磁道宽度wtw12的写入磁道wt1。
图8(b)是表示利用侧屏蔽件174、175的磁化方向mgh的磁场作用下的记录磁场进行瓦记录的带区域ba的一例的示意图。
图8(b)示出了图2所示的写入磁道wt1的磁道边缘ig11、写入磁道wt2的磁道边缘ig21、写入磁道wt3的磁道边缘ig31以及磁道边缘ig32。图2所示的写入磁道wt1、wt2以及wt3设为利用磁化方向mgh的磁场不作用或磁化方向mgh的磁场以不影响记录磁场的程度作用下的记录磁场被写入的磁道。为了便于说明，磁道边缘ig11、ig21、ig31以及ig32设为不变动，但实际上也存在因干扰等的影响而变动的情况。
图8(b)示出了包括读取磁道rt1、rt2以及rt3的带区域ba。带区域ba形成有：图8(a)所示的写入磁道wt1；与写入磁道wt1同样地写且重叠写到该写入磁道wt1的写入磁道wt2；以及与写入磁道wt1同样地写且重叠写到该写入磁道wt2的写入磁道wt3。
读取磁道rt1、rt2以及rt3均包含记录位bt1和记录位bt2。在读取磁道rt1、rt2以及rt3的各自中，记录位bt1与记录位bt2沿周向交替地配置。
图8(b)示出了磁道边缘tg11、读取磁道rt2的与正向相反的方向上的磁道边缘tg21、读取磁道rt3的与正向相反的方向(内侧id)上的磁道边缘tg31以及读取磁道rt3的正向(外侧od)上的磁道边缘tg32。磁道边缘tg11、tg21、tg31以及tg32分别沿周向在径向上凸凹状地变动。例如，磁道边缘tg11在追随磁道边缘ig11的线上凸凹状地变动。磁道边缘tg21在追随磁道边缘ig21的线上凸凹状地变动。磁道边缘tg31在追随磁道边缘ig31的线上凸凹状地变动。磁道边缘tg32在追随磁道边缘ig32的线上凸凹状地变动。
图8(b)示出了读取磁道rt1的读取磁道宽度rtw12、读取磁道rt2的读取磁道宽度rtw22以及读取磁道rt3的读取磁道宽度rtw32。读取磁道宽度rtw12是磁道边缘tg11与磁道边缘tg21的径向上的宽度。读取磁道宽度rtw22是磁道边缘tg21与磁道边缘tg31的径向上的宽度。读取磁道宽度rtw32是磁道边缘tg31与磁道边缘tg33的径向上的宽度。因此，读取磁道宽度rtw12、rtw22以及rtw32分别沿周向在径向上变动。例如，读取磁道宽度rtw12和rtw22的最大值分别比读取磁道rtw11和rtw21大。
在图8(b)所示的例中，例如，读取/写入控制部61将写入头15w定位于图6所示的切换位置cc附近的磁道，进而对数据进行瓦记录。
记录电流控制部63将图7所示的波形w71的记录电流向写入头15w输出，如图8(b)所示，将读取磁道rt1、rt2以及rt3瓦记录为带区域ba。在该情况下，如图8(b)所示，读取磁道宽度rtw12、rtw22以及rtw32分别沿周向在径向上变动。
在本实施方式中，为了抑制读取磁道宽度的变动，记录电流控制部63基于调整值将在正负方向上不同大小的记录电流向写入头15w输出，在写入头15w使在磁通的方向上不同大小的记录磁场产生。
图9、图10以及图11分别是表示本实施方式的在正负方向上不同大小的记录电流的波形的一例的图。图9至图11均与图7对应。图9至图11的正的记录电流的大小与图7不同。关于图9至图11，省略与图7同样的部分的详细说明，对与图7不同的点进行说明。
参照图9至图11，示出了本实施方式的在正负方向上不同大小的记录电流的波形的若干例。此外，图9至图11所示的记录电流的波形只是一例，并非限定于这些记录电流的波形。
