字线电压的施加方法、装置、电子设备和存储介质与流程

本发明实施例涉及存储器数据处理技术领域，尤其涉及一种字线电压的施加方法、装置、电子设备和存储介质。

背景技术：

nand-flash存储器是flash存储器的一种，其具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、mp3随身听记忆卡、体积小巧的u盘等。

nandflash存储器在进行读取数据操作时，由于非选中字线的控制栅极与衬底的电压差，会产生readdisturb的现象，使得非选中字线中的浮栅场效应管中的浮栅吸入一定量的电子。

nandflash存储器在进行写入数据操作时，由于非选中字线的控制栅极与衬底的电压差，会产生programdisturb的现象，使得非选中字线中的浮栅场效应管中的浮栅吸入一定量的电子。

技术实现要素：

有鉴于此，本发明实施例提供了一种字线电压的施加方法、装置、电子设备和存储介质，以优化现有的对存储器中的数据进行读取和写入的方法。

在第一方面，本发明实施例提供了一种字线电压的施加方法，包括：

当数据操作指令对应的操作类型为读取数据或写入数据时，从选中字线的栅极、未选中字线的栅极以及漏极选通字线的栅极中选取与所述操作类型匹配的一个或两个栅极作为待处理栅极；

根据所述操作类型，获取所述待处理栅极对应的第一初始电压和第一目标电压，以及所述选中字线的栅极、所述未选中字线的栅极和所述漏极选通字线的栅极中的非待处理栅极对应的第二目标电压，其中，所述第一初始电压大于0v，所述第一初始电压小于所述第一目标电压；

对所述待处理栅极施加设定时间的所述第一初始电压之后，对所述待处理栅极施加所述第一目标电压，同时对所述非待处理栅极施加所述第二目标电压。

在上述方法中，优选的是，当数据操作指令对应的操作类型为读取数据或写入数据时，从选中字线的栅极、未选中字线的栅极以及漏极选通字线的栅极中选取与所述操作类型匹配的一个或两个栅极作为待处理栅极，包括：

当数据操作指令对应的操作类型为读取数据时，将未选中字线的栅极，和/或漏极选通字线作为待处理栅极。

在上述方法中，优选的是，当数据操作指令对应的操作类型为读取数据或写入数据时，从选中字线的栅极、未选中字线的栅极以及漏极选通字线的栅极中选取与所述操作类型匹配的一个或两个栅极作为待处理栅极，包括：

当数据操作指令对应的操作类型为写入数据时，将选中字线的栅极，和/或漏极选通字线作为待处理栅极。

在上述方法中，优选的是，所述设定时间与所述第一初始电压相匹配。

在上述方法中，优选的是，所述第一初始电压等于所述第一目标电压与数值0.4的乘积。

在第二方面，本发明实施例提供了一种字线电压的施加装置，包括：

待处理栅极确定模块，用于当数据操作指令对应的操作类型为读取数据或写入数据时，从选中字线的栅极、未选中字线的栅极以及漏极选通字线的栅极中选取与所述操作类型匹配的一个或两个栅极作为待处理栅极；

电压获取模块，用于根据所述操作类型，获取所述待处理栅极对应的第一初始电压和第一目标电压，以及所述选中字线的栅极、所述未选中字线的栅极和所述漏极选通字线的栅极中的非待处理栅极对应的第二目标电压，其中，所述第一初始电压大于0v，所述第一初始电压小于所述第一目标电压；

电压施加模块，用于对所述待处理栅极施加设定时间的所述第一初始电压之后，对所述待处理栅极施加所述第一目标电压，同时对所述非待处理栅极施加所述第二目标电压。

在上述装置中，优选的是，所述待处理栅极确定模块具体用于：

当数据操作指令对应的操作类型为读取数据时，将未选中字线的栅极，和/或漏极选通字线作为待处理栅极。

在上述装置中，优选的是，所述待处理栅极确定模块具体用于：

当数据操作指令对应的操作类型为写入数据时，将选中字线的栅极，和/或漏极选通字线作为待处理栅极。

在第三方面，本发明实施例提供了一种电子设备，所述电子设备包括：

一个或多个处理器；

存储装置，用于存储一个或多个程序；

当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行，使得所述一个或多个处理器实现如本发明任一实施例所述的字线电压的施加方法。

