专利名称：基于eSSD闪存芯片的闪存存储装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种闪存存储装置，尤其涉及一种基于eSSD闪存芯片的闪存存储装置。
背景技术：
目前的电子产品越来越趋于小型化，超薄化，如便携式通信设备，Netbook (上网本)，MID (移动互联网设备Mobile Internet Device)的体积越来越小,传统的SSD (固态硬盘Solid State Disk)无法满足其体积小的要求，而传统的闪存芯片存在着不能满足其容量大，速度要求高的要求。目前常规的固态硬盘SSD采用的主控芯片和闪存芯片以及外围的分立元件组成的，容量越大需要的闪存芯片越多。目前主流的SSD的电路基板最小的尺寸在30mmX50mm， 最多能放4颗闪存芯片。对于超薄型的产品来说，传统SSD的尺寸严重制约了其小型化的、 轻薄化的发展。因此在超薄型产品上，通常使用的存储装置是普通的闪存芯片，但是目前单颗闪存芯片的容量都不大，如果要在产品上增大容量就需要更多的闪存芯片，每颗闪存芯片占用的面积是固定的，这样就需要更大的面积来放置NAND FLASH,对于超小型产品来说， 增加了设计难度，同时不利于其小型化的发展。因此目前在超薄型MID上的存储装置的容量都不大，成为了发展的一个瓶颈。
实用新型内容本实用新型解决的技术问题是构建一种基于eSSD (enterprise Dsolid state disk，企业级的固态硬盘，简称“ESSD”)闪存芯片的闪存存储装置，克服现有技术在超薄型电子设备上要求存储装置体积小型化容量大型化导致发展瓶颈的技术问题。本实用新型的技术方案是构建一种基于eSSD闪存芯片的闪存存储装置，包括主控芯片、eSSD闪存芯片、安装所述主控芯片和eSSD闪存芯片的电路基板、输入输出端口、连接件，所述电路基板包括第一主面和与所述第一主面相对的第二主面，所述主控制器芯片和eSSD闪存芯片安装在所述电路基板的第一主面，所述输入输出端口设置在所述电路基板的第二主面，且具有成为eSSD对外输入输出功能的裸露导体层，所述主控制器芯片与所述eSSD闪存芯片通过SATA接口连接。本实用新型的进一步技术方案是还包括密封所述eSSD闪存芯片的密封树脂。本实用新型的进一步技术方案是所述eSSD闪存芯片为多个，所述多个eSSD闪存芯片叠放。本实用新型的进一步技术方案是所述多个eSSD闪存芯片共用一个输入输出端□。本实用新型的进一步技术方案是所述多个eSSD闪存芯片叠放，所述主控制芯片与所述多个eSSD闪存芯片分开安装在所述电路基板的第一主面。本实用新型的进一步技术方案是所述多个eSSD闪存芯片与所述主控制芯片叠放安装在所述电路基板的第一主面。本实用新型的进一步技术方案是所述多个eSSD闪存芯片相同属性的引脚连接后再连接所述电路基板的相应引脚。本实用新型的进一步技术方案是所述多个eSSD闪存芯片的引脚分别连接所述电路基板的相应引脚。本实用新型的进一步技术方案是还包括粘合膜，所述eSSD闪存芯片之间通过所述粘合膜粘合连接。本实用新型的技术效果是本实用新型基于eSSD闪存芯片的闪存存储装置，所述电路基板包括第一主面和与所述第一主面相对的第二主面，所述主控制器芯片和eSSD闪存芯片安装在所述电路基板的第一主面，所述输入输出端口设置在所述电路基板的第二主面，且具有成为eSSD对外输入输出功能的裸露导体层，所述主控制器芯片与所述eSSD闪存芯片通过SATA接口连接，所述主控制器芯片、所述eSSD闪存芯片和所述电路基板通过连接件电连接。本实用新型闪存存储装置可以构建大容量存储设备，同时，方便进行控制连接， 工艺简单。
[0015]图1为本实用新型的结构示意图。图2为本实用新型的工作原理图。图3为本实用新型的一种堆叠方式结构示意图。图4为本实用新型的一种连接方式结构示意图。图5为本实用新型的另一种堆叠方式结构示意图。图6为本实用新型的另一种连接方式结构示意图。
具体实施方式下面结合具体实施例，对本实用新型技术方案进一步说明。如图1所示，本实用新型的具体实施方式