图9是表示正的记录电流比负的记录电流大的记录电流的波形的一例的图。图9示出了正的记录电流的波形p72。在图9中，波形w71中，正的记录电流的波形p72与负的记录电流的波形n71周期性地反复。在图9中，为了比较，由虚线表示图7所示的正的记录电流的波形p71。波形p72包括过冲o72和正的电流pc72。图9示出了过冲o72的振幅oa2和正的电流pc72的振幅pca2。振幅oa2比振幅pca2大。波形p72的记录电流比波形p71的记录电流大。即，在图9中，波形p72与波形n71以某个记录电流例如记录电流0[ma]为基准非对称。由非对称率表示，则(oa2-ua1)/(oa2+ua1)＞0、(pca2-nca1)/(pca2+nca1)＞0。即，波形p72与波形n71的振幅不同。在图示的例中，过冲o72约为1.9x[ma]。另外，电流pc72约为0.6x[ma]。此外，在图9中，在波形w71中，波形p72与波形n71周期性地反复，但也可以不是周期性地反复。
图10是表示正的记录电流比负的记录电流大的记录电流的波形的一例的图。图10示出了正的记录电流的波形p73。在图10中，波形w71中，正的记录电流的波形p73与负的记录电流的波形n71周期性地反复。在图10中，为了比较，由虚线表示图7所示的正的记录电流的波形p71。波形p73包括过冲o72和正的电流pc71。过冲o72比过冲o71大。即，在图10中，波形p73与波形n71以某个记录电流例如记录电流0[ma]为基准非对称。由非对称率表示，则(oa2-ua1)/(oa2+ua1)＞0、(pca1-nca1)/(pca1+nca1)＝0。即，波形p73与波形n71的振幅不同。此外，在图10中，在波形w71中，波形p73与波形n71周期性地反复，但也可以不是周期性地反复。
图11是表示正的记录电流比负的记录电流大的记录电流的波形的一例的图。图11示出了正的记录电流的波形p74。在图11中，在波形w71中，正的记录电流的波形p74与负的记录电流的波形n71周期性地反复。在图11中，为了比较，由虚线表示图7所示的正的记录电流的波形p71。波形p74包括过冲o71和正的电流pc72。正的电流pc72比正的电流pc71大。即，在图11中，波形p74与波形n71以某个记录电流例如记录电流0[ma]为基准非对称。由非对称率表示，则(oa1-ua1)/(oa1+ua1)＝0、(pca2-nca1)/(pca2+nca1)＞0。即，波形p74与波形n71的振幅不同。此外，在图11中，在波形w71中，波形p74与波形n71周期性地反复，但也可以不是周期性地反复。
例如，记录电流控制部63将图9至图11所示的记录电流中的任一电流向写入头15w输出，在写入头15w使在磁通的方向上不同大小的记录磁场产生。记录电流控制部63将例如图9、图10或图11所示的记录电流的波形w71的正的记录电流向写入头15w输出，在写入头15w使图5b所示的磁通流mn1以及mn2的记录磁场产生。记录电流控制部63将例如图9、图10或图11所示的记录电流的波形w71的负的记录电流向写入头15w输出，在写入头15w使图5a所示的磁通流ms1以及ms2的记录磁场产生。记录电流控制部63经由写入头15w将与记录电流相应的数据写入到盘10的目标位置。此时，记录电流控制部63使比基于负的记录电流的磁通流ms1以及ms2的记录磁场大的基于正的记录电流的磁通流mn1以及mn2的记录磁场产生。因此，记录电流控制部63写入比记录位bt2在径向(交叉磁道方向)上延长的记录位bt1。
图12(a)和图12(b)是表示本实施方式的记录位的配置的一例的示意图。在图12(a)和图12(b)中，正向是与外侧od相同的方向。
图12(a)以及图12(b)分别与图8(a)以及图8(b)对应。图12(a)以及图12(b)所示的记录位bt1与图8(a)以及图8(b)所示的记录位bt1的径向上的宽度不同。此外，图12(a)以及图12(b)所示的记录位bt2与图8(a)以及图8(b)所示的记录位bt2相同。关于图12(a)以及图12(b)，省略与图8(a)以及图8(b)同样的部分的详细说明，对与图8(a)以及图8(b)不同的点进行说明。
图12(a)是表示利用根据记录电流的正负而强度不同的记录磁场来写入后的写入磁道wt1中的记录位的配置的一例的示意图。
