磁记录介质的制作方法
本公开涉及一种磁记录介质。
背景技术：
近年来，为了提高数据记录的密度，用作计算机数据存储器的磁带(磁记录介质)的磁道宽度和相邻磁道之间的距离非常窄。当所述的磁道宽度和磁道之间的距离变窄时，由于诸如温度和湿度的变化之类的环境因素，最大允许变化量会随着磁带本身的尺寸变化量而变得越来越小。
因此，专利文献1提出了一种磁带介质，其能够抑制由于环境因素导致的宽度方向上的尺寸变化，并且以较少的偏离磁迹确保稳定的记录/再现特性。此外，专利文献1提到了相对于纵向上的张力变化，宽度方向上的尺寸变化量减小。
引用列表
专利文件
专利文件1：日本专利申请待审公开第2005-332510号
技术实现要素：
本发明要解决的问题
本公开的目的在于提供一种能够通过调节纵向张力来减小宽度变化的磁记录介质。
解决问题的方案
为了解决上述问题，本公开提供了一种磁记录介质，其中平均厚度tt满足tt≤5.5[μm]的要求，并且相对于纵向上的张力变化，宽度方向上的尺寸变化量δw满足700[ppm/n]≤δw的要求。
本发明的效果
根据本公开，可以通过调节纵向张力来减小宽度的变化。注意，本文所述的有益效果不被视为必然受限，并且本公开所述的任何有益效果或不同的有益效果均可以实现。
附图说明
图1是图解根据第一实施方式的磁记录介质的配置的截面图。
图2是图解磁性颗粒的配置的截面图。
图3是图解测量装置的配置的透视图。
图4是示出sfd曲线的示例的图。
图5是图解记录/再现装置的配置的示意图。
图6是图解根据修改示例的磁性颗粒的配置的截面图。
图7是图解根据修改示例的磁记录介质的配置的截面图。
图8是图解根据第二实施方式的磁记录介质的配置的截面图。
图9是图解溅射装置的配置的示意图。
图10是图解根据第三实施方式的磁记录介质的配置的截面图。
具体实施方式
将按以下顺序描述本公开的实施方式。
1第一实施方式(涂覆型磁记录介质的示例)
2第二实施方式(真空薄膜型磁记录介质的示例)
3第三实施方式(真空薄膜型磁记录介质的示例)
<1第一实施方式>
[概述]
本发明人研究了一种能够通过调节磁记录介质的纵向张力来保持恒定或基本恒定的细长磁记录介质的宽度的记录/再现装置。然而，根据本发明人的发现，如上所述，相对于纵向上的张力变化，普通磁记录介质在宽度方向上的尺寸变化量较小，因此如上所述的记录/再现装置难以保持磁记录介质的宽度恒定或基本恒定。
因此，本发明人深入研究了能够通过上述记录/再现装置保持磁记录介质的宽度恒定或基本恒定的磁记录介质。结果，与上述普通磁记录介质不同，本发明人创造了一种磁记录介质，相对于纵向上的张力变化，其在宽度方向上具有增加的尺寸变化量，具体地，本发明人创造了一种磁记录介质，在其中相对于纵向上的张力变化，宽度方向上的尺寸变化量δw满足700[ppm/n]≤δw的要求。
[磁记录介质的配置]
首先，将参照图1描述根据第一实施方式的磁记录介质10的配置。作为垂直磁记录型磁记录介质，如图1所示，所述磁记录介质10包括细长衬底11、设置在衬底11的一个主表面上的基层(非磁性层)12、设置在基层12上的记录层(磁性层)13和设置在衬底11的另一个主表面上的背层14。注意，所述背层14可以根据需要设置，也可以省略。在下文中，在所述磁记录介质10的主表面中，设置有所述记录层13的一侧上的表面被称为磁面，设置有所述背层14的一侧上的相对表面被称为背面。
所述磁记录介质10具有细长形状，并且在纵向方向上延伸以用于记录/再现。此外，所述磁记录介质10配置为能够以最短记录波长记录信号，所述最短记录波长优选为100nm或更小，更优选为75nm或更小，还更优选为60nm或更小，特别优选为50nm或更小，且用于例如具有在上述范围内的最短记录波长的记录/再现装置。该记录/再现装置可以包括作为记录头的环形头。记录磁道宽度例如是2μm或更小。
(衬底)
用作支撑件的所述衬底11是具有柔性的细长非磁性衬底。所述非磁性衬底是膜，并且膜的厚度为例如3μm或更大且8μm或更小。所述衬底11包括，例如聚酯、聚烯烃、纤维素衍生物、乙烯基树脂、或其他聚合物树脂中的至少一种。在所述衬底11包括两种或更多种上述材料的情况下，可以将两种或更多种材料混合、共聚或层压。
所述聚酯包括，例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(pbt)、聚萘二甲酸丁二醇酯(pbn)、聚对苯二甲酸环己烷二甲醇酯(pct)、聚对氧基苯甲酸乙二醇酯(peb)、或聚双苯氧基羧酸乙二醇酯中的至少一种。
所述聚烯烃包括，例如聚乙烯(pe)或聚丙烯(pp)中的至少一种。所述纤维素衍生物包括，例如二醋酸纤维素、三醋酸纤维素、醋酸丁酸纤维素(cab)或醋酸丙酸纤维素(cap)中的至少一种。所述乙烯基树脂包括，例如聚氯乙烯(pvc)或聚偏二氯乙烯(pvdc)中的至少一种。
所述其他聚合物树脂包括，例如聚酰胺((pa)，尼龙)、芳族聚酰胺(芳族pa，芳纶)、聚酰亚胺(pi)、芳族聚酰亚胺(芳族pi)、聚酰胺酰亚胺(pai)、芳族聚酰胺酰亚胺(芳族pai)、聚苯并恶唑((pbo)，例如zylon(注册商标)、聚醚，聚醚酮(pek)、聚醚酯、聚醚砜(pes)、聚醚酰亚胺(pei)、聚砜(psf)、聚苯硫醚(pps)、聚碳酸酯(pc)、聚芳酯(par)、或聚氨酯(pu)中的至少一种。
(记录层)
所述记录层13是所谓的垂直记录层，其包括例如磁粉、粘合剂、和导电颗粒。如果需要，所述记录层13还可以包括添加剂，例如润滑剂、研磨剂、和防锈剂。
所述记录层13的平均厚度tm优选满足35[nm]≤tm≤90[nm]的要求。当所述记录层13的平均厚度tm满足35[nm]≤tm≤90[nm]的要求时，可以改善电磁转换特性。
所述记录层13的平均厚度tm如下确定。首先，将所述磁记录介质10垂直于主表面加工变薄而制备样件，并在下列条件下用透射电子显微镜(tem)观察试样的横截面。
设备：tem(h9000nar，由日立公司制造)
加速电压：300kv
放大倍数：100,000倍放大倍数
接下来，通过使用所获得的tem图像，在所述磁记录介质10的纵向上在至少10个点或更多的位置处测量所述记录层13的厚度之后，将测量值简单地平均化(算术平均值)，并且将其视为所述记录层13的平均厚度tm(nm)。
(磁粉)
所述磁粉包括含有ε-氧化铁的纳米颗粒粉末(下文中称为“ε-氧化铁颗粒”)。即使ε-氧化铁颗粒是细颗粒，也可以获得高矫顽力。优选地，所述ε-氧化铁颗粒中包含的所述ε-氧化铁优选具有在所述磁记录介质10的厚度方向(垂直方向)上取向的晶体。
所述ε-氧化铁颗粒具有球形或基本上球形的形状、或具有立方体或基本上立方体的形状。所述ε-氧化铁颗粒具有如上所述的形状，因此，在使用所述ε-氧化铁颗粒作为磁性颗粒的情况下，与使用六角板状钡铁氧体颗粒作为磁性颗粒的情况相比，可以减小颗粒在介质厚度方向上的接触面积，由此抑制了颗粒的聚集。因此，可以增强磁粉的分散性，由此提供更良好的信噪比(snr)。
所述ε-氧化铁颗粒具有核-壳型结构。具体地，如图2所示，所述ε-氧化铁颗粒包括核心部分21和具有围绕所述核心部分21设置的双层结构的壳体部分22。具有双层结构的所述壳体部分22包括设置在所述核心部分21上的第一壳体部分22a和设置在所述第一壳体部分22a上的第二壳体部分22b。
所述核心部分21含有ε-氧化铁。包含在所述核心部分21中的ε-氧化铁优选具有ε-fe2o3晶体作为主相，更优选单相ε-fe2o3。
所述第一壳体部分22a覆盖核心部分21的周边的至少一部分。具体地，所述第一壳体部分22a可以部分地覆盖核心部分21的周边，或者可以覆盖核心部分21的整个周边。从所述核心部分21和所述第一壳体部分22a之间的充分交换耦合以提高磁性的观点来看，优选覆盖所述核心部分21的整个表面。
所述第一壳体部分22a是所谓的软磁层，例如，其包括诸如α-fe、ni-fe合金、或fe-si-al合金的软磁材料。所述α-fe可以通过还原包含在核心部分21中的ε-氧化铁来获得。
所述第二壳体部分22b是作为防氧化层的氧化膜。所述第二壳体部分22b包含α-氧化铁、氧化铝或氧化硅。所述α-氧化铁包含至少一种氧化铁，例如fe3o4、fe2o3、或feo。在所述第一壳体部分22a包含α-fe(软磁材料)的情况下，可以通过氧化包含在第一壳体部分22a中的α-fe来获得α-氧化铁。
如上所述，所述ε氧化铁颗粒具有所述第一壳体部分22a，由此可以将所述ε-氧化铁颗粒(核-壳颗粒)的矫顽力hc整体调节到适合记录的矫顽力hc，同时仅将所述核心部分21的矫顽力hc保持在较大值，以确保热稳定性。此外，所述ε-氧化铁颗粒具有如上所述的第二壳体部分22b，由此可以在ε-氧化铁颗粒在制造磁记录介质10的过程中和处理前暴露在空气中时，保持所述ε-氧化铁颗粒的特性不会因颗粒表面上生锈等而削减。因此，可以抑制所述磁记录介质10的特性劣化。
所述磁粉的平均粒径(平均最大粒径)d优选为22nm或更小，更优选为8nm或更大且22nm或更小，还更优选为12nm或更大且22nm或更小。
上述磁粉的平均粒径d如下测定。首先，通过聚焦离子束(fib)法等处理待测量的所述磁记录介质10以制备薄片，并且用tem观察薄片的横截面。接下来，从拍摄的tem照片中随机选择500个ε-氧化铁颗粒，并测量每个颗粒的最大粒径dmax，以获得磁粉的最大粒径dmax的粒径分布。此处所述“最大粒径dmax”表示所谓的最大feret直径，具体地说，是从各个角度绘制的两条平行线之间的距离中的最大距离，以便与所述ε-氧化铁的轮廓接触。此后，所述最大粒径dmax的中值直径(50％直径，d50)由所获得的最大粒径dmax的粒径分布确定，并且作为是磁粉的平均粒径(平均最大粒径d)粉末。
(粘合剂)
作为粘合剂，优选具有经过交联反应的聚氨酯树脂、氯乙烯树脂等结构的树脂。然而，所述粘合剂不应被认为局限于前述树脂，可以根据所述磁记录介质10所需的物理性质等适当地混合其它树脂。待混合的树脂通常没有特别限制，只要该树脂通常用于所述涂覆型磁记录介质10中。
其示例包括例如聚氯乙烯、聚乙酸乙烯酯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、氯乙烯-偏二氯乙烯共聚物、氯乙烯-丙烯腈共聚物、丙烯酸酯-丙烯腈共聚物、丙烯酸酯-氯乙烯-偏二氯乙烯共聚物、氯乙烯-丙烯腈共聚物、丙烯酸酯-丙烯腈共聚物、丙烯酸酯-偏二氯乙烯共聚物、甲基丙烯酸酯-偏二氯乙烯共聚物、甲基丙烯酸酯-氯乙烯共聚物、甲基丙烯酸酯-乙烯共聚物、聚氟乙烯、偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、丙烯腈-丁二烯共聚物、聚酰胺树脂、聚乙烯醇缩丁醛、纤维素衍生物(醋酸丁酸纤维素二醋酸纤维素、三醋酸纤维素、丙酸纤维素醋酸硝酸纤维素)、苯乙烯-丁二烯共聚物、聚酯树脂、氨基树脂、合成橡胶等。
此外，热固性树脂或反应性树脂的示例包括酚醛树脂、环氧树脂、尿素树脂、三聚氰胺树脂、醇酸树脂、硅树脂、聚胺树脂，脲醛树脂等。
此外，为了改善所述磁粉的分散性，可以将诸如-so3m、-oso3m、-coom、和p＝o(om)2的极性官能团引入上述每种粘合剂中。这里，式中的m表示氢原子或例如锂、钾、或钠的碱金属。