在第四方面，本发明实施例提供了一种包含计算机可执行指令的存储介质，所述计算机可执行指令在由计算机处理器执行时用于执行如本发明任一实施例所述的字线电压的施加方法。

本发明实施例提供了一种字线电压的施加方法、装置、电子设备和存储介质，通过在存储器写入数据和读取数据时，不同时对选中字线的栅极、未选中字线的栅极以及漏极选通字线的栅极施加最终的目标电压，而是选取其中一个或两个先施加一个初始电压，然后在对三者同时施加最终的目标电压，解决了现有技术中存储器在写入数据和读取数据时，programdisturb现象以及readdisturb现象都较为严重的技术缺陷，实现了减弱存储器在写入数据和读取数据时的programdisturb现象以及readdisturb现象，降低了存储器存储数据的出错率。

附图说明

图1是本发明实施例一提供的一种字线电压的施加方法的流程图；

图2是本发明实施例二提供的一种字线电压的施加方法的流程图；

图3是本发明实施例三提供的一种字线电压的施加方法的流程图；

图4是本发明实施例四提供的一种字线电压的施加装置的结构图；

图5是本发明实施例五提供的一种电子设备的结构图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本发明具体实施例作进一步的详细描述。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。

另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。在更加详细地讨论示例性实施例之前应当提到的是，一些示例性实施例被描述成作为流程图描绘的处理或方法。虽然流程图将各项操作(或步骤)描述成顺序的处理，但是其中的许多操作可以被并行地、并发地或者同时实施。此外，各项操作的顺序可以被重新安排。当其操作完成时所述处理可以被终止，但是还可以具有未包括在附图中的附加步骤。所述处理可以对应于方法、函数、规程、子例程、子程序等等。

实施例一

图1为本发明实施例一提供的一种字线电压的施加方法的流程图，本实施例的方法可以由字线电压的施加装置来执行，该装置可通过硬件和/或软件的方式实现，并一般可集成于存储器中，例如nandflash存储器。本实施例的方法具体包括：

s110、当数据操作指令对应的操作类型为读取数据或写入数据时，从选中字线的栅极、未选中字线的栅极以及漏极选通字线的栅极中选取与操作类型匹配的一个或两个栅极作为待处理栅极。

可以理解的是，使用浮栅存储器作为基本存储单元的存储器，由于其自身所固有的硬件结构，导致上述存储器在进行读取数据操作和写入数据操作时，分别会存在readdisturb现象和programdisturb现象，这两个现象是无法避免的，但是可以通过适当的方法减弱readdisturb现象和programdisturb现象。

在本实施例中，创造性地，通过不同时直接对选中字线的栅极、未选中字线的栅极以及漏极选通字线的栅极施加最终的目标电压，使选中字线的栅极、未选中字线的栅极以及漏极选通字线的栅极不同时从0v提升至各自的目标电压，如此可以有效减弱readdisturb现象和programdisturb现象。

在本实施例中，首先依据当前的操作类型，从选中字线的栅极、未选中字线的栅极以及漏极选通字线的栅极中选取一个或两个栅极作为待处理栅极。其中，待处理栅极具体是指在读取数据和写入数据时，对其他待施加工作电压的电极而言，先被施加设定电压值的电极。

进一步地，对应不同的操作类型，待处理栅极不尽相同。为了在减弱readdisturb现象和programdisturb现象的同时，不过多地增加数据处理所需的时间，待处理栅极应尽量选取所需施加的工作电压较高的栅极。例如，当操作类型为读取数据时，由于非选中字线的栅极所需施加的电压为8v，选中字线所需施加的电压为0.5v，漏极选通字线的栅极所需施加的电压为2v，所以，此时一般会选取非选中字线的栅极作为待处理栅极。

s120、根据操作类型，获取待处理栅极对应的第一初始电压和第一目标电压，以及选中字线的栅极、未选中字线的栅极和漏极选通字线的栅极中的非待处理栅极分别对应的第二目标电压，其中，第一初始电压大于0v，第一初始电压小于第一目标电压。

在本实施例中，第一初始电压具体是指在读取数据和写入数据时，待处理栅极所被施加的第一个电压。第一目标电压具体是指在读取数据和写入数据时，待处理栅极最后应达到的电压，即待处理栅极所被施加的第二个电压。其中，第一初始电压应大于0v，第一初始电压应小于第一目标电压。另外，不同的待处理栅极对应的第一初始电压可以相同，也可以不同。

