1.一种闪存芯片，其特征在于，包括：
闪存阵列模块，由多个阈值电压可调的可编程半导体器件组成，用于在计算模式下对接收的模拟数据进行计算，在编程模式下进行数据编程；
模式控制器，用于根据待处理数据控制闪存阵列模块的工作模式，所述工作模式包括：计算模式以及编程模式。
2.根据权利要求1所述闪存芯片，其特征在于，还包括：
编程电路模块，连接所述模式控制器，并连接所述闪存阵列模块中每一个可编程半导体器件的源极、栅极和/或衬底，用于在所述模式控制器的控制下调控可编程半导体器件的阈值电压；
计算控制模块，连接所述模式控制器以及所述闪存阵列模块，用于在所述模式控制器的控制下控制所述闪存阵列模块进行计算。
3.根据权利要求2所述闪存芯片，其特征在于，还包括：
行列译码模块，连接所述闪存阵列模块和所述编程电路模块，用于对所述闪存阵列模块进行行列译码。
4.根据权利要求3所述闪存芯片，其特征在于，还包括：
输入寄存器模块，连接所述模式控制器，用于寄存输入接口接收的待处理数据；
数模转换器模块，连接在所述输入寄存器模块和所述闪存阵列模块之间，用于将寄存的待处理数据转换为模拟数据，传输至所述闪存阵列模块；
模拟处理模块，连接所述闪存阵列模块，用于对所述闪存阵列模块的计算结果进行预设处理；
模数转换器模块，连接所述模拟处理模块，用于将所述模拟处理模块的处理结果转换为数字数据；
输出寄存器模块，连接所述模数转换器模块，用于寄存所述数字数据并通过输出接口进行输出。
5.根据权利要求4所述闪存芯片，其特征在于，还包括：
读出放大器模块，连接所述闪存阵列模块和所述输出寄存器模块，用于对所述闪存阵列模块进行数据读取，并输至所述输出寄存器模块。
6.根据权利要求1所述闪存芯片，其特征在于，
所述闪存阵列模块包括：模拟向量-矩阵乘法运算电路。
7.根据权利要求6所述闪存芯片，其特征在于，所述模拟向量-矩阵乘法运算电路包括：可编程半导体器件阵列，每一行的所有可编程半导体器件的栅极均连接至同一第一端，多行可编程半导体器件对应连接多个第一端，每一列的所有可编程半导体器件的漏极均连接至同一第二端，多列可编程半导体器件对应连接多个第二端，每一列的所有可编程半导体器件的源极均连接至同一第三端，多列可编程半导体器件对应连接多个第三端，其中，每个所述可编程半导体器件的阈值电压均可调节；
第一端为模拟电压输入端，第二端为偏置电压输入端，第三端为模拟电流输出端，
或者，第一端为模拟电压输入端，第二端为模拟电流输出端，第三端为偏置电压输入端，
或者，第一端为偏置电压输入端，第二端为模拟电流输出端，第三端为模拟电压输入端。
8.根据权利要求7所述闪存芯片，其特征在于，所述模拟向量-矩阵乘法运算电路还包括：转换装置，连接在多个所述模拟电压输入端之前，用于将多个模拟电流输入信号分别转换为模拟电压输入信号，输至对应的所述模拟电压输入端。
9.根据权利要求8所述闪存芯片，其特征在于，所述编程电路模块包括：电压产生电路和电压控制电路，所述电压产生电路用于产生编程电压或者擦除电压，所述电压控制电路用于将所述编程电压加载至选定的可编程半导体器件的源极，或者，将擦除电压加载至选定的可编程半导体器件的栅极或衬底，以调控可编程半导体器件的阈值电压。
10.根据权利要求1-9任一项所述闪存芯片，其特征在于，所述可编程半导体器件采用浮栅晶体管。