此外，所述极性官能团的示例包括具有-nr1r2或-nr1r2r3+x-末端基团的侧链型和＞nr1r2+x-的主链型。此处，式中的r1、r2、和r3表示氢原子或烃基，x-表示卤族元素离子，例如氟、氯、溴、或碘，或无机或有机离子。此外，极性官能团的示例还包括-oh、-sh、-cn、环氧基等。
(添加剂)
所述记录层13还可包含氧化铝(α，β或γ-氧化铝)、氧化铬、氧化硅、金刚石、石榴石、金刚砂、氮化硼、碳化钛、碳化硅、碳化钛、氧化钛(金红石型或锐钛矿型氧化钛)等作为非磁性增强颗粒。
(基层)
所述基层12是非磁性层，包括非磁性粉末和粘合剂作为主要成分。如果需要，所述基层12还可包括至少一种的添加剂，例如导电颗粒、润滑剂、固化剂、或防锈剂。
所述基层12的平均厚度优选为0.6μm或更大且2.0μm或更小，更优选为0.8μm或更大且1.4μm或更小。注意，所述基层12的平均厚度以与所述记录层13的平均厚度tm类似的方式确定。然而，tem图像的放大倍数根据所述基层12的厚度适当地调整。
(非磁性粉末)
非磁性粉末可以是无机物质或有机物质。此外，所述非磁性粉末可以是炭黑等。所述无机物质的示例包括，例如，金属、金属氧化物、金属碳酸盐、金属硫酸盐、金属氮化物、金属碳化物、金属硫化物等。所述非磁性粉末的形状的示例包括但不限于，例如，各种形状例如针状、球形形状、立方体形状和板状。
(粘合剂)
所述粘合剂类似于上述记录层13的粘合剂。
(背层)
所述背层14包括粘合剂和非磁性粉末。如果需要，所述背层14可以包括各种添加剂，例如润滑剂、固化剂、和抗静电剂。所述粘合剂和非磁性粉末类似于上述基层12的粘合剂和非磁性粉末。
所述无机颗粒的平均粒径优选为10nm或更大且150nm或更小，更优选为15nm或更大且110nm或更小。所述无机颗粒的平均粒径可以与上述磁粉的平均粒径d类似的方式测定。
所述背层14的平均厚度tb优选为tb≤0.6[μm]。即使在将所述磁记录介质10的平均厚度tt调整为tt≤5.5的情况下，上述范围内的所述背层14的平均厚度tb也可以使所述基层12和所述衬底11的厚度保持较大，因此可以保持所述磁记录介质10在记录/再现装置中的运行稳定性。
所述背层14的平均厚度tb如下确定。首先，制备宽度为1/2英寸的磁记录介质10并切割成250mm的长度以制备样品。接下来，使用由mitsutoyo公司制造的laserhologage作为测量装置，在所述样品的不同位置处的五个或更多个点处测量厚度，并且将测量值简单地平均(算术平均值)以计算平均值tt[μm]。随后，在用诸如mek(甲基乙基酮)或稀盐酸等溶剂除去所述样品的背层14之后，再次在所述样品的不同位置处的五个或更多个点处使用上述laserhologage测量厚度，将测量值简单地平均(算术平均值)以计算平均值tb[μm]。此后，所述背层14的平均厚度tb(μm)由下式确定。
tb[μm]＝tt[μm]-tb[μm]
(磁记录介质的平均厚度tt)
所述磁记录介质10的平均厚度tt满足tt≤5.5[μm]的要求。当所述磁记录介质10的平均厚度tt满足tt≤5.5[μm]的要求时，能够在一个数据盒中记录的记录容量可以比以前增加更多。所述磁记录介质10的平均厚度tt的下限值不被特别限制，但是例如，3.5[μm]≤tt。
所述磁记录介质10的平均厚度tt以与所述背层14的平均厚度tb的平均值tt类似的方式确定。
(尺寸变化量δw)
相对于所述磁记录介质10在纵向上的张力变化，所述磁记录介质10在宽度方向上的尺寸变化量δw满足700[ppm/n]≤δw的要求，优选为700[ppm/n]≤δw，更优选800[ppm/n]≤δw。当所述尺寸变化量δw为δw＜700[ppm/n]时，有可能难以通过利用记录/再现装置调节纵向张力来减小宽度上的变化。所述尺寸变化量δw的上限值不应特别限定，但是例如，δw≤1700000[ppm/n]，优选δw≤20000[ppm/n]，更优选δw≤8000[ppm/n]]。例如，通过选择所述衬底11的厚度和所述衬底11的材料，将所述尺寸变化量δw设定为期望值。注意，可以选择所述衬底11的厚度和衬底11的材料中的一个，或两者都可以选择。
所述尺寸变化量δw如下确定。首先，制备宽度为1/2英寸的所述磁记录介质10并切割成250mm的长度以制备样品10s。接下来，在所述样品10s的纵向上以0.2n、0.6n、和1.0n的量级施加载荷，并且在0.2n和1.0n的载荷下测量所述样品10s的宽度。随后，尺寸变化量δw由下式确定。
[数学公式1]
(式中，d(0.2n)和d(1.0n)分别表示在所述样品10s的纵向上施加0.2n和1.0n的载荷的情况下所述样品10s的宽度。)
注意，在施加每个载荷的情况下，所述样品10s的宽度如下测量。首先，准备图3所示的测量装置，其内装有由keyence公司制造的数字尺寸测量仪器ls-7000，并且所述样品10s设置在该测量装置中。具体地，所述细长样品(磁记录介质)10s的一端通过固定部件231固定，并且所述样品10s放置在多个杆状支撑构件232上。注意，在所述支撑构件232中，位于光发射器234和光接收器235之间的支撑构件232设置有狭缝232a，使得光l通过所述狭缝232a从光发射器234发射到光接收器235。
随后，在将所述测量装置置放于25℃的温度和50％的相对湿度的恒定环境下控制的腔室中之后，将重物233附接到所述样品10s的另一端，并且使样品10s适应于上述环境。通过调节所述重物233的重量可以改变在所述样品10s的纵向上施加的载荷。此后，光l从所述光发射器234向所述光接收器235发射，并且测量随着纵向上载荷的施加所述样品10s的宽度。所述光发射器234和所述光接收器235设置在数字尺寸测量仪器ls-7000中。
(温度膨胀系数α)
所述磁记录介质10的温度膨胀系数α优选满足6[ppm/℃]≤α≤8[ppm/℃]的要求。当所述温度膨胀系数α落入上述范围内时，通过利用记录/再现装置调节磁记录介质10的纵向张力，可以进一步减少磁记录介质10的宽度变化。
所述温度膨胀系数α如下确定。首先，以与测量所述尺寸变化量δw的方法类似的方式制备样品10s，并且在将所述样品10s设置在类似于测量尺寸变化量δw的方法中的测量装置中之后，再将测量装置置放于29℃的温度和24％的相对湿度的恒定环境下控制的腔室中。接下来，在所述样品10s的纵向上施加0.2n的载荷，并且使所述样品10s适应于上述环境。此后，在保持24％的相对湿度的情况下，温度以45℃，29℃和10℃的顺序变化，测量所述样品10s在45℃和10℃下的宽度，并且所述温度膨胀系数α由下式确定。
[数学公式2]
(式中，d(45℃)和d(10℃)分别代表所述样品10s在45℃和10℃温度下的宽度。)
(湿度膨胀系数β)
所述磁记录介质10的湿度膨胀系数β优选满足β≤5[ppm/％rh]的要求。当所述湿度膨胀系数β落入上述范围内时，通过利用记录/再现装置调节所述磁记录介质10的纵向张力，可以进一步减少所述磁记录介质10的宽度变化。
所述湿度膨胀系数β如下确定。首先，以与测量尺寸变化量δw的方法类似的方式制备样品10s，并且在将所述样品10s设置在类似于测量尺寸变化量δw的方法中的测量装置中之后，再将测量装置置放于29℃的温度和24％的相对湿度的恒定环境下控制的腔室中。接下来，在所述样品10s的纵向上施加0.2n的载荷，并且使所述样品适应于上述环境。此后，在保持29℃的温度的情况下，相对湿度以80％，24％和10％的顺序变化，测量所述样品10s在80％和10％下的宽度，并且所述湿度膨胀系数β由下式确定。
[数学公式3]
(式中，d(80％)和d(10％)分别代表所述样品10s在80％和10％温度下的宽度。)
(泊松比ρ)
所述磁记录介质10的泊松比ρ优选满足0.3≤ρ的要求。当泊松比ρ落入上述范围内时，通过利用记录/再现装置调节所述磁记录介质10的纵向张力，可以进一步减少所述磁记录介质10的宽度变化。
所述泊松比ρ如下确定。首先，制备宽度为1/2英寸的所述磁记录介质10并切成150mm的长度以制备样品，并且所述样品的中心部分设置有6mm×6mm的在尺寸方面的标记。接下来，所述样品纵向上的两端用卡盘保持，卡盘之间的距离为100mm，施加2n的初始载荷，在这种情况下认为在所述样品纵向上的标记的长度是初始长度，而所述样品宽度方向上的标记的宽度被认为是初始宽度。随后，在instron型万能拉伸试验装置中以0.5mm/min的拉伸速度进行拉伸，并且用keyence公司制造的图像传感器测量所述样品纵向上的标记的长度和所述样品宽度方向上的标记的宽度中的每一个的尺寸变化量。此后，所述泊松比ρ由下式确定。
[数学公式4]
(纵向弹性极限值σmd)
所述磁记录介质10的纵向弹性极限值σmd优选为0.8[n]≤σmd。当弹性极限值σmd落入上述范围内时，通过利用记录/再现装置调节所述磁记录介质10的纵向张力，可以进一步减少所述磁记录介质10的宽度变化。此外，驱动侧易于控制。所述磁记录介质10的纵向弹性极限值σmd的上限值没有特别限定，但是例如σmd≤5.0[n]。所述弹性极限值σmd优选不依赖于进行弹性极限测量的速度v。这是因为所述弹性极限值σmd不依赖于上述速度v，从而可以有效地减少所述磁记录介质10的宽度变化，而不受记录/再现装置中所述磁记录介质10的运行速度或者记录/再现装置的张力调节速度和响应性的影响。所述弹性极限值σmd被设定为期望值，这取决于例如基层12，记录层13和背层14的固化条件的选择，以及衬底11材料的选择。例如，随着用于基层形成的涂料，用于记录层形成的涂料和用于背层形成的涂料的固化时间变长，或者随着固化温度的提高，加速了每种涂料中包含的粘合剂和固化剂之间的反应。因此，弹性特性得到改善，并且所述弹性极限值σmd得到改善。
所述弹性极限值σmd如下确定。首先，制备宽度为1/2英寸的所述磁记录介质10，并切成150mm的长度以制备样品，并且所述样品的纵向上的两端用卡盘保持在万能拉伸试验装置，使得卡盘之间的距离λ0为λ0＝100mm。接下来，以0.5mm/min的拉伸速度拉伸所述样品，并且相对于卡盘之间的距离λ(mm)连续测量载荷σ(n)。随后，使用所获得的λ(mm)和σ(n)的数据以图表方式示出δλ(％)和σ(n)之间的关系。但是，δλ(％)由下式给出。
δλ(％)＝((λ-λ0)/λ0)×100
接着，在上述图表中，在σ≥0.2n的区域中计算图表具有直线的区域，并且将最大载荷σ视为弹性极限值σmd(n)。
(层间摩擦系数μ)
磁面和背面之间的层间摩擦系数μ优选满足0.20≤μ≤0.80的要求。当所述层间摩擦系数μ落入上述范围内时，可以防止当所述磁记录介质10缠绕在卷盘(例如，图5中的卷盘10c)上时导致卷绕偏差。更具体地，当所述层间摩擦系数μ是μ＜0.20时，已经缠绕在盒式卷盘上位于最外围的所述磁记录介质10的一部分的磁面与重新缠绕在磁面周围的所述磁记录介质10的背面之间的层间摩擦极度减少，从而使得即将重新缠绕的所述磁记录介质10更可能偏离已经缠绕并位于最外围的所述磁记录介质10的一部分的磁面。因此，所述磁记录介质10具有所导致的卷绕偏差。另一方面，当层间摩擦系数μ为0.80＜μ时，即将从驱动侧卷盘的最外周解绕的所述磁记录介质10的背面与保持缠绕在驱动卷盘上位于背面正下方的所述磁记录介质10的磁面之间的层间摩擦极度增加，从而导致背面和磁面粘在一起。因此，朝向盒式卷盘的所述磁记录介质10的不稳定操作导致所述磁记录介质10具有卷绕偏差。