是构建一种基于eSSD闪存芯片的闪存存储装置，包括主控制器芯片9、eSSD闪存芯片3、安装所述主控制器芯片9和eSSD闪存芯片3的电路基板2、输入输出端口 6，所述电路基板5包括第一主面2b和与所述第一主面2b 相对的第二主面2a，所述主控制芯片9和eSSD闪存芯片3安装在所述电路基板2的第一主面2b，所述输入输出端口 6设置在所述电路基板2的第二主面2a，所述输入输出端口 6设置在所述电路基板2的第二主面2a，且具有成为eSSD对外输入输出功能的裸露导体层5， 所述主控制器芯片9与所述eSSD闪存芯片3通过SATA接口连接。如图1、图2所示，本实用新型具体实施过程如下每个存储装置采用一颗主控芯片裸片和多颗闪存裸片。一颗主控芯片具有2组I 口(数据输入端口)，因此每颗主控至少可以控制2颗闪存芯片，所示存储器装置具有兼做输入输出端子和用于安装存储器裸片的电路基板2。电路基板2形成有具备数据输入输出功能的连接端子，这些端子表面具有裸露的金属导体层，可以通过焊接的方式连接到外围应用端的电路基板上。电路基板2有两个表面，分别是具有输入输出端子形成面的第一主面2a，和第一主面的相反侧的第二主面2b，电路基板2在树脂基板、陶瓷基板、和玻璃基板等的各种绝缘基板上设置有内部布线、表面布线等构成的线路网络(未图示)。具体讲，电路基板是使用玻璃_环氧树脂、BT树脂(黏胶马来酸酐缩亚胺.三嗪树脂)等的印刷布线基板。电路基板2的第一主面2a形成有做为eSSD输入输出端口的导体层5，即在该存储装置eSSD中，通过利用电镀法等在电路基板2的第一主面2a上形成导体层5，构成输入输出端口 6。构成输入输出端口 6的导体层5与电路基板2通过布线网络连接。在电路基板2的第二主面2b上，安装有闪存裸片3和主控芯片裸片，主控芯片裸片9和闪存裸片3被裸装安装在电路基板2的第二主面2b上，在裸装状态下，使用薄膜状绝缘性粘合剂4粘接在电路基板2的第二主面2b上。另外，主控芯片裸片和闪存裸片通过金属接合线7与电路基板2的连接焊盘电连接。图四和图五所示安装了 4个闪存3的状态，但是也可以堆叠更少数量或更多数量的闪存裸片在电路基板2的第二主面2b上。安装在电路基板2上的闪存裸片3的数量，乘以各个闪存的存储容量，可以得出整个闪存装置eSSD的总体容量。多个闪存裸装堆叠时，不同闪存中间需要使用薄膜状绝缘性粘合剂4粘接。主控芯片裸片9和各闪存裸片3与电路基板2的第二主面2b通过金属接合线7 连接后，使用绝缘性复合型树脂材料在电路基板2的第二主面2b上部做密封，密封体的平面面积和电路基板的平面面积相同，高度要超过所有闪存裸片叠加后的总体高度，从而把所有闪存裸片封装在一个长方体内。封装后的整个eSSD存储装置可以做为一个完整功能的闪存芯片。该闪存装置通过电路基板2的第一主面2a的具备输入输出端口 6的导体层 5与应用端电路相连接，实现存储功能。电路基板2有两个表面，分别是具有输入输出端口 6形成面的第一主面2a,和第一主面2a的相反侧的第二主面2b，电路基板2可以是树脂基板、陶瓷基板、和玻璃基板中任一种，在这些任一绝缘基板上设置有内部布线、表面布线从而构成的线路网络。具体讲，电路基板2是使用玻璃_环氧树脂或BT树脂印刷布线基板。另外，eSSD闪存芯片和主控制器芯片通过连接件7与电路基板2的连接焊盘电连接，所述连接件7为金属接合线。图2所示安装了两个芯片3和一个主控制芯片9，还可以堆叠更少数量或更多数量的eSSD闪存芯片3在电路基板2的第二主面2b上。安装在电路基板2上的eSSD闪存芯片3的数量，乘以各个闪存的存储容量，可以得出整个闪存装置的总体容量。多个eSSD闪存芯片3堆叠和一个主控制芯片9贴装时，不同eSSD闪存芯片3 中间和主控制芯片9贴装需要使用薄膜状绝缘性粘合剂4粘接。各eSSD闪存芯片3和主控制芯片9与电路基板2的第二主面2b通过金属接合线 7连接后，使用绝缘性复合型树脂材料在电路基板2的第二主面2b上部做密封，密封体的平面面积和电路基板的平面面积相同，高度要超过所有eSSD闪存芯片3 (若主控制芯片9叠加在eSSD闪存芯片3上时，高度要超过其叠加后的高度)叠加后的总体高度，从而把eSSD 闪存芯片3和主控制芯片9封装在一个长方体8内。封装后的整个EMMC-LGA装置不仅可以做为一个具有独立储存的存储器件，还可具有闪存封装的eSSD闪存芯片的功能。该装置通过电路基板2的第一主面2a的具备输入输出端子的导体层与应用端电路相连接，实现存储功能。如图3所示，本装置在闪存堆叠方式上一个变形例，所述eSSD闪存芯片3为多个， 所述多个eSSD闪存芯片3叠放。