在图12(a)中，记录位bt1的径向上的宽度btw13是端部be11与端部be12之间的径向上的宽度。另外，记录位bt2的径向上的宽度btw12与图8(a)所示的相同。在图12(a)中，宽度btw13比宽度btw12大。
在图12(a)所示的例中，记录位bt1与图8(a)所示的记录位bt1相比在径向上延长。记录位bt1的端部be11与记录位bt2的端部be21在径向上位于大致相同的位置。记录位bt1的端部be12相对于记录位bt2的端部22向正向(外侧od)偏离。记录位bt1的端部be12相对于记录位bt2的端部be22按差d3离开。例如，端部be12与端部be22之间的径向上的差d3比图8(a)所示的端部be12与端部be22之间的径向上的差d2大。此外，端部be11与端部be21在径向上位于大致相同的位置，但也可以与端部be21以比差d3小的距离在正向和径向上离开。
在图12(a)中，磁道边缘tg11沿周向直线状地延伸。磁道边缘tg12沿周向在径向上凸凹状地变动。图12(a)示出了写入磁道wt1的写入磁道宽度wtw13。写入磁道宽度wtw13是磁道边缘tg11与磁道边缘tg12的径向上的宽度。写入磁道宽度wtw13沿周向在径向上变动。
在图12(a)所示的例中，例如，读取/写入控制部61将写入头15w定位于图6所示的切换位置cc附近的磁道。
记录电流控制部63基于调整值，并且基于正的记录电流例如图9、图10或图11所示的记录电流的波形w71的正的记录电流，利用图5b所示的磁通流mn1以及mn2的记录磁场来写入记录位bt1。记录电流控制部63基于调整值，并且基于负的记录电流例如图9、图10或图11所示的记录电流的波形w71的负的记录电流，利用图5b所示的磁通流ms1以及ms2的记录磁场来写入记录位bt2。如图12(a)所示，记录电流控制部63利用比基于负的记录电流的记录磁场大的基于正的记录电流的记录磁场，写入与正向相反的方向(内侧id)上的端部be11延长到记录位bt2的与正向相反的方向(内侧id)上的端部be21为止的记录位bt1。
图12(b)是表示利用根据记录电流的正负而强度不同的记录磁场进行瓦记录所得的带区域ba的一例的示意图。
图12(b)示出了包括读取磁道rt1、rt2以及rt3的带区域ba。带区域ba中形成有：图12(a)所示的写入磁道wt1；与写入磁道wt1同样地写且重叠写到该写入磁道wt1的写入磁道wt2；以及与写入磁道wt1同样地写且重叠写到该写入磁道wt2的写入磁道wt3。
在图12(b)中，磁道边缘tg11、tg21以及tg31分别沿周向延伸。另外，磁道边缘tg32沿周向在径向上变动。
图12(b)示出了读取磁道rt1的读取磁道宽度rtw13、读取磁道rt2的读取磁道宽度rtw23以及读取磁道rt3的读取磁道宽度rtw33。读取磁道宽度rtw13是磁道边缘tg11与磁道边缘tg21的径向上的宽度。读取磁道宽度rtw23是磁道边缘tg21与磁道边缘tg31的径向上的宽度。因此，读取磁道宽度rtw13以及rtw23均沿周向相同。
另外，读取磁道宽度rtw33是磁道边缘tg31与磁道边缘tg32的径向上宽度。因此，读取磁道宽度rtw33沿周向在径向上变动。
在图12(b)所示的例中，例如，读取/写入控制部61在图6所示的切换位置cc附近朝向外侧od对数据进行瓦记录。
记录电流控制部63基于调整值，将图9、图10或图11所示的波形w71的记录电流向写入头15w输出，如图12(b)所示，将读取磁道rt1、rt2以及rt3瓦记录成带区域ba。在带区域ba中，磁道边缘tg11、tg21以及tg31分别沿周向延长。在图12(b)所图示的例中，磁道边缘tg11、tg21以及tg31大致平行地排列。因此，如图12(b)所示，读取磁道宽度rtw13以及rtw23沿周向相同。
图13(a)以及图13(b)是表示本实施方式的记录位的配置的一例的示意图。图13(a)以及图13(b)是表示在头15相对于盘10的周向具有倾斜角的情况下写入后的记录位的配置的一例的示意图。在图13(a)以及图13(b)中，正向是与外侧od相同的方向。