所述层间摩擦系数μ如下确定。首先，将宽度为1/2英寸的所述磁记录介质10缠绕在直径为1英寸的圆体上，背面朝上，从而固定所述磁记录介质10。接下来，使宽度为1/2英寸的所述磁记录介质10以角度θ(°)＝180°+1°至180°-10°与圆柱体接触，使得磁面与圆柱体接触，所述磁记录介质10的一端连接到可移动的应变仪，并且赋予其另一端张力t0＝0.6(n)。在可移动应变仪中以0.5mm/s往复运动8次来测量每个向外路径的应变仪读数t1(n)至t8(n)，并且将t4到t8的平均值作为是tave(n)。此后，所述层间摩擦系数μ由下式确定。
[数学公式5]
(背面的表面粗糙度rb)
背面的表面粗糙度rb(所述背层14的表面粗糙度)优选满足rb≤6.0[nm]的要求。当所述背面的表面粗糙度rb落入上述范围内时，可以改善电磁转换特性。
所述背面的表面粗糙度rb如下确定。首先，制备宽度为1/2英寸的所述磁记录介质10，并将其背面朝上安装在载玻片上，从而提供样件。接下来，使用以下使用光学干涉的非接触式粗糙度计测量所述试样背面的表面粗糙度。
设备：使用光学干涉的非接触式粗糙度计
(由ryokasystems公司制造的非接触表面/层截面形状测量系统vertscanr5500gl-m100-ac)
物镜：放大20倍(约237μm×178μm视野)
分辨率：640点×480点
测量模式：相位
波长滤波器：520nm
表面校正：用二次多项式曲面逼近校正
在以上述方式测量在纵向上的至少五个或更多个点的位置处的表面粗糙度之后，将根据在每个位置处获得的表面轮廓自动计算的每个算术平均值粗糙度sa(nm)的平均值认为是背面的表面粗糙度rb(nm)。
(矫顽力hc)
在所述磁记录介质10的厚度方向(垂直方向)上测量的矫顽力hc优选为220ka/m或更大且310ka/m或更小，更优选为230ka/m或更大且300ka/m或更小，或还更优选为240ka/m或更大且290ka/m或更小。当所述矫顽力hc为220ka/m或更大时，所述矫顽力hc足够大，因此来自记录头的磁场泄漏可以保持记录在相邻轨道上的磁化信号不会降低。因而可以获得更好的snr。另一方面，当所述矫顽力hc为310ka/m或更小时，便于利用记录头进行饱和记录，从而可以获得更好的snr。
上述矫顽力hc如下确定。首先，从所述细长磁记录介质10中切割出测量样品，并且在测量样品的厚度方向(所述磁记录介质10的厚度方向)使用振动样品磁强计(vsm)测量整个测量样品的m-h回路。接下来，使用丙酮，乙醇等擦拭涂膜(所述基层12，所述记录层13等)，仅留下所述衬底11用于背景校正，并且在所述衬底11的厚度方向上(所述磁记录介质10的厚度方向)使用vsm测量所述衬底11的m-h回路。此后，从整个测量样品的m-h回路中减去所述衬底11的m-h回路，以获得背景校正后的m-h回路。所述矫顽力hc由获得的m-h回路确定。注意，m-h回路均在25℃下测量。此外，在测量所述磁记录介质10的厚度方向(垂直方向)上的m-h回路时，不实施“去磁场校正”。
(矫顽力hc(50)与矫顽力hc(25)之间的比率r)
在50℃下在所述磁记录介质10的厚度方向(垂直方向)上测量的矫顽力hc(50)与在25℃下在所述磁记录介质10的厚度方向上测量的矫顽力hc(25)之间的比率r(＝(hc(50)/hc(25))×100)优选为95％或更大，更优选为96％或更大，还更优选为97％或更大，特别优选为98％或更大。当上述比率r为95％或更大时，所述矫顽力hc的温度依赖性降低，从而使得可以保持高温环境下的snr不劣化。
上述矫顽力hc(25)以与上述矫顽力hc的测量方法类似的方式确定。此外，除了所述测量样品和所述衬底11的m-h回路均在50°下测量外，上述矫顽力hc(50)以与上述矫顽力hc的测量方法类似的方式确定。
(在延伸方向上测量的矩形比s1)
在所述磁记录介质10的延伸方向上测量的矩形比s1优选为35％或更小，更优选为27％或更小，还更优选为20％或更小。当矩形比s1为35％或更小时，磁粉的垂直取向充分增加，从而可以实现更好的snr。因此，可以获得更好的电磁转换特性。此外，伺服信号的形状得到改善，从而更容易控制驱动侧。
上述矩形比s1如下确定。首先，从所述细长磁记录介质10切割出测量样品，并且使用vsm测量与所述磁记录介质10的延伸方向(长度方向)相对应的整个测量样品的m-h回路。接下来，使用丙酮，乙醇等擦拭涂膜(所述基层12，所述记录层13等)，从而仅留下所述衬底11用于背景校正，并且使用vsm测量与所述衬底11的延伸方向((所述磁记录介质10)的延伸方向)相对应的所述衬底11的m-h回路。此后，从整个测量样品的m-h回路中减去所述衬底11的m-h回路，以获得背景校正后的m-h回路。通过将所获得的m-h回路的饱和磁化强度ms(emu)和剩余磁化强度mr(emu)代入下式来计算矩形比s1(％)。注意，m-h回路均在25℃下测量。
矩形比s1(％)＝(mr/ms)×100
(垂直方向上测量的矩形比s2)
在所述磁记录介质10的垂直方向(厚度方向)上测量的矩形比s2优选为65％或更大，更优选为73％或更大，还更优选为80％或更大。当所述矩形比s2为65％或更大时，磁粉的垂直取向充分增加，从而可以实现更好的snr。因此，可以获得更好的电磁转换特性。此外，伺服信号的形状得到改善，从而更容易控制驱动侧。
除了是在所述磁记录介质10和所述衬底11的垂直方向(厚度方向)上测量m-h回路外，以与矩形比s1类似的方式确定矩形比s2。注意，在矩形比s2的测量中，在测量所述磁记录介质10的垂直方向上的m-h回路时，不实施“去磁场校正”。
通过调节例如施加于用于记录层形成的涂料的磁场强度，施加磁场于用于记录层形成的涂料的时间，用于记录层形成的涂料中磁粉的分散状态，用于记录层形成的涂料中的固体含量的浓度等将矩形比s1和s2设定为所需值。具体地，例如，随着磁场强度的增加，矩形比s1减小，而矩形比s2增加。此外，随着施加磁场的时间变长，矩形比s1减小，而矩形比s2增加。此外，随着磁粉的分散状态的改善，矩形比s1减小，而矩形比s2增加。再则，随着固体含量的浓度降低，矩形比s1减小，而矩形比s2增加。注意，上述调节方法可以单独使用，或者可以组合使用其中的两种或更多种。
(sfd)
在所述磁记录介质10的交换场分布(sfd)曲线中，主峰高度x与零磁场附近的子峰高度y的峰值比x/y优选为3.0或更大，更优选为5.0或者更大，还更优选为7.0或更大，特别优选为10.0或更大，最优选为20.0或更大(参见图4)。当峰值比x/y为3.0或更大时，除了有助于实际记录的ε-氧化铁颗粒外，ε-氧化铁特有的许多其他低矫顽力成分(例如，软磁性颗粒，超顺磁性颗粒等)可以被避免包含在磁粉中。因此，来自记录头的磁场泄漏可以保持记录在相邻轨道上的磁化信号不会降低，从而实现更好的snr。峰值比x/y的上限值没有特别限制，但是例如为100或更小。
上述峰值比x/y如下确定。首先，以与上述测量矫顽力he的方法类似的方式获得背景校正后的m-h回路。接下来，从获得的m-h回路计算sfd曲线。为了计算sfd曲线，可以使用附属于测量机的程序，或者可以使用其他程序。计算所述峰值比x/y是用计算出的sfd曲线与y轴交叉的点的绝对值(dm/dh)作为“y”，并用在m-h回路中的矫顽力hc附近观测到的主峰的高度作为“x”。注意，所述m-h回路是在25℃以与上述测量矫顽力hc的方法类似的方式测量。此外，在测量所述磁记录介质10的厚度方向(垂直方向)上的m-h回路时，不实施“去磁场校正”。
(激活体积vact)
激活体积vact优选为8000nm3或更小，更优选为6000nm3或更小，还更优选为5000nm3或更小，特别优选为4000nm3或更小，最优选为3000nm3或更小。当实施激活体积vact为8000nm3或更小时，磁粉的良好分散状态可以使位反转区域陡峭，并且来自记录头的磁场泄漏可以保持记录在相邻轨道上的磁化信号不会降低。因此，有可能存在不能实现更好的snr。
上述激活体积vact由street&woolley导出的下列等式确定。
vact(nm3)＝kb×t×xirr/(μ0×ms×s)
(kb：玻尔兹曼常数(1.38×10-23j/k)，t：温度(k)，xirr：不可逆磁化率，μ0：真空磁导率，s：磁粘性系数，ms：饱和磁化强度(emu/cm3))
在上述公式中被代入的不可逆磁化率xirr，饱和磁化强度ms和磁粘性系数s通过使用vsm以下列方式确定。注意，假设vsm的测量方向是所述磁记录介质10的厚度方向(垂直方向)。此外，对于从所述细长磁记录介质10中切割出的测量样品，使用vsm在25℃下进行测量。此外，在测量所述磁记录介质10的厚度方向(垂直方向)上的m-h回路时，不实施“去磁场校正”。
(不可逆磁化率xirr)
定义不可逆磁化率xirr为剩余磁化曲线(dcd曲线)的斜率处的剩余矫顽力hr附近的斜率。首先，将-1193ka/m(15koe)的磁场施加到整个所述磁记录介质10，并且该磁场返回到零以提供剩余磁化状态。此后，在相反方向上施加约15.9ka/m(200oe)的磁场，并再次返回到零，测量剩余磁化量。此后，类似地，重复进行施加比先前施加的磁场大15.9ka/m的磁场并将磁场返回到零的测量，从而绘制相对于施加的磁场的剩余磁化量，然后测量dcd曲线。从获得的dcd曲线，将磁化量为零的点作为剩余矫顽力hr，并且进一步区分dcd曲线，从而确定每个磁场中的dcd曲线的斜率。在该dcd曲线的斜率处，剩余矫顽力hr附近的斜率被称为xirr。
(饱和磁化强度ms)
首先，在所述磁记录介质10的厚度方向上测量整个所述磁记录介质10(测量样品)的m-h回路。接着，使用丙酮，乙醇等擦拭涂膜(所述基层12，所述记录层13等)，从而仅留下所述衬底11用于背景校正，并且与在厚度方向上类似地测量所述衬底11的m-h回路。此后从整个所述磁记录介质10的m-h回路中减去所述衬底11的m-h回路，以获得背景校正后的m-h回路。ms(emu/cm3)由所获得的m-h回路的饱和磁化强度ms(emu)的值和测量样品中所述记录层13的体积(cm3)计算。注意，所述记录层13的体积是通过将测量样品的面积乘以所述记录层13的平均厚度来确定的。计算所述记录层13的体积时所需的计算所述记录层13的平均厚度的方法将在后面描述。
(磁粘系数s)
首先，将-1193ka/m(15koe)的磁场施加到整个所述磁记录介质10(测量样品)，并且该磁场返回到零以提供剩余磁化状态。此后，在相反方向上施加与从dcd曲线获得的剩余矫顽力hr的值相等的磁场。在施加磁场的情况下以固定的时间间隔连续测量磁化量1000秒。在下式中，通过检验由此获得的时间t与磁化量m(t)之间的关系来计算磁粘系数s.
