适用NOR闪存芯片的高压瞬时增强电路的制作方法

本发明涉及一种高压瞬时增强电路，特别是涉及一种适用NOR闪存芯片的高压瞬时增强电路。

背景技术：

NOR闪存(闪存的一种型号)单元的读需要芯片内部产生高于电源的电压。随着大容量闪存芯片字线(word line)的变长，内部高压的电容负载也在迅速增长。在换行读的过程中，由于电荷泵和字线的电荷共享，内部高压会有一个瞬间下跌再回升的过程。在高频情况下，此过程会严重影响读出电路的精确性。传统的方法是增大电荷泵的输出电容来减轻电荷分享引起的电压落差。而大的输出电容会带来另一个问题，电荷泵需要更多时间来达到电压设计值。现代高频读频率大都超过100MHz，相当于要求电荷泵在100ns以内稳定。为同时解决上述两个问题，需要设计大面积，高功耗的电荷泵。

技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题是提供一种适用NOR闪存芯片的高压瞬时增强电路，本发明在传统电荷泵电路的基础上增加了一个小面积电路，在读换行的瞬间给电荷泵输出提供一个充电脉冲，不仅降低了电荷泵的平均功耗，又可以用相对较小的面积满足高频读写对高压电荷泵的启动时间要求。

本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：一种适用NOR闪存芯片的高压瞬时增强电路，其特征在于，所述适用NOR闪存芯片的高压瞬时增强电路包括逻辑开关控制器、内部逻辑处理电路、耦合电容及放电通路，逻辑开关控制器用来选择芯片是否采用此瞬时增强电路，内部逻辑处理电路用来智能判断此增强电路开启的时机以及控制放电通路，耦合电容用以产生瞬时增强电压，放电通路在此增强电路空闲时泻掉耦合电容上的多余电荷，防止电路漏电。

优选地，所述内部逻辑处理电路不仅可以通过耦合电容给高压输出一个抬升电压，又可以在电路空闲时将耦合电容上多余的电量放掉。

优选地，所述适用NOR闪存芯片的高压瞬时增强电路仅在芯片工作需要的特定时间工作，而不影响电荷泵高压的正常通路。

优选地，所述耦合电容在电荷泵正常工作的同时作为高压输出的容性负载，以此减小高压输出的纹波。

本发明的积极进步效果在于：相比传统高压电荷泵，本发明在传统电荷泵电路的基础上增加了一个小面积电路，在读换行的瞬间给电荷泵输出提供一个充电脉冲，不仅降低了电荷泵的平均功耗，又可以用相对较小的面积满足高频读写对高压电荷泵的启动时间要求。

附图说明

图1为本发明本发明适用NOR闪存芯片的高压瞬时增强电路的电路图。

图2为本发明其中一种实现方案的电路图。

具体实施方式

下面结合附图给出本发明较佳实施例，以详细说明本发明的技术方案。

如图1所示，本发明适用NOR闪存芯片的高压瞬时增强电路包括逻辑开关控制器、内部逻辑处理电路、耦合电容及放电通路，逻辑开关控制器用来选择芯片是否采用此瞬时增强电路，内部逻辑处理电路用来智能判断此增强电路开启的时机以及控制放电通路，耦合电容用以产生瞬时增强电压，放电通路在此增强电路空闲时泻掉耦合电容上的多余电荷，防止电路漏电。

如图2所示，本发明还可以包括使能引脚KICK_ENB、第一PMOS管M1、第一NMOS管M2、第二NMOS管M3、高压输出HV_OUT，逻辑开关控制器同时与第一PMOS管M1的栅极、第一NMOS管M2的栅极、第二NMOS管M3的栅极连接；第一PMOS管M1的源极同时与第一NMOS管M2的漏极、第二NMOS管M3的漏极、耦合电容C1、电源电压控制器HV_OUT连接。第二NMOS管M3的漏极与耦合电容连接；第一NMOS管M2的源极与第二NMOS管M3的源极都接地。

本发明的工作原理如下：

非换行时，使能引脚KICK_ENB为高，第一PMOS管M1关断，第一NMOS管M2与第二NMOS管M3导通，连接线a1接地，耦合电容作为高压电荷泵的负载电容的一部分，起到稳定高压输出，减小纹波的作用；换行的瞬间，使能引脚KICK_ENB跳低，第一PMOS管M1导通，第一NMOS管M2与第二NMOS管M3关断，连接线a1被充电至电源电压，电源电压控制器HV_OUT随之被耦合抬升约一个电源电压，从而弥补了换行读时，由于电荷共享导致的高压瞬间降低。

综上所述，相比传统高压电荷泵，本设计在传统电荷泵电路的基础上增加了一个小面积电路，在读换行的瞬间给电荷泵输出提供一个充电脉冲，不仅降低了电荷泵的平均功耗，又可以用相对较小的面积满足高频读写对高压电荷泵的启动时间要求。

以上所述的具体实施例，对本发明的解决的技术问题、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。