进一步地，本实施例中对第一初始电压的数值并不做具体限定，但是为了更好地减弱readdisturb现象和programdisturb现象，第一初始电压的数值不宜设置得太小，一般可设置为第一目标电压的一半或百分之40等。另外，考虑到数据操作所需的时间，第一初始电压与第一目标电压的差值尽量不要小于其他待施加工作电压的电极的目标电压。

在本实施例中，对选中字线的栅极、未选中字线的栅极和漏极选通字线的栅极中的非待处理栅极会直接施加其对应的目标电压，因此，在获取第一初始电压和第一目标电压的同时，还需获取非待处理栅极对应的第二目标电压。

s130、对待处理栅极施加设定时间的第一初始电压之后，对待处理栅极施加第一目标电压，同时对非待处理栅极施加第二目标电压。

在本实施例中，在读取数据和写入数据时，先对待处理栅极施加设定时间的第一初始电压，此时不对其他待施加工作电压的电极(包括非待处理栅极)施加任何电压。在达到设定时间之后，开始对所有待施加工作电压的电极同时施加目标电压，其中，对待处理栅极施加第一目标电压，对非待处理栅极施加第二目标电压。

进一步地，由于为了有效减弱readdisturb现象和programdisturb现象，需要在待处理栅极的电压达到稳定的第一初始电压之后，再对所有待施加工作电压的电极同时施加目标电压，所以“设定时间”的确定具体应该以第一初始电压的数值为参照。第一初始电压越大，设定时间越长，且应保证待处理栅极的电压可以在设定时间内稳定提升至第一初始电压。

本发明实施例提供了一种字线电压的施加方法，通过在存储器写入数据和读取数据时，不同时对选中字线的栅极、未选中字线的栅极以及漏极选通字线的栅极施加最终的目标电压，而是选取其中一个或两个先施加一个初始电压，然后在对三者同时施加最终的目标电压，解决了现有技术中存储器在写入数据和读取数据时，programdisturb现象以及readdisturb现象都较为严重的技术缺陷，实现了减弱存储器在写入数据和读取数据时的programdisturb现象以及readdisturb现象，降低了存储器存储数据的出错率。

实施例二

图2是本发明实施例二提供的一种字线电压的施加方法的流程图。本实施例以上述实施例为基础进行优化，在本实施例中，给出了一种具体化待处理栅极为未选中字线的栅极，和/或漏极选通字线的栅极，具体化设定时间与第一初始电压的关系的具体实施方式。

相应的，本实施例的方法具体包括：

s210、当数据操作指令对应的操作类型为读取数据时，将漏极选通字线的栅极作为待处理栅极。

在本实施例中，数据操作指令对应的操作类型具体为读取数据，此时，待处理栅极具体可以是未选中字线的栅极，还可以是漏极选通字线的栅极，还可以是未选中字线的栅极和漏极选通字线的栅极。在本实施例中，以待处理栅极为漏极选通字线的栅极为例进行说明，其他两种待处理栅极的设置方式对应的电压施加方法与本实施例中的电压施加方法相似，可以类推得到，在此不再进行详细阐述。

s220、根据操作类型，获取漏极选通字线的栅极对应的第一初始电压和第一目标电压，以及选中字线的栅极和未选中字线的栅极分别对应的第二目标电压，其中，第一初始电压大于0v，第一初始电压小于第一目标电压。

在本实施例中，非待处理栅极为选中字线的栅极和未选中字线的栅极，因此，在获取第二目标电压时，需要分别获取选中字线的栅极所对应的第二目标电压，以及未选中字线的栅极所对应的第二目标电压。

s230、对漏极选通字线的栅极施加设定时间的第一初始电压之后，对漏极选通字线的栅极施加第一目标电压，同时对选中字线的栅极和未选中字线的栅极分别施加第二目标电压，其中，设定时间与第一初始电压相匹配。

在本实施例中，设定时间与第一初始电压相匹配具体是指在设定时间内，可以使漏极选通字线的栅极的电压提升至第一初始电压。

本发明实施例提供了一种字线电压的施加方法，具体化待处理栅极为漏极选通字线的栅极，具体化设定时间与第一初始电压的关系，实现了减弱存储器在读取数据时的readdisturb现象。