所述多个eSSD闪存芯片3叠放，所述主控制芯片6与所述多个eSSD闪存芯片3分开安装在所述电路基板2的第一主面2b，所述多个eSSD闪存芯片3相同属性的引脚连接后再连接所述电路基板2的相应引脚。如图4所示，在引线连接方式上，还包括所述多个eSSD闪存芯片3的引脚分别连接所述电路基板2的相应引脚。如图5所示，本装置在闪存堆叠方式上一个变形例，所述eSSD闪存芯片3为多个， 所述多个eSSD闪存芯片3叠放。所述多个eSSD闪存芯片3叠放，所述主控制芯片6与所述多个eSSD闪存芯片3叠放安装在所述电路基板2的第一主面2b，所述多个eSSD闪存芯片3相同属性的引脚连接后再连接所述电路基板2的相应引脚。如图6所示，在引线连接方式上，还包括所述多个eSSD闪存芯片3的引脚分别连接所述电路基板2的相应引脚。还包括粘合膜4,所述eSSD闪存芯片3之间通过所述粘合膜4粘合连接。本实用新型的技术效果是本实用新型基于eSSD闪存芯片的闪存存储装置，所述电路基板5包括第一主面2b和与所述第一主面2b相对的第二主面2a，所述主控制芯片9 和eSSD闪存芯片3安装在所述电路基板2的第一主面2b，所述输入输出端口 6设置在所述电路基板2的第二主面2a，所述输入输出端口 6设置在所述电路基板2的第二主面2a，且具有成为eSSD对外输入输出功能的裸露导体层5，所述主控制器芯片9与所述eSSD闪存芯片3通过SATA接口连接。本实用新型固态存储装置可以构建大容量存储设备，同时，方便进行控制连接，工艺简单。以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种基于eSSD闪存芯片的闪存存储装置，其特征在于，包括主控芯片、eSSD闪存芯片、安装所述主控芯片和eSSD闪存芯片的电路基板、输入输出端口、连接件，所述电路基板包括第一主面和与所述第一主面相对的第二主面，所述主控制器芯片和eSSD闪存芯片安装在所述电路基板的第一主面，所述输入输出端口设置在所述电路基板的第二主面，且具有成为eSSD对外输入输出功能的裸露导体层，所述主控制器芯片与所述eSSD闪存芯片通过SATA接口连接。
2.根据权利要求1所述基于eSSD闪存芯片的闪存存储装置，其特征在于，还包括密封所述eSSD闪存芯片的密封树脂。
3.根据权利要求1所述基于eSSD闪存芯片的闪存存储装置，其特征在于，所述eSSD闪存芯片为多个，所述多个eSSD闪存芯片叠放。
4.根据权利要求3所述基于eSSD闪存芯片的闪存存储装置，其特征在于，所述多个 eSSD闪存芯片共用一个输入输出端口。
5.根据权利要求3所述基于eSSD闪存芯片的闪存存储装置，其特征在于，所述多个 eSSD闪存芯片叠放，所述主控制芯片与所述多个eSSD闪存芯片分开安装在所述电路基板的第一主面。
6.根据权利要求3所述基于eSSD闪存芯片的闪存存储装置，其特征在于，所述多个 eSSD闪存芯片与所述主控制芯片叠放安装在所述电路基板的第一主面。
7.根据权利要求5或6所述基于eSSD闪存芯片的闪存存储装置，其特征在于，所述多个eSSD闪存芯片相同属性的引脚连接后再连接所述电路基板的相应引脚。
8.根据权利要求5或6所述基于eSSD闪存芯片的闪存存储装置，其特征在于，所述多个eSSD闪存芯片的引脚分别连接所述电路基板的相应引脚。
9.根据权利要求3所述基于eSSD闪存芯片的闪存存储装置，其特征在于，还包括粘合膜，所述eSSD闪存芯片之间通过所述粘合膜粘合连接。
专利摘要本实用新型涉及一种基于eSSD闪存芯片的闪存存储装置，所述电路基板包括第一主面和与所述第一主面相对的第二主面，所述主控制器芯片和eSSD闪存芯片安装在所述电路基板的第一主面，所述输入输出端口设置在所述电路基板的第二主面，且具有成为eSSD对外输入输出功能的裸露导体层，所述主控制器芯片与所述eSSD闪存芯片通过SATA接口连接，所述主控制器芯片、所述eSSD闪存芯片和所述电路基板通过连接件电连接。本实用新型闪存存储装置可以构建大容量存储设备，同时，方便进行控制连接，工艺简单。
文档编号G11C7/10GK202352346SQ20112047726
公开日2012年7月25日 申请日期2011年11月26日 优先权日2011年11月26日
发明者卢伟, 李振华 申请人:深圳泰胜微科技有限公司