m(t)＝m0+s×ln(t)
(m(t)：时间t的磁化量，m0：初始磁化量，s：磁粘系数，ln(t)：时间的自然对数)
(算术平均粗糙度ra)
磁面的算术平均粗糙度ra优选为2.5nm或更小，更优选为2.0nm或更小。当ra为2.5nm或更小时，可以获得更好的snr。
上述算术平均粗糙度ra如下确定。首先，使用原子力显微镜(afm)(由bruker，dimensionicon制造)观察设置有所述记录层13的一侧的表面，从而获得横截面。接下来，算术平均粗糙度ra由根据jisb0601：2001获得的横截面确定。
[磁记录介质的制造方法]
接下来，具有上述配置的所述磁记录介质10的制造方法将被描述。首先，通过将非磁性粉末和粘合剂等捏合并分散在溶剂中来制备用于形成基层的涂料。然后，通过将磁性粉末和粘合剂等捏合和分散在溶剂中来制备用于记录层形成的涂料。为了制备用于形成记录层的涂料和用于形成基层的涂料，例如，可以使用以下溶剂，分散装置和捏合装置。
用于制备上述涂料制剂的溶剂的示例包括，例如，酮类溶剂如丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮和环己酮，醇类溶剂如甲醇、乙醇和丙醇，酯类溶剂如乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸丙酯、乳酸乙酯、和乙二醇乙酸酯，醚类溶剂如二乙二醇二甲醚、2-乙氧基乙醇、四氢呋喃和二氧六环，芳香烃类溶剂如苯、甲苯和二甲苯，以及卤代烃溶剂如二氯甲烷、氯乙烯、四氯化碳、氯仿和氯苯等。这些溶剂可以单独使用，也可以适当混合使用。
例如，可以使用捏合装置如双螺杆连续捏合机，能够多级稀释的双螺杆连续捏合机，捏合机，加压捏合机和辊式捏合机作为上述用途的捏合装置，但其不应被认为特别限于上述装置。此外，例如，分散装置如辊磨机，球磨机，卧式砂磨机，立式砂磨机，穗磨机，盘碾机，塔式磨机，珠磨机(例如，由eirich制造的“dcp磨机”等)，均质机和超声波分散机可用作上述涂料制备中使用的分散装置，但其不应被认为特别限于上述装置。
接下来，将用于形成基层的涂料涂覆到所述衬底11的一个主表面上并干燥，从而形成所述基层12。随后，将用于形成记录层的涂料涂覆到所述基层12上并干燥，从而形成在所述基层12上的记录层13。注意，在干燥中，所述磁粉通过例如螺线管线圈在衬底11的厚度方向上磁性取向。此外，在干燥中，在所述磁粉通过例如螺线管线圈在衬底11的延伸方向(纵向)上磁性取向之后，磁粉可以在衬底11的厚度方向上磁性取向。在形成所述记录层13之后，在所述衬底11的另一个主表面上形成背层14。由此，获得所述磁记录介质10。
此后，将获得的所述磁记录介质10绕大直径核重新缠绕并进行硬化处理。最后，对所述磁记录介质10进行压延处理，然后切割成预定的宽度(例如，1/2英寸宽度)。根据前述获得了预期长度的细长磁记录介质10。
[记录/再现装置的配置]
接下来，将参考图5来描述用于在具有上述配置的磁记录介质10上记录和再现的记录/再现装置30的配置。
所述记录/再现装置30具有能够调节在所述磁记录介质10的纵向上施加的张力的配置。此外，所述记录/再现装置30具有能够加载磁记录介质盒10a的配置。这里，为了易于理解，将描述记录/再现装置30具有能够加载一个磁记录介质盒10a的配置的情况，但是所述记录/再现装置30可以具有能够加载多个磁记录介质盒10a的配置。
所述记录/再现装置30经由网络43连接到诸如服务器41和个人计算机(以下称为“pcs”)42的信息处理设备，并且配置为能够记录从所述磁记录介质盒10a的信息处理设备提供的数据。所述记录/再现装置30的最短记录波长优选为100nm或更小，更优选为75nm或更小，还更优选为60nm或更小，特别优选为50nm或更小。
如图5所示，所述记录/再现装置包括主轴31，记录/再现装置侧的卷盘32，主轴驱动装置33，卷盘驱动装置34，多个导辊35，磁头单元36，通信接口(以下称为i/f)37和控制装置38。
所述主轴31配置成能够安装所述磁记录介质盒10a。符合线性磁带开放(lto)标准的磁记录介质盒10a在盒箱体10b中可容纳卷绕有所述磁记录介质10的单个卷盘10c。在所述磁记录介质10上，预先记录倒v形的伺服图案作为伺服信号。卷盘32被配置为能够固定从所述磁记录介质盒10a中引出的所述磁记录介质10的前端。
所述主轴驱动装置33是旋转驱动主轴31的装置。所述卷盘驱动装置34是旋转驱动卷盘32的装置。在所述磁记录介质10上记录或再现数据，所述主轴驱动装置33和所述卷盘驱动装置34旋转地驱动所述主轴31和所述卷盘32以使所述磁记录介质10运行。所述导辊35是用于引导所述磁记录介质10的运行的滚轴。
所述磁头单元36包括用于记录在所述磁记录介质10上的数据信号的多个记录头，用于再现记录在所述磁记录介质10上的数据信号的多个再现头，以及用于再现记录在所述磁记录介质10上的伺服信号的多个伺服头。作为记录头，例如，可以使用环形头，但是记录头的类型不限于此。
所述通信i/f37缩进以与诸如服务器41和pcs42的信息处理设备通信，并且连接到所述网络43。
所述控制装置38控制所述记录/再现装置30。例如，为了响应来自诸如服务器41和pcs42的信息处理设备的请求，所述控制设备38通过磁头单元36将信息处理设备提供的信号记录在磁记录介质10上。此外，为了响应来自诸如服务器41和pcs42的信息处理设备的请求，所述控制设备38通过磁头单元36再现记录在磁记录介质10上的数据信号，并将数据信号提供给信息处理设备。
此外，所述控制装置38基于从磁头单元36提供的伺服信号检测磁记录介质10的宽度上的变化。具体地，所述磁记录介质10具有多个倒v形伺服图案作为伺服信号记录在其上，并且磁头单元36可以通过其上的两个伺服头同时再现两个不同的伺服图案，从而提供相应的伺服信号。利用伺服图案和从伺服信号获得的磁头单元之间的相对位置信息，控制所述磁头单元36的位置以便遵循伺服图案。同时，还可以通过比较两个伺服信号的波形来获得伺服图案之间的距离信息。通过比较每次测量获得的伺服图案之间的距离信息，可以获得每次测量的伺服图案之间的距离变化。通过在伺服图案记录时向伺服图案之间添加距离信息，还可以计算所述磁记录介质10的宽度上的变化。所述控制装置38基于以上述方式获得的伺服图案之间的距离的变化或者计算出的所述磁记录介质10的宽度上的变化来控制所述主轴驱动装置33和所述卷盘驱动装置34的旋转驱动，从而调节所述磁记录介质10的纵向张力，使得所述磁记录介质10的宽度具有规定的宽度或大致规定的宽度。因此，可以减小所述磁记录介质10的宽度变化。
[记录/再现装置的操作]
接下来，具有上述配置的记录/再现装置30的操作将被描述。
首先，所述磁记录介质盒10a安装在记录/再现装置30上，所述磁记录介质10的前端被抽出，经由多个导辊35和磁头单元36传送到卷盘32，并且所述磁记录介质10的前端安装在卷盘32上。
接下来，当操作未示出的操作单元时，在所述控制装置38的控制下驱动主轴驱动装置33和卷盘驱动装置34，从而使所述主轴31和卷盘32沿相同方向旋转，使得所述磁记录介质10从所述卷盘10c朝向卷盘32运行。因此，当所述磁记录介质10占据在卷盘32上时，所述磁头单元36在磁记录介质10上记录信息或再现记录在磁记录介质10上的信息。
此外，在将所述磁记录介质10重新缠绕到卷盘10c的情况下，所述主轴31和卷盘32在与上述方向相反的方向上被旋转驱动，从而使所述磁记录介质10从卷盘32朝向所述卷盘10c运行。同样在所述重新缠绕中，磁头单元36在磁记录介质10上记录信息或再现记录在磁记录介质10上的信息。
[有益效果]
对于根据第一实施方式的所述磁记录介质10，所述磁记录介质10的平均厚度tt满足tt≤5.5[μm]的要求，并且相对于所述磁记录介质10纵向上的张力变化，所述磁记录介质10宽度方向上的尺寸变化量δw满足700[ppm/n]≤δw的要求。因此，即使温度和湿度发生变化，也可以通过用记录/再现装置调节所述磁记录介质10的纵向张力来减小所述磁记录介质10的宽度变化。因此，所述磁记录介质10的宽度可以保持恒定或基本恒定。
[修改示例]
(修改示例1)
在上述第一实施方式中，已经描述了具有包含双层结构的壳体部分22的ε-氧化铁颗粒的情况，但是如图6所示，所述ε-氧化铁颗粒可具有壳体部分23，其具有单层结构。在这种情况下，所述壳体部分23具有与第一壳体部分22a类似的构造。然而，从抑制ε-氧化铁颗粒的特性劣化的观点来看，如以上实施方式所述，所述ε-氧化铁颗粒优选具有包含双层结构的壳体部分22。
(修改示例2)
在上述第一实施案中，已经描述了ε-氧化铁颗粒具有核-壳结构的情况，但是所述ε-氧化铁颗粒可以包括添加剂而不是核-壳结构，或者具有核-壳结构并且还包括添加剂。在这种情况下，所述ε-氧化铁颗粒的fe地被添加剂部分取代。所述ε-氧化铁颗粒包括添加剂，因此也可以将所述ε-氧化铁颗粒的矫顽力hc整体调节到适于记录的矫顽力hc，从而改善了记录的容易性。所述添加剂是除铁以外的金属元素，优选三价金属元素，更优选选自铝(al)，镓(ga)和铟(in)中的一种或多种金属元素。
具体地，包含添加剂的ε-氧化铁是ε-fe2-xmxo3晶体(其中m表示除铁以外的金属元素，优选三价金属元素，更优选选自铝(al)，镓(ga)和铟(in)中的一种或多种金属元素。x表示例如0＜x＜1)。
(修改示例3)
所述磁粉可以是钡铁氧体磁粉。所述钡铁氧体磁粉包括含有钡铁氧体作为主相的氧化铁磁性颗粒(以下称为“钡铁氧体颗粒”)。
所述钡铁氧体磁粉的平均粒径为50nm或更小，更优选10nm或更大且40nm或更小，还更优选15nm或更大且30nm或更小。
在所述记录层13包含钡铁氧体磁粉作为磁粉的情况下，所述记录层13的平均厚度tm优选满足35[nm]≤tm≤90[nm]的要求。此外，在所述磁记录介质10的厚度方向(垂直方向)上测量的矫顽力hc优选为160ka/m或更大且280ka/m或更小，更优选为165ka/m或更大且275ka/m或更小，还更优选170ka/m或更大且270ka/m或更小。注意，在延伸方向上测量的矩形比s1和在垂直方向上测量的矩形比s2与第一实施方式中的相似。
(修改示例4)
所述磁粉可以是钴铁氧体磁粉。所述钴铁氧体磁粉包括含有钴铁氧体作为主相的氧化铁磁性颗粒(以下称为“钴铁氧体磁性颗粒”)。所述钴铁氧体磁性颗粒优选具有单轴各向异性。所述钴铁氧体磁性颗粒具有例如立方体形或基本上立方体形。钴铁氧体是指含钴的钴铁氧体。除了co之外，钴铁氧体还可以含有选自ni，mn，al，cu和zn中的一种或多种元素。
所述钴铁氧体具有例如由下式(1)表示的平均组成。
coxmyfe2oz...(1)
(在式(1)中，m表示选自ni，mn，al，cu和zn中的一种或多种金属。x表示在0.4≤x≤1.0范围内的值。y表示在0≤y≤0.3范围内的值。但是，x和y满足(x+y)≤1.0的关系。z表示在3≤z≤4范围内的值。fe可以被另一个金属元素部分地取代。)
所述钴铁氧体磁粉的平均粒径优选为25nm或更小，更优选23nm或更小。所述钴铁氧体磁粉的矫顽力hc优选为2500oe或更大，更优选为2600oe以上且3500oe以下。注意，在延伸方向上测量的矩形比s1和在垂直方向上测量的矩形比s2与第一实施方式中的相似。
(修改示例5)
如图7所示，所述磁记录介质10还可以包括设置在所述衬底11的至少一个表面上的阻挡层15。所述阻挡层15是用于减小根据所述衬底11的环境尺寸变化的层。例如，作为尺寸变化的原因示例，所述衬底11是吸湿的。在这种情况下，通过所述阻挡层15可以降低水分进入所述衬底11的进入速度。所述阻挡层15包括金属或金属氧化物。作为金属，可以使用例如al，cu，co，mg，si，ti，v，cr，mn，fe，ni，zn，ga，ge，y，zr，mo，ru，pd，ag，ba，pt，au或ta中的至少一种。作为金属氧化物，可以使用例如al2o3，cuo，coo，sio2，cr2o3，tio2，ta2o5或zro2中的至少一种，并且也可以使用上述金属的任何氧化物。此外，还可以使用类金刚石碳(dlc)，金刚石等。
所述阻挡层15的平均厚度优选为20nm或更大且1000nm或更小，更优选为50nm或更大且1000nm或更小。以与所述记录层13的平均厚度tm类似的方式确定所述阻挡层15的平均厚度。然而，tem图像的放大倍数根据所述阻挡层15的厚度适当地调节。
(修改示例6)
所述磁记录介质10可以用于库装置。在这种情况下，库装置具有能够调节在所述磁记录介质10的纵向上施加的张力的配置，并且包括根据第一实施方式的多个记录/再现装置30。
(修改示例7)
所述磁记录介质10可以用作伺服录写装置。换句话说，所述伺服录写装置可以在伺服信号记录等的同时调节所述磁记录介质10的纵向张力，从而保持所述磁记录介质10的宽度恒定或基本恒定。在这种情况下，伺服录写装置可以包括检测所述磁记录介质10的宽度的检测装置，以便根据检测装置的检测结果调节所述磁记录介质10的纵向张力。
