一种兼容多种接口SSD的电路的制作方法

本实用新型涉及计算机技术领域,具体地说是一种兼容多种接口SSD(Solid State Drives，固态硬盘)的电路。

背景技术：

目前M.2(M.2是一种接口规范)SSD以其小巧的规格尺寸和高速的传输性能越来越多的应用在服务器中。近些年，三星公司研发的M.3SSD产生，因其更加小巧的规格尺寸受到越来越多的青睐。

为提高产品的竞争力，将M.3SSD应用在大量服务器上，然而M.2SSD仍在广泛应用，为满足客户的不同需要，现有技术中针对不同的SSD接口，形成不同的服务器产品，成本较高。

技术实现要素：

本实用新型实施例中提供了一种兼容多种接口SSD的电路，以解决现有技术中针对不同的SSD接口，生产不同服务器产品导致成本高的问题。

为了解决上述技术问题，本实用新型实施例公开了如下技术方案：

本实用新型提供了一种兼容多种接口SSD的电路，包括多种接口的SSD，所述电路还包括电源兼容电路和信号兼容电路，SSD的在位信号输出端连接电源兼容电路的输入端，高速信号输出端连接信号兼容电路的输入端，所述电源兼容电路的输出端连接信号兼容电路的输入端，所述信号兼容电路的输出端连接BMC((Baseboard Management Controller,基板管理控制器)。

进一步地，所述电源兼容电路包括设备识别线路和电源切换电路，SSD通设备识别线路连接电源切换电路。

进一步地，SSD的接口类型为M.2或M.3，所述电路还包括M.2在位电路和M.3在位电路，M.2在位电路的一端连接M.2SSD，另一端悬空；M.3在位电路的一端连接M.3SSD，另一端接地，M.2在位电路和M.3在位电路的另一端均连接设备识别线路。

进一步地，所述电源切换电路包括电阻R、MOS管L1、MOS管L2、MOS管L3和MOS管L4；MOS管L3的栅极连接设备识别线路，漏极接地，源极分别连接电阻R的一端、MOS管L1的栅极和MOS管L4的栅极，电阻R的另一端接12V电源，MOS管L1的源极分别连接12V电源和MOS管L2的栅极，MOS管L1的漏极接地，MOS管L4的源极接3.3V电源，漏极输出1.8V或3.3V的电压信号，MOS管L2的源极接1.8V电源，漏极输出1.8V或3.3V的电压信号。

进一步地，所述信号兼容电路包括信号传输线路和电压转换电路，所述电压转换电路的输入端通过信号传输线路连接SSD，输出端通过信号传输线路连接BMC。

进一步地，所述电压转换电路包括level shift芯片，所述信号传输线路包括第一信号传输线路和第二信号传输线路，所述level芯片的输入端通过第一信号传输线路连接SSD，输出端通过第二信号传输线路连接BMC。

进一步地，所述电源兼容电路的输出端连接第一信号传输线路，level shift输出3.3V给第二信号传输线路。

实用新型内容中提供的效果仅仅是实施例的效果，而不是实用新型所有的全部效果，上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果：

1、通过电源兼容电路和信号兼容电路，实现M.2SSD和M.3SSD供电电源和传输信号的兼容，提高产品的灵活性和竞争力，且大幅减少成本。

2、针对不同接口类型的SSD，利用电源切换电路对输入电压进行1.8V和3.3V的切换，以满足不同接口SSD的需求，实现M.2SSD和M.3SSD的供电电源兼容；将SSD输出的I2C信号经电压转换电路输出恒定的3.3V给BMC，实现传输信号的兼容。电路设计简单，容易实现。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型的电路结构示意图；

图2是本发明实施例的电路结构示意图；

图3是本实用新型兼容M.2/M.3的SSD接线示意图；

图4是本实用新型电源切换电路示意图；

图5是本实用新型电压转换电路示意图。

具体实施方式

为能清楚说明本方案的技术特点，下面通过具体实施方式，并结合其附图，对本实用新型进行详细阐述。下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本实用新型的不同结构。为了简化本实用新型的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。此外，本实用新型可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。应当注意，在附图中所图示的部件不一定按比例绘制。本实用新型省略了对公知组件和处理技术及工艺的描述以避免不必要地限制本实用新型。

如图1所示，本实用新型兼容多种接口SSD的电路包括多种接口的SSD、电源兼容电路和信号兼容电路，SSD的在位信号输出端连接电源兼容电路的输入端，高速信号输出端连接信号兼容电路的输入端，电源兼容电路的输出端连接信号兼容电路的输入端，信号兼容电路的输出端连接BMC。

电源兼容电路用于实现不同接口SSD供电电源的兼容，信号兼容电路用于实现不同接口SSD高速信号传输的兼容。

如图2所示，电源兼容电路包括设备识别线路和电源切换电路，信号兼容线路包括第一信号传输线路、电压转换电路和第二信号传输线路。设备识别电路用于识别SSD的接口类型，电源切换电路根据设备识别电路获取的接口类型，对供电电压进行切换，得到不同接口类型SSD所需的电压，电压转换电路将电源切换电路输出的不同电压转换为BMC所需的输入电压，同时将信号传输线路输出的信号经电压转换发送给BMC。

如图3所示，SSD的接口类型为M.2或M.3，电路中还包括M.2在位电路和M.3在位电路，M.2在位电路的一端连接M.2SSD，另一端悬空；M.3在位电路的一端连接M.3SSD，另一端接地。M.2在位电路和M.3在位电路的另一端均连接设备识别线路，即图中PRSNT(present，在位)线路。当接入M.2SSD时，PRSNT信号为高电平；当接入M.2SSD时PRSNT信号为低电平。

如图4所示，电源切换电路包括电阻R和MOS管L1、L2、L3、L4；MOS管L3的栅极连接设备识别线路，漏极接地，源极分别连接电阻R的一端、MOS管L1的栅极和MOS管L4的栅极，电阻R的另一端接12V电源，MOS管L1的源极分别连接12V电源和MOS管L2的栅极，MOS管L1的漏极接地，MOS管L4的源极接3.3V电源，漏极输出1.8V或3.3V的电压信号，MOS管L2的源极接1.8V电源，漏极输出1.8V或3.3V的电压信号.

供电电压为1.8V和3.3V，分别输入MOS管L2和L4的源级。当PRSNT输入高电平，即使用M.2SSD时，MOS管L3、L2导通，MOS管L1、L4截止，电源切换电路输出1.8V的电压；当PRSNT输入低电平，即使用M.3SSD时，MOS管L3、L2截止，MOS管L1、L4导通，电源切换电路输出3.3V的电压。对于M.2SSD，I2C和ALERT的信号均为1.8V，当PRSNT输入高电平是，经过电源切换电路输出的电压恰好为1.8V，对于M.3SSD，I2C和ALERT的信号均为3.3V，当PRSNT输入低电平时，经过电源切换电路输出的电压恰好为3.3V。因此经过电源切换电路，实现供电电源的兼容。

如图5所示，电压转换电路包括level shift芯片，电源切换电路输出的1.8/3.3V信号通过第一信号传输线路输入level shift芯片，同时level shift芯片的输入端通过第一信号传输线路连接SSD，接收SSD的I2C信号和ALERT信号。level shift芯片的输出端通过第二信号传输线路输出3.3V的I2C信号给BMC。无论level shift的输入端的电压信号是1.8V还是3.3V，输出信号均为3.3V，实现信号的兼容。

以上所述只是本实用新型的优选实施方式，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也被视为本实用新型的保护范围。