在上述各实施例中，第一初始电压具体化为等于第一目标电压与数值0.4的乘积。

这样设置的好处是：在有效减弱programdisturb现象以及readdisturb现象的同时，尽量减小读取数据以及写入数据所需的时间。

实施例三

图3是本发明实施例三提供的一种字线电压的施加方法的流程图。本实施例以上述实施例为基础进行优化，在本实施例中，给出了一种具体化选中字线的栅极，和/或漏极选通字线的栅极为待处理栅极的具体实施方式。

相应的，本实施例的方法具体包括：

s310、当数据操作指令对应的操作类型为写入数据时，将选中字线的栅极和漏极选通字线的栅极作为待处理栅极。

在本实施例中，数据操作指令对应的操作类型具体为写入数据，此时，待处理栅极具体可以是选中字线的栅极，还可以是漏极选通字线的栅极，还可以是选中字线的栅极和漏极选通字线的栅极。在本实施例中，以待处理栅极为选中字线的栅极和漏极选通字线的栅极为例进行说明，其他两种待处理栅极的设置方式对应的电压施加方法与本实施例中的电压施加方法相似，可以类推得到，在此不再进行详细阐述。

s320、根据操作类型，获取选中字线的栅极和漏极选通字线的栅极分别对应的第一初始电压和第一目标电压，以及未选中字线的栅极对应的第二目标电压，其中，第一初始电压大于0v，第一初始电压小于第一目标电压。

在本实施例中，待处理栅极为选中字线的栅极和漏极选通字线的栅极分别对应的第一初始电压和第一目标电压，因此，需要分别获取选中字线的栅极对应的第一初始电压和第一目标电压，以及漏极选通字线的栅极分别对应的第一初始电压和第一目标电压。

这里需要说明的是，选中字线的栅极和漏极选通字线的栅极各自对应的第一初始电压既可以相同，也可以不同。如果相同的话，那么可以尽量减小写入数据所需的时间。但是由于在写入数据时，选中字线的栅极的目标电压为20v，漏极选通字线的栅极的目标电压为5v，为了进一步减弱写入数据时的programdisturb现象，可以将选中字线的栅极的第一初始电压设置得高一点，例如8v，那么此时，对于漏极选通字线的栅极在设定时间内的加压过程来说，就会存在一定时间的浪费。因此，可以根据写入数据所需的时间，以及programdisturb现象的严重程度的衡量结果来确定选中字线的栅极和漏极选通字线的栅极各自对应的第一初始电压。

s330、对选中字线的栅极和漏极选通字线的栅极分别施加设定时间的第一初始电压之后，对选中字线的栅极和漏极选通字线的栅极分别施加第一目标电压，同时对未选中字线的栅极施加第二目标电压。

本发明实施例提供了一种字线电压的施加方法，具体化待处理栅极为选中字线的栅极和漏极选通字线的栅极，实现了减弱存储器在写入数据时的programdisturb现象。

实施例四

图4是本发明实施例四提供的一种字线电压的施加装置的结构图。如图4所示，所述装置包括：待处理栅极确定模块401、电压获取模块402以及电压施加模块403，其中：

待处理栅极确定模块401，用于当数据操作指令对应的操作类型为读取数据或写入数据时，从选中字线的栅极、未选中字线的栅极以及漏极选通字线的栅极中选取与操作类型匹配的一个或两个栅极作为待处理栅极；

电压获取模块402，用于根据操作类型，获取待处理栅极对应的第一初始电压和第一目标电压，以及选中字线的栅极、未选中字线的栅极和漏极选通字线的栅极中的非待处理栅极对应的第二目标电压，其中，第一初始电压大于0v，第一初始电压小于第一目标电压；

电压施加模块403，用于对待处理栅极施加设定时间的第一初始电压之后，对待处理栅极施加第一目标电压，同时对非待处理栅极施加第二目标电压。

本发明实施例提供了一种字线电压的施加装置，该装置首先通过待处理栅极确定模块401当数据操作指令对应的操作类型为读取数据或写入数据时，从选中字线的栅极、未选中字线的栅极以及漏极选通字线的栅极中选取与操作类型匹配的一个或两个栅极作为待处理栅极，然后通过电压获取模块402根据操作类型，获取待处理栅极对应的第一初始电压和第一目标电压，以及选中字线的栅极、未选中字线的栅极和漏极选通字线的栅极中的非待处理栅极对应的第二目标电压，其中，第一初始电压大于0v，第一初始电压小于第一目标电压，最后通过电压施加模块403对待处理栅极施加设定时间的第一初始电压之后，对待处理栅极施加第一目标电压，同时对非待处理栅极施加第二目标电压。