(修改示例8)
所述磁记录介质10不应被视为限于垂直记录型磁记录介质，且可以是水平记录型磁记录介质。在这种情况下，可以使用诸如金属磁性粉末的针状磁粉作为磁粉。
(修改示例9)
作为ε-氧化铁颗粒的粉末的替代，所述磁粉可包括含六方晶体铁氧体的纳米颗粒的粉末(下文中称为“六方晶体铁氧体颗粒”)。所述六方晶体铁氧体颗粒具有例如六角板状或大致六角板状。所述六方晶体铁氧体优选含有ba，sr，pb或ca中的至少一种，更优选ba或sr中的至少一种。具体地，所述六方晶体铁氧体可以是例如钡铁氧体或锶铁氧体。除了ba之外，钡铁氧体还可以含有sr，pb或ca中的至少一种。除sr外，锶铁氧体还可含有ba，pb或ca中的至少一种。
更具体地，所述六方晶体铁氧体具有由通式mfe12o19表示的平均组成。然而，m是例如ba，sr，pb或ca中的至少一种金属，优选ba或sr中的至少一种金属。m可以是ba和选自sr，pb和ca中的一种或多种金属的组合。此外，m可以是sr和选自ba，pb和ca中的一种或多种金属的组合。在上述通式中，fe可以被另一种金属元素部分地取代。
在所述磁粉包含六方晶体铁氧体颗粒粉末的情况下，所述磁粉的平均粒径优选为50nm或更小，更优选为10nm或更大且40nm或更小，还更优选为15nm或更大且30nm或更小。注意，在延伸方向上测量的矩形比s1和在垂直方向上测量的矩形比s2与第一实施方式中的相似。
<2第二实施方式>
[磁记录介质的配置]
根据第二实施例的磁记录介质110是细长的垂直磁记录介质，如图8所示，其包括薄膜形衬底111，软磁基层(以下称为“sul”)112，第一种子层113a，第二种子层113b，第一基层114a，第二基层114b和记录层115。所述sul112，第一和第二种子层113a和113b，第一和第二基层114a和114b以及所录层115例如是诸如溅射层的真空薄膜。
所述sul112，第一和第二种子层113a和113b以及第一和第二基层114a和114b设置在衬底111的一个主表面(下文中称为“表面”)和记录层115之间，并且，所述sul112，第一种子层113a，第二种子层113b，第一基层114a和第二基层114b从衬底111朝向记录层115依次层叠。
如果需要，所述磁记录介质110还可以包括设置在所述记录层115上的保护层116和设置在所述保护层116上的润滑层117。此外，如果需要，所述磁记录介质110还可以包括设置在衬底111的另一个主表面(下文中称为“背面”)上的背层118。
以下，将所述磁记录介质110的纵向(所述衬底111的长度方向)称为机器方向(md)。这里，机器方向是指记录和再现头相对于所述磁记录介质110的相对移动方向，即，在记录/再现时所述磁记录介质110的延伸方向。
根据第二实施方式的磁记录介质110适用作数据存档的存储介质，预计将来会有越来越多的存储介质需要。所述磁记录介质110能够实现例如表面记录密度，其是用于存储的当前涂覆型磁记录介质的十倍或更高，即，表面记录密度为50gb/in2或更多。在使用具有这种表面记录密度的磁记录介质110配置普通线性记录数据盒的情况下，可以记录每个数据盒的100tb或更大的大容量。
根据第二实施方式的所述磁记录介质110适用于包括环型记录头和巨磁阻(gmr)型或隧道磁阻(tmr)型再现头的记录/再现装置(用于记录和再现数据的记录/再现装置)。此外，对于根据第二实施方式的所述磁记录介质110，优选使用环型记录头作为伺服信号写入头。在所述记录层115上，数据信号由例如环型记录头垂直记录。此外，在所述记录层115上，伺服信号由例如环型记录头垂直记录。
所述磁记录介质110的平均厚度tt，尺寸变化量δw，温度膨胀系数α，湿度膨胀系数β，泊松比ρ，纵向弹性极限σmd，所述背层118的平均厚度tb，所述背层118的表面粗糙度rb，磁面和背层之间的层间摩擦系数μ等与第一实施方式中的类似。
(衬底)
所述衬底111类似于根据第一实施方式的所述衬底11。
(sul)
所述sul112包括处于非晶态的软磁材料。所述软磁材料包括例如co基材料或fe基材料中的至少一种。所述co基材料包含例如cozrnb，cozrta或cozrtanb。所述fe基材料包含例如fecob，fecozr或fecota。
所述sul112是单层sul，并且直接设置在所述衬底111上。所述sul112的平均厚度优选为10nm或更大且50nm或更小，更优选为20nm或更大且30nm或更小。
以与根据第一实施方式的所述记录层13类似的方式确定sul112的平均厚度。注意，如后所述的除sul112之外的层的平均厚度(即，所述第一和第二种子层113a和113b，所述第一和第二基层114a和114b以及所述记录层115的平均厚度)以与根据第一实施方式的所述记录层13类似的方式确定。然而，tem图像的放大倍数根据每层的厚度适当调节。
(第一和第二种子层)
所述第一种子层113a包括含有ti和cr的合金，并且具有非晶态。此外，该合金还可以在其中含有o(氧)。氧可以是在通过诸如溅射法的沉积方法沉积所述第一种子层113a时在所述第一种子层113a中少量包含的杂质氧。
这里，术语“合金”是指至少一种的例如固溶体，共熔合金和含有ti和cr的金属间化合物。“非晶态”是指通过x射线衍射或电子束衍射法等观察到光环，从而不能识别晶体结构。
ti与所述第一种子层113a中包含的ti和cr的总量的原子比优选在30原子％以上且小于100原子％的范围内，更优选地在50原子％以上且小于100原子％的范围内。当ti的原子比小于30％时，cr的体心立方晶格(bcc)结构的(100)面将被取向，并且在所述第一种子层113a上形成的所述第一和第二基层114a和114b具有取向的可能性降低。
上述ti的原子比如下确定。通过俄歇电子能谱(以下称为“aes”)对所述第一种子层113a进行深度分布分析(深度分布测量)，同时从所述记录层115侧对所述磁记录介质110进行离子研磨。然后，由获得的深度分布确定ti和cr在膜厚度方向上的平均组成(平均原子比)。接下来，使用所获得的ti和cr的平均组成来确定上述ti的原子比。
在所述第一种子层113a包含ti，cr和o的情况下，所述第一种子层113a中包含的o与ti，cr和o的总量的原子比优选为15原子％或更小，更优选为10原子％或更小。当o的原子比超过15原子％时，tio2晶体的产生将影响形成在所述第一种子层113a上的所述第一和第二基层114a和114b的晶核的形成，并且所述第一和第二基层114a和114b具有取向的可能性降低。使用与上述ti的原子比类似的分析方法测定o的原子比。
包含在所述第一种子层113a中的合金还可以包含除ti和cr之外的元素作为添加元素。所述添加元素的示例包括，例如，选自nb，ni，mo，al，w等的一种或多种元素。
所述第一种子层113a的平均厚度优选为2nm或更大且15nm或更小，更优选为3nm或更大且10μm或更小。
所述第二种子层113b包含例如niw或ta，并且具有结晶态。所述第二种子层113b的平均厚度优选为3nm或更大且20nm或更小，更优选为5nm或更大且15nm或更小。
所述第一和第二种子层113a和113b具有与所述第一和第二基层114a和114b类似的晶体结构，并且用作种子层，其根据所述第一和第二种子层113a和113b的非晶态改善所述第一和第二基层114a和114b的垂直取向，但其不是为了晶体生长而提供的种子层。
(第一和第二基层)
所述第一和第二基层114a和114b优选具有与所述记录层115的晶体结构类似的晶体结构。在所述记录层115包括co基合金的情况下，所述第一和第二基层114a和114b包括具有类似于co基合金的密排六方(hcp)结构的材料，并且c轴优选在垂直于膜表面的方向上(即，在膜厚度方向上)取向。这是因为可以提高所述记录层115的取向，并且因为可以使所述第二基层114b和所述记录层115之间的晶格常数匹配相对良好。作为具有密排六方(hcp)结构的材料，优选使用含ru的材料，特别优选ru单质或ru合金。ru合金的示例包括例如ru合金氧化物，例如ru-sio2，ru-tio2或ru-zro2。
如上所述，可以用类似的材料作为所述第一和第二基层114a和114b的材料。然而，对于所述第一和第二基层114a和114b中的每一个，预期效果都不同。具体地，所述第二基层114b具有促进所述记录层115的粒状结构的膜结构，所述记录层115用作基层的上层，并且第一基层114a具有高晶体取向的膜结构。为了获得这种膜结构，诸如溅射条件的沉积条件优选地对于所述第一和第二基层114a和114b中的每一个是不同的。
所述第一基层114a的平均厚度优选为3nm或更大且15nm或更小，更优选为5nm或更大且10nm或更小。所述第二基层114b的平均厚度优选为7nm或更大且40nm或更小，更优选为10nm或更大且25nm或更小。
(记录层)
作为磁性层的所述记录层115是垂直磁记录层，其中磁性材料垂直取向。从提高记录密度的观点来看，所述记录层115优选包含co基合金的粒状磁性层。该粒状磁性层包括含有co基合金的铁磁晶体颗粒和围绕铁磁晶体颗粒的非磁性颗粒边界(非磁性材料)。更具体地，所述粒状磁性层包括含co基合金的柱(柱状晶体)和围绕柱并磁性分离柱的非磁性颗粒边界(例如，诸如sio2的氧化物)。该结构可以构成具有磁柱分离的各个柱的结构的所述记录层115。
所述co基合金具有密排六方(hcp)结构，并且其c轴在垂直于膜表面的方向(膜厚度方向)上取向。作为co基合金，优选使用至少含有co，cr和pt的cocrpt基合金。cocrpt基合金不应被认为是特别限制的，并且cocrpt合金还可以包含添加元素。添加元素的示例包括，例如，选自ni，ta等的一种或多种元素。
围绕铁磁晶体颗粒的非磁性颗粒边界包括非磁性金属材料。这里，金属被认为包含半金属。作为非磁性金属材料，例如，可以使用金属氧化物或金属氮化物中的至少一种，并且从保持粒状结构更稳定的观点来看，优选使用金属氧化物。金属氧化物的示例包括含有选自si，cr，co，al，ti，ta，zr，ce，y，hf等中的至少一种或多种元素的金属氧化物，优选至少含有si氧化物(即sio2)的金属氧化物。金属氧化物的具体示例包括sio2，cr2o3，coo，al2o3，tio2，ta2o5，zro2，hfo2等。金属氮化物的示例包括含有选自si，cr，co，al，ti，ta，zr，ce，y，hf等中的至少一种或多种元素的金属氮化物。金属氮化物的具体示例包括sin，tin，aln等。
包含在铁磁性晶体颗粒中的cocrpt基合金和包含在非磁性颗粒边界中的si氧化物具有由下式(1)表示的平均组成。这是因为可以实现能够抑制反磁场的影响并确保足够的再现输出的饱和磁化量ms，从而实现进一步改善记录和再现特性。
(coxptycr100-x-y)100-z-(sio2)z...(1)
(在式(1)中，x，y和z分别表示在69≤x≤75，10≤y≤16和9≤z≤12的范围内的值。)
注意，上述组合物可以如下确定。通过aes对所述记录层115进行深度分布分析，同时从所述记录层115侧对所述磁记录介质110进行离子研磨，从而确定co，pt，cr，si和o在厚度方向上的平均组成(平均原子比)。
所述记录层115的平均厚度tm优选满足9[nm]≤tm≤90[nm]的要求，更优选9[nm]≤tm≤20[nm]，还更优选9[nm]≤tm≤15[nm]。当所述记录层13的平均厚度tm满足9[nm]≤tm≤90[nm]的要求时，可以改善电磁转换特性。
(保护层)
所述保护层116包含例如碳材料或二氧化硅(sio2)，并且从所述保护层116的膜强度的观点来看，优选包括碳材料。碳材料的示例包括例如石墨，类金刚石碳(dlc)，金刚石等。
(润滑层)
所述润滑层117包括至少一种润滑剂。如果需要，所述润滑层117还可包括各种添加剂，例如防锈剂。所述润滑剂具有至少两个羧基和一个酯键，并含有至少一种由下列通式(1)表示的羧酸化合物。所述润滑剂还可以包括除下述通式(1)表示的羧酸化合物之外的一种润滑剂。
通式(1)：
[化学式1]
(式中，rf表示未取代或取代的饱和或不饱和的含氟烃基或烃基，es表示酯键，r可以省略，表示未取代或取代的饱和或不饱和烃基。)
上述羧酸化合物优选由下列通式(2)或(3)表示。
通式(2)：
[化学式2]
(在该式中，rf表示未取代或取代的饱和或不饱和的含氟烃基或烃基。)
通式(3)：
[化学式3]
(在该式中，rf表示未取代或取代的，饱和或不饱和的含氟烃基或烃基。)
所述润滑剂优选包括通式(2)和(3)表示的一种或两种羧酸化合物。
当包含通式(1)表示的羧酸化合物的润滑剂被涂敷到所述记录层115，保护层116等时，通过作为疏水基团的含氟烃基或烃基rf之间的内聚力产生润滑作用。基团rf是疏水基团。在rf基团是含氟烃基的情况下，总碳数优选为6至50，并且氟化烃基的总碳数优选为4至20。所述rf基团可以是饱和的或不饱和的，并且是直链，支链或环状的，但特别优选饱和的和线性的。