图13(a)以及图13(b)分别与图12(a)以及图12(b)大致相同。图13(a)以及图13(b)所示的记录位bt1以及记录位bt2倾斜，这一点与图12(a)以及图12(b)所示的记录位bt1以及记录位bt2不同。关于图13(a)以及图13(b)，省略与图12(a)以及图12(b)同样的部分的详细说明，对与图12(a)以及图12(b)不同的点进行说明。
图13(a)是表示利用根据记录电流的正负而强度不同的记录磁场来写入后的写入磁道wt1的记录位的配置的一例的示意图。图13(a)示出了在头15相对于盘10的周向具有倾斜角的情况下写入后的写入磁道wt1的记录位的配置的一例。
在图13(a)所示的例中，例如，读取/写入控制部61将写入头15w定位于图6中的内周ic或边界位置bp的附近的磁道。
记录电流控制部63基于调整值，并且基于正的记录电流例如图9、图10或图11所示的记录电流的波形w71的正的记录电流，如图13(a)所示写入记录位bt1。记录电流控制部63基于调整值，并且基于负的记录电流例如图9、图10或图11所示的记录电流的波形w71的负的记录电流，如图13(a)所示写入记录位bt2。记录电流控制部63利用比基于负的记录电流的记录磁场大的基于正的记录电流的记录磁场，如图13(a)所示写入与正向相反的方向(内侧id)上的磁道边缘延长到记录位bt2的与正向相反的方向(内侧id)上的磁道边缘为止的记录位bt1。在该情况下，优选调整值与头15相对于盘10的周向不具有倾斜角的情况例如图12(a)所示的一例相同。此外，调整值也可以与头15相对于盘10的周向没有倾斜角的情况不同。
图13(b)是表示利用根据记录电流的正负而强度不同的记录磁场来进行瓦记录的区域ba的一例的示意图。图13(b)示出了在头15相对于盘10的周向具有倾斜角的情况下进行了瓦记录所得的区域ba的一例。
带区域ba形成有：图13(a)所示的写入磁道wt1；与写入磁道wt1同样地写且重叠写到该写入磁道wt1的写入磁道wt2；以及与写入磁道wt1同样地写且重叠写到该写入磁道wt2的写入磁道wt3。
在图13(b)所示的例中，例如，读取/写入控制部61在图6所示的切换位置cc附近朝向外侧od对数据进行瓦记录。
记录电流控制部63基于调整值，将图9、图10或图11所示的波形w71的记录电流向写入头15w输出，如图12(b)所示，将读取磁道rt1、rt2以及rt3瓦记录成带区域ba。在该情况下，磁道边缘tg11、tg21以及tg31沿周向延长。在图13(b)所示的例中，磁道边缘tg11、tg21以及tg31大致平行地排列。因此，如图13(b)所示，读取磁道宽度rtw13以及rtw23沿周向相同。
图14是表示本实施方式的在正负方向上不同大小的记录电流的波形的一例的图。图14与图7以及图9对应。图14的负的记录电流的大小与图7不同。图14与图9不同，图14示出了负的记录电流比正的记录电流大的情况。关于图14，省略与图7以及图9同样的部分的详细说明，对与图7不同的点进行说明。此外，图14所示的记录电流的波形只是一例，并非限定于这些记录电流的波形。
图14是表示负的记录电流比正的记录电流大的记录电流的波形的一例的图。图14示出了负的记录电流的波形n72。在图14中，在波形w71中，正的记录电流的波形p71与负的记录电流的波形n72周期性地反复。在图14中，为了比较，由虚线表示图7所示的负的记录电流的波形n71。波形n72包括下冲u72和负的电流nc72。图7示出了下冲u72的振幅ua2和负的电流nc72的振幅nca2。振幅ua2比振幅nca2大。波形n72的记录电流比波形n71的记录电流大。即，在图14中，波形p71与波形n72以某个记录电流例如记录电流0[ma]为基准非对称。由非对称率表示，则(oa1-ua2)/(oa1+ua2)＜0、(pca1-nca2)/(pca1+nca2)＜0。即，波形p71与波形n72的振幅不同。在图示的例中，下冲u72的振幅ua2约为1.9x[ma]。另外，电流nc72的振幅nca2约为0.6x[ma]。此外，在图14中，在波形w71中，波形p71与波形n72周期性地反复，但也可以不是周期性地反复。