该装置解决了现有技术中存储器在写入数据和读取数据时，programdisturb现象以及readdisturb现象都较为严重的技术缺陷，实现了减弱存储器在写入数据和读取数据时的programdisturb现象以及readdisturb现象，降低了存储器存储数据的出错率。

在上述各实施例的基础上，待处理栅极确定模块401具体可以用于：

当数据操作指令对应的操作类型为读取数据时，将未选中字线的栅极，和/或漏极选通字线作为待处理栅极。

在上述各实施例的基础上，待处理栅极确定模块401具体还可以用于：

当数据操作指令对应的操作类型为写入数据时，将选中字线的栅极，和/或漏极选通字线作为待处理栅极。

在上述各实施例的基础上，设定时间可以与第一初始电压相匹配。

在上述各实施例的基础上，第一初始电压可以等于第一目标电压与数值0.4的乘积。

本发明实施例所提供的字线电压的施加装置可用于执行本发明任意实施例提供的字线电压的施加方法，具备相应的功能模块，实现相同的有益效果。

实施例五

图5为本发明实施例五提供的一种电子设备的结构示意图，如图5所示，该电子设备包括处理器50、存储器51、输入装置52和输出装置53；电子设备中处理器50的数量可以是一个或多个，图5中以一个处理器50为例；电子设备中的处理器50、存储器51、输入装置52和输出装置53可以通过总线或其他方式连接，图5中以通过总线连接为例。

存储器51作为一种计算机可读存储介质，可用于存储软件程序、计算机可执行程序以及模块，如本发明实施例中的字线电压的施加方法对应的5模块(例如，字线电压的施加装置中的待处理栅极确定模块401、电压获取模块402以及电压施加模块403)。处理器50通过运行存储在存储器51中的软件程序、指令以及模块，从而执行电子设备的各种功能应用以及数据处理，即实现上述的字线电压的施加方法。

存储器51可主要包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需的应用程序；存储数据区可存储根据终端的使用所创建的数据等。此外，存储器51可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非易失性固态存储器件。在一些实例中，存储器51可进一步包括相对于处理器50远程设置的存储器，这些远程存储器可以通过网络连接至电子设备。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。

输入装置52可用于接收输入的数字或字符信息，以及产生与电子设备的用户设置以及功能控制有关的键信号输入。输出装置53可包括显示屏等显示设备。

实施例六

本发明实施例六还提供一种包含计算机可执行指令的存储介质，所述计算机可执行指令在由计算机处理器执行时用于执行一种字线电压的施加方法，该方法包括：

当数据操作指令对应的操作类型为读取数据或写入数据时，从选中字线的栅极、未选中字线的栅极以及漏极选通字线的栅极中选取与操作类型匹配的一个或两个栅极作为待处理栅极；

根据操作类型，获取待处理栅极对应的第一初始电压和第一目标电压，以及选中字线的栅极、未选中字线的栅极和漏极选通字线的栅极中的非待处理栅极分别对应的第二目标电压，其中，第一初始电压大于0v，第一初始电压小于第一目标电压；

对待处理栅极施加设定时间的第一初始电压之后，对待处理栅极施加第一目标电压，同时对非待处理栅极施加第二目标电压。

当然，本发明实施例所提供的一种包含计算机可执行指令的存储介质，其计算机可执行指令不限于如上所述的方法操作，还可以执行本发明任意实施例所提供的字线电压的施加方法中的相关操作。

通过以上关于实施方式的描述，所属领域的技术人员可以清楚地了解到，本发明可借助软件及必需的通用硬件来实现，当然也可以通过硬件实现，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品可以存储在计算机可读存储介质中，如计算机的软盘、只读存储器(read-onlymemory，rom)、随机存取存储器(randomaccessmemory，ram)、闪存(flash)、硬盘或光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述的方法。

值得注意的是，上述字线电压的施加装置的实施例中，所包括的各个单元和模块只是按照功能逻辑进行划分的，但并不局限于上述的划分，只要能够实现相应的功能即可；另外，各功能单元的具体名称也只是为了便于相互区分，并不用于限制本发明的保护范围。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。