例如，在rf基团是烃基的情况下，rf基团理想地是由下列通式(4)表示的基团。
通式(4)：
[化学式4]
(在通式(4)中，1表示选自8至30，更理想为12至20的整数。)
此外，在rf基团是含氟烃基的情况下，rf基团理想地是由以下通式(5)表示的基团。
通式(5)：
[化学式5]
(在通式(5)中，m和n各自表示选自以下范围的整数：m＝2至20，n＝3至18，更理想的是m＝4至13，n＝3至10)。
所述氟化烃基可以如上所述在一个位点上集中，或者如以下通式(6)那样分散，并且不仅可以是-cf3或-cf2-，还可以是-chf2，-chf-等。
通式(6)：
[化学式6]
(在通式(6)中，n1+n2＝n，m1+m2＝m。)
如上所述，通式(4)，(5)和(6)中的碳数受到限制，因为当构成烷基或含氟烷基的碳原子数(1，或者m和n的总和)等于或大于上述下限时，基团的长度达到合适的长度，从而有效地发挥疏水基团之间的内聚力，产生良好的润滑作用，并改善摩擦/磨损耐久性。此外，由于当碳原子数等于或小于上述上限时，包含羧酸化合物的润滑剂在溶剂中的溶解度保持良好。
特别地，当该基团含有氟原子时，rf基团可有效地降低摩擦系数，此外，还可改善运行性能等。然而，优选在含氟烃基和酯键之间提供烃基，从而在含氟烃基和酯键之间具有空间，确保酯键的稳定性以防止水解。
此外，rf基团可具有氟代烷基醚基团或全氟聚醚基团。
可以省略r基团，但如果有的话，优选具有相对少量碳原子的烃链。
此外，rf基团或r基团包含作为构成元素的元素例如氮，氧，硫，磷或卤素，并且除了已经描述的官能团之外，还可以具有羟基，羧基，羰基，氨基，酯键等。
具体地，由通式(1)表示的羧酸化合物优选为以下化合物中的至少一种。换句话说，润滑剂优选含有至少一种下列化合物。
cf3(cf2)7(ch2)10cooch(cooh)ch2cooh
cf3(cf2)3(ch2)10cooch(cooh)ch2cooh
c17h35cooch(cooh)ch2cooh
cf3(cf2)7(ch2)2ococh2ch(c18h37)cooch(cooh)ch2cooh
cf3(cf2)7cooch(cooh)ch2cooh
chf2(cf2)7cooch(cooh)ch2cooh
cf3(cf2)7(ch2)2ococh2ch(cooh)ch2cooh
cf3(cf2)7(ch2)6ococh2ch(cooh)ch2cooh
cf3(cf2)7(ch2)11ococh2ch(cooh)ch2cooh
cf3(cf2)3(ch2)6ococh2ch(cooh)ch2cooh
c18h37ococh2ch(cooh)ch2cooh
cf3(cf2)7(ch2)4cooch(cooh)ch2cooh
cf3(cf2)3(ch2)4cooch(cooh)ch2cooh
cf3(cf2)3(ch2)7cooch(cooh)ch2cooh
cf3(cf2)9(ch2)10cooch(cooh)ch2cooh
cf3(cf2)7(ch2)12cooch(cooh)ch2cooh
cf3(cf2)5(ch2)10cooch(cooh)ch2cooh
cf3(cf2)7ch(c9h19)ch2ch＝ch(ch2)7cooch(cooh)ch2cooh
cf3(cf2)7ch(c6h13)(ch2)7cooch(cooh)ch2cooh
ch3(ch2)3(ch2ch2ch(ch2ch2(cf2)9cf3))2(ch2)7cooch(cooh)ch2cooh
由通式(1)表示的羧酸类化合物，其可溶于对环境负担低的非氟溶剂，具有可使用通用溶剂如烃类溶剂，酮类溶剂，醇类溶剂和酯类溶剂进行涂布，浸渍和喷涂等操作的优点。具体地，示例可包括例如己烷，庚烷，辛烷，癸烷，十二烷，苯，甲苯，二甲苯，环己烷，甲基乙基酮，甲基异丁基酮，甲醇，乙醇，异丙醇，乙醚，四氢呋喃，二氧六环和环己酮的溶剂。
在所述保护层116包括碳材料的情况下，当将上述羧酸化合物作为润滑剂涂敷到所述保护层116上时，用作润滑剂分子的极性基团位点的两个羧基和至少一个酯连接基团被吸附到所述保护层116上，从而疏水基团之间的内聚力形成特别具有良好耐久性的所述润滑层117。
注意，所述润滑剂不仅如上所述作为所述润滑层117保持在所述磁记录介质110的表面上，而且还可以包含并保持在诸如所述记录层115和构成所述磁记录介质110的所述保护层116的层中。
(背层)
所述背层118类似于根据第一实施方式的所述背层14。
[溅射装置的配置]
参考图9描述根据第二实施方式的用于制造所述磁记录介质110的溅射装置120的配置的示例。溅射装置120是用于沉积所述sul112，第一种子层113a，第二种子层113b，第一基层114a，第二基层114b和记录层115的连续卷绕型溅射装置，如图9所示，其包括沉积室121，金属罐(旋转体)的磁鼓122，阴极123a至123f，供带盘124，收带盘125和多个导辊127a至127c和128a至128c。所述溅射装置120例如是dc(直流)磁控溅射型装置，但所述溅射型不限于上述类型。
所述沉积室121通过排气口126连接到真空泵(未示出)，并且所述沉积室121中的气氛通过真空泵设定到预定的真空度。具有可旋转构造的所述磁鼓122，所述供带盘124和所述收带盘125设置在所述沉积室121内。在所述沉积室121内部，设置有多个导辊127a至127c用于引导衬底111在供带盘124和磁鼓122之间的转移，并且设置有多个导辊128a至128c用于引导所述衬底111在所述磁鼓122和所述收带盘125之间的转移。溅射时，从所述供带盘124展开的衬底111经由导辊127a至127c，磁鼓122和导辊128a至128c缠绕在收带盘125上。所述磁鼓122具有圆柱形状，并且所述细长衬底111沿所述磁鼓122的外周圆柱表面传送。所述磁鼓122设置有冷却机构(未示出)，并在溅射时冷却至例如约-20℃。在所述沉积室121内，多个阴极123a至123f设置为面向所述磁鼓122的外周表面。分别为这些阴极123a至123f设定目标。具体地，用于沉积所述sul112，第一种子层113a，第二种子层113b，第一基层114a，第二基层114b和记录层115的目标分别被设置用于阴极123a，123b，123c，123d，123e和123f。利用这些阴极123a至123f，多种膜，即所述sul112，第一种子层113a，第二种子层113b，所一基层114a，第二基层114b和记录层115是同时沉积的。
具有上述构造的所述溅射装置120能够通过卷对卷方法连续沉积所述sul112，第一种子层113a，第二种子层113b，第一基层114a，第二基层114b和记录层115。
[磁记录介质的制造方法]
根据第二实施方式的所述磁记录介质110可以如下制造。
首先，使用图9所示的所述溅射装置120在所述衬底111的表面上依次沉积所述sul112，第一种子层113a，第二种子层113b，第一基层114a，第二基层114b和记录层115。具体地，沉积如下进行。首先，将所述沉积室121抽真空直至达到预定压力。此后，在所述沉积室121中引入诸如ar气的工艺气体的同时，溅射设置在阴极123a至123f上的目标。由此，所述sul112，第一种子层113a，第二种子层113b，第一基层114a，第二基层114b和记录层115依次沉积在行进的衬底111的表面上。
溅射时所述沉积室121的气氛被设定为例如约1×10-5pa至5×10-5pa。通过调节卷绕在所述衬底111的磁带的线速度，在溅射时引入的诸如ar气的工艺气体的压力(溅射气体压力)，输入功率等，可以控制所述sul112，第一种子层113a，第二种子层113b，第一基层114a，第二基层114b和记录层115的厚度和特性。
随后，在所述记录层115上沉积保护层116。作为沉积所述保护层116的方法，例如，可以使用化学气相沉积(cvd)法或物理气相沉积(pvd)法。
接下来，通过将粘合剂，无机颗粒，润滑剂等捏合和分散在溶剂中来制备用于背层沉积的涂料。然后，通过将用于背层沉积的涂料涂覆在所述衬底111的背面并干燥涂料，而将背层118沉积在所述衬底111的背面。
接下来，例如，将润滑剂涂敷到所述保护层116上以沉积所述润滑层117。可以使用各种涂覆方法作为涂覆润滑剂的方法，例如凹版涂覆和浸涂。随后，如果需要，将所述磁记录介质110切割成预定宽度。由此，获得了图8中所示的磁记录介质110。
[有益效果]
与第一实施方式中一样，对于根据第二实施方式的磁记录介质110，通过调节所述磁记录介质10的纵向张力，所述磁记录介质10的宽度可以保持恒定或基本恒定。
[修改示例]
所述磁记录介质110还可以包括在所述衬底111和sul112之间的基层。所述sul112具有非晶态，因此不会促进形成在sul112上层的外延生长，不干扰在所述sul112上形成的第一和第二基层114a和114b的晶体取向。为此，软磁材料优选具有不形成柱的精细结构，但是在很大程度上受到水分等从所述衬底111的脱除的影响，软磁材料可能会粗化，从而干扰形成在所述sul112上的第一和第二基层114a和114b的晶体取向。为了抑制水分等从所述衬底111脱除的影响，如上所述，优选在所述衬底111和sul112之间设置包括含有ti和cr的合金并且具有非晶态的基层。作为基层的具体配置，可以采用与根据第二实施方式的所述第一种子层113a类似的配置。
所述磁记录介质110可以不包括所述第二种子层113b或第二基层114b中的至少一个。然而，从提高snr的观点来看，更优选包括所述第二种子层113b和第二基层114b。
所述磁记录介质110可以包括反平行耦合的sul(apc-sul)而不是单层sul。
<3第三实施方式>
[磁记录介质的配置]
如图10所示，根据第三实施方式的磁记录介质130包括衬底111，sul112，种子层131，第一基层132a，第二基层132b和记录层115。在第三实施方式中，与第二实施方式中的部件类似的部件由相同的附图标记表示，并且省略其描述。
所述sul112，种子层131以及第一和第二基层132a和132b设置在所述衬底111的所述衬底111的一个主表面和所述记录层115之间，并且所述sul112，种子层131，第一基层132a和第二基层132b在从所述衬底111朝向记录层115的方向上依次堆叠。
(种子层)
所述种子层131包含cr，ni和fe，具有面心立方晶格(fcc)结构，并且面心立方结构的(111)面优先取向为平行于所述衬底111的表面。这里，优先取向是指在通过x射线衍射法进行θ-2θ扫描时，面心立方晶格结构的(111)面的衍射峰强度高于其他晶面的衍射峰的状态，或者在通过x射线衍射法进行θ-2θ扫描时，仅观察到来自面心立方晶格结构的(111)面的衍射峰强度的状态。
从提高snr的观点出发，所述种子层131的x射线衍射强度比优选为60cps/nm或更大，更优选为70cps/nm或更大，还更优选为80cps/nm或更大。这里，所述种子层131的x射线衍射强度比是指通过用种子层131的x射线衍射的强度i(cps)除以种子层131的平均厚度d(nm)而获得的值(i/d(cps/nm))。
所述种子层131中含有的cr，ni和fe优选具有由下式(2)表示的平均组成。
crx(niyfe100-y)100-x...(2)
(在式(2)中，x落在10≤x≤45的范围内，y落在60≤y≤90的范围内。)
当x落入上述范围内时，cr，ni和fe的面心立方晶格结构的(111)取向得到改善，从而可以实现更良好的snr。同样地，当y落入上述范围内时，cr，ni和fe的面心立方晶格结构的(111)取向得到改善，从而可以实现更良好的snr。
所述种子层131的平均厚度优选为5nm或更大且40nm或更小。当所述种子层131的平均厚度落入该范围内时，cr，ni和fe的面心立方晶格结构的(111)取向得到改善，从而可以实现更良好的snr。注意，所述种子层131的平均厚度以与根据第一实施方式的所述记录层13类似的方式确定。然而，tem图像的放大倍数根据所述种子层131的厚度适当地调节。
(第一和第二基层)
所述第一基层132a包含具有面心立方晶格结构的co和o，并且具有柱(柱状晶体)结构。包含co和o的所述第一基层132a实现与包含ru的所述第二基层132b的效果(功能)基本相似的效果(功能)。o的平均原子浓度与co的平均原子浓度的浓度比((o的平均原子浓度)/co的平均原子浓度))为1或更大。当浓度比为1或更大时，改善了设置所述第一基层132a的效果，从而可以实现更良好的snr。
