1.一种非易失存储器处理电路，其特征在于所述电路包括：
充电电路、比较电路、存储单元选择电路；
所述充电电路与所述存储单元选择电路连接，用于在初始时，对所述存储单元选择电路进行充电；
所述充电电路与所述比较电路连接，用于当所述存储单元选择电路充电稳定后，对所述比较电路进行充电，且，当所述比较电路充电稳定后，结束对所述比较电路和所述存储单元选择电路的充电；
所述存储单元选择电路通过所述充电电路，与所述比较电路构成电流回路，以使所述比较电路根据所述电流回路输出高电平或低电平；其中，所述存储单元选择电路中的源线电压设置为预设电压；
所述比较电路的输出端作为所述非易失存储器处理电路的输出端。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述充电电路包括：
nmos晶体管m1、m2、m3、第一电源vdd；
所述m1的漏极与所述第一电源vdd连接；
所述m1的源极与所述m3的漏极连接，以作为所述充电电路与所述比较电路的连接端，为所述比较电路充电；
所述m2的漏极与所述第一电源vdd连接；
所述m2的源极与所述m3的源极连接，以作为所述充电电路与所述存储单元选择电路的连接端，为所述存储单元选择电路充电。
3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述比较电路包括：
比较器，所述比较器的第一输入端设置有比较电压vth，所述比较器的第二输入端与所述m1的源极连接，以接收所述充电电路的充电电压；
所述比较器的第二输入端与所述m3的漏极连接，以通过所述m3与所述存储单元选择电路构成电流回路；
电容c，所述电容c的第一端与所述比较器的第二输入端连接，所述电容c的第二端接地。
4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述存储单元选择电路包括：
nmos晶体管m4、存储单元确定模块；
所述m4的漏极与所述m3的源极连接；
所述m4的源极与所述存储单元确定模块的输出端连接。
5.一种非易失存储器处理方法，其特征在于，应用于如权利要求1至4任一所述的非易失存储器处理电路中，所述方法包括：
在所述存储单元选择电路中确定待检测存储单元；其中，所述存储单元选择电路中的源线电压设置为预设电压；
通过所述充电电路对所述存储单元选择电路充电；
当所述存储单元选择电路充电稳定后，通过所述充电电路对所述比较电路的第二输入端充电；其中，所述比较电路的第一输入端设置有比较电压vth；
当所述比较电路的第二输入端充电稳定后，结束对所述存储单元选择电路和所述比较电路的充电，且，通过控制所述充电电路使所述存储单元选择电路与所述比较电路构成电流回路；
根据所述电流回路确定所述待检测存储单元的数据状态。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述充电电路包括：nmos晶体管m2；
所述通过所述充电电路对所述存储单元选择电路充电的步骤包括：
控制所述充电电路的m2导通，对所述存储单元选择电路充电。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述充电电路包括：nmos晶体管m1；
所述当所述存储单元选择电路充电稳定后，通过所述充电电路对所述比较电路的第二输入端充电的步骤包括：
当所述存储单元选择电路充电稳定后，控制所述充电电路的m1导通，对所述比较电路的第二输入端充电。
8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述充电电路包括：nmos晶体管m3；
所述通过控制所述充电电路使所述存储单元选择电路与所述比较电路构成电流回路的步骤包括：
控制所述充电电路的m3导通，使所述存储单元选择电路与所述比较电路构成电流回路。
9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述预设电压的确定方法为：
在所述非易失存储器中确定目标存储单元；
调整所述目标存储单元的源极电压，以使所述目标存储单元分别处于导通状态、关断状态；
根据所述目标存储单元的导通状态、关断状态，确定所述目标存储单元的导通临界点；
根据所述目标存储单元处于导通临界点时，所述目标存储单元的源极电压和所述目标存储单元的栅极电压，确定所述目标存储单元的阈值电压；
重复上述步骤，直到确定出所述非易失存储器中全部的存储单元阈值电压；
根据所述非易失存储器中全部的存储单元阈值电压，确定所述目标存储单元的预设电压。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述目标存储单元的衬底端施加衬偏电压。