例如，记录电流控制部63将图14所示的波形w71的记录电流向写入头15w输出，在写入头15w使在磁通的方向上不同大小的记录磁场产生。记录电流控制部63将正的记录电流例如波形p71的正的记录电流向写入头15w输出，在写入头15w使图5b所示的磁通流mn1以及mn2的记录磁场产生。记录电流控制部63将负的记录电流例如波形n72的负的记录电流向写入头15w输出，在写入头15w使图5a所示的磁通流ms1以及ms2的记录磁场产生。记录电流控制部63经由写入头15w将与记录电流相应的数据写入到盘10的目标位置。此时，记录电流控制部63使比基于正的记录电流的磁通流mn1以及mn2的记录磁场大的基于负的记录电流的磁通流ms1以及ms2的记录磁场产生。因此，记录电流控制部63写入比记录位bt1在径向(交叉磁道方向)上延长的记录位bt2。
图15(a)以及图15(b)是表示本实施方式的记录位的配置的一例的示意图。在图15(a)以及图15(b)中，正向是与内侧id相同的方向。
图15(a)与图8(a)以及图12(a)对应，图15(b)与图8(b)以及图12(b)对应。图15(a)以及图15(b)所示的记录位bt2与图8(a)以及图8(b)所示的记录位bt2的径向上的宽度不同。此外，图15(a)以及图15(b)所示的记录位bt1与图8(a)以及图8(b)所示的记录位bt1相同。关于图15(a)以及图15(b)，省略与图8(a)以及图8(b)和/或图12(a)以及图12(b)同样的部分的详细说明，对与图8(a)以及图8(b)不同的点进行说明。
图15(a)是表示利用根据记录电流的正负而强度不同的记录磁场来写入后的写入磁道wt1的记录位的配置的一例的示意图。
在图15(a)中，记录位bt1的径向上的宽度btw11与图8(a)所示的相同。另外，记录位bt2的径向上的宽度btw14是端部be21与端部be22之间的径向上的宽度。
在图15(a)所示的例中，记录位bt2与图8(a)所示的记录位bt2相比在径向上延长。记录位bt2的端部be22与记录位bt1的端部be12在径向上位于大致相同的位置。记录位bt2的端部be21相对于记录位bt1的端部be11向正向(内侧id)偏离。记录位bt2的端部be21相对于记录位bt1的端部be11按差d4离开。例如，端部be21与端部be11之间的径向上的差d4和图12(a)所示的端部be12与端部be22之间的径向上的差d3相同。此外，端部be22与端部be12在径向上位于大致相同的位置，但也可以与端部be12以小于差d4的距离在径向上离开。
磁道边缘tg11沿周向在径向上凸凹状地变动。在图15(a)中，磁道边缘tg12沿周向直线状地延伸。图15(a)示出了写入磁道wt1的写入磁道宽度wtw15。写入磁道宽度wtw15是磁道边缘tg11与磁道边缘tg12的径向上的宽度。写入磁道宽度wtw15沿周向在径向上变动。
在图15(a)所示的例中，例如，读取/写入控制部61将写入头15w定位于图6所示的切换位置cc附近的磁道。
记录电流控制部63基于调整值，并且基于正的记录电流例如图14所示的正的记录电流的波形p71，利用图5b所示的磁通流mn1以及mn2的记录磁场来写入记录位bt1。记录电流控制部63基于调整值，并且基于负的记录电流例如图14所示的负的记录电流n72，利用图5a所示的磁通流ms1以及ms2的记录磁场来写入记录位bt2。记录电流控制部63利用比基于正的记录电流的记录磁场大的基于负的记录电流的记录磁场，如图13(a)所示写入与正向相反的方向(外侧od)上的端部be22延长到记录位bt1的与正向相反的方向(外侧od)上的端部be12为止的记录位bt2。