从提高snr的观点出发，所述柱结构优选倾斜。倾斜方向优选是所述细长磁记录介质130的纵向。如上所述，纵向是优选的。原因在于，根据本实施方式的所述磁记录介质130是所谓的线性记录磁记录介质，并且记录轨道平行于所述磁记录介质130的纵向。此外，根据该实施方式的所述磁记录介质130也可以是所谓的垂直磁记录介质，并且从记录特性的观点出发，所述记录层115的晶体取向轴优选地在垂直方向上前进，但是由于所述第一基层132a的柱结构倾斜的影响，在某些情况下所述记录层115的晶体取向轴可以是倾斜的。在用于线性记录的所述磁记录介质130中，关于记录时的磁头磁场，与所述记录层115的晶体取向轴在所述磁记录介质130的宽度方向上倾斜的配置相比，所述记录层115的晶体取向轴在所述磁记录介质130的纵向上倾斜的配置可以减少由于晶体取向轴的倾斜而对记录特性的影响。为了使所述记录层115的晶体取向轴在所述磁记录介质130的纵向上倾斜，如上所述，所述第一基层132a的柱结构的倾斜方向优选在所述磁记录介质130的纵向上倾向。
所述柱结构的倾斜角优选大于0°且不大于60°。在大于0°且不大于60°的倾斜角度范围内，包括在所述第一基层132a中的柱的尖端形状变为大致三角形，因此存在增强粒状结构效果，降低噪音，改善snr的趋势。另一方面，当倾斜角超过60°时，包括在所述第一基层132a中的柱的尖端形状变化很小并且不太可能具有基本上三角形的形状，因此存在降低低噪声效果的趋势。
所述柱结构的平均粒径为3nm或更大且13nm或更小。当平均粒径小于3nm时，包含在所述记录层115中的柱结构的平均粒径减小，因此存在本发明的磁性材料保持记录的能力可能降低的可能性。另一方面，当平均粒径为13nm或更小时，噪声被抑制，从而可以实现更良好的snr。
所述第一基层132a的平均厚度优选为10nm或更大且150nm或更小。当所述第一基层132a的平均厚度为10nm或更大时，所述第一基层132a的面心立方晶格结构的(111)取向得到改善，从而可以实现更良好的snr。另一方面，当所述第一基层132a的平均厚度为150nm或更小时，可以防止柱的粒径增大。因此，抑制了噪声，从而可以实现更良好的snr。注意，所述第一基层132a的平均厚度以与根据第一实施方式的所述记录层13类似的方式确定。然而，tem图像的放大倍数根据所述第一基层132a的厚度适当调节。
所述第二基层132b优选地具有与所述记录层115的晶体结构类似的晶体结构。在所述记录层115包括co基合金的情况下，所述第二基层132b包括具有类似于co基合金的密排六方(hcp)结构的材料，并且该结构的c轴优选地在垂直于膜表面的方向上(即，在膜厚度方向上)取向。这是因为可以提高所述记录层115的取向，并且因为可以使所述第二基层132b和所述记录层115之间的晶格常数匹配相对良好。作为具有密排六方结构的材料，优选使用含ru的材料，特别优选ru单质或ru合金。ru合金的示例包括例如ru合金氧化物，例如ru-sio2，ru-tio2或ru-zro2。
所述第二基层132b的平均厚度可以小于普通磁记录介质中的基层(例如，包含ru的基层)的平均厚度，并且可以是例如1nm或更大且5nm或更小。具有上述配置的所述种子层131和所述第一基层132a设置在所述第二基层132b下方，因此即使所述第二基层132b的平均厚度如上所述较小，也可以实现良好的snr。注意，所述第二基层132b的平均厚度以与根据第一实施方式的所述记录层13类似的方式确定。然而，tem图像的放大倍数根据所述第二基层132b的厚度适当调节。
[有益效果]
与第一实施方式中一样，对于根据第三实施方式的所述磁记录介质130，通过调节所述磁记录介质10的纵向张力，所述磁记录介质10的宽度可以保持恒定或基本恒定。
根据第三实施方式的所述磁记录介质130包括在衬底111和第二基层132b之间的种子层131和第一基层132a。所述种子层131包含cr，ni和fe，具有面心立方晶格结构，并且面心立方结构的(111)面优先取向为平行于所述衬底111的表面。所述第一基层132a包含co和o，并具有其中的o的平均原子浓度与co的平均原子浓度的比率为1或更大的柱结构，并且平均粒径为3nm或更大且13nm或更小。因此，通过减小所述第二基层132b的厚度，并且尽可能少地使用昂贵材料ru，可以实现具有良好的晶体取向和高矫顽力的所述记录层115。
包含在所述第二基层132b中的ru具有与作为所述记录层115的主要成分的co相同的密排六方晶格结构。因此，ru具有实现所述记录层115改善晶体取向与提升粒度之间的平衡的效果。此外，为了进一步改善所述第二基层132b中包含的ru的晶体取向，所述第一基层132a和所述种子层131设置在所述第二基层132b下方。对于根据第三实施方式的所述磁记录介质130，包含具有面心立方晶格结构的廉价coo的所述第一基层132a实现与包含ru的所述第二基层132b的效果(功能)基本类似的效果(功能)。因此，可以减小所述第二基层132b的厚度。此外，为了增强所述第一基层132a的晶体取向，设置包含cr，ni和fe的所述种子层131。
实施例
将参考实施例具体描述本公开，但是本公开不应被视为仅限于这些实施例。
在以下的实施例和对比例中，磁带的平均厚度tt，相对于磁带纵向张力变化的磁带宽度方向上的尺寸变化量δw，磁带的温度膨胀系数α，磁带的湿度膨胀系数β，磁带的泊松比ρ，磁带纵向弹性极限值σmd，记录层的平均厚度tm，矩形比s2，背层的平均厚度tb，背层的表面粗糙度rb以及磁面与背面之间的层间摩擦系数μ具有通过第一实施例中描述的测量方法获得的值。然而，如后所述，在实施例11中，将用于测量纵向弹性极限值σmd的速度v设定为与第一实施方式中不同的值。
[实施例1]
(用于记录层形成的涂料的准备步骤)
如下制备用于形成记录层的涂料。首先，用挤出机捏合下列组合的第一组成。接下来，将捏合的第一组成和下列组合的第二组成添加到配备有分散器的搅拌槽中并预先混合。随后，将混合物进一步用砂磨机混合，并进行过滤处理以制备用于记录层形成的涂料。
(第一组成)
ε-氧化铁纳米颗粒(ε-fe2o3晶体颗粒)粉末：100质量份
氯乙烯树脂(30质量％的环己酮溶液)：10质量份
(聚合度：300，mn＝10000，含有oso3k＝0.07mmol/g
以及仲oh＝0.3mmol/g作为极性基团)
氧化铝粉末：5质量份
(α-al2o3，平均粒径0.2μm)
炭黑：2质量份
(tokaicarbon有限公司制造，商品名：seastta)
(第二组成)
氯乙烯树脂：1.1质量份
(树脂溶液：树脂含量30质量％，环己酮70质量％)
硬脂酸正丁酯：2质量份
甲基乙基酮：121.3质量份
甲苯：121.3质量份
环己酮：60.7质量份
最后，作为固化剂，将4质量份的聚异氰酸酯(商品名：coronatel，由nipponpolyurethaneindustry有限公司制造)和2质量份的肉豆蔻酸加入到用于记录层形成的涂料中，以上述方式制备。
(用于基层形成的涂料的准备步骤)
如下制备用于基层形成的涂料。首先，用挤出机捏合下列组合的第三组成。接下来，将捏合的第三组成和下列组合的第四组成添加到配备有分散器的搅拌槽中并预先混合。随后，将混合物进一步用砂磨机混合，并进行过滤处理以制备用于基层形成的涂料。
(第三组成)
针状氧化铁粉末：100质量份
(α-fe2o3，平均主轴长度0.15μm)
氯乙烯树脂：55.6质量份
(树脂溶液：树脂含量30质量％，环己酮70质量％)
炭黑：10质量份
(平均粒径20纳米)
(第四组成)
聚氨酯树脂ur8200(由toyobo有限公司制造)：18.5质量份
硬脂酸正丁酯：2质量份
甲基乙基酮：108.2质量份
甲苯：108.2质量份
环己酮：18.5质量份
最后，作为固化剂，将4质量份的聚异氰酸酯(商品名：coronatel，由nipponpolyurethaneindustry有限公司制造)和2质量份肉豆蔻酸加入到用于基层形成的涂料中，以上述方式制备。
(用于背层形成的涂料的准备步骤)
如下制备用于背层形成的涂料。将下列原料在配备有分散器的搅拌槽中混合，并进行过滤处理以制备用于背层形成的涂料。
炭黑(由asahi公司制造，商品名：#80)：100质量份
聚酯型聚氨酯：100质量份
(商品名：n-2304，由立邦聚氨酯工业有限公司制造)
甲基乙基酮：500质量份
甲苯：400质量份
环己酮：100质量份
(沉积步骤)
使用以上述方式制备的涂料，以下述方式在作为非磁性载体的长的聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜(下文称为“pen薄膜”)上形成平均厚度为1.0μm的基层和平均厚度为90nm的记录层。首先，通过将用于基层形成的涂料涂覆到膜上并干燥涂料，在膜上形成基层。接下来，通过将用于记录层形成的涂料涂覆到基层上并干燥涂料，在基层上形成记录层。注意，在干燥用于记录层形成的涂料时，磁粉在薄膜的厚度方向上通过螺线管线圈磁性取向。此外，调节将磁场施加到用于记录层形成的涂料的时间，从而将磁带的厚度方向(垂直方向)上的矩形比s2设定为65％。
随后，将具有0.6μm平均厚度的背层涂覆到具有基层和记录层的膜上并干燥。然后，对形成有基层，记录层和背层的膜进行固化处理。随后，进行压延处理以使记录层的表面平滑。在这方面，在调节压延处理的条件(温度)使得磁面和背面之间的层间摩擦系数μ为0.5之后，进行再固化处理以获得平均厚度为5.5μm的磁带。
(切割步骤)
将以上述方式获得的磁带切割成1/2英寸(12.65mm)宽。因此，获得了具有表1和2中所示特性的预期细长磁带。
[实施例2]
使pen膜的厚度小于实施例1中的厚度，使得尺寸变化量δw为750[ppm/n]。除了以上所述之外，以与实施例1类似的方式获得磁带。
[实施例3]
使pen膜的厚度小于实施例1中的厚度，使得尺寸变化量δw为800[ppm/n]，并进一步减小背层和基层的平均厚度。除了以上所述之外，以与实施例1类似的方式获得磁带。
[实施例4]
使pen膜的厚度小于实施例1中的厚度，使得尺寸变化量δw为800[ppm/n]，并进一步减小背层和基层的平均厚度。此外，对于形成有基层，记录层和背层的膜，调整固化处理条件。除了以上所述之外，以与实施例1类似的方式获得磁带。
[实施例5]
除了改变用于基层形成的涂料的组成使得温度膨胀系数α为8[ppm/℃]外，以与实施例4类似的方式获得磁带。
[实施例6]
除了在pen膜的两个表面上形成薄的阻挡层使得湿度膨胀系数β为3[ppm/％rh]外，以与实施例4类似的方式获得磁带。
[实施例7]
除了改变用于背层形成的涂料的组成使得泊松比ρ为0.31外，以与实施例4类似的方式获得磁带。
[实施例8]
除了改变用于背层形成的涂料的组成使得泊松比ρ为0.35外，以与实施例4类似的方式获得磁带。
[实施例9]
除了调节具有形成的基层，记录层和背层的膜的固化条件，使得纵向弹性极限值σmd为0.8[n]外，以与实施例7类似的方式获得磁带。
[实施例10]
除了调节具有形成的基层，记录层和背层的膜的固化条件和再固化条件，使得纵向弹性极限值σmd为3.5[n]外，以与实施例7类似的方式获得磁带。
[实施例11]
以与实施例9类似的方式获得磁带。然后，测量所获得的磁带的弹性极限值σmd，同时将用于测量纵向弹性极限值σmd的速度v改变为5mm/min。结果，相对于纵向弹性极限值σmd(实施例9)，上述速度v为0.5mm/min时的纵向弹性极限值σmd为0.8并没有变化。
[实施例12]
除了改变用于记录层形成的涂料的涂层厚度使得记录层的平均厚度tm为40nm外，以与实施例7类似的方式获得磁带。
[实施例13]
(sul沉积步骤)
首先，在下述沉积条件下，作为非磁性载体的长的聚合物膜的表面上形成平均厚度为10nm的cozrnb层(sul)。注意，pen膜用作聚合物膜。
沉积方法：直流磁控溅射法
目标：cozrnb目标
气体种类：ar
气压：0.1pa
(第一种子层的沉积步骤)
接着，在下述沉积条件下，在cozrnb层上沉积平均厚度为5nm的ticr层(第一种子层)。
溅射方法：直流磁控溅射法
目标：ticr目标
极限真空：5×10-5pa
气体种类：ar
气压：0.5pa
(第二种子层的沉积步骤)
接下来，在下述沉积条件下，在ticr层上沉积平均厚度为10nm的niw层(第二种子层)。
溅射方法：直流磁控溅射法
目标：niw目标
极限真空：5×10-5pa
气体种类：ar
气压：0.5pa
(第一基层的沉积步骤)
接着，在下述沉积条件下，在niw层上沉积平均厚度为10nm的ru层(第一基层)。
溅射方法：直流磁控溅射法
目标：ru目标
气体种类：ar
气压：0.5pa
(第二基层的沉积步骤)
接着，在下述沉积条件下，在ru层上沉积平均厚度为20nm的ru层(第二基层)。
溅射方法：直流磁控溅射法
目标：ru目标
气体种类：ar
气压：1.5pa
(记录层的沉积步骤)
接下来，在下述沉积条件下，在ru层上沉积平均厚度为9nm的(cocrpt)-(sio2)层(记录层)。
溅射方法：直流磁控溅射法
目标：(cocrpt)-(sio2)目标
气体种类：ar
气压：1.5pa
(保护层的沉积步骤)
接下来，在下述沉积条件下，在记录层上沉积平均厚度为5nm的碳层(保护层)。
沉积方法：直流磁控溅射法
目标：碳目标
气体种类：ar
气压：1.0pa
(润滑层的沉积步骤)
接下来，将润滑剂涂覆到保护层上以形成润滑层。
(背层的沉积步骤)
接下来，将用于背层形成的涂料涂覆到与记录层相对的一侧的表面上并干燥以形成平均厚度为0.3μm的背层。因此，获得平均厚度为4.0μm的磁带。
(切割步骤)
将以上述方式获得的磁带切割成1/2英寸(12.65mm)宽。因此，获得了具有表1和2中所示特性的预期细长磁带。
[实施例14]
除了改变用于背层形成的涂料的涂层厚度，使得背层的平均厚度tb为0.2μm外，以与实施例7类似的方式获得磁带。
[实施例15]
除了改变用于背层形成的涂料的组成使得背层的表面粗糙度rb为3[nm]外，以与实施例7类似的方式获得磁带。
[实施例16]
除了调节压延处理的条件(温度)使得磁面和背面之间的层间摩擦系数μ为0.2外，以与实施例7类似的方式获得磁带。
[实施例17]
除了调节压延处理的条件(温度)使得磁面和背面之间的层间摩擦系数μ为0.8外，以与实施例7类似的方式获得磁带。
[实施例18]
除了改变用于记录层形成的涂料的涂层厚度使得记录层的平均厚度tm为110nm外，以与实施例7类似的方式获得磁带。
[实施例19]
除了改变用于背层形成的涂料的组成使得背层的表面粗糙度rb为7[nm]外，以与实施例7类似的方式获得磁带。
[实施例20]
除了调节压延处理的条件(温度)使得磁面和背面之间的层间摩擦系数μ为0.18外，以与实施例7类似的方式获得磁带。
[实施例21]
除了调节压延处理的条件(温度)使得磁面和背面之间的层间摩擦系数μ为0.82外，以与实施例7类似的方式获得磁带。
[实施例22]
除了调节将磁场施加到用于磁性层形成的涂料的时间，从而将磁带的厚度方向(垂直方向)上的矩形比s2设定为73％外，以与实施例7类似的方式获得磁带。
[实施例23]
除了调节将磁场施加到用于磁性层形成的涂料的时间并且设定磁带的厚度方向(垂直方向)上的矩形比s2为80％外，以与实施例7类似的方式获得磁带。
[实施例24]
除了调节具有形成的基层，记录层和背层的膜的固化条件和再固化条件，使得纵向弹性极限值σmd是5.0[n]外，以与实施例10类似的方式获得磁带。
[实施例25]
除了使用钡铁氧体(bafe12o19)纳米颗粒代替ε-氧化铁纳米颗粒之外，以与实施例7类似的方式获得磁带。
[对比例1]
除了改变pen膜的张力使得尺寸变化量δw为650[ppm/n]外，以与实施例1类似的方式获得磁带。
(带宽变化量的测定)
首先，制备掺有1/2英寸宽的磁带的盒式样品。注意，在磁带上，以相互已知的间隔预先记录两行或更多行倒v形磁性图案，以平行于纵向。接下来，盒式样品在记录/再现装置中来回移动。然后，在往复运行时，同时再现两行或更多行上述倒v形磁性图案行，并且从每行的再现波形的形状连续测量运行时的磁性图案行之间的间隔。
注意，在运行时，主轴驱动装置和卷盘驱动装置的旋转驱动是基于测量的关于磁性图案行之间的间隔的信息来控制的，从而自动调节磁带在纵向上的张力，使得磁性图案行之间的间隔是规定宽度或基本规定宽度。
用于一次往复的磁性图案行之间的间隔的所有测量值的平均值被认为是“在磁性图案行之间测量的间隔”，并且在磁性图案行之间测量的间隔与“预先记录的已知磁性图案行之间的间隔”之间的差异被当作”带宽变化“。
此外，记录/再现装置的往复运行是在恒温恒湿环境中进行的。往复运行过程中的温度和湿度与上述往复运行无关，在温度范围为10℃至45℃，相对湿度范围为10％至80％时，根据预先编制的环境变化程序逐渐重复变化(例如：重复10℃，10％→29℃，80％→10℃，10％两次；温度和湿度改变两小时或更长时间)。
重复该评估，直到“预先编制的环境变化程序”完成。在评估完成之后，使用针对每次往复获得的“带宽变化”的所有相应绝对值来计算平均值，并且该值被认为是磁带的“有效带宽变化量”。根据理想的“有效带宽变化量”的差异(理想地较小)对每个磁带进行测定，并且对每个磁带在8个等级的测定结果进行评估。注意，评估为“8”表示最理想的测定结果，评估为“1”表示最不理想的测定结果。
(电磁转换特性的评估)
首先，使用环路测试仪(由microphysics公司制造)获取从磁带再现的信号。以下是获取再现信号的条件。
磁头：gmr磁头
速度：2米/秒
信号：单次记录频率(10mhz)
记录电流：最佳记录电流
接下来，通过频谱分析仪以0至20mhz的跨距(span)(分辨率带宽＝100khz，vbw＝30khz)捕获再现信号。接下来，将捕获的光谱的峰值称为信号量s，对除峰值之外的基底噪声进行积分以获得噪声量n，并且将信号量s与噪声量n之间的比率s/n确定为信噪比(snr)。接下来，根据作为参考介质的对比例1，基于snr将确定的snr转换为相对值(db)。接下来，以上述方式确定的snr(db)用于以下列方式确定电磁转换特性是否良好。
良好：磁带的snr等于或大于评估参考样本(对比例1)的snr(＝0(db))。
不合格：磁带的snr小于评估参考样本(对比例1)的snr(＝0(db))。
(卷绕偏差评估)
首先，在上述“带宽变化量的测定”之后制备盒式样品。接下来，将其上缠绕有磁带的卷盘从盒式样品中取出，目视观察卷绕磁带的端面。注意，卷盘具有凸缘，至少一个凸缘是透明或半透明的，并且可以通过凸缘观察磁带内部的缠绕状态。
作为观察的结果，在磁带的端面不平坦具有台阶或磁带突起的情况下，假设所述磁带具有卷绕偏差。此外，当观察到更多的台阶或磁带突起时，假设“卷绕偏差”更差。对每个样品进行上述测定。将每个样品的卷绕偏差与作为参考介质的对比例1的卷绕偏差进行比较，以通过下列方式确定卷绕偏差是否良好。
良好：样品的卷绕偏差等于或小于参考样品的卷绕偏差的情况(对比例1)
不合格：样品的卷绕偏差大于参考样品的卷绕偏差的情况(对比例1)
表1和2示出了根据实施例1至21和对比例1的磁带的配置和评估结果。
注意，表1和2中的各个符号表示以下测量值。
tt：磁带的厚度
δw：相对于磁带纵向张力变化的磁带的宽度方向上的尺寸变化量
α：磁带的温度膨胀系数
β：磁带的湿度膨胀系数
ρ：磁带的泊松比
σmd：磁带纵向的弹性极限值
v：弹性极限测量的速度
tm：记录层的平均厚度
r2：磁带的厚度方向(垂直方向)的矩形比
tb：背层的平均厚度
rb：背层的表面粗糙度
μ：磁性表面和背面之间的层间摩擦系数
以下是表1和2的确定。
通过比较实施例1，对比例1等的评价结果，确定当尺寸变化量δw满足700[ppm/n]≤δw的要求时，可以抑制与“有效带宽变化量”的理想值的差异。
通过比较实施例1至3等的评价结果，从抑制与“有效带宽变化量”的理想值的差异的观点来看，确定尺寸变化量δw优选满足750[ppm/n]≤δw，更优选800[ppm/n]≤δw的要求。
通过比较实施例3，4，6等的评价结果，从抑制与“有效带宽变化量”的理想值的差异的观点来看，确定温度膨胀系数α优选满足6[ppm/℃]≤α≤8[ppm/℃]的要求。
通过比较实施例3至5等的评价结果，从抑制与“有效带宽变化量”的理想值的差异的观点来看，确定湿度膨胀系数β优选满足β≤5[ppm/％rh]的要求。
通过比较实施例6至8等的评价结果，从抑制与“有效带宽变化量”的理想值的差异的观点来看，确定泊松比ρ优选满足0.3≤ρ的要求。
通过比较实施例7，9，10，23等的评价结果，从抑制与“有效带宽变化量”的理想值的差异的观点来看，确定纵向的弹性极限值σmd优选满足0.8[n]≤σmd的要求。
根据权利要求1所述的磁记录介质，其中，实施例9，11等的弹性极限值σmd与弹性极限测量的速度v无关。
通过比较实施例9，12，18等的评价结果，从提高电磁转换特性的观点出发，确定记录层的平均厚度tm优选满足tm≤90[nm]的要求。
通过比较实施例7，15，19等的评价结果，从提高电磁转换特性的观点出发，确定背层的表面粗糙度rb优选满足rb≤6.0[nm]的要求。
通过比较实施例7，16，17，21等的评价结果，从抑制卷绕偏差的观点出发，确定磁面和背面之间的层间摩擦系数μ优选满足0.20≤μ≤0.80的要求。
通过比较实施例7，22，23等的评价结果，从提高电磁转换特性的观点来看，确定磁带在垂直方向上的矩形比s2优选为80％或更大。
通过比较实施例7，25等的评价结果，确定即使在使用钡铁氧体纳米颗粒作为磁性颗粒的情况下，也可以通过调节诸如尺寸变化量δw，温度膨胀系数α和湿度膨胀系数β的各个参数获得与使用ε-氧化铁纳米颗粒作为磁性颗粒的情况类似的评价结果。
尽管以上具体描述了本公开的实施方式和实施例，但是本公开不应被视为限于上述实施方式和实施例，并且可以基于本公开的技术构思进行各种修改。
例如，在上述实施方式和实施例中呈现的配置，方法，步骤，形状，材料，数值等仅被视为示例，并且如果需要，可以使用与所呈现的配置等不同的配置，方法，步骤，形状，材料，数值等。此外，化合物的化学式等被认为是代表性的，并且不限于所列的化合价等，只要化学式具有相同化合物的通用名称即可。
此外，在不脱离本公开的范围的情况下，上述实施方式和实施例的配置，方法，步骤，形状，材料，数值等可以彼此组合。
此外，在本说明书中，使用术语“至”表示的数值范围表示包括在术语“至”之前和之后描述的数值的范围，其分别作为最小值和最大值。在本说明书中以分阶段方式列出的数值范围中，某一阶段的数值范围的上限值或下限值可以用另一阶段的数值范围的上限值或下限值代替。除非另有说明，本说明书中例举的材料可以单独使用，或者可以组合使用其两种以上。
此外，本公开可以采用以下配置。
(1)
一种磁记录介质，
其中平均厚度tt满足tt≤5.5[μm]的要求，并且
相对于纵向上的张力变化，宽度方向上的尺寸变化量δw满足700[ppm/n]≤δw的要求。
(2)
根据(1)所述的磁记录介质，其中，尺寸变化量δw满足750[ppm/n]≤δw的要求。
(3)
根据(1)或(2)的所述的磁记录介质，其中尺寸变化量δw满足800[ppm/n]≤δw的要求。
(4)
根据(1)至(3)中任一项所述的磁记录介质，其中，温度膨胀系数α满足6[ppm/℃]≤α≤8[ppm/℃]的要求，湿度膨胀系数β符合β≤5[ppm/％rh]的要求。
(5)
根据(1)至(4)中任一项所述的磁记录介质，其中泊松比ρ满足0.3≤ρ的要求。
(6)
根据(1)至(5)中任一项所述的磁记录介质，其中，纵向的弹性极限值σmd满足0.8[n]≤σmd的要求。
(7)
根据(6)所述的磁记录介质，其中弹性极限值σmd与弹性极限测量的速度v无关。
(8)
根据(1)至(7)中任一项所述的磁记录介质，包括作为溅射层的记录层。
(9)
根据(8)所述的磁记录介质，其中，记录层的平均厚度tm满足9[nm]≤tm≤90[nm]的要求。
(10)
根据(1)至(7)中任一项所述的磁记录介质，包括垂直取向的记录层。
(11)
根据(1)至(7)中任一项所述的磁记录介质，包括含有磁粉的记录层。
(12)
根据(11)所述的磁记录介质，其中，记录层的平均厚度tm满足35[nm]≤tm≤90[nm]的要求。
(13)
根据(11)或(12)所述的磁记录介质，其中，磁粉包含ε-氧化铁磁粉，钡铁氧体磁粉或钴铁氧体磁粉。
(14)
根据(1)至(13)中任一项所述的磁记录介质，包括背层，
其中背层的平均厚度tb满足tb≤0.6[μm]的要求。
(15)
根据(1)至(13)中任一项所述的磁记录介质，包括背层，
其中背层的表面粗糙度rb满足rb≤6.0[nm]的要求。
(16)
根据(1)至(15)中任一项所述的磁记录介质，包括磁面和与磁面相对的背面，
其中磁面和背面之间的层间摩擦系数μ满足0.20≤μ≤0.80的要求。
(17)
根据(1)至(16)中任一项所述的磁记录介质，其中，垂直方向上的矩形比为65％以上。
(18)
一种记录/再现装置，用于记录和再现根据(1)至(17)中任一项所述的磁记录介质。
参考符号列表
10磁记录介质
10a磁记录介质盒
10b盒箱体
10c卷盘
10s样品
11衬底
12基层
13记录层
14背层
15阻挡层
21核心部分
22壳体部分
22a第一壳体部分
22b第二壳体部分
30记录/再现装置
31主轴
32卷盘
33主轴驱动装置
34卷盘驱动装置
35导辊
36磁头单元
37通信接口
38控制装置
41服务器
42个人计算机
43网络
110，130磁记录介质
111衬底
112软磁基层
113a第一种子层
113b第二种子层
114a，132a第一基层
114b，132b第二基层
115记录层
116保护层
117润滑层
118背层
120溅射装置
121沉积室
122磁鼓
123a至123f阴极
124供带盘
125收带盘
126排气口
127a至127c，128a至128c导辊
131种子层
231固定部件
232支撑构件
232a狭缝
233重物
234光发射器
235光接收器
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