图15(b)是表示利用根据记录电流的正负而强度不同的记录磁场来进行瓦记录所得的带区域ba的一例的示意图。
图15(b)示出了包括读取磁道rt1、rt2以及rt3的带区域ba。带区域ba形成有：图15(a)所示的写入磁道wt1；与写入磁道wt1同样地写且重叠写到该写入磁道wt1的写入磁道wt2；以及与写入磁道wt1同样地写且重叠写到该写入磁道wt2的写入磁道wt3。
图15(b)示出了读取磁道rt1的与正向相反的方向上的磁道边缘tg12、读取磁道rt2的与正向相反的方向上的磁道边缘tg22、读取磁道rt3的正向上的磁道边缘tg31以及读取磁道rt3的与正向相反的方向上的磁道边缘tg32。
在图15(b)中，磁道边缘tg12、tg22以及tg32分别沿周向延伸。在图15(b)所示的例中，磁道边缘tg12、tg22以及tg32大致平行地排列。另外，磁道边缘tg31沿周向在径向上变动。
图15(b)示出了读取磁道rt1的读取磁道宽度rtw15、读取磁道rt2的读取磁道宽度rtw25以及读取磁道rt3的读取磁道宽度rtw35。读取磁道宽度rtw15是磁道边缘tg12与磁道边缘tg22的径向上的宽度。读取磁道宽度rtw25是磁道边缘tg22与磁道边缘tg32的径向上的宽度。因此，读取磁道宽度rtw15以及rtw25均沿周向相同。
另外，读取磁道宽度rtw35是磁道边缘tg32与磁道边缘tg31的径向上的宽度。因此，读取磁道宽度rtw35沿周向在径向上变动。
在图15(b)所示的例中，例如，读取/写入控制部61在图6所示的切换位置cc附近朝向内侧id对数据进行瓦记录。
记录电流控制部63基于调整值，将图14所示的波形w71的记录电流向写入头15w输出，如图15(b)所示，将读取磁道rt1、rt2以及rt3瓦记录为带区域ba。在带区域ba中，磁道边缘tg12、tg22以及tg32沿周向延长。因此，如图15(b)所示，读取磁道宽度rtw15以及rtw25沿周向相同。此外，在图15(a)以及图15(b)所示的例中，即使在头15相对于盘10的周向具有倾斜角的情况下，读取磁道宽度rtw15以及rtw25也沿周向相同。
调整部65调整向写入头15w输出的记录电流。调整部65以某个记录电流，将数据重叠写到盘10的某个磁道。调整部65读取被重叠写的该磁道(读取磁道)，并检测错误率(biterrorrate(ber))。调整部65一边变更记录电流中的正的记录电流或负的记录电流的大小，一边在盘10的某个范围内反复检测错误率。例如，在读取磁道宽度的变动小的情况下，错误率变小。调整部65将表示盘10的位置、正的记录电流、负的记录电流以及错误率的关系的信息作为调整值写入到存储器例如非易失性存储器80或介质高速缓存区域10m等非易失性的记录区域。此外，调整部65也可以仅将最佳记录电流例如在盘10的某个范围内错误率变得最低的记录电流作为调整值写入到存储器。另外，调整部65也可以在对正的记录电流以及负的记录电流进行调整前，将正负相同的记录电流调整为最佳的值。
图16以及图17是表示记录电流与错误率的关系的图。在图16以及图17中，横轴表示负的记录电流，纵轴表示正的记录电流。在图16以及图17中，横轴(负的记录电流)的上段的数值表示负的过冲，横轴的下段的数值表示负的记录电流。纵轴(正的记录电流)的外侧的数值表示正的过冲，纵轴的内侧的数值表示正的电流。在图16以及图17中，正的过冲以及负的过冲为z1＜z2＜z3。正的电流以及负的电流为y1＜y2＜y3。另外，在图16以及图17中，颜色深表示ber良好，颜色浅表示ber差。即，在图16以及图17中，颜色深表示ber低，颜色浅表示ber高。另外，在图16以及图17中，区域α0表示正的记录电流与负的记录电流大致相同的情况下的ber。区域α1表示正的记录电流比负的记录电流大的情况下的ber。区域α2表示负的记录电流比正的记录电流大的情况下的ber。
图16是表示朝向外侧od对数据进行瓦记录的情况下的记录电流与错误率的关系的图。图16例如与图9至图13(b)所示的例对应。在图16中，区域α1的ber比区域α2的ber良好。
调整部65一边变更记录电流的大小，一边在盘10朝向外侧od反复检测错误率。调整部65取得如图16所示那样的表示记录电流与错误率的关系的信息。调整部65从如图16所示那样的表示记录电流与错误率的关系的信息中将错误率最低的记录电流作为调整值写入到存储器例如非易失性存储器80或介质高速缓存区域10m等非易失性的记录区域。在该情况下，调整值例如包括比负的记录电流大的正的记录电流。
图17是表示朝向内侧id对数据进行瓦记录的情况下的记录电流与错误率的关系的图。图17例如与图14至图15(b)所示的例对应。在图17中，区域α2的ber比区域α1的ber良好。
调整部65一边变更记录电流的大小，一边在盘10朝向内侧id反复检测错误率。调整部65取得如图16所示那样的表示记录电流与错误率的关系的信息。调整部65从如图16所示那样的表示记录电流与错误率的关系的信息中将错误率最低的记录电流作为调整值写入到存储器例如非易失性存储器80或介质高速缓存区域10m等非易失性的记录区域。在该情况下，调整值例如包括比正的记录电流大的负的记录电流。
图18是表示记录电流的调整方法的一例的流程图。
系统控制器130将数据写入到作为对象的磁道(b1801)。系统控制器130对在与正向相反的方向上是否具有相邻的磁道(以下称为前一磁道)进行判定(b1802)。在判定为没有前一磁道的情况下(b1802)，系统控制器130进入b1806的处理。在判定为具有前一磁道的情况下(b1802的“是”)，系统控制器130读取前一磁道的数据(b1803)，并对读取到的数据的错误率进行检测(b1804)。系统控制器130取得包含盘10的位置、记录电流以及错误率等的调整值(b1805)。系统控制器130对是否将数据写入到在正向上相邻的磁道(以下称为下一磁道)进行判定(b1806)。在判定为将数据写入到下一磁道的情况下(b1806的“是”)，系统控制器130进入b1801的处理。在判定为不将数据写入到下一磁道的情况下(b1806的“否”)，系统控制器130对是否结束调整进行判定(b1807)。在判定为不结束调整的情况下(b1807的“否”)，系统控制器130变更记录电流(b1808)，进入b1801的处理。在判定为结束调整的情况下(b1807的“是”)，系统控制器130结束处理。
图19是表示本实施方式的数据的写入方法的一例的流程图。
系统控制器130将头15移动到作为对象的磁道(b1901)。系统控制器130从存储器例如易失性存储器70、非易失性存储器80或缓冲存储器90中读取调整值(b1902)。系统控制器130基于调整值来控制记录电流(b1903)，利用与记录电流相应的记录磁场来将数据写入到作为对象的磁道(b1904)，之后结束处理。
根据本实施方式，由于侧屏蔽件174、175的磁化方向mgh的磁场作用，因此磁盘装置1根据正负将不同大小的记录电流向写入头15w输出，在写入头15w根据磁场的方向使不同大小的记录磁场产生。磁盘装置1能够抑制与正的记录电流对应的记录位以及与负的记录电流对应的记录位的径向上的磁道边缘中的任一方的变动。因此，磁盘装置1能够容易地调整与相邻磁道的磁道间距。因此，磁盘装置1能够改善磁道密度和/或错误率。在本实施方式中，能够提供一种能够提高记录容量和/或记录品质的磁盘装置1。
此外，磁盘装置1通过瓦记录写入数据，但也可以通过瓦记录以外的通常的写入处理(conventionalmagneticrecording：cmr)写入数据。在该情况下，磁盘装置1能够改善因电流的正负而不同的头15的响应特性。
对几个实施方式进行了说明，但这些实施方式作为例子示出，并非用于对发明的范围进行限定。这些新的实施方式能够在其他的各种方式下实施，能够在不脱离发明的主旨的范围内进行各种省略、替换、变更。这些实施方式和/或其变形包含在发明的范围和/或主旨中，并且也包含在技术方案所记载的发明和